JP2004231864A - 高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム - Google Patents
高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004231864A JP2004231864A JP2003024098A JP2003024098A JP2004231864A JP 2004231864 A JP2004231864 A JP 2004231864A JP 2003024098 A JP2003024098 A JP 2003024098A JP 2003024098 A JP2003024098 A JP 2003024098A JP 2004231864 A JP2004231864 A JP 2004231864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polymer
- polymer film
- surface treatment
- composite film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
【解決手段】相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させる高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該表面処理方法により表面処理された高分子フィルム並びに当該高分子フィルムの表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルムに係る。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、食料品、医薬品、機械梱包等の包装材料、ディスプレイ、プリント配線板、コンデンサーなどの電気関係材料等の工業材料、太陽電池関係材料、医療関係材料、装飾材料、建築関係材料、保温断熱材料、各種の雑貨材料等の多くの用途に、高分子フィルム及び高分子系複合フィルムが幅広く使用されている。
【0003】
特に、高分子フィルムは酸素透過率、水蒸気透過率等を下げてガスバリア性を高めるために、その表面に各種コーティング層を設けて高分子系複合フィルムとして使用される場合が多い。コーティング層としては、例えば、アルミニウム、銅等の金属蒸着層、アルミニウムの酸化物、ケイ素の酸化物等の透明な蒸着層、樹脂コーティング層、樹脂フィルム層、金属箔層、印刷層等がある。高分子フィルム表面にコーティング層を設ける場合には、高分子フィルムとコーティング層との密着力を大きくすることが非常に重要である。
【0004】
一般に、高分子フィルムとコーティング層との密着力を大きくするため、高分子フィルム表面には表面処理が施される。高分子フィルムの表面処理方法としては、従来、クロム酸処理、各種溶剤による処理及び樹脂コート処理等の湿式法、プラズマ処理、コロナ処理及びUV処理等の乾式法などが知られている。これらの中でも、特にDC電源(直流電源)、AC電源(交流電源)、RF電源(高周波電源)、マイクロ波電源等を用いて空気、アルゴン、酸素、メタン等のプラズマを発生させ、当該プラズマに高分子フィルムを接触させて表面処理するプラズマ処理方法がよく知られている。例えば、特許文献1には、プラスチックフィルムからなる基体の表面を、DC電源を用いて発生させたプラズマと接触させる高分子フィルムの表面処理方法が開示されている。
【0005】
しかしながら、DC電源、AC電源、RF電源、マイクロ波電源等を用いて空気、アルゴン、酸素、メタン等のプラズマを発生させ、当該プラズマにより表面処理する場合には、高分子フィルム表面が炭化したり、処理中に局所過剰放電が発生して高分子フィルム表面に微細な穴が開いたりして、品質の安定した表面処理が行えない場合がある。品質の安定した表面処理が行えない場合には、品質の安定した高分子系複合フィルムが得られず、優れた酸素透過率、水蒸気透過率等のガスバリア性を得ることが容易でないと同時に優れた密着力も確保し難い。特に高分子フィルムとコーティング層とを大気中で剥離させる場合の密着力(常態密着力)が比較的大きくても、剥離面に常時水が介在する状態で剥離させる場合の密着力(耐水密着力)はかなり小さくなり易い。このことは、プラズマ処理方法以外の表面処理方法を採用した場合でも同様である。
【0006】
耐水密着力が小さい場合には、優れた耐水密着力が要求されるボイル・レトルト処理に用いる食品包装材料、優れた耐水密着力が要求される屋外使用を目的とした建築関係材料、太陽電池関係材料等の用途には使用できない場合がある点で用途が制限される。
【0007】
【特許文献1】
特開平7−233463号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、品質の安定した高分子フィルム表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された品質の安定した高分子フィルム並びに品質の安定した高分子系複合フィルムを提供することを目的とする。
