JP2004247570A - レジスト塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のレジスト塗布装置1及び塗布方法では、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、レシピと呼ばれるプログラムで指定していたが、多種多様なサイズ(塗布面積)に応じた全てのレシピを準備し、適宜、それらを切替えることは、工数面及び管理面でロスが多かった。
【解決手段】本発明のレジスト塗布装置101は、チャック部3と、回転モータ5と、ノズル7と、圧送ポンプ8と、貯槽9と、チャンバ10と、排液口11と、レジスト6の飛沫6aに照射光102aを照射する発光部103と、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を測定する受光部104と、受光部104に一端を、圧送ポンプ8に他端を接続して、その反射光102bの光量測定結果に基いて、圧送ポンプ8を停止して、レジスト6の滴下を終了させる滴下動作制御部105とで構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明のレジスト塗布装置101は、チャック部3と、回転モータ5と、ノズル7と、圧送ポンプ8と、貯槽9と、チャンバ10と、排液口11と、レジスト6の飛沫6aに照射光102aを照射する発光部103と、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を測定する受光部104と、受光部104に一端を、圧送ポンプ8に他端を接続して、その反射光102bの光量測定結果に基いて、圧送ポンプ8を停止して、レジスト6の滴下を終了させる滴下動作制御部105とで構成されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チャック部に被処理基板を保持して回転させながら、被処理基板の表面にレジストを滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布装置及び塗布方法に関する。
【0002】
従来のレジスト塗布装置の一例の縦断面図を図5に示す。
【0003】
レジスト塗布装置1は、被処理基板としての半導体基板2の表面2aを上向きにして、裏面2bを保持するチャック部3と、チャック部3を回転軸4周りに回転させる回転モータ5と、半導体基板2の中央部上方に配設され半導体基板2の表面2aにレジスト6を滴下するノズル7と、ノズル7にレジスト6を供給する圧送ポンプ8と、レジスト6を貯めた貯槽9と、半導体基板2の周辺を覆いレジスト6の飛沫6aを付着させるチャンバ10と、チャンバ10に付着したレジスト6を排出する排液口11とで構成され、ノズル7,圧送ポンプ8,貯槽9は、この順に配管12で接続されている。また、半導体基板2は、チャック部3中央に形成された凹部13と、これと連通した回転軸4の中空部14を通して、吸引ポンプ(図示せず)で真空吸引される。
【0004】
このレジスト塗布装置1の使用方法は、先ず、半導体基板2の表面2aを上向きにしてチャック部3に載置し、吸引ポンプ(図示せず)を作動させ、裏面2bを吸引保持する。
【0005】
次に、回転モータ5を作動させ、チャック部3を回転軸4周りに回転させながら、ノズル7からレジスト6を半導体基板2の表面2aに滴下する。そして、回転によって生じる遠心力で、レジスト6を半導体基板2の表面2a全面に押し広げる。(例えば、特許文献1参照)。
【0006】
また、遠心力で半導体基板2の表面2a上を外周部まで流れたレジスト6は、飛沫6aとなって飛散し、チャンバ10に付着し回収される。
【0007】
ここで、飛散する飛沫6aの量は、レジスト6が、まだ、表面2a全面に充分、行き渡らない段階では、図6(a)に示すように、半導体基板2の外周位置によって、ばらつきが大きい。しかし、レジスト6が、表面2a全面に充分、行き渡った段階では、図6(b)に示すように、半導体基板2の全外周位置で、ほぼ均一になる。
【0008】
また、レジスト6は、予め、設定した一定の吐出量でノズル7から滴下されるため、半導体基板2へのトータル滴下量は、滴下時間(滴下開始時間および滴下終了時間の差)で決定され、この滴下時間は、サイズの大きい(塗布面積が大きい)半導体基板2では長く、サイズの小さい(塗布面積が小さい)半導体基板2では短くなる。また、トータル滴下量が不足すると、表面2aに塗布ムラが生じ、トータル滴下量が過多になるとレジスト6の裏面2bへの回り込みが発生するため、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、品質のよいレジスト膜の形成のために非常に重要となってくる。
【0009】
