【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、焼成して電子回路基板を作製するのに好適な無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子回路基板として用いられていた、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板は、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてタングステン（融点：３４００℃）、モリブデン（融点：２６２０℃）等の高融点金属しか使用できず、比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融点：９６２℃）等の非・高融点金属を基板作製と同時に焼成する電極材料として使用できない問題があった。そのため、それに代わる基板用材料として結晶性ガラス粉末（たとえば特許文献１参照）やホウケイ酸ガラス粉末（たとえば特許文献２参照）が用いられていた。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２２０２５６号公報（表１）
【特許文献２】
特開平９−２９５８２７号公報（表１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に記載の結晶性ガラス粉末を用いたセラミック基板材料は強度的には有利ではあるが、焼結時に反りや歪みが生じるため寸法精度に問題があった。
また、特許文献２に記載のホウケイ酸ガラス粉末を用いた場合は寸法精度の高い基板材料を得ることができるが、基板の比誘電率が高い、またはアンチモンを含有するという問題があった。
【０００５】
近年、鉛、ヒ素およびアンチモンのいずれも含有せず、グリーンシートの保存安定性に優れ、かつ９００℃以下の温度で焼成しても結晶が析出しない電子回路基板作製用非結晶性ガラスが求められている。
また、このような非結晶性ガラスを主成分とする電子回路基板であって比誘電率または誘電損失が小さい電子回路基板が求められている。
本発明は、以上の課題を解決する無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２ ６８〜７２％、Ｂ２Ｏ３ １９〜２２．５％、Ａｌ２Ｏ３ ３〜７％、ＣａＯ ０〜２．５％、ＳｒＯ１〜６％、から本質的になり、ＣａＯ＋ＳｒＯが２〜６モル％である無鉛ガラスを提供する。
【０００７】
また、質量百分率表示で、前記無鉛ガラスの粉末 ４０〜１００％、セラミックフィラー ０〜６０％、から本質的になる電子回路基板用組成物を提供する。
また、質量百分率表示で、前記無鉛ガラス ４０〜１００％、セラミックフィラー ０〜６０％、から本質的になる電子回路基板を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の無鉛ガラス（以下、本発明のガラスという。）は通常、粉砕、分級されてガラス粉末とされる。該ガラス粉末は、必要に応じてセラミックフィラー等と混合し、必要に応じてグリーンシートとした後、焼成して電子回路基板を作製するのに好適である。
【０００９】
本発明のガラスの軟化点Ｔｓは９７０℃以下であることが好ましい。９７０℃超では、本発明のガラスの粉末を９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製することが困難になるおそれがある。
【００１０】
本発明のガラスの３５ＧＨｚにおける比誘電率εは４．３以下であることが好ましい。４．３超では高速演算処理用電子回路基板に用いることが困難になるおそれがある。
本発明のガラスの３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００３５以下であることが好ましい。０．００３５超では高速演算処理用電子回路基板に用いることが困難になるおそれがある。
本発明のガラスは、εが４．３以下かつｔａｎδが０．００３５以下であることがより好ましい。
【００１１】
本発明のガラスは、その粉末を９００℃に６０分間保持したときに結晶析出が認められないものであることが好ましい。結晶が析出するものであると、電子回路基板に用いる場合当該基板に反りや歪みが生じ寸法精度に問題が生じるおそれがある。なお、本発明でいう結晶析出の有無はＸ線回折法によって調べられた結晶析出の有無である。
【００１２】
本発明のガラスをシリコンチップ形成用電子回路基板に用いる場合、本発明のガラスの５０〜３５０℃における平均線膨張係数αは２５×１０−７〜３５×１０−７／℃であることが好ましい。３５×１０−７／℃超では、電子回路基板上にシリコンチップを形成する場合にシリコンチップとの膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。２５×１０−７／℃未満ではやはりシリコンチップとの膨張係数マッチングが困難になるおそれがある。
【００１３】
本発明のガラスの下記耐水性指標Ｄは２ｐｐｍ以下であることが好ましい。２ｐｐｍ超ではグリーンシートとして保存するときの保存安定性が低下するおそれがある。
【００１４】
耐水性指標Ｄ：下記方法Ａによって粉砕して得られたガラス粉末１０ｇを、温度が２５℃のイオン交換水１００ｇの中に投入し、６時間撹拌後ガラス粉末をろ過する。ろ過後のイオン交換水中のＢ２Ｏ３濃度をＩＣＰ発光分析装置を用いて測定し、これを質量百万分率表示で表したものをＤとする。
【００１５】
（方法Ａ）溶融ガラスをロールアウトマシンを用いてフレーク化し、得られたガラスフレーク２００ｇを、アルミナ製の直径２０ｍｍのボール２ｋｇとともに容量が２０００ｃｃのアルミナ製ボールミルに入れ、１２時間乾式粉砕を行いガラス粉末を作製する。なお、このガラス粉末の質量平均粒径は典型的には１４〜１６μｍである。
【００１６】
次に、本発明のガラスの組成についてモル％を単に％と記して説明する。
ＳｉＯ２はネットワークフォーマであり、またεを低下させる成分であって必須である。６８％未満ではεが大きくなる。７２％超では９００℃以下での焼結が困難になる。