【0009】
高分子系複合フィルムに関しては、具体的に、酸素透過率及び水蒸気透過率が低く、高分子フィルムとコーティング層との常態密着力及び耐水密着力がいずれも大きく、耐水密着力が常態密着力に比べてそれほど小さくない高分子系複合フィルムを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、特定のプラズマに高分子フィルムの表面を接触させる高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該表面処理方法により表面処理された高分子フィルム並びに当該高分子フィルムの表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルムが上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0011】
即ち、本発明は、下記の高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該表面処理方法により表面処理された高分子フィルム、当該高分子フィルムの表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルム、並びに優れた常態密着力、耐水密着力、酸素透過率及び水蒸気透過率を兼ね備えた高分子系複合フィルムに係る。
1.相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させることを特徴とする高分子フィルムの表面処理方法。
2.パルス電圧が、負のパルス電圧Vnの絶対値を正のパルス電圧Vpの絶対値よりも大きくした上記項1に記載の高分子フィルムの表面処理方法。
3.上記項1又は2に記載の表面処理方法により表面処理された高分子フィルム。
4.上記項3に記載の表面処理された高分子フィルムの当該表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルム。
5.コーティング層が蒸着層である上記項4に記載の高分子系複合フィルム。
6.高分子フィルムの表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルムにおいて、常態密着力が120g/15mm超過であり、耐水密着力が120g/15mm超過であり、酸素透過率が10−6〜10cc/m2・24hrであり、水蒸気透過率が10−6〜10g/m2・24hrである高分子系複合フィルム。
7.相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させることを特徴とする高分子フィルムの表面処理装置。
【0012】
【発明の実施の形態】
高分子フィルムの表面処理方法
本発明の高分子フィルムの表面処理方法は、相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させることを特徴とする。
【0013】
本発明の表面処理方法は、通常、相互に対向状に配置させた一対の電極が収納された表面処理装置内で行う。表面処理装置内は、プラズマ源となる気体を含む雰囲気である。プラズマ源となる気体としては水素及び/又はアルゴンを主体とするものを使用する。表面処理装置内におけるこれらの含有率は、水素又はアルゴンが原子%として50%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、99%以上が最も好ましい。水素とアルゴンの混合気体を用いる場合には、各気体の混合割合は適宜設定できる。
【0014】
表面処理装置内において水素及びアルゴン以外に含まれてもよい気体としては、例えば、ヘリウム、ネオン、酸素、窒素、クリプトン、二酸化炭素、二酸化窒素、炭化水素、フッ素、塩素、ハロゲン化物等が挙げられる。これらの気体は単独又は2種以上の混合で存在してもよい。
【0015】
表面処理装置内の圧力は特に限定されないが、10−4〜1MPa程度が適当であり、実用的には10〜1000Pa程度が好ましい。
【0016】
被処理物である高分子フィルムは、通常、当該一対の電極間に配置すればよいが、高分子フィルムの片面のみを表面処理する場合には、一対の電極のどちらかに高分子フィルムを密着させて配置してもよい。当該一対の電極とインバーター電源とを配置した本発明の表面処理装置の概念図を図1に示す。図1において、1は電極A、2は電極B,3は高分子フィルム、4はインバーター電源、5は表面処理過程、6はチャージアップ除去過程である。図1では、被処理物の高分子フィルム3は、電極Aに密着させて配置してある。このように配置すれば、密着面は表面処理されず、片面のみを表面処理できる。
【0017】
高分子フィルムを表面処理する際は、表面処理装置内にプラズマ源となる気体(以下、「水素」を用いた場合を例にして説明する)を導入し、先ず一方の電極Aに対して負のパルス電圧を印加する。電圧の大きさは他方の電極Bに対してVnとする。これにより電極間に水素プラズマが発生し、水素プラズマに含まれる水素イオンが高分子フィルム表面に供給されて表面処理される。
【0018】
