JP2004242280A - 高周波スイッチ回路及び高周波スイッチ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】送信信号の受信回路側へ漏洩する漏洩信号を抑制して受信回路の誤作動を有効に防止することができる高周波スイッチ回路及び高周波スイッチ部品を提供する。
【解決手段】アンテナに接続されるアンテナ端子と送信回路に接続される送信端子との間に第１スイッチ手段を、前記アンテナ端子と受信回路に接続される受信端子との間に第２スイッチ手段を設けてなり、前記第１、第２スイッチ手段のオン・オフを制御し、アンテナ−送信回路間の接続とアンテナ−受信回路間の接続とを切り替えることによって送信信号・受信信号を交互に送受信する高周波スイッチ回路において、前記送信端子と前記受信端子との間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する変換回路を接続するとともに、該変換回路より出力した前記変換信号をアンテナ端子と受信端子間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにした。
【選択図】図１

Description

本発明は、携帯電話等の通信機器に組み込まれ、信号経路の切り替えを行うのに用いられる高周波スイッチ回路及びそれを用いた高周波スイッチ部品に関するものである。

従来より、高周波スイッチ回路は、通信機器等において送信信号及び受信信号の送受信を交互に切り替えるために用いられている。

図７は従来の高周波スイッチ回路の一例を示す等価回路図である。同図に示す高周波スイッチ回路は、アンテナ端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘを備えており、前記送信端子Ｔｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間に第１のスイッチングダイオードＤ１を、前記受信端子Ｒｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間にストリップラインＳＬ１を接続するとともに、前記ストリップラインＳＬ１の受信端子Ｒｘ側端部とグランド電位との間に第２のスイッチングダイオードＤ２を接続した構造となっている（例えば、特許文献１参照。）。

以下に、上述した高周波スイッチ回路を用いて送信信号と受信信号の送受信を切り替える際の回路動作について説明する。

まず、送信信号の送信時には、制御端子Ｖｃから第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２に対して順バイアス（制御端子Ｖｃからの制御信号がハイレベル）をかけ、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオンにする。このとき第１のスイッチングダイオードＤ１がオンになることで、送信端子Ｔｘを介して入力された送信信号はアンテナ端子Ａｎｔに流れる。一方、第２のスイッチングダイオードＤ２がオンになることで、ストリップラインＳＬ１がスイッチングダイオードＤ２を介してグランドに接地され、送信信号の通信周波数で共振する。その結果、ストリップラインＳＬ１のインピーダンスは極大となり、送信信号の受信端子Ｒｘ側への侵入を阻止するように作用する。

また、受信信号の受信時には、制御端子Ｖｃに制御電圧が印加されず（制御端子Ｖｃからの制御信号がローレベル）、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２は共にオフとなる。従って、アンテナ端子Ａｎｔより入力された受信信号は送信端子Ｔｘ側には流れずにストリップラインＳＬ１を通過して受信端子Ｒｘ側へ流れる。

このように、制御端子Ｖｃからの制御電圧によりスイッチングイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを制御するとともに、ストリップラインＳＬ１をグランド電位に短絡させた際の共振を利用することにより送信信号と受信信号の送受信が切り替えられる。
特開平６−１９７０４０号公報

しかしながら、上述した従来の高周波スイッチ回路においては、第２のスイッチングダイオードＤ２に若干のインダクタンスが存在しており、送信時に、ストリップラインＳＬ１のインピーダンスを無限大となすことはできないことから、送信信号の漏洩を完全に阻止することは不可能であった。そのため、送信信号が受信端子Ｒｘ側へ漏洩してしまい、その信号レベルが強い場合、漏洩信号が受信端子Ｒｘを介して外部の受信回路内に入り込むことによって、受信回路の誤作動が誘発されるという欠点を有していた。

また、上述した従来の高周波スイッチ回路を携帯電話機等のフロントエンドモジュールとして用いた場合には、上記漏洩信号が受信端子Ｒｘ側に侵入し、そのような不要信号が音に変換されてしまうと通話品質の低下を招来する欠点も有していた。

本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、漏洩信号を有効に低減させ、受信回路を正確に動作させることができるとともに、携帯電話機のフロントエンドモジュールに用いる場合には通話品質を高く維持することができる、高周波スイッチ回路及び高周波スイッチ部品を提供することにある。