【００１７】
Ｂ２Ｏ３はＴｓ、εまたはｔａｎδを低下させる成分であって必須である。１９％未満ではＴｓが高くなる、または焼結性を向上させるためにアルカリ土類金属酸化物の含有量を多くしなければならなくなりその結果εまたはｔａｎδが高くなる。２２．５％超ではＤが大きくなる、すなわち耐水性が低下し、グリーンシートにした場合の保存安定性が低下する。
【００１８】
Ａｌ２Ｏ３はガラスを安定化させる、または耐水性を向上させる成分であって必須である。３％未満ではガラスが不安定になる、または耐水性が低下する。７％超ではεが高くなる、または焼成時に結晶が析出しやすくなる。
【００１９】
ＣａＯは必須ではないが、εもしくはｔａｎδを低下させ、ガラスを安定化させ、またはガラス溶融温度を低下させるために２．５％まで含有してもよい。２．５％超では焼成時に結晶が析出しやすくなる。
【００２０】
ＳｒＯはＴｓまたはガラス溶融温度を低下させる成分であり、必須である。１％未満ではＴｓまたはガラス溶融温度が高くなる。好ましくは３％以上である。６％超ではεまたはｔａｎδが高くなる。
【００２１】
ＣａＯおよびＳｒＯの含有量の合計が２％未満ではＴｓが高くなり、９００℃以下での焼成によって電子回路基板を作製することが困難になる。６％超ではεまたはｔａｎδが高くなる。
【００２２】
本発明のガラスは本質的に上記成分からなるが、他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該他の成分の含有量の合計は、好ましくは５％以下である。５％超ではガラスが失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは２．５％以下である。
【００２３】
前記他の成分として次のようなものが例示される。
ガラス溶融温度を低下させるために、またはガラスを安定化させるためにＭｇＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ等を含有してもよい。
ガラスの安定性または焼結性の向上等のためにアルカリ金属酸化物を含有してもよいが、その含有量は合計で４％以下であることが好ましい。４％超では電子回路基板の比抵抗が小さくなりすぎるおそれがある。電子回路基板の比抵抗を大きくしたい場合にはアルカリ金属酸化物は含有しないことが好ましい。
なお、本発明のガラスはＰｂＯを含有しない無鉛ガラスであり、かつ、Ａｓ２Ｏ３およびＳｂ２Ｏ３のいずれも含有しない。
【００２４】
次に、本発明の組成物の組成について質量百分率表示を用いて説明する。
本発明のガラスの粉末は必須である。４０％未満では焼結しにくくなり、９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製することが困難になる。好ましくは５５％以上である。
【００２５】
本発明のガラスの粉末の質量平均粒径は１〜５μｍであることが好ましい。１μｍ未満では粉砕に要する時間が長くなる、または前記保存安定性が低下するおそれがある。より好ましくは２μｍ以上である。５μｍ超では焼成体中の気孔が大きくなりｔａｎδが低下するおそれがある。より好ましくは４μｍ以下である。
【００２６】
本発明のガラスを粉砕して粉末にする方法は前記平均粒径が得られる方法であれば限定されない。ボールミルまたはジェットミルを用いる方法が例示される。
【００２７】
セラミックフィラーは必須ではないが、本発明の組成物を焼成して得られる焼成体のαを低下させるために、または該焼成体の強度を大きくするために６０％まで含有してもよい。６０％超では焼結しにくくなる。好ましくは４５％以下である。
【００２８】
セラミックフィラーは、融点が１０００℃以上であるセラミックス粉末または軟化点が１０００℃以上であるガラス粉末であることが好ましい。
セラミックフィラーは、α−石英（転移温度：１４５０℃）、非晶質シリカ（ＴＳ：１５００℃）、アルミナ（融点：２０５０℃）、マグネシア（融点：２８２０℃）、フォルステライト（融点：１８９０℃）、コージエライト（転移温度：１４５０℃）、ムライト（融点：１８５０℃）、ジルコン（融点：１６８０℃）およびジルコニア（融点：２７１０℃）からなる群から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることが好ましい。
【００２９】
前記焼成体のαを低下させたい場合、セラミックフィラーは、非晶質シリカ、アルミナ、コージエライト、ムライトおよびジルコンからなる群から選ばれた無機物の１種以上の粉末であることがより好ましい。アルミナ粉末であることが特に好ましい。
【００３０】
本発明の組成物を電子回路基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使用される。すなわち、該組成物に樹脂、溶剤、可塑剤等を添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラリーをシート状に成形する。最後に乾燥して溶剤等を除去しグリーンシートとされる。なお、前記樹脂として、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂等が、前記溶剤として、トルエン、キシレン、ブタノール等が、前記可塑剤としてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等がそれぞれ例示される。
【００３１】
前記グリーンシートは焼成されて電子回路基板とされる。この電子回路基板は本発明の電子回路基板である。
また、本発明の組成物を典型的には９００℃以下の温度で焼成して作製された電子回路基板は本発明の電子回路基板である。
【００３２】
【実施例】
表のＳｉＯ２からＳｒＯまでの欄にモル％表示で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合された原料を白金ルツボに入れて１６５０℃で１８０分間溶融した。溶融ガラスをロールアウトマシンを用いてガラスフレークとし、これを前記方法Ａによって粉砕して質量平均粒径が１４〜１６μｍのガラス粉末とした。例１〜５は実施例、例６〜９は比較例である。