次いで、電極Aに対して正のパルス電圧を印加する。電圧の大きさは他方の電極Bに対してVpとする。これによりチャージアップが除去され、高品質な表面処理が継続的に実施される。その後は電極Aに対して負電圧Vnと正電圧Vpとを継続的に繰り返し印加すればよい。
【0019】
電極Aに印加するパルス電圧Vn及びVpの大きさは特に限定されないが、高分子フィルムの片面を表面処理する場合において高分子フィルムを電極Aに密着させたときは、VnとVpの絶対値を比較して、Vnの絶対値の方を大きく設定することが好ましい。かかる設定により、電極Aに正のパルス電圧Vpが印加された際にVnの印加により発生した水素プラズマ中の水素イオンが加速されて高分子フィルム表面に入射される。これにより高分子フィルム表面を活性化する効果が得られる。
【0020】
このように、電極Aに対して負のパルス電圧Vnと正のパルス電圧Vpを交互に印加することにより、高分子フィルムの表面に水素プラズマ中の水素イオンが接触し、高分子フィルム表面がクリーニングされるとともに表面が活性化される効果と電子又は負イオンの吸着によりチャージアップを除去する効果とが相乗的に得られる。即ち、本発明の表面処理により、高分子フィルム表面のクリーニング効果、活性化効果及びチャージアップ除去効果が得られる。
【0021】
電極の大きさは特に限定されず、処理対象とする高分子フィルムの大きさ、処理数等に応じて適宜設定できる。例えば1cm2〜100m2程度の広い範囲の電極面積から設定できるが、実用的には4cm2〜1m2程度の電極面積が適当である。電極間の距離も特に限定されない。例えば0.1〜1000mm程度の距離から設定できるが、実用的には1〜50mm程度が適当である。
【0022】
本発明の表面処理方法では、水素プラズマを発生させるために用いるパルス電圧はインバーター電源から発生させる。例えば、高圧直流電源及びスイッチング回路を有するインバーター電源を使用できる。スイッチング回路としては、例えば、MOSFET素子、TTL素子等の小型半導体素子から構成されたものを使用できる。
【0023】
負のパルス電圧Vnの大きさは特に限定されないが、通常−10V〜−10KV程度であり、実用的には−100V〜−1KV程度が好ましい。正のパルス電圧Vpの大きさも特に限定されないが、通常5V〜1KV程度であり、実用的には10V〜500V程度が好ましい。本発明の表面処理方法では、VnとVpとの大きさについては、高分子フィルムの片面を表面処理する場合において高分子フィルムを電極Aに密着させたときは、前記した通りVnとVpとの絶対値を比較した場合にVnの絶対値の方を大きく設定することが好ましい。Vnの絶対値の方を大きく設定したパルス電圧の波形の一例を図2に示す。
【0024】
負パルスのパルス幅T1と正パルスのパルス幅T2の関係では、負パルス幅T1が長いほどクリーニング効果、活性化効果が大となり、正パルス幅T2が長いほどチャージアップ除去効果が大となる。具体的には、T1及びT2としては、1ns≦T1≦1s程度、1ns≦T2≦1s程度が好ましく、0.1μs≦T1≦10ms程度、0.1μs≦T2≦10ms程度がより好ましい。負パルス幅T1と正パルス幅T2の各パルス期間中、電圧値は一定でなくてもよく、上記範囲内で多少変動させてもよい。
【0025】
このようなパルス波形を有する交番電圧の周波数f(f=1/T3(T3=T1+T2))としては、通常1Hz〜10GHz程度が好ましく、実用的には100Hz〜1MHz程度がより好ましい。
【0026】
また、図3に示すように、負パルス期間T1と正パルス期間T2との間に無電圧期間T4及びT5を設けてもよい。その他、負パルス電圧と正パルス電圧とを交互に印加せず、図4に示すように負パルス電圧Vnをn回連続して印加後、正パルス電圧Vpを印加するように設定してもよい。
【0027】
本発明の表面処理方法において、表面処理時間は特に限定されないが、通常1μs〜1000秒間程度が適当であり、実用的には1ms〜100秒間程度が好ましい。なお、図2及び図3において、T1/T3を一般にデューティー比と称する。その値は特に限定的ではないが、通常0.5〜10−3程度が好ましい。
【0028】
本発明の表面処理方法を適用できる高分子フィルムの種類は特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアセタールフィルム、ポリイミドフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアクリル酸エステルフィルム、ポリメタクリル酸エステルフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリスチレンフィルム、アクリル系樹脂フィルム、フッ素系樹脂フィルム、ビニル系樹脂フィルム等が挙げられる。
【0029】
高分子フィルムは、無延伸、一軸延伸、二軸延伸等のいずれでもよく、更にヘアーライン加工、マット加工等が施されていてもよい。更に帯電防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、熱安定化剤等を含有していてもよい。高分子フィルムの厚さは特に限定されないが、通常3〜300μm程度、好ましくは3〜200μm程度である。