本発明の高周波スイッチ回路は、アンテナに接続されるアンテナ端子と送信回路に接続される送信端子との間に第１スイッチ手段を、前記アンテナ端子と受信回路に接続される受信端子との間に第２スイッチ手段を設けてなり、前記第１、第２スイッチ手段のオン・オフを制御し、アンテナ−送信回路間の接続とアンテナ−受信回路間の接続とを切り替えることによって送信信号・受信信号を交互に送受信する高周波スイッチ回路において、前記送信端子と前記受信端子との間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する変換回路を接続するとともに、該変換回路より出力した前記変換信号をアンテナ端子と受信端子との間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことを特徴とするものである。

また、本発明の高周波スイッチ回路は、前記変換回路が送信信号のレベルを変化させた変換信号を出力するとともに、該変換信号が前記漏洩信号と合成されることにより、漏洩信号の信号レベルを低減せしめることを特徴とするものである。

更に、本発明の高周波スイッチ回路は、前記変換回路が、コンデンサ、コイル、抵抗のいずれか、またはこれらを２つ以上組み合わせてなる複合回路から成ることを特徴とするものである。

また更に、本発明の高周波スイッチ回路は、前記第１スイッチ手段が、第１のスイッチングダイオードから成り、前記第２スイッチ手段が、ストリップラインと、該ストリップラインの受信端子側端部とグランド電位との間に接続された第２のスイッチングダイオードとで構成されていることを特徴とするものである。

更にまた、本発明の高周波スイッチ回路は、前記変換回路が、第２スイッチ手段を介して、受信端子に接続することを特徴とするものである。

また更に、本発明の高周波スイッチ回路は、前記変換回路が、第２スイッチ手段を介して受信端子に接続する高周波スイッチ部品であって、前記変換回路の一端が前記第１のスイッチングダイオードと前記送信端子との間に接続され、他端が前記第２のスイッチングダイオードとグランド電位との間に接続されることを特徴とするものである。

更にまた、本発明の高周波スイッチ回路は、前記変換回路と受信端子との間に受信信号を遮断する遮断手段を備えていることを特徴とするものである。

また更に、本発明の高周波スイッチ部品は、複数の誘電体層を積層して成る積層体に、前記高周波スイッチ回路を設けて成る高周波スイッチ部品であって、前記変換回路がコンデンサにより構成され且つ該コンデンサが、前記積層体を構成する誘電体層と該誘電体層を介して対向する一対の電極とを含んで構成されていることを特徴とするものである。

更に、本発明の高周波スイッチ部品は、複数の誘電体層を積層してなる積層体に、前記高周波スイッチ回路を設けて成る高周波スイッチ部品であって、前記変換回路がコイルにより構成され且つ該コイルが、誘電体層間に形成された蛇行状もしくは渦巻状の配線パターンを含んで構成されていることを特徴とするものである。

本発明の高周波スイッチ回路によれば、送信端子と受信端子との間に、送信信号の位相、及び送信信号のレベルを変化させた変換信号を生成するための変換回路を接続し、該変換回路より出力した変換信号を第２スイッチ手段よりも受信端子側で、アンテナ端子と受信端子間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことから、漏洩信号と変換信号とが打ち消し合うことにより、受信端子を介して外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルを低減させることができる。これにより、漏洩信号に起因した受信回路の誤作動を有効に防止して受信回路を正確に動作させることが可能となる。

また、本発明の高周波スイッチ回路を携帯電話機のフロントエンドモジュールに用いる場合には、漏洩信号が音に変換される際にその影響が殆どない程度にまで漏洩信号の信号レベルを低減させることができ、携帯電話機の通話品質を向上させることが可能となる。

そして、本発明の高周波スイッチ部品によれば、前記変換回路が複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けられ、前記変換回路としてコンデンサを採用する場合、そのコンデンサは積層体を構成する誘電体層と該誘電体層を介して対向する一対の電極とを含んで構成され、また前記変換回路としてコイルを採用する場合、そのコイルは、誘電体層間に形成された蛇行状もしくは渦巻状の配線パターンを含んで構成されるようになっている。これにより、高周波スイッチ部品の構成を簡素化することができ、またチップ状コンデンサやチップ状コイルを積層体上に実装して高周波スイッチ部品を構成する場合に比べ、チップ状部品の実装領域を積層体の主面に確保する必要がなく、高周波スイッチ部品の小型化に供することができる。