【００３３】
前記ガラス粉末について、Ｔｇ（単位：℃）、軟化点Ｔｓ（単位：℃）、焼結性、ε、ｔａｎδ、α（単位：１０−７／℃）、耐水性指標Ｄ（単位：ｐｐｍ）、析出結晶を測定または評価した。結果を表に示す。なお、例９については焼結性が低くε、ｔａｎδおよびαの測定用サンプルを作製できなかった。
【００３４】
Ｔｇ、Ｔｓ：示差熱分析により昇温速度１０℃／分で室温から１０００℃までの範囲で測定した。なお、アルミナ粉末を標準物質とした。
【００３５】
焼結性：ガラス粉末２ｇを直径１２．７ｍｍの円柱状に加圧成形したものを試料とした。この試料を９００℃に６０分間保持して得た焼成体を肉眼で観察した。焼成体が緻密に焼結しており、また焼成体にクラックが認められないことが好ましい。焼成体が緻密に焼結しており、また焼成体にクラックが認められない場合を○、そうでない場合を×で示す。
【００３６】
ε、ｔａｎδ：ガラス粉末４０ｇを６０ｍｍ×６０ｍｍの金型に入れて加圧成形したものを、９００℃で６０分間焼成した。得られた焼成体を３５ｍｍ×３５ｍｍ×０．２５ｍｍに加工し、ネットワークアナライザを使用して、２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電率と誘電損失を測定した。
【００３７】
α：ガラス粉末を９００℃で６０分間焼成して得られた焼成体を直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの円柱状に加工したものを試料とし、示差熱膨張計を使用して測定した。
【００３８】
析出結晶：ガラス粉末を９００℃で６０分間焼成して得られた焼成体を粉砕して、Ｘ線回折により析出結晶の有無を調べた。結晶析出が認められなかったものを○、結晶析出が認められたものを×で示す。
【００３９】
上記測定または評価においては質量平均粒径が前記好ましい範囲（１〜５μｍ）よりも大きなガラス粉末を使用しているが、一方で焼成時間を通常の焼成時間より長い６０分間としている。したがって質量平均粒径が前記好ましい範囲よりも大きいことの影響は解消されていると考えられる。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、焼成温度が９００℃以下であって、３５ＧＨｚでの誘電率および誘電損失が小さい電子回路基板が得られる。さらに、シリコンチップとの膨張係数マッチングが可能な電子回路基板が得られる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a lead-free glass, a composition for an electronic circuit board, and an electronic circuit board that are suitable for firing to produce an electronic circuit board.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an alumina substrate that has been used as an electronic circuit substrate and is produced by sintering alumina powder has a high sintering temperature of about 1600 ° C., and therefore the electrode material that is fired simultaneously with the production of the alumina substrate. Only high melting point metals such as tungsten (melting point: 3400 ° C.) and molybdenum (melting point: 2620 ° C.) can be used, and silver (melting point: 962 ° C.) such as silver (melting point: 962 ° C.) having a small specific resistance but not higher than 1600 ° C. There is a problem that the melting point metal cannot be used as an electrode material that is fired simultaneously with the production of the substrate. Therefore, crystalline glass powder (see, for example, Patent Document 1) and borosilicate glass powder (see, for example, Patent Document 2) have been used as an alternative substrate material.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2002-220256 A (Table 1)
[Patent Document 2]
JP-A-9-295827 (Table 1)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The ceramic substrate material using the crystalline glass powder described in Patent Document 1 is advantageous in terms of strength, but has a problem in dimensional accuracy because warpage and distortion occur during sintering.