【0030】
本発明の表面処理方法は、高分子フィルム表面を処理対象とするものであるが、高分子フィルム以外にも、例えば、プラスチック板、プラスチックレンズ、プラスチック製筐体等の各種の成形物の表面処理にも応用使用できる。
【0031】
高分子系複合フィルム
上記方法により表面処理された高分子フィルムは、そのままでも包装材料、工業材料等の各種用途に使用できるが、当該表面に更にコーティング層を形成して高分子系複合フィルムとすれば、より特性の優れた包装材料、工業材料等として使用できる。
【0032】
コーティング層の種類は特に限定されない。例えば、蒸着層、樹脂コーティング層、樹脂フィルム層、金属箔層、メッキ層、印刷層、溶射層等が挙げられる。本発明の高分子系複合フィルムでは、上記の中でもコーティング層として蒸着層が特に好ましい。
【0033】
コーティング層の形成方法は特に限定されず、例えば、グラビア、オフセット、シルク、フレキソ及びスクリーン等の印刷法;グラビア、リバース及びダイ等の樹脂コーティング法;ドライラミ、ウエットラミ、サーマルラミ及び押出しラミ等のフィルムラミネート法;電気メッキ及び化学メッキ等のメッキ法;真空蒸着法、スパッタリング法及びイオンプレーティング法等の物理蒸着法;熱CVD、プラズマCVD、光CVD及びプラズマ重合等の化学蒸着法;その他溶射法等が挙げられる。この中でも、比較的簡単に蒸着層が得られる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法が特に好ましい。
【0034】
コーティング層の厚さは特に限定されず、高分子系複合フィルムの特性に合わせて適宜設定できるが、通常1nm〜105nm程度である。特にコーティング層が蒸着層である場合には、1nm〜200nm程度が好ましい。
【0035】
蒸着層としては、具体的には、金属及び/又は金属化合物からなる蒸着層が好ましい。金属としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、クロム、スズ等が挙げられる。金属化合物としては、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素等のケイ素酸化物、酸化アルミニウム等のアルミニウム酸化物、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ、酸化スズインジウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化チタン等が挙げられる。
【0036】
本発明の高分子系複合フィルムは、高分子フィルムが表面処理されているため、高分子フィルムとコーティング層との密着力が大きい。特に常態密着力のみならず耐水密着力も大きい。また本発明の高分子系複合フィルムは、酸素透過率及び水蒸気透過率等が低い。
【0037】
本明細書における密着力(常態密着力及び耐水密着力)は、実施例に記載したT型剥離試験法による測定結果である。
【0038】
なお、本発明の高分子系複合フィルムでは、高分子フィルムとコーティング層との密着力が高分子フィルムの強度より大きい場合、即ち密着力が高分子フィルムの破断強度より大きい場合には、常態密着力又は耐水密着力を測定したときに高分子フィルムが破断する場合が考えられる。従って、高分子フィルムの破断を防止するために、T型剥離試験法時に任意のフィルム等で高分子フィルムを補強して、常態密着力及び耐水密着力を測定した。
【0039】
本発明の高分子系複合フィルムは、常態密着力が120g/15mm超過であり、好ましい態様では200g/15mm超過、最良の態様では500g/15mm超過を発揮する。常態密着力が120g/15mm超過であれば各種包装用材料として有用であり、特に500g/15mm超過であれば厳しい環境下での使用にも有用である。
【0040】
また、ボイル・レトルト処理に用いる食品包装材料、屋外使用を目的とした建築関係材料、太陽電池関係材料等の用途を考慮すれば、高分子系複合フィルムは優れた耐水密着力も必要とされる。
【0041】
本発明の高分子系複合フィルムは、耐水密着力が120g/15mm超過であり、好ましい態様では200g/15mm超過であり、最良の態様では500g/15mm超過を発揮する。特に500g/15mm超過であれば厳しい環境下での使用にも有用である。
【0042】
本発明の高分子系複合フィルムは、厳密には高分子フィルム及びコーティング層の種類、それらの厚み等に応じて常態密着力及び耐水密着力は変化するが、コーティング層が蒸着層であれば、常態密着力及び耐水密着力ともに、通常500g/15mm超過、好ましい態様では900g/15mm超過を発揮する。
【0043】
酸素透過率は、厳密には高分子フィルム及びコーティング層の厚さ、種類等により変化するが、通常10−6〜10cc/m2・24hr程度である。コーティング層が蒸着層である場合には、0.01〜2cc/m2・24hr程度である。
【0044】
水蒸気透過率も、厳密には高分子フィルム及びコーティング層の厚さ、種類等により変化するが、通常10−6〜10g/m2・24hr程度である。コーティング層が蒸着層である場合には、0.01〜2g/m2・24hr程度である。