以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。

図１は本発明の高周波スイッチ回路をＤＣＳ(Digital Communication System)通信方式（送信周波数帯域：１７１０〜１７８５ＭＨｚ、受信周波数帯域：１８０５〜１８８０ＭＨｚ）用の高周波スイッチ回路に適用した実施形態を示す等価回路図であり、同図に示す高周波スイッチ回路は、概略的に、アンテナ端子Ａｎｔ−送信端子Ｔｘ間に接続される第１スイッチ手段ＳＷ１と、アンテナ端子Ａｎｔ−受信端子Ｒｘ間に接続される第２スイッチ手段ＳＷ２と、送信端子Ｔｘ−受信端子Ｒｘ間に接続される変換回路Ｘとで構成されている。

第１スイッチ手段ＳＷ１は、第１のスイッチングダイオードＤ１から成り、そのアノードは二手に分岐し、その一方はコンデンサＣ１を介して送信端子Ｔｘに、他方はコイルＬを介して制御端子Ｖｃに接続され、また、カソードはコンデンサＣ２を介してアンテナ端子Ａｎｔに接続される。ここで、第１のスイッチングダイオードＤ１の端子間容量は例えば０.１５ｐＦ、その高周波順抵抗は例えば１．０Ω、またコンデンサＣ１、Ｃ２の容量は例えば３３ｐＦ、コイルＬのインダクタンスは例えば４７ｎＨ、抵抗Ｒの電気抵抗値は例えば３０Ωに設定される。

この第１スイッチ手段ＳＷ１は、制御端子Ｖｃを介して入力される制御信号によってスイッチング動作が制御される。即ち、送信時に制御信号がハイレベルになると第１スイッチ手段がオン状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとが電気的に接続される。また、受信時に制御信号がローレベルになると第１スイッチ手段はオフ状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとを電気的に遮断する。

尚、抵抗Ｒは制御信号のレベルを制限するためのもの、コイルＬは送信信号等の高周波成分が制御端子Ｖｃ側に漏洩するのを防ぐためのものである。

一方、第２スイッチ手段ＳＷ２は、受信端子Ｒｘとアンテナ端子Ａｎｔとの間に接続されるストリップラインＳＬ１及び該ストリップラインＳＬ１の受信端子Ｒｘ側端部とグランド電位ＧＮＤとの間に接続される第２のスイッチングダイオードＤ２を組み合わせて成り、第２スイッチングダイオードＤ２のアノードはコンデンサＣ３を介して受信端子Ｒｘに接続され、そのカソードはコンデンサＣ４を介してグランド電位ＧＮＤに接続される。第２のスイッチングダイオードＤ２の端子間容量は例えば０．１５ｐＦ、その高周波順抵抗は例えば１．０Ω、またコンデンサＣ３の容量は例えば３３ｐＦ、コンデンサＣ４の容量は例えば６．０ｐＦに設定される。尚、ストリップラインＳＬ１の共振周波数は、ストリップラインＳＬ１の形状やグランド電極との間に介在される誘電体層の比誘電率、厚み等によって決定される。

この第２スイッチ手段ＳＷ２は、先に述べた制御信号によって第１スイッチ手段ＳＷ１のオン・オフ状態とは逆の状態になるよう制御される。即ち、送信時に制御信号がハイレベルになると第２スイッチ手段がオフ状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとを電気的に遮断する。また、受信時に制御信号がローレベルになると第２スイッチ手段がオン状態となり、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとが電気的に接続される。

このように、制御信号がハイレベルのときは第１スイッチ手段ＳＷ１がオン、第２スイッチ手段ＳＷ２がオフ状態となり、制御信号がローレベルのときは第１スイッチ手段ＳＷ１がオフ、第２スイッチ手段ＳＷ２がオン状態となる。

そして、前記変換回路ＸはコンデンサＣ５やコイル、抵抗等から成り、例えばコンデンサＣ５のみによって変換回路Ｘを構成する場合、コンデンサＣ５の一方の端子は第１のスイッチングダイオードＤ１と送信端子Ｔｘとの間に接続され、他方の端子は第２のスイッチングダイオードＤ２とグランド電位ＧＮＤとの間に接続される。