尚、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、予め、準備したレシピと呼ばれるプログラムにより指定される。レシピは、これ以外に、チャック部3の回転数,回転時間,レジストの種類などの諸条件を指定するもので、工程中を流れる品種毎に準備される。そして、このレシピを品種毎に切換えて作業することで、適切なトータル滴下量が設定される。
【0010】
しかしながら、実際に、工程中を流れる品種の中には、同一品種であっても半導体基板2のサイズ(塗布面積)が異なる場合があり、多種多様なサイズ(塗布面積)に応じた全てのレシピを準備し、適宜、それらを切替えることは、工数面及び管理面でロスが多かった。
【0011】
【特許文献1】
特開2000−3849号公報 (第2頁、0002段落〜0005段落、図5)
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来のレジスト塗布装置1及び塗布方法では、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、レシピと呼ばれるプログラムで指定していたが、多種多様なサイズ(塗布面積)に応じた全てのレシピを準備し、適宜、それらを切替えることは、工数面及び管理面でロスが多かった。
【0013】
本発明の目的は、滴下終了のタイミングを、レシピで指定することなく、多種多様なサイズ(塗布面積)を有する被処理基板に対して適切な滴下終了のタイミングを制御できるレジスト塗布装置及び、塗布方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明のレジスト塗布装置は、被処理基板を保持して回転するチャック部と、チャック部に保持した被処理基板の表面にレジストを滴下するノズルと、ノズルにレジストを圧送するレジスト圧送手段とを備え、チャック部に保持して回転する被処理基板の表面に、ノズルからレジストを滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布装置において、被処理基板の周辺に飛散するレジストの飛沫量を測定する飛沫量測定手段を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置である。
【0015】
本発明のレジスト塗布方法は、チャック部に保持して回転する被処理基板の表面に、レジスト圧送手段により圧送したレジストをノズルから滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布方法において、被処理基板の周辺に飛散するレジストの飛沫量を測定することを特徴とするレジスト塗布方法である。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト塗布装置の一例の縦断面図を図1に示す。尚、図5と同一部分には同一符号を付す。
【0017】
本発明のレジスト塗布装置101は、被処理基板としての半導体基板2の表面2aを上向きにして、裏面2bを保持するチャック部3と、チャック部3を回転軸4周りに回転させる回転モータ5と、半導体基板2の中央部上方に配設され半導体基板2の表面2aにレジスト6を滴下するノズル7と、ノズル7にレジスト6を供給する圧送ポンプ8と、レジスト6を貯めた貯槽9と、半導体基板2の周辺を覆いレジスト6の飛沫6aを付着させるチャンバ10と、チャンバ10に付着したレジスト6を排出する排液口11と、レジスト6の飛沫6aに照射光102aを照射する発光部103と、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を測定する受光部104と、受光部104に一端を、圧送ポンプ8に他端を接続して、その反射光102bの光量測定結果に基いて、圧送ポンプ8を停止して、レジスト6の滴下を終了させる滴下動作制御部105とで構成され、ノズル7,圧送ポンプ8,貯槽9は、この順に配管12で接続されている。また、半導体基板2は、チャック部3中央に形成された凹部13と、これと連通した回転軸4の中空部14を通して、吸引ポンプ(図示せず)で真空吸引される。
【0018】
このレジスト塗布装置101の使用方法は、先ず、半導体基板2の表面2aを上向きにしてチャック部3に載置し、吸引ポンプ(図示せず)を作動させ、裏面2bを吸引保持する。
【0019】
次に、回転モータ5を作動させ、チャック部3を回転軸4周りに回転させながら、ノズル7からレジスト6を半導体基板2の表面2aに滴下する。そして、回転によって生じる遠心力で、レジスト6を半導体基板2の表面2a全面に押し広げる。
【0020】
また、遠心力で半導体基板2の表面2a上を外周部まで流れたレジスト6は、飛沫6aとなって飛散し、チャンバ10に付着し回収される。
【0021】
このとき、レジスト6の飛沫6aに発光部103から照射光102aを照射し、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を受光部104で測定する。
