JP2004247099A

JP2004247099A - 透明電極の製造方法、ｅｌ素子及びｅｌ素子の製造方法

Info

Publication number: JP2004247099A
Application number: JP2003034042A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Nishimura; 和夫西村; Masaki Kondo; 昌樹近藤; Atsushi Sogami; 淳曽我美; Masaichiro Tachikawa; 雅一郎立川
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-02-12
Filing date: 2003-02-12
Publication date: 2004-09-02

Abstract

【課題】加工部の周辺や下地層の損傷を防止しつつ透明電極やＥＬ素子の微細加工を可能にするレーザ加工技術を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上にＩＴＯ膜１２と金属膜１３とを積層し、ピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射して金属膜１３及びＩＴＯ膜１２を個別化する。次に、ピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、金属膜１３を部分的に除去してＩＴＯ膜１２の一部を露出させる。ＩＴＯ膜１２の露出部にＥＬ膜１４を形成し、ＥＬ膜１４の上に導電膜１５を形成する。
【選択図】図１５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明電極の製造方法及びＥＬ素子の製造方法に係り、特に、レーザ光を用いた透明電極及びＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、各種表示装置における発光素子として、ＥＬ素子が用いられている。ＥＬ素子は、無機化合物や有機化合物などからなる発光材料を電極で挟んで構成され、電極の一方にはＩＴＯ等の透明電極が用いられることが多い。通常、電極の微細加工（パターン化）は、フォトリソグラフィとウェットエッチング又はドライエッチングにより行われる。しかし、発光材料には水に弱い性質を有するものがあり、そのような発光材料を用いたＥＬ素子を製造する場合には、ウェットプロセスを採用することはできない。この場合、ＥＬ素子の製造工程のすべてにおいて、ドライでクリーンなプロセスが要求される。
【０００３】
ドライかつクリーンな加工方法として、レーザ光を用いた加工方法が挙げられる。特許文献１には、レーザ光を用いたＥＬ素子の微細パターン化方法が記載されている。この方法は、加工エッジ周辺部や下地層に対する損傷をできるだけ抑えながら微細加工を可能にすることを目的とし、レーザ光のフルーエンスを１０〜２２０ｍＪ／ｃｍ^２に規定するものである。しかし、上記方法は、ＥＬ素子のうち、非透明の金属系電極又は発光材料と金属系電極との積層体を微細加工するものであり、透明電極自体を加工するものではない。
【０００４】
一方、金属系電極や発光素子だけでなく、透明電極自体をレーザ光で加工する方法も望まれている。しかし、例えばレーザ光として波長が１．０５μｍ程度のＹＡＧレーザ光を用いたとすると、その光学的エネルギーは１．２３ｅＶである。一方、透明材料であるＩＴＯは、通常は３．７ｅＶ以上のバンドギャップを有している。そのため、赤外や可視光の領域では十分な吸収が起こらず、十分なレーザー加工は困難である。そこで、透明材料をレーザ光で加工する方法として、紫外領域以下の波長のレーザ光を用いる方法が提案されている。例えば特許文献２には、透明材料又は透明材料と金属膜とを組み合わせたものに対し、エキシマレーザ光を照射して電極を加工する方法が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平８−２２２３７１号公報
【特許文献２】
特開昭６１−１０５８８５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際には、レーザ光のフルーエンスを上記特許文献１に記載された前記範囲に保つだけでは、必ずしもエッジ部や下地層の損傷を防ぐことはできなかった。そのため、エッジ部や下地層の損傷を十分に防ぐことができる他の手法が待ち望まれていた。また、前述した通り、上記特許文献１の方法では透明電極を十分に加工することができなかった。そのため、金属系電極と透明電極とを適宜選択的に加工することができず、利便性に劣っていた。