かかる変換回路Ｘには、送信端子Ｔｘを介して入力される送信信号が第１スイッチ手段ＳＷ１に伝播するのと同じタイミング、同じ強さで入力されるようになっており、該変換回路Ｘは送信時、変換回路に入力される送信信号の位相を変換させるとともに、その信号レベルを減衰させた変換信号を生成し、これを第２のスイッチングダイオードＤ２を介して接続点Ｂに送り出す作用を為す。従って、第２スイッチ手段ＳＷ２を介して受信端子Ｒｘ側へ漏洩する送信信号の漏洩信号を打ち消すように変換信号の位相及び信号レベルを設定しておくことにより、漏洩信号と変換信号とを合成して、外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルを有効に低減させることができ、漏洩信号に起因する受信回路の誤動作を有効に抑えることが可能となる。

また、この高周波スイッチ回路１を携帯電話機のフロントエンドモジュールとして用いる場合には、漏洩信号が音に変換される際にその影響が殆どない程度まで漏洩信号の信号レベルを低減させることができ、携帯電話機の通話品質を向上させることが可能となる。

このような変換回路Ｘを構成するコンデンサＣ５の容量は、次のようにして決定される。

まず、コンデンサＣ５が接続されていない高周波スイッチ回路における漏洩信号の信号レベルを測定する。次に、この高周波スイッチ回路にコンデンサＣ５を接続し、漏洩信号の信号レベルを測定しながらコンデンサＣ５の容量をパラメータとして変化させていく。そして、漏洩信号の信号レベルが最も低減したときのコンデンサＣ５の容量が本発明の高周波スイッチ回路におけるコンデンサＣ５の最適容量として決定される。このようにして容量を決定したコンデンサＣ５が、漏洩信号を打ち消すような変換信号を生成する変換回路Ｘとして機能する。例えば、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の端子間容量が０．１５ｐＦ、その高周波順抵抗が１．０Ω、コンデンサＣ１〜Ｃ３の容量がそれぞれ３３ｐＦ、コンデンサＣ４の容量が６.０ｐＦ、抵抗Ｒの電気抵抗値が３０Ω、コイルＬのインダクタンスが４７ｎＨのとき、コンデンサＣ５の最適容量は０．５ｐＦと決定される。

次に、上述した高周波スイッチ回路１を用いて送信信号と受信信号の送受信を切り替える際の回路動作について説明する。

送信端子Ｔｘからアンテナ端子Ａｎｔに送信信号を送る場合は、制御端子Ｖｃから第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２に対して順バイアスの電圧となる制御信号を供給し、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオンにする。第１のスイッチングダイオードＤ１がオンになることで、送信端子Ｔｘ−アンテナ端子Ａｎｔ間が電気的に接続され、送信端子Ｔｘを介して入力した送信信号がアンテナ端子Ａｎｔ側に送られる。

このとき、送信信号は変換回路Ｘにも入力され、該変換回路において送信信号の位相を変位させるとともに、漏洩信号と同レベルまで減衰してなる変換信号が生成される。この変換信号が第２のスイッチングダイオードＤ２を経由してストリップラインの受信端子側の接続点Ｂに送り出されると、受信端子Ｒｘ側へ漏洩する送信信号の漏洩信号と合成され、両信号が打ち消し合うことによって外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルが有効に低減される。

尚、漏洩信号が発生するメカニズムは上述したように、第２のスイッチングダイオードＤ２に若干のインダクタンスが存在し、送信時にストリップラインＳＬ１のインピーダンスを無限大となすことはできないからである。

一方、アンテナ端子Ａｎｔで受信した受信信号を受信端子Ｒｘを介して受信回路に送る場合は、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２にこれらスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオフとする制御信号（電圧を印加した場合も含む）を制御端子Ｖｃを介して供給し、第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２をオフにする。第２のスイッチングダイオードがオフになることでストリップラインＳＬ１が単なる伝送路として作用し、アンテナ端子Ａｎｔ−受信端子Ｒｘ間が電気的に接続され、アンテナ端子Ａｎｔを介して入力される受信信号は受信端子Ｒｘ側に送り出される。また、第１のスイッチングダイオードＤ１がオフになることでアンテナ端子Ａｎｔ−送信端子Ｔｘ間は電気的に遮断され、受信信号は送信端子Ｔｘ側には流れない。このとき、コンデンサＣ５の一方の端子は第２のスイッチングダイオードＤ２のカソード側に接続されているため、受信信号がコンデンサＣ５を介して送信端子Ｔｘ側に漏洩することはない。

