JP2004245841A5

JP2004245841A5 -

Info

Publication number: JP2004245841A5
Application number: JP2004035289A
Authority: JP
Filing date: 2004-02-12
Publication date: 2006-11-09

Claims

乱れていないもともとの材料構造を有する固体材料のＴＥＭＦＩＢ試料であって、前記試料は、単一の移動するイオンビームを交互に鋭角で背中合せの面に打込む、背中合せの面への後続処理のステップによって所望の厚みに調節され、前記厚みは＜４０ｎｍであり、前記試料は、主に乱れていないもともとの材料構造からなる、ＴＥＭＦＩＢ試料。
前記厚みは＜２０ｎｍである、請求項１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料。
前記試料（５）は、その表面（６ａ、ｂ）上に実質的に全く汚染がない、請求項１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料。
前記試料表面（６ａ、ｂ）の両側の乱れた構造の部分の乱れの深さは、最大１０ｎｍである、請求項１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料。
前記試料表面（６ａ、ｂ）の両側の乱れた構造の部分の乱れの深さは、最大５ｎｍである、請求項１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料。
前記試料（５）は、半導体材料から構成される、請求項１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料。
固体材料のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法であって、相対的な打込み角度（α）で前記試料（５）の一方の側（６ａ）と他方の側（６ｂ）とに交互に案内される単一のイオンビーム（８）を用いる、前記試料（５）を所望の厚みにエッチングする、両方の側への後続の加工のステップを含み、前記打込み角度（α）は、±４°から±２０°の範囲の値に設定される、ＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記試料（５）および／または前記イオンビーム（８）は、試料堆積平面（９）を基準として角度±αでの前記試料（５）に対する振子の態様で相対的に動かされる、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
振子の動きは、連続的な動きで行なわれる、請求項８に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記ＦＩＢ試料（５）の構造的に乱れた表面領域（６ａ、ｂ）は、残りの試料（５）が主に乱れていないもともとの材料から構成されるように除去される、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
残りの乱れの深さは、最大１０ｎｍである、請求項１０に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
後続処理を行なわれた試料（５）の厚みは＜４０ｎｍである、請求項１１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記後続処理を行なわれた試料（５）の厚みは＜２０ｎｍである、請求項１１に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記残りの乱れの深さは、最大５ｎｍである、請求項１０に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記後続処理は、前記試料表面（６ａ、ｂ）に実質的に全く汚染がないように行なわれる、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記イオンビーム（８）は、２００ｅＶから１０ｋｅＶのエネルギで動作され、前記試料（５）上で優先的な走査は起こらない、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記試料（５）は、半導体材料である、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。
前記試料（５）の交互の側での後続処理は、プロセス制御を用いて自動化される、請求項７に記載のＴＥＭＦＩＢ試料の製造のための方法。