【０００７】
一方、エキシマレーザ光による加工では、微細加工を行うに当たってパワーを下げる必要があるが、パワーの低下とともにＩＴＯの完全な除去が難しくなり、加工物にＩＴＯの残渣物が残るという問題があった。また、エキシマレーザ光の波長が透明材料の吸収波長域にあり、熱的プロセスにより加工が行われるため、加工部の周辺の損傷や下地層への影響が大きく、精度の高い微細加工が難しいという問題があった。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工部の周辺や下地層の損傷を防止しつつ透明電極やＥＬ素子の微細加工を可能にするレーザ加工技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明者は、パルス幅の小さな短パルスレーザ光を用い、エネルギーを時間的に集約しつつレーザ強度を十分に大きくし、多光子吸収を起こすように加工を行う方法に思い至った。この方法によれば、吸収波長域外の材料も加工することができ、透明電極及びＥＬ素子の加工方法として好適である。しかし、上記方法を実際に応用するには何らかの指針が必要である。そこで、本願発明者は、試行錯誤の結果、短パルスレーザ光のピーク出力に着目し、このピーク出力を調節することによって良好な微細加工が可能となることを見い出した。
【００１０】
本発明に係る透明電極の製造方法は、基板上に透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜に対してピーク出力が２〜２５ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記透明導電性膜を加工するレーザ加工工程とを備えているものである。
【００１１】
上記方法によれば、基板に損傷を与えることなく、また、透明導電性膜の残渣物を残すことなく、透明導電性膜を加工することができる。また、加工後の透明導電性膜のエッジ部分にテーパが形成されにくく、シャープな加工形状を得ることができる。したがって、高精度な透明電極の加工を行うことができ、高品質の透明電極を得ることができる。
【００１２】
本発明に係る透明電極の製造方法は、基板上に透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜に対してピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記金属膜の一部を除去して前記透明導電性膜の一部を露出させるレーザ加工工程とを備えているものである。
【００１３】
上記方法によれば、透明導電性膜に損傷を与えることなく金属膜を加工することができる。また、加工後の金属膜のエッジ部分にテーパが形成されにくく、シャープな加工形状を得ることができる。
【００１４】
本発明に係る透明電極の製造方法は、基板上に透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記金属膜の一部とその裏側の透明導電性膜とを一括して除去するレーザ加工工程とを備えているものである。
【００１５】
上記方法によれば、基板に損傷を与えることなく金属膜及び透明導電性膜の両方を一括して加工することができる。また、加工後の金属膜及び透明導電性膜のエッジ部分にテーパが形成されにくく、シャープな加工形状を得ることができる。
【００１６】
前記レーザ加工工程は、レーザ光の照射位置を０．１ｍｍ／ｓ以下の走査速度で走査させながら加工を行う工程であることが好ましい。
【００１７】
このことにより、加工形状を更に良好なものにすることができる。
【００１８】
前記短パルスレーザ光は、ピコ秒レーザ光であることが好ましい。
【００１９】
前記短パルスレーザ光は、パルス幅が１０フェムト秒〜１００ピコ秒のパルスレーザ光であることが好ましい。
【００２０】
本発明に係るＥＬ素子は、前記製造方法により製造された透明電極と、前記透明電極上に形成されたＥＬ膜と、前記ＥＬ膜上に形成された電極とを備えているものである。
【００２１】
このことにより、高品質のＥＬ素子を得ることができる。
【００２２】
本発明に係るＥＬ素子の製造方法は、基板上に透明導電性膜からなる第１の導電性膜を形成する工程と、前記第１導電性膜上に第２の導電性膜を形成する工程と、前記第２導電性膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記第１及び第２導電性膜の一部を一括して除去することによって該第１及び第２導電性膜を一括して個別化する工程と、前記第２導電性膜にピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、該第２導電性膜を部分的に除去することによって前記第１導電性膜の一部を露出させる工程と、少なくとも前記第１導電性膜の露出部の表面上にＥＬ膜を形成する工程と、前記ＥＬ膜上に第３の導電性膜を形成する工程とを備えているものである。