Further, when the borosilicate glass powder described in Patent Document 2 is used, a substrate material with high dimensional accuracy can be obtained, but there is a problem that the substrate has a high relative dielectric constant or contains antimony.
[0005]
In recent years, there has been a demand for an amorphous glass for producing an electronic circuit board which does not contain any of lead, arsenic and antimony, has excellent green sheet storage stability, and does not precipitate crystals even when fired at a temperature of 900 ° C. or lower. ing.
There is also a need for an electronic circuit board mainly composed of such amorphous glass and having a low relative dielectric constant or dielectric loss.
An object of this invention is to provide the lead-free glass, the composition for electronic circuit boards, and an electronic circuit board which solve the above subject.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention, in mol% based on the following oxides, SiO 2 68~72%, B 2 O 3 19~22.5%, Al 2 O 3 3~7%, CaO 0~2.5%, SrO1 Lead-free glass consisting essentially of ˜6%, with CaO + SrO being 2-6 mol%.
[0007]
Moreover, the composition for electronic circuit boards which consists essentially of the said lead-free glass powder 40-100% and ceramic filler 0-60% by the mass percentage display is provided.
Moreover, the electronic circuit board which consists essentially of the said lead-free glass 40-100% and ceramic filler 0-60% by the mass percentage display is provided.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The lead-free glass of the present invention (hereinafter referred to as the glass of the present invention) is usually pulverized and classified into glass powder. The glass powder is suitable for producing an electronic circuit board by mixing with a ceramic filler or the like as necessary, forming a green sheet as necessary, and firing.
[0009]
The softening point Ts of the glass of the present invention is preferably 970 ° C. or lower. If it exceeds 970 ° C., it may be difficult to produce an electronic circuit board by firing the glass powder of the present invention at 900 ° C. or lower.
[0010]
The relative dielectric constant ε at 35 GHz of the glass of the present invention is preferably 4.3 or less. If it exceeds 4.3, it may be difficult to use it for an electronic circuit board for high-speed arithmetic processing.
The dielectric loss tan δ at 35 GHz of the glass of the present invention is preferably 0.0035 or less. If it exceeds 0.0035, it may be difficult to use the electronic circuit board for high-speed arithmetic processing.
In the glass of the present invention, it is more preferable that ε is 4.3 or less and tan δ is 0.0035 or less.
[0011]
The glass of the present invention is preferably such that no crystal precipitation is observed when the powder is held at 900 ° C. for 60 minutes. If the crystal is precipitated, when used for an electronic circuit board, the board may be warped or distorted, which may cause a problem in dimensional accuracy. In the present invention, the presence or absence of crystal precipitation is the presence or absence of crystal precipitation examined by X-ray diffraction.
[0012]
When the glass of the present invention is used for an electronic circuit substrate for forming a silicon chip, the average linear expansion coefficient α of the glass of the present invention at 50 to 350 ° C. is preferably 25 × 10 −7 to 35 × 10 −7 / ° C. . If it exceeds 35 × 10 −7 / ° C., expansion coefficient matching with the silicon chip may be difficult when the silicon chip is formed on the electronic circuit board. If it is less than 25 × 10 −7 / ° C., it is still difficult to match the expansion coefficient with the silicon chip.
[0013]
The following water resistance index D of the glass of the present invention is preferably 2 ppm or less. If it exceeds 2 ppm, the storage stability when stored as a green sheet may be reduced.