かくして上述した本実施形態の高周波スイッチ回路１は、外部からの制御信号により第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２のオン・オフを高速で切り換えながら、ストリップラインＳＬ１がグランド電位ＧＮＤに短絡するときの共振を利用して送信信号と受信信号の送受信の切り替えることによって高周波スイッチ回路として機能する。

次に、上述した高周波スイッチ回路を積層体の内部に備えた高周波スイッチ部品について図２、図３を用いて説明する。

図２は本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の外観斜視図であり、図３（ｂ）〜（ｆ）は図２に示す高周波スイッチ部品の各層の上面図である。同図に示す高周波スイッチ部品は、複数の誘電体層２０ａ〜２０ｆからなる積層体２上面にチップ部品８を搭載するとともに、その内部に伝送線路２１やコンデンサ用電極２２などの内部電極層を形成している。また、積層体２の下面には図３（ｇ）に示す如く各種端子電極が形成されている。尚、図３（ａ）は誘電体層２０ａにチップ部品８を搭載したときの上面図である。

前記積層体２は、複数の誘電体層２０ａ〜２０ｆを積層して形成されており、各誘電体層は誘電体セラミック材料、焼結剤、低融点ガラス材料等によって形成されている。かかる誘電体セラミック材料としては、例えば、BaO−TiO_２系、Ca−TiO_２系、MgO−TiO_２系等のセラミック材料が用いられ、各誘電体層の厚みは、１層あたり５０〜３００μｍ程度に設定されている。

このような積層体２の上面には、各チップ部品８の端子と１対１に対応する一対のランド９が被着形成されている。そしてこのランド９にチップ部品８の端子を導電性接着剤を介して接合することによりチップ部品８が取り付けられている。本実施形態ではかかるチップ部品８として、第１、第２のスイッチグダイオードＤ１、Ｄ２を形成するＰＩＮダイオード、抵抗Ｒを形成するチップ抵抗、コイルＬを形成するチップインダクタ、コンデンサＣ１〜Ｃ３を形成するチップコンデンサを用いている。

また、積層体２の内部には、コンデンサ用電極２２及び伝送線路２１が形成されている。

前記伝送線路２１は誘電体層２０ｃの上面に所定の帯状パターンをなすように形成されており、これによってストリップラインＳＬ１が形成されている。

また前記コンデンサ用電極２２は、誘電体層２０ｄ、２０ｅの上面に形成されており、このコンデンサ用電極２２同士を間に誘電体層２０ｄ介して対向配置させることによって変換回路Ｘとして機能するコンデンサＣ５を形成している。

上述した高周波スイッチ部品は、変換回路ＸとしてのコンデンサＣ５が、積層体２を構成する各誘電体層２０a〜２０ｆのうち例えば誘電体層２０ｄと該誘電体層２０ｄを介して対向する一対のコンデンサ電極２２とで構成されていることから、高周波スイッチ部品の全体構造を簡素化することができ、これをチップ部品で形成する場合と比し、高周波スイッチ部品の小型化に供することができる利点がある。

尚、積層体２の内部に形成されるこれらのコンデンサ用電極２２、伝送線路２３、例えばAg、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料から成り、その厚みは例えば５〜２５μｍに設定される。

また、積層体２の下面には図３（ｈ）に示す如く、アンテナ端子電極３、送信端子電極４、受信端子電極５、制御端子電極６、グランド端子電極７が形成されている。これらの端子電極は積層体内部に形成される導体層と同様に、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料から成り、その厚みは例えば５〜２５μｍに設定される。

上述した各種チップ部品、内部電極層、端子電極が誘電体層に形成されたビアホール等によって電気的に接続されて、図１に示すような高周波スイッチ回路１が作製される。

実験例

次に上述した本発明の作用効果について、図６を用いて説明する。

図６（ａ）は比較例として従来品の高周波スイッチ回路１を用いて送信信号の通過損失特性を測定した結果を示すグラフ、図６（ｂ）は本発明品の高周波スイッチ回路を用いて送信信号の通過損失特性を測定した結果を示すグラフである。