【００２３】
上記製造方法によれば、高品質なＥＬ素子を得ることができる。
【００２４】
本発明に係るＥＬ素子の製造方法は、基板上に透明導電性膜からなる第１の導電性膜を形成する工程と、前記第１導電性膜上に第２の導電性膜を形成する工程と、前記第２導電性膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記第１及び第２導電性膜の一部を一括して除去することによって該第１及び第２導電性膜を一括して個別化する工程と、前記第２導電性膜側から絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜側から短パルスレーザ光を照射し、前記絶縁膜及び前記第２導電性膜の一部を一括して除去することによって前記第１導電性膜の一部を露出させる工程と、少なくとも前記第１導電性膜の露出部の表面上にＥＬ膜を形成する工程と、前記ＥＬ膜上に第３の導電性膜を形成する工程とを備えているものである。
【００２５】
上記製造方法によれば、高品質なＥＬ素子を得ることができる。加えて、ＥＬ膜が導電性膜に封止されているので、別途新たな保護膜を設けなくても、水分や酸素などの活性種によるＥＬ膜の劣化を防ぐことができる。
【００２６】
【発明の効果】
以上より、本発明によれば、下地層の損傷を防ぎつつ、下地層上の透明電極やＥＬ膜等を高精度に加工することができる。また、加工部の周辺にテーパが生じることを抑制又は防止することができる。そのため、加工後にシャープなエッジ部を得ることができ、良好な加工形状を得ることができる。したがって、高品質な透明電極又はＥＬ素子を得ることが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２８】
図１は、短パルスレーザ加工システム１の構成を示している。このレーザ加工システム１は、レーザ発生装置２と、レーザ発生装置２から出力されたレーザ光の向きを変える反射鏡３と、反射鏡３に反射されたレーザ光を透過又は遮断するシャッター４と、アテネータ５と、集光レンズ７と、加工対象物１０を支持するステージ６とを備えている。
【００２９】
レーザ発生装置２は、いわゆるピコ秒レーザ光の出力が可能な装置であり、２０ピコ秒のパルス幅を有する短パルスレーザ光を出力することができる。
【００３０】
アテネータ５はレーザ光の透過量を調節するものであり、このアテネータ５によって、加工に必要な光量を調整することができる。ステージ６は、いわゆるＸＹステージからなり、２次元移動が自在に構成されている。そして、このステージ６を移動させることにより、加工対象物１０に対するレーザ光の照射位置が移動する。
【００３１】
なお、上記レーザ加工システム１は例示であり、本願発明に係る製造方法を実施するためのシステムは上記システム１に何ら限定されるものではない。
【００３２】
本願発明では、短パルスレーザ光のピーク出力を特定の範囲に規定する。以下、その理由を説明する。
【００３３】
−ピーク出力の影響について−
始めに、レーザ光のパルス幅及びフルーエンスの影響を調べるために、以下のような実験を行った。
【００３４】
本実験では、ガラス基板上に厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜を形成しておき、所定条件のレーザ光を上記ＩＴＯ膜に照射し、このＩＴＯ膜に直線状の溝を形成した。そして、溝の形状及びＩＴＯ膜のエッジ部を光学顕微鏡にて観察し、レーザ加工の評価を行った。
【００３５】
まず、ナノ秒レーザ光を用いた実験（実験１）について説明する。ＩＴＯ膜に対して十分大きなエネルギーを与えるために、レーザ光のフルーエンスは１パルス当たり約２５００ｍＪ／ｃｍ^２と大きめに設定した。ただし、ピーク出力は２５．６ＭＷ／ｃｍ^２である。具体的には、下記表１に示す条件のレーザ光を照射した。
【００３６】
【表１】

【００３７】
その結果、図２に示すように、レーザ光を照射した部分についてはＩＴＯ膜５１をほとんど除去することができたものの、ガラス基板５２上にわずかにＩＴＯの残渣物５４が残ってしまった。また、溝の両側にテーパ状のエッジ部５３が残ってしまい、シャープな加工形状を得ることはできなかった。
【００３８】
次に、表２に示す条件のレーザ光を用いて、同様の実験を行った（実験２）。このレーザ光はいわゆるピコ秒レーザ光であり、ピーク出力は約２．４ＧＷ／ｃｍ^２である。
【００３９】
【表２】