[0014]
Water resistance index D: 10 g of glass powder obtained by pulverization by the following method A is put into 100 g of ion-exchanged water having a temperature of 25 ° C., and the glass powder is filtered after stirring for 6 hours. The concentration of B 2 O 3 in the ion-exchanged water after filtration is measured using an ICP emission spectrometer, and this is expressed in terms of mass parts per million.
[0015]
(Method A) Molten glass is made into flakes using a roll-out machine, and 200 g of the obtained glass flakes are placed in an alumina ball mill with a capacity of 2000 cc together with 2 kg of alumina balls having a diameter of 20 mm, followed by dry pulverization for 12 hours. Make a powder. The mass average particle diameter of the glass powder is typically 14 to 16 μm.
[0016]
Next, the composition of the glass of the present invention will be described by simply describing mol% as%.
SiO 2 is a network former and a component that lowers ε and is essential. If it is less than 68%, ε increases. If it exceeds 72%, sintering at 900 ° C. or lower becomes difficult.
[0017]
B 2 O 3 is a component that lowers Ts, ε, or tan δ, and is essential. If it is less than 19%, Ts becomes high, or in order to improve sinterability, the content of alkaline earth metal oxide must be increased, and as a result, ε or tan δ becomes high. If it exceeds 22.5%, D becomes large, that is, the water resistance is lowered, and the storage stability in the case of a green sheet is lowered.
[0018]
Al 2 O 3 is a component that stabilizes the glass or improves the water resistance, and is essential. If it is less than 3%, the glass becomes unstable or the water resistance decreases. If it exceeds 7%, ε increases, or crystals tend to precipitate during firing.
[0019]
CaO is not essential, but may be incorporated up to 2.5% in order to lower ε or tan δ, stabilize the glass, or lower the glass melting temperature. If it exceeds 2.5%, crystals tend to precipitate during firing.
[0020]
SrO is a component that lowers Ts or the glass melting temperature, and is essential. If it is less than 1%, Ts or the glass melting temperature becomes high. Preferably it is 3% or more. If it exceeds 6%, ε or tan δ becomes high.
[0021]
If the total content of CaO and SrO is less than 2%, Ts increases, and it becomes difficult to produce an electronic circuit board by firing at 900 ° C. or less. If it exceeds 6%, ε or tan δ becomes high.
[0022]
The glass of the present invention consists essentially of the above components, but other components may be contained within a range not impairing the object of the present invention. The total content of the other components is preferably 5% or less. If it exceeds 5%, the glass tends to be devitrified. More preferably, it is 2.5% or less.
[0023]
Examples of the other components are as follows.
In order to lower the glass melting temperature or stabilize the glass, MgO, BaO, ZnO, TiO 2 , ZrO 2 , SnO or the like may be contained.
Alkali metal oxides may be contained for the purpose of improving the stability or sinterability of the glass, but the total content is preferably 4% or less. If it exceeds 4%, the specific resistance of the electronic circuit board may be too small. When it is desired to increase the specific resistance of the electronic circuit board, it is preferable not to contain an alkali metal oxide.
The glass of the present invention is a lead-free glass containing no PbO, and does not contain any As 2 O 3 and Sb 2 O 3.
[0024]
Next, the composition of the composition of the present invention will be described using mass percentage display.
The glass powder of the present invention is essential. If it is less than 40%, it becomes difficult to sinter, and it becomes difficult to produce an electronic circuit board by firing at 900 ° C. or lower. Preferably it is 55% or more.
[0025]
The mass average particle size of the glass powder of the present invention is preferably 1 to 5 μm. If it is less than 1 μm, the time required for pulverization may be increased, or the storage stability may be reduced. More preferably, it is 2 μm or more. If it exceeds 5 μm, the pores in the fired body become large and tan δ may decrease. More preferably, it is 4 μm or less.
[0026]
The method of pulverizing the glass of the present invention into powder is not limited as long as the average particle size can be obtained. A method using a ball mill or a jet mill is exemplified.
[0027]
The ceramic filler is not essential, but may be contained up to 60% in order to reduce the α of the fired product obtained by firing the composition of the present invention or to increase the strength of the fired product. If it exceeds 60%, it becomes difficult to sinter. Preferably it is 45% or less.
[0028]
The ceramic filler is preferably a ceramic powder having a melting point of 1000 ° C. or higher or a glass powder having a softening point of 1000 ° C. or higher.