【0022】
即ち、飛沫量が少ないと反射光102bの光量が少なく、飛沫量が多いと反射光102bの光量が多くなることを利用して、反射光102bの光量を、飛沫量の代用特性として測定する。ここで、照射光102aの照射領域は、半導体基板2外周から若干、離れた位置とし、照射領域の大きさは、例えば、直径10mm程度の大きさとする。
【0023】
また、飛散する飛沫6aの量は、レジスト6が、まだ、表面2a全面に充分、行き渡らない段階では、図2に示すように、半導体基板2の外周位置によって、ばらつきが大きい。このため、反射光102bの光量測定結果は、安定せず、時間とともに変動する。しかし、レジスト6が、表面2a全面に充分、行き渡った段階では、図3に示すように、半導体基板2の全外周位置で、ほぼ均一になる。このため、反射光102bの光量測定結果は、安定する。
【0024】
尚、滴下開始時間および滴下終了時間など、レジスト塗布に係わる作業条件は、通常、レシピと呼ばれるプログラムにより指定されるが、本発明のレジスト塗布装置101では、滴下終了時間以外の諸条件(滴下開始時間,チャック部3の回転数,回転時間,レジストの種類などの項目)はレシピで指定するが、滴下終了時間(滴下終了のタイミング)は指定しない。
【0025】
上記のようにして測定した反射光102bの光量測定結果を、予め、設定した基準値と比較判定し安定した瞬間を、適切なトータル滴下量が滴下された時点と判断し、滴下動作制御部105により圧送ポンプ8を停止し、レジスト6の滴下動作を終了させる。
【0026】
このようにすることで、多種多様な半導体基板2のサイズ(塗布面積)に応じた適切な滴下終了のタイミングの制御が可能となる。
【0027】
尚、上記では、飛沫量の測定手段としての発光部103,受光部104を1組、配置して、半導体基板2の外周の1箇所で光量測定を行い、その結果で滴下動作を制御する構成で説明したが、図4に示すように、発光部103,受光部104を複数組(図中では2箇所)、配置し、それらから得られる複数の反射光102bの光量測定結果のばらつきの大きさを、予め、設定した基準値と比較判定して、基準値以下となった瞬間を、適切なトータル滴下量が滴下された時点と判断し、滴下動作制御部105により圧送ポンプ8を停止し、レジスト6の滴下動作を終了させる構成としてもよい。
【0028】
【発明の効果】
本発明のレジスト塗布装置101及び塗布方法によれば、レジスト6の飛沫6aに発光部103から照射光102aを照射し、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を受光部104で測定し、その光量測定結果を、予め、設定した基準値と比較判定し、滴下終了のタイミングを決定するため、多数のレシピを準備する必要がなく、多種多様な半導体基板2のサイズ(塗布面積)に応じた適切な滴下終了のタイミングの制御が可能となる。また、発光部103,受光部104を複数組、配置し、それらから得られる複数の反射光102bの光量測定結果のばらつきを求めて、そのばらつきの大きさを、予め、設定した基準値と比較判定して、ノズル7からのレジスト6の滴下動作を終了させる構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレジスト塗布装置の一例の縦断面図
【図2】本発明のレジスト塗布装置でレジストの飛沫量を測定する説明図
【図3】本発明のレジスト塗布装置でレジストの飛沫量を測定する説明図
【図4】本発明のレジスト塗布装置の他の例の縦断面図
【図5】従来のレジスト塗布装置の縦断面図
【図6】レジストの飛沫の状態の説明図
【符号の説明】
1 従来のレジスト塗布装置
2 半導体基板
2a 半導体基板の表面
2b 半導体基板の裏面
3 チャック部
4 回転軸
5 回転モータ
6 レジスト
6a レジストの飛沫
7 ノズル
8 圧送ポンプ
9 貯槽
10 チャンバ
11 排液口
12 配管
13 凹部
14 中空部
101 本発明のレジスト塗布装置
102a 照射光
102b 反射光
103 発光部
104 受光部
105 滴下動作制御部
【発明の属する技術分野】
本発明は、チャック部に被処理基板を保持して回転させながら、被処理基板の表面にレジストを滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布装置及び塗布方法に関する。
【0002】
従来のレジスト塗布装置の一例の縦断面図を図5に示す。
【0003】