尚、上述の測定に用いた実験サンプルは、いずれも高周波スイッチ回路１を、端子間容量が０．１５ｐＦ、順抵抗が１．０Ωの第１、第２のスイッチングダイオードＤ１、Ｄ２と、容量が３３ｐＦのコンデンサＣ１〜Ｃ３と、容量が６.０ｐＦのコンデンサＣ４と、幅０．１ｍｍ、長さ６．０ｍｍの伝送線路を有し、グランド電極との間に介在される誘電体層の比誘電率ε_rを１８．７に設定したストリップラインＳＬ１と、電気抵抗値が３０Ωの抵抗Ｒと、インダクタンスが４７ｎＨのコイルＬとで構成したものであり、送信周波数帯域は１７１０〜１７８５ＭＨｚ付近とした。そして、図６（ｂ）の測定に用いた本発明品においては、更に容量が０．５ｐＦのコンデンサＣ５を変換回路として用い、漏洩信号の位相に対して１８５．７°だけ位相をずらした変換信号を発生させるように構成した。

図６によれば、（ａ）に示す従来品では、送信周波数帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）付近の通過損失特性は悪く、その測定値は約−２５ｄＢであるのに対し、（ｂ）に示す本発明品では、送信周波数帯域（１７１０〜１７８５ＭＨｚ）付近の通過損失特性が−３０ｄＢ以下と大幅に改善されており、アイソレーションが向上していることがわかる。これは、漏洩信号の位相に対して１８５．７°位相をずらした変換信号を漏洩信号に合成することによって、両信号が打ち消し合い、受信端子Ｒｘを介して外部の受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルが大幅に低減したことによるものである。

これらの結果から、受信回路に侵入する漏洩信号の信号レベルを大幅に低減させて漏洩信号に起因した受信回路の誤作動を有効に防止するには、従来品に比べ本発明品が優れていることがわかる。

尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。

例えば上述の実施形態においては、第１のスイッチングダイオードＤ１とコンデンサＣ１との接続点に抵抗Ｒを介して制御端子Ｖｃを接続するように高周波スイッチ回路を構成したが、これに代えて、図４に示すように第２のスイッチングダイオードＤ２とコンデンサＣ４との間に抵抗Ｒを介して制御端子Ｖｃを接続して高周波スイッチ回路を構成するようにしてもよい。

また、上述の実施形態においては、コンデンサＣ５の一端を第２のスイッチングダイオードＤ２のカソード側に接続することにより、受信時、受信信号がコンデンサＣ５を介して送信端子Ｔｘに流れないようにしたが、これに代えて、受信端子Ｒｘと変換回路との間に、送信信号の周波数帯域のみを通過させるバンドパスフィルタＢＰＦを接続して、受信時、受信信号が送信端子Ｔｘ側に流れないようにしてもよい。このようなバンドパスフィルタＢＰＦとしては、例えば、図５の等価回路図に示すように、２つのＬＣ共振回路を並列に接続したものが好適に用いられる。

更に、上述の実施形態においては、変換回路ＸをコンデンサＣ５のみによって構成するようにしたが、これに代えて、変換回路Ｘをコイルのみ、または抵抗のみで構成するようにしてもよいし、コンデンサ、コイル、抵抗を２つ以上組み合わせてなる複合回路で構成するようにしてもよい。

また更に、上述の実施形態においては、変換回路ＸをコンデンサＣ５によって構成し、このコンデンサＣ５を複数の誘電体層を積層して成る積層体２内部に形成するようにしたが、これに代えて変換回路Ｘをコイルによって構成し、このコイルを積層体２内部に、誘電体層間に形成された蛇行状もしくは渦巻状の配線パターンを含んで構成するようにしてもよい。

更にまた、上述の実施形態においては、本発明の高周波スイッチ回路をＤＣＳ通信方式の通信機器に用いられる回路の一例として説明したが、他の時分割接続の通信方式、例えばＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）通信方式やＰＣＳ（Personal Communication System）通信方式の通信機器に用いられる回路として適用してもよいことは言うまでもない。