【００４０】
その結果、図３に示すように、レーザ光を照射した部分においてＩＴＯ膜５１をきれいに除去することができ、溝５５の両側には、ガラス基板５２の表面にほぼ垂直なエッジ部５３が形成された。したがって、良好な加工形状を得ることができた。
【００４１】
このように、加工形状に最も影響を及ぼすと考えられていたフルーエンスは実験２よりも実験１の方が高い値であったにも拘わらず、加工形状は実験２の方が実験１よりも良好であった。そこで、フルーエンスよりもピーク出力の大小の方が加工形状に及ぼす影響が大きいと考え、ピーク出力を変化させて同様の実験を行った。その結果を図４に示す。
【００４２】
顕微鏡写真による観察の結果、ピーク出力が２ＧＷ／ｃｍ^２以上では、加工形状が良好であることが分かった。一方、ピーク出力が２５ＧＷ／ｃｍ^２を超えると、ガラス基板に損傷が見られた。そのため、ピーク出力を２〜２５ＧＷ／ｃｍ^２の範囲に規定することによって、基板に損傷を与えずに良好な加工を実現することができる。
【００４３】
−走査速度の影響について−
表３に示す条件下でレーザ光の走査速度を段階的に変化させ、走査速度とエッジ部のテーパ形状との関係を調べてみた。
【００４４】
【表３】

【００４５】
図５は、走査速度とテーパ率との関係を示している。ここでテーパ率Ｔは、レーザ光の加工幅をｂ、両側のテーパ部の幅を２ａとした場合に、Ｔ＝２ａ／ｂで定義される値である（図６参照）。したがって、テーパ率が小さいほど加工形状は良好となる。
【００４６】
図５から、走査速度が遅いほどテーパ率が小さいことが分かる。また、走査速度が０．１ｍｍ／ｓであれば、平均出力に拘わらず、テーパ率は零又はほぼ零に近い値になることが分かる。言い換えると、ピーク出力に拘わらず、走査速度を０．１ｍｍ／ｓ以下にすることによって良好な加工形状を得ることができる。
【００４７】
図７は、走査速度が０．１ｍｍ／ｓ、０．４ｍｍ／ｓ、０．７ｍｍ／ｓ、１．０ｍｍ／ｓの場合におけるエッジ部の加工形状を示している。図７から、走査速度が小さくなるほどテーパ部は小さくなり、走査速度が０．１ｍｍ／ｓの場合にはテーパ部が見られなくなることが分かる。
【００４８】
−ＩＴＯ膜及び金属膜の選択的加工−
次に、図８に示すように、ガラス基板５２上にＩＴＯ膜５１及び金属膜５６を順に積層して供試体５７を形成し、レーザ光を照射してＩＴＯ膜５１及び金属膜５６を加工する実験を行った。ここでは、金属膜５６の材料としてクロム（Ｃｒ）を用いた。ＩＴＯ膜５１、金属膜５６の膜厚は、それぞれ０．１μｍ、０．１５μｍとした。
【００４９】
図９に、ピーク出力と加工形状との関係を示す。実験の結果、ピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の範囲では、加工形状を良好に保ちつつ金属膜５６のみを除去することができた。一方、ピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の範囲では、加工形状を良好に保ちつつ金属膜５６及びＩＴＯ膜５１の双方を一括して除去することができた。
【００５０】
次に、レーザ光の走査速度を段階的に変化させ、エッジ部の形状を観察した。図１０は、走査速度が０．１ｍｍ／ｓ、０．４ｍｍ／ｓ、０．７ｍｍ／ｓ、１．０ｍｍ／ｓの場合におけるエッジ部の加工形状を示している。図１０から、走査速度が小さくなるほどテーパ部は小さくなり、走査速度が０．１ｍｍ／ｓの場合にはテーパ部が見られなくなることが分かる。また、走査速度が小さいほどエッジ部の形状の乱れが少なくなり、走査速度が０．１ｍｍ／ｓの場合には形状の乱れがほとんど見られなくなることが分かる。
【００５１】
−透明電極及びＥＬ素子の製造方法−
次に、本発明に係る透明電極及びＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００５２】
始めに、本発明に係る第１のＥＬ素子３１（図１５参照）の製造方法について説明する。第１ＥＬ素子３１の製造に際しては、まず、図１１に示すように、ガラス基板１１の表面にＩＴＯからなる透明導電性膜１２を形成し、この透明導電性膜１２の表面にＣｒからなる金属膜１３を形成する。
【００５３】
次に、図１２に示すように、ピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を金属膜１３側から照射し、金属膜１３及び透明導電性膜１２の一部を一括して除去することにより、金属膜１３及び透明導電性膜１２を一括して個別化する。なお、レーザ光による加工に際しては、ステージ６を移動させることによって、レーザ光の照射位置を０．１ｍｍ／ｓ以下の速度で移動させることが好ましい。
【００５４】