レジスト塗布装置1は、被処理基板としての半導体基板2の表面2aを上向きにして、裏面2bを保持するチャック部3と、チャック部3を回転軸4周りに回転させる回転モータ5と、半導体基板2の中央部上方に配設され半導体基板2の表面2aにレジスト6を滴下するノズル7と、ノズル7にレジスト6を供給する圧送ポンプ8と、レジスト6を貯めた貯槽9と、半導体基板2の周辺を覆いレジスト6の飛沫6aを付着させるチャンバ10と、チャンバ10に付着したレジスト6を排出する排液口11とで構成され、ノズル7,圧送ポンプ8,貯槽9は、この順に配管12で接続されている。また、半導体基板2は、チャック部3中央に形成された凹部13と、これと連通した回転軸4の中空部14を通して、吸引ポンプ(図示せず)で真空吸引される。
【0004】
このレジスト塗布装置1の使用方法は、先ず、半導体基板2の表面2aを上向きにしてチャック部3に載置し、吸引ポンプ(図示せず)を作動させ、裏面2bを吸引保持する。
【0005】
次に、回転モータ5を作動させ、チャック部3を回転軸4周りに回転させながら、ノズル7からレジスト6を半導体基板2の表面2aに滴下する。そして、回転によって生じる遠心力で、レジスト6を半導体基板2の表面2a全面に押し広げる。(例えば、特許文献1参照)。
【0006】
また、遠心力で半導体基板2の表面2a上を外周部まで流れたレジスト6は、飛沫6aとなって飛散し、チャンバ10に付着し回収される。
【0007】
ここで、飛散する飛沫6aの量は、レジスト6が、まだ、表面2a全面に充分、行き渡らない段階では、図6(a)に示すように、半導体基板2の外周位置によって、ばらつきが大きい。しかし、レジスト6が、表面2a全面に充分、行き渡った段階では、図6(b)に示すように、半導体基板2の全外周位置で、ほぼ均一になる。
【0008】
また、レジスト6は、予め、設定した一定の吐出量でノズル7から滴下されるため、半導体基板2へのトータル滴下量は、滴下時間(滴下開始時間および滴下終了時間の差)で決定され、この滴下時間は、サイズの大きい(塗布面積が大きい)半導体基板2では長く、サイズの小さい(塗布面積が小さい)半導体基板2では短くなる。また、トータル滴下量が不足すると、表面2aに塗布ムラが生じ、トータル滴下量が過多になるとレジスト6の裏面2bへの回り込みが発生するため、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、品質のよいレジスト膜の形成のために非常に重要となってくる。
【0009】
尚、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、予め、準備したレシピと呼ばれるプログラムにより指定される。レシピは、これ以外に、チャック部3の回転数,回転時間,レジストの種類などの諸条件を指定するもので、工程中を流れる品種毎に準備される。そして、このレシピを品種毎に切換えて作業することで、適切なトータル滴下量が設定される。
【0010】
しかしながら、実際に、工程中を流れる品種の中には、同一品種であっても半導体基板2のサイズ(塗布面積)が異なる場合があり、多種多様なサイズ(塗布面積)に応じた全てのレシピを準備し、適宜、それらを切替えることは、工数面及び管理面でロスが多かった。
【0011】
【特許文献1】
特開2000−3849号公報 (第2頁、0002段落〜0005段落、図5)
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来のレジスト塗布装置1及び塗布方法では、滴下終了のタイミング(滴下終了時間)は、レシピと呼ばれるプログラムで指定していたが、多種多様なサイズ(塗布面積)に応じた全てのレシピを準備し、適宜、それらを切替えることは、工数面及び管理面でロスが多かった。
【0013】
本発明の目的は、滴下終了のタイミングを、レシピで指定することなく、多種多様なサイズ(塗布面積)を有する被処理基板に対して適切な滴下終了のタイミングを制御できるレジスト塗布装置及び、塗布方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明のレジスト塗布装置は、被処理基板を保持して回転するチャック部と、チャック部に保持した被処理基板の表面にレジストを滴下するノズルと、ノズルにレジストを圧送するレジスト圧送手段とを備え、チャック部に保持して回転する被処理基板の表面に、ノズルからレジストを滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布装置において、被処理基板の周辺に飛散するレジストの飛沫量を測定する飛沫量測定手段を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置である。
【0015】
本発明のレジスト塗布方法は、チャック部に保持して回転する被処理基板の表面に、レジスト圧送手段により圧送したレジストをノズルから滴下して、回転による遠心力でレジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布方法において、被処理基板の周辺に飛散するレジストの飛沫量を測定することを特徴とするレジスト塗布方法である。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明のレジスト塗布装置の一例の縦断面図を図1に示す。尚、図5と同一部分には同一符号を付す。