本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。 本発明の一実施形態に係る高周波スイッチ部品の外観斜視図である。 （ａ）は図２の高周波スイッチ部品の上面図、（ｂ）〜（ｇ）は図２の高周波スイッチ部品の各層の上面図（ｆ）は図２の高周波スイッチ部品の下面図である。 本発明の他の実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。 本発明の他の実施形態に係る高周波スイッチ回路の等価回路図である。 （ａ）は従来品の高周波スイッチ回路１を用いて送信信号の通過損失特性を測定した結果を示すグラフ、（ｂ）は本発明品の高周波スイッチ回路を用いて送信信号の通過損失特性を測定した結果を示すグラフである。 従来の高周波スイッチ回路の一例を示す等価回路図である。

符号の説明

Ｔｘ・・・送信端子
Ｒｘ・・・受信端子
Ａｎｔ・・・アンテナ端子
ＳＷ１・・・第１スイッチ手段
ＳＷ２・・・第２スイッチ手段
Ｘ・・・変換回路
Ｖｃ・・・制御端子
Ｄ１・・・第１のスイッチングダイオード
Ｄ２・・・第２のスイッチングダイオード
ＳＬ・・・ストリップライン
Ｒ・・・抵抗
Ｌ・・・コイル
ＢＰＦ・・・バンドパスフィルタ
１・・・高周波スイッチ回路
２・・・積層体
３・・・アンテナ端子電極
４・・・送信端子電極
５・・・受信端子電極
６・・・制御端子電極
７・・・グランド端子電極
８・・・チップ部品
９・・・ランド
２０a〜２０ｆ・・・誘電体層
２１・・・伝送線路
２２・・・コンデンサ用電極

Claims (9)

1. アンテナに接続されるアンテナ端子と送信回路に接続される送信端子との間に第１スイッチ手段を、前記アンテナ端子と受信回路に接続される受信端子との間に第２スイッチ手段を設けてなり、
   前記第１、第２スイッチ手段のオン・オフを制御し、アンテナ−送信回路間の接続とアンテナ−受信回路間の接続とを切り替えることによって送信信号・受信信号を交互に送受信する高周波スイッチ回路において、
   前記送信端子と前記受信端子との間に、送信信号の位相を変化させて変換信号を生成する変換回路を接続するとともに、該変換回路より出力した前記変換信号をアンテナ端子と受信端子との間に漏洩する送信信号の漏洩信号と合成するようにしたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
2. 前記変換回路は、送信信号のレベルを変化させた変換信号を出力するとともに、該変換信号が前記漏洩信号と合成されることにより、漏洩信号の信号レベルを低減せしめることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイッチ回路。
3. 前記変換回路が、コンデンサ、コイル、抵抗のいずれか、またはこれらを２つ以上組み合わせてなる複合回路から成ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波スイッチ回路。
4. 前記第１スイッチ手段が、第１のスイッチングダイオードから成り、
   前記第２スイッチ手段が、ストリップラインと、該ストリップラインの受信端子側端部とグランド電位との間に接続された第２のスイッチングダイオードとで構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波スイッチ回路。
5. 前記変換回路は、第２スイッチ手段を介して、受信端子に接続することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波スイッチ回路。
6. 前記変換回路が、第２スイッチ手段を介して受信端子に接続する高周波スイッチ部品であって、
   前記変換回路の一端が前記第１のスイッチングダイオードと前記送信端子との間に接続され、他端が前記第２のスイッチングダイオードとグランド電位との間に接続されることを特徴とする請求項４に記載の高周波スイッチ回路。
7. 前記変換回路と受信端子との間には、受信信号を遮断する遮断手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波スイッチ回路。
8. 請求項３乃至請求項７のいずれかに記載の高周波スイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなる高周波スイッチ部品であって、
   前記変換回路がコンデンサにより構成され且つ該コンデンサが、前記積層体を構成する誘電体層と該誘電体層を介して対向する一対の電極とを含んで構成されていることを特徴とする高周波スイッチ部品。
9. 請求項３乃至請求項７のいずれかに記載の高周波スイッチ回路を、複数の誘電体層を積層して成る積層体に設けてなる高周波スイッチ部品であって、
   前記変換回路がコイルにより構成され且つ該コイルが、誘電体層間に形成された蛇行状もしくは渦巻状の配線パターンを含んで構成されていることを特徴とする高周波スイッチ部品。

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