JP2004247717A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、
   前記非単結晶半導体膜上に開口部を有する遮光膜を形成する工程と、
   線状または楕円状のビームスポットに整形されたレーザ光を、前記遮光膜を介して前記非単結晶半導体膜に照射する工程とを有し、
   前記レーザ光の照射は、前記ビームスポットの短幅方向に相対的に、前記基板が設置されたステージを走査させながら行われ、
   前記ビームスポットは、前記走査の方向と垂直な方向において、第１の結晶状態を形成するエネルギー密度が低い部分と、前記第１の結晶状態よりも結晶粒径が大きい第２の結晶状態を形成するエネルギー密度が高い部分とを有し、
   前記遮光膜を介して前記レーザ光を照射することで、前記非単結晶半導体膜には前記ビームスポットの前記エネルギー密度が高い部分を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、
   前記非単結晶半導体膜上に開口部を有する遮光膜を形成する工程と、
   線状または楕円状のビームスポットに整形されたレーザ光を、前記遮光膜を介して前記非単結晶半導体膜に照射する工程とを有し、
   前記レーザ光の照射は、前記ビームスポットの短幅方向に相対的に、前記基板が設置されたステージを走査させながら行い、
   前記開口部の前記走査方向に垂直な方向の幅は、前記レーザ光の照射跡のうねりの振幅分だけ、前記ビームスポットの前記走査方向に垂直な方向の幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、前記非単結晶半導体膜上に汚染防止膜を形成し、前記汚染防止膜上に前記遮光膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、前記汚染防止膜はシリコン酸化膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記遮光膜の表面と前記非単結晶半導体膜の表面との距離は１０μｍ以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記遮光膜の表面と前記非単結晶半導体膜の表面との距離は１μｍ以下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記遮光膜は金属膜または反射を促進する膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザ光は連続発振の固体レーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記レーザ光は連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ_３レーザ、Ｙ_２Ｏ_３レーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザ光は連続発振のＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ_２レーザから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記レーザ光は高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。