【0017】
本発明のレジスト塗布装置101は、被処理基板としての半導体基板2の表面2aを上向きにして、裏面2bを保持するチャック部3と、チャック部3を回転軸4周りに回転させる回転モータ5と、半導体基板2の中央部上方に配設され半導体基板2の表面2aにレジスト6を滴下するノズル7と、ノズル7にレジスト6を供給する圧送ポンプ8と、レジスト6を貯めた貯槽9と、半導体基板2の周辺を覆いレジスト6の飛沫6aを付着させるチャンバ10と、チャンバ10に付着したレジスト6を排出する排液口11と、レジスト6の飛沫6aに照射光102aを照射する発光部103と、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を測定する受光部104と、受光部104に一端を、圧送ポンプ8に他端を接続して、その反射光102bの光量測定結果に基いて、圧送ポンプ8を停止して、レジスト6の滴下を終了させる滴下動作制御部105とで構成され、ノズル7,圧送ポンプ8,貯槽9は、この順に配管12で接続されている。また、半導体基板2は、チャック部3中央に形成された凹部13と、これと連通した回転軸4の中空部14を通して、吸引ポンプ(図示せず)で真空吸引される。
【0018】
このレジスト塗布装置101の使用方法は、先ず、半導体基板2の表面2aを上向きにしてチャック部3に載置し、吸引ポンプ(図示せず)を作動させ、裏面2bを吸引保持する。
【0019】
次に、回転モータ5を作動させ、チャック部3を回転軸4周りに回転させながら、ノズル7からレジスト6を半導体基板2の表面2aに滴下する。そして、回転によって生じる遠心力で、レジスト6を半導体基板2の表面2a全面に押し広げる。
【0020】
また、遠心力で半導体基板2の表面2a上を外周部まで流れたレジスト6は、飛沫6aとなって飛散し、チャンバ10に付着し回収される。
【0021】
このとき、レジスト6の飛沫6aに発光部103から照射光102aを照射し、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を受光部104で測定する。
【0022】
即ち、飛沫量が少ないと反射光102bの光量が少なく、飛沫量が多いと反射光102bの光量が多くなることを利用して、反射光102bの光量を、飛沫量の代用特性として測定する。ここで、照射光102aの照射領域は、半導体基板2外周から若干、離れた位置とし、照射領域の大きさは、例えば、直径10mm程度の大きさとする。
【0023】
また、飛散する飛沫6aの量は、レジスト6が、まだ、表面2a全面に充分、行き渡らない段階では、図2に示すように、半導体基板2の外周位置によって、ばらつきが大きい。このため、反射光102bの光量測定結果は、安定せず、時間とともに変動する。しかし、レジスト6が、表面2a全面に充分、行き渡った段階では、図3に示すように、半導体基板2の全外周位置で、ほぼ均一になる。このため、反射光102bの光量測定結果は、安定する。
【0024】
尚、滴下開始時間および滴下終了時間など、レジスト塗布に係わる作業条件は、通常、レシピと呼ばれるプログラムにより指定されるが、本発明のレジスト塗布装置101では、滴下終了時間以外の諸条件(滴下開始時間,チャック部3の回転数,回転時間,レジストの種類などの項目)はレシピで指定するが、滴下終了時間(滴下終了のタイミング)は指定しない。
【0025】
上記のようにして測定した反射光102bの光量測定結果を、予め、設定した基準値と比較判定し安定した瞬間を、適切なトータル滴下量が滴下された時点と判断し、滴下動作制御部105により圧送ポンプ8を停止し、レジスト6の滴下動作を終了させる。
【0026】
このようにすることで、多種多様な半導体基板2のサイズ(塗布面積)に応じた適切な滴下終了のタイミングの制御が可能となる。
【0027】
尚、上記では、飛沫量の測定手段としての発光部103,受光部104を1組、配置して、半導体基板2の外周の1箇所で光量測定を行い、その結果で滴下動作を制御する構成で説明したが、図4に示すように、発光部103,受光部104を複数組(図中では2箇所)、配置し、それらから得られる複数の反射光102bの光量測定結果のばらつきの大きさを、予め、設定した基準値と比較判定して、基準値以下となった瞬間を、適切なトータル滴下量が滴下された時点と判断し、滴下動作制御部105により圧送ポンプ8を停止し、レジスト6の滴下動作を終了させる構成としてもよい。
【0028】
【発明の効果】