The ceramic filler is α-quartz (transition temperature: 1450 ° C.), amorphous silica (T S : 1500 ° C.), alumina (melting point: 2050 ° C.), magnesia (melting point: 2820 ° C.), forsterite (melting point: 1890 ° C.). ), Cordierite (transition temperature: 1450 ° C.), mullite (melting point: 1850 ° C.), zircon (melting point: 1680 ° C.) and zirconia (melting point: 2710 ° C.). It is preferable.
[0029]
When it is desired to lower α of the fired body, the ceramic filler is more preferably one or more powders of an inorganic material selected from the group consisting of amorphous silica, alumina, cordierite, mullite and zircon. Particularly preferred is alumina powder.
[0030]
When the composition of the present invention is used for producing an electronic circuit board, it is usually used as a green sheet. That is, a resin, a solvent, a plasticizer or the like is added to the composition to form a slurry, and the slurry is formed into a sheet shape on a film of polyethylene terephthalate or the like by a doctor blade method or the like. Finally, it is dried to remove the solvent and the like to obtain a green sheet. Examples of the resin include polyvinyl butyral and acrylic resin, examples of the solvent include toluene, xylene, butanol, and examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, and butyl benzyl phthalate.
[0031]
The green sheet is fired to form an electronic circuit board. This electronic circuit board is the electronic circuit board of the present invention.
An electronic circuit board produced by firing the composition of the present invention typically at a temperature of 900 ° C. or lower is the electronic circuit board of the present invention.
[0032]
【Example】
The raw materials were prepared and mixed so as to have a composition represented by mol% in the columns from SiO 2 to SrO in the table, and the mixed raw materials were put in a platinum crucible and melted at 1650 ° C. for 180 minutes. The molten glass was made into glass flakes using a roll-out machine, and pulverized by the method A to obtain glass powder having a mass average particle size of 14 to 16 μm. Examples 1 to 5 are examples, and examples 6 to 9 are comparative examples.
[0033]
About the glass powder, Tg (unit: ° C.), softening point Ts (unit: ° C.), sinterability, ε, tan δ, α (unit: 10 −7 / ° C.), water resistance index D (unit: ppm), Precipitated crystals were measured or evaluated. The results are shown in the table. In Example 9, the sinterability was low and a sample for measuring ε, tan δ and α could not be produced.
[0034]
Tg, Ts: Measured in the range from room temperature to 1000 ° C. at a rate of temperature increase of 10 ° C./min by differential thermal analysis. Alumina powder was used as a standard substance.
[0035]
Sinterability: A sample obtained by pressure-molding 2 g of glass powder into a cylindrical shape having a diameter of 12.7 mm was used. The fired body obtained by holding this sample at 900 ° C. for 60 minutes was observed with the naked eye. It is preferable that the fired body is densely sintered and no cracks are observed in the fired body. A case where the fired body is densely sintered and cracks are not recognized in the fired body is indicated by ◯, and a case where the crack is not observed is indicated by x.
[0036]
ε, tan δ: 40 g of glass powder was put into a 60 mm × 60 mm mold and subjected to pressure molding, and baked at 900 ° C. for 60 minutes. The obtained fired body was processed into 35 mm × 35 mm × 0.25 mm, and the dielectric constant and dielectric loss at 20 ° C. and 35 GHz were measured using a network analyzer.
[0037]
α: A fired body obtained by firing glass powder at 900 ° C. for 60 minutes was processed into a cylindrical shape having a diameter of 5 mm and a length of 20 mm, and the measurement was performed using a differential thermal dilatometer.
[0038]
Precipitated crystal: The fired product obtained by firing the glass powder at 900 ° C. for 60 minutes was pulverized, and the presence or absence of the precipitated crystal was examined by X-ray diffraction. The case where crystal precipitation was not observed is indicated by ◯, and the case where crystal precipitation was observed is indicated by x.
[0039]
In the measurement or evaluation, a glass powder having a mass average particle size larger than the preferable range (1 to 5 μm) is used, but the firing time is 60 minutes longer than the normal firing time. Therefore, it is considered that the influence of the mass average particle size being larger than the preferable range is eliminated.
[0040]
[Table 1]
[0041]
【The invention's effect】
According to the present invention, an electronic circuit board having a firing temperature of 900 ° C. or lower and a low dielectric constant and dielectric loss at 35 GHz can be obtained. Furthermore, an electronic circuit board capable of matching the expansion coefficient with the silicon chip is obtained.