次に、図１３に示すように、ピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を金属膜１３に照射し、金属膜１３の一部を除去することによって透明導電性膜１２の一部を露出させる。なお、この際もレーザ光の照射位置を０．１ｍｍ／ｓ以下の速度で移動させることが好ましい。
【００５５】
次に、図１４に示すように、透明導電性膜１２の露出部分とこの露出部分の両側の金属膜１３の表面上に、ＥＬ膜１４を形成する。その後、図１５に示すように、ＥＬ膜１４上に、共通電極となる導電性膜１５を形成する。
【００５６】
なお、上記製造方法において、透明導電性膜１２、金属膜１３、ＥＬ膜１４及び導電性膜１５の形成に際しては、スパッタリングや蒸着等の周知の成膜技術を用いることができる。
【００５７】
上記製造方法によれば、ＩＴＯ膜１２及び金属膜１３からなる積層膜を良好に加工することができる。すなわち、ＩＴＯ膜１２を残したまま金属膜１３だけを良好な加工状態で除去することができ、また、ガラス基板１１に損傷を与えることなくＩＴＯ膜１２及び金属膜１３の両方を良好な加工状態で除去することができる。したがって、ＩＴＯ膜１２やＥＬ膜１４の微細加工を高精度に行うことができる。
【００５８】
次に、本発明に係る第２のＥＬ素子３２（図１９参照）の製造方法を説明する。この第２ＥＬ素子３２は、ＥＬ膜１４を共通電極で封止したものである。
【００５９】
本製造に際しては、始めに第１ＥＬ素子３１の製造と同様、ガラス基板１１上にＩＴＯからなる透明導電性膜１２及びＣｒからなる金属膜１３を順に形成し（図１１参照）、ピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射することにより、金属膜１３及び透明導電性膜１２を一括して個別化する（図１２参照）。なお、この場合も、０．１ｍｍ／ｓ以下の走査速度でレーザ光を走査させることが好ましい。
【００６０】
次に、図１６に示すように、金属膜１３の表面側に絶縁膜１６を形成する。そして、図１７に示すように、ピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を絶縁膜１６の表側から照射し、絶縁膜１６及び金属膜１３の一部を一括して除去することにより、透明導電性膜１２の一部を露出させる。なお、この際にも、０．１ｍｍ／ｓ以下の走査速度でレーザ光を走査させることが好ましい。
【００６１】
次に、図１８に示すように、透明導電性膜１２の露出部分とこの露出部分の両側の絶縁膜１６の表面上に、ＥＬ膜１４を形成する。
【００６２】
その後、図１９に示すように、ＥＬ膜１４の全体を覆うように、絶縁膜１６の表面側に共通電極となる導電性膜１５を形成する。言い換えると、導電性膜１５によってＥＬ膜１４を覆い、ＥＬ膜１４を導電性膜１５で封止する。
【００６３】
なお、上記製造方法において、透明導電性膜１２、金属膜１３、絶縁膜１６、ＥＬ膜１４及び導電性膜１５の形成に際しては、スパッタリングや蒸着等の周知の成膜技術を用いることができる。
【００６４】
上記製造方法においても、ＩＴＯ膜１２やＥＬ膜１４の微細加工を高精度に行うことができる。加えて、第２ＥＬ素子３２では、ＥＬ膜１４が導電性膜１５によって封止されているので、ＥＬ膜１４が水分や空気に触れることを防止することができる。したがって、ＥＬ膜１４の品質劣化を防止することができ、信頼性の向上及び長寿命化を図ることができる。
【００６５】
なお、上記製造方法においては、ステージ６を移動させることによってレーザ光を走査させていたが、反射鏡３を揺動させることによってレーザ光を走査させてもよい。レーザ光の走査方法は何ら限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】短パルスレーザ加工システムの構成図である。
【図２】（ａ）はピーク出力が２５．６ＭＷ／ｃｍ^２のレーザ加工後におけるＩＴＯ膜の加工状態を示す光学顕微鏡写真図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図３】（ａ）はピーク出力が２．３９４ＧＷ／ｃｍ^２のレーザ加工後におけるＩＴＯ膜の加工状態を示す光学顕微鏡写真図であり、（ｂ）はその断面図である。
【図４】ピーク出力と加工線幅との関係を示したグラフである。
【図５】走査速度とテーパ率との関係を示したグラフである。
【図６】テーパ率を説明するための図である。
【図７】レーザ加工後におけるＩＴＯ膜の加工状態を示す光学顕微鏡写真図である。
【図８】供試体の断面図である。
【図９】ピーク出力と加工幅との関係を示すグラフである。
【図１０】レーザ加工後における供試体の加工状態を示す光学顕微鏡写真図である。