本発明のレジスト塗布装置101及び塗布方法によれば、レジスト6の飛沫6aに発光部103から照射光102aを照射し、飛沫量の代用特性として、その反射光102bの光量を受光部104で測定し、その光量測定結果を、予め、設定した基準値と比較判定し、滴下終了のタイミングを決定するため、多数のレシピを準備する必要がなく、多種多様な半導体基板2のサイズ(塗布面積)に応じた適切な滴下終了のタイミングの制御が可能となる。また、発光部103,受光部104を複数組、配置し、それらから得られる複数の反射光102bの光量測定結果のばらつきを求めて、そのばらつきの大きさを、予め、設定した基準値と比較判定して、ノズル7からのレジスト6の滴下動作を終了させる構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレジスト塗布装置の一例の縦断面図
【図2】本発明のレジスト塗布装置でレジストの飛沫量を測定する説明図
【図3】本発明のレジスト塗布装置でレジストの飛沫量を測定する説明図
【図4】本発明のレジスト塗布装置の他の例の縦断面図
【図5】従来のレジスト塗布装置の縦断面図
【図6】レジストの飛沫の状態の説明図
【符号の説明】
1 従来のレジスト塗布装置
2 半導体基板
2a 半導体基板の表面
2b 半導体基板の裏面
3 チャック部
4 回転軸
5 回転モータ
6 レジスト
6a レジストの飛沫
7 ノズル
8 圧送ポンプ
9 貯槽
10 チャンバ
11 排液口
12 配管
13 凹部
14 中空部
101 本発明のレジスト塗布装置
102a 照射光
102b 反射光
103 発光部
104 受光部
105 滴下動作制御部
Claims (10)
- 被処理基板を保持して回転するチャック部と、前記チャック部に保持した前記被処理基板の表面にレジストを滴下するノズルと、前記ノズルに前記レジストを圧送するレジスト圧送手段とを備え、前記チャック部に保持して回転する前記被処理基板の表面に、前記ノズルから前記レジストを滴下して、回転による遠心力で前記レジストを前記被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布装置において、前記被処理基板の周辺に飛散する前記レジストの飛沫量を測定する飛沫量測定手段を備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
- 前記飛沫量測定手段は、前記レジストの飛沫に照射光を照射する発光部と、飛沫量の代用特性として、その反射光の光量を測定する受光部とで構成されたことを特徴とする請求項1に記載のレジスト塗布装置。
- 前記飛沫量測定手段は、前記被処理基板の周辺の複数位置に配置されたことを特徴とする請求項1に記載のレジスト塗布装置。
- 前記飛沫量測定手段に一端を、前記レジスト圧送手段に他端を接続して、飛沫量の測定結果に基いて、前記レジスト圧送手段を制御し、前記ノズルからの前記レジストの滴下動作を終了させる滴下動作制御部を備えたことを特徴とする請求項1に記載のレジスト塗布装置。
- チャック部に保持して回転する被処理基板の表面に、レジスト圧送手段により圧送したレジストを前記ノズルから滴下して、回転による遠心力で前記レジストを被処理基板全面に押し広げてレジスト膜を形成するレジスト塗布方法において、前記被処理基板の周辺に飛散する前記レジストの飛沫量を測定することを特徴とするレジスト塗布方法。
- 前記飛沫量の測定方法は、前記レジストの飛沫に発光部から照射光を照射し、飛沫量の代用特性として、その反射光の光量を受光部で測定する方法であることを特徴とする請求項5に記載のレジスト塗布方法。
- 前記飛沫量の代用特性としての反射光の光量測定結果に基いて、前記レジスト圧送手段を制御し、前記ノズルからの前記レジストの滴下動作を終了させることを特徴とする請求項6に記載のレジスト塗布方法。
- 前記反射光の光量測定結果を、予め、設定した基準値と比較判定することを特徴とする請求項7に記載のレジスト塗布方法。
- 前記飛沫量の代用特性としての反射光の光量測定は、前記被処理基板の周辺の複数位置で行い、複数の反射光の光量測定結果を得ることを特徴とする請求項6に記載のレジスト塗布方法。
- 前記複数の反射光の光量測定結果のばらつきを、予め、設定した基準値と比較判定することを特徴とする請求項9に記載のレジスト塗布方法。
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2003
- 2003-02-14 JP JP2003036645A patent/JP2004247570A/ja active Pending
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EP1591217A1 (en) * | 2004-04-26 | 2005-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for recycling ultraviolet curing resin |
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