【図１１】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１３】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１４】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１６】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１７】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１８】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１９】ＥＬ素子の製造工程の一部を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【符号の説明】
１短パルスレーザ加工システム
２レーザ発生装置
３反射鏡
４シャッター
５アテネータ
６ステージ
７集光レンズ
１０加工対象物
１１ガラス基板
１２透明導電性膜
１３金属膜
１４ＥＬ膜
１５導電性膜
１６絶縁膜
３１第１ＥＬ素子
３２第２ＥＬ素子

Claims

基板上に透明導電性膜を形成する工程と、
前記透明導電性膜に対してピーク出力が２〜２５ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記透明導電性膜を加工するレーザ加工工程とを備えている透明電極の製造方法。
基板上に透明導電性膜を形成する工程と、
前記透明導電性膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜に対してピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記金属膜の一部を除去して前記透明導電性膜の一部を露出させるレーザ加工工程とを備えている透明電極の製造方法。
基板上に透明導電性膜を形成する工程と、
前記透明導電性膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記金属膜の一部とその裏側の透明導電性膜とを一括して除去するレーザ加工工程とを備えている透明電極の製造方法。
前記レーザ加工工程は、レーザ光の照射位置を０．１ｍｍ／ｓ以下の走査速度で走査させながら加工を行う工程である請求項１〜３のいずれか一つに記載の透明電極の製造方法。
前記短パルスレーザ光は、ピコ秒レーザ光である請求項１〜４のいずれか一つに記載の透明電極の製造方法。
前記短パルスレーザ光は、パルス幅が１０フェムト秒〜１００ピコ秒のパルスレーザ光である請求項１〜４のいずれか一つに記載の透明電極の製造方法。
請求項１〜６のいずれか一つに記載の透明電極の製造方法により製造された透明電極と、
前記透明電極上に形成されたＥＬ膜と、
前記ＥＬ膜上に形成された電極とを備えているＥＬ素子。
基板上に透明導電性膜からなる第１の導電性膜を形成する工程と、
前記第１導電性膜上に第２の導電性膜を形成する工程と、
前記第２導電性膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記第１及び第２導電性膜の一部を一括して除去することによって該第１及び第２導電性膜を一括して個別化する工程と、
前記第２導電性膜にピーク出力が０．８〜１．６ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、該第２導電性膜を部分的に除去することによって前記第１導電性膜の一部を露出させる工程と、
少なくとも前記第１導電性膜の露出部の表面上にＥＬ膜を形成する工程と、
前記ＥＬ膜上に第３の導電性膜を形成する工程と
を備えているＥＬ素子の製造方法。
基板上に透明導電性膜からなる第１の導電性膜を形成する工程と、
前記第１導電性膜上に第２の導電性膜を形成する工程と、
前記第２導電性膜側からピーク出力が３．１〜１０．２ＧＷ／ｃｍ^２の短パルスレーザ光を照射し、前記第１及び第２導電性膜の一部を一括して除去することによって該第１及び第２導電性膜を一括して個別化する工程と、
前記第２導電性膜側から絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜側から短パルスレーザ光を照射し、前記絶縁膜及び前記第２導電性膜の一部を一括して除去することによって前記第１導電性膜の一部を露出させる工程と、
少なくとも前記第１導電性膜の露出部の表面上にＥＬ膜を形成する工程と、
前記ＥＬ膜上に該ＥＬ膜を封止する第３の導電性膜を形成する工程と
を備えているＥＬ素子の製造方法。