【0045】
本発明の高分子系複合フィルムは、このように常態密着力及び耐水密着力が大きく、かつ酸素透過率及び水蒸気透過率が低い特徴がある。このような本発明の高分子系複合フィルムの用途は特に限定されず、従来からの様々な用途に使用できる。例えば、後述する包装材料としての用途が好適である。
【0046】
なお、本発明の高分子系複合フィルムは、コーティング層の上に更に1〜300μmの高分子フィルムをドライラミネート法等により積層することにより、コーティング層の保護性を高めてもよい。
【0047】
高分子系複合フィルムからなる包装材料
本発明の高分子系複合フィルムは、常態密着力及び耐水密着力が大きく、かつ酸素透過率、水蒸気透過率が低いため、包装材料としての用途に特に適している。本発明の高分子系複合フィルムを包装材料として用いれば、内容物を良好な状態で保存することができる。
【0048】
包装材料としての用途は、例えば、食料品、医薬品、機械梱包等の包装、ディスプレイ材料、電気絶縁関係材料等の工業材料、太陽電池関係材料、医療関係材料等の包装において有用である。この中でも、特に水分に弱い有機EL材料の封止用としての包装材料、液晶表示デバイスの封止用としての包装材料、長期保存食品、ボイル・レトルト処理に用いる食品等の包装材料等として有用である。
【0049】
【発明の効果】
本発明の高分子フィルムの表面処理方法によれば、高分子フィルム表面の優れたクリーニング効果、活性化効果等が安定して得られ、品質の安定した高分子フィルム並びに品質の安定した高分子系複合フィルムを得ることができる。
【0050】
特に、表面処理された高分子フィルムの当該表面にコーティング層を形成して得られる本発明の高分子系複合フィルムは、高分子フィルムとコーティング層との密着力が常態密着力及び耐水密着力ともに大きく、かつ酸素透過率及び水蒸気透過率が低い。即ち、本発明の高分子系複合フィルムは、優れた常態密着力、耐水密着力、酸素透過率及び水蒸気透過率を兼ね備えている。
【0051】
本発明の高分子系複合フィルムは、例えば、食料品、医薬品、機械梱包等の包装材料、ディスプレイ、プリント配線板及びコンデンサーなどの電気関係材料等の工業材料、太陽電池関係材料、医療関係材料等において有用である。この中でも、特に水分に弱い有機EL材料の封止用としての包装材料、液晶表示デバイスの封止用としての包装材料、長期保存食品、ボイル・レトルト処理に用いる食品等の包装材料等として有用である。
【0052】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されるものではない。
【0053】
実施例及び比較例における各物性値の測定方法については、次の通りである。
〔酸素透過率〕
JIS K 7126(B法)に準拠して測定した。雰囲気温度23℃、湿度75%で測定した。測定には酸素透過率測定装置(米国モコン社製「MOCON
OX−TRAN」)を用いた。
〔水蒸気透過率〕
JIS K 7129(A法)に準拠して測定した。雰囲気温度40℃、湿度90%で測定した。測定には水蒸気透過率測定装置(スイスリッシー社製「L80−4000J」)を用いた。
〔常態密着力及び耐水密着力〕
表面処理した高分子フィルム表面(又は表面処理をしない高分子フィルム表面)に蒸着層を形成した高分子系複合フィルムの蒸着層に、接着剤を2.5μm塗布し、80℃で30秒間乾燥後、プラスチックフィルムを60℃、4kg/cm2の条件で圧着して貼り合わせた。40℃で60時間エージング処理後、15mm幅にカットして試験片とした。フィルム破断防止のために高分子フィルムとプラスチックフィルムの2枚をそれぞれセロハンテープで補強した。
【0054】
電子式万能試験機(米倉製作所製「YS−10K」)を用いてT型剥離試験を行った。大気中300mm/分の速度で2枚のフィルムをそのまま剥離して常態密着力を測定した。また大気中ではあるが水を含ませた脱脂綿を剥離面に常時接触させることにより、剥離面に常時水が介在する状態を維持しながら剥離して耐水密着力を測定した。
【0055】
なお、試験片は、高分子系複合フィルムの縦方向(長尺方向)にカットしたものと横方向(幅方向)にカットしたものの両方を用意して、いずれも常態密着力及び耐水密着力を測定した。
【0056】
圧着して貼り合わせるプラスチックフィルムとしては;
・実施例1〜4及び比較例1〜10では、厚さ60μmの未延伸ポリプロピレンフィルムを使用し、
・実施例7、8及び比較例16〜20では、厚さ17μmのポリイミドフィルムを使用した。
【0057】
また、その際に使用する接着剤としては;
・実施例1〜4及び比較例1〜10では、ポリエステル系ポリオール(武田薬品工業株式会社製「タケラックA310」)とイソシアネート系硬化剤(武田薬品工業株式会社製「タケネートA3」)とからなる2液型接着剤を使用し、
・実施例7、8及び比較例16〜20では、ポリエステル系ポリオール(東洋モートン株式会社製「AD−76P1」)とイソシアネート系硬化剤(東洋モートン株式会社製「CAT−10L」)とからなる2液型接着剤を使用した。
【0058】
なお、上記密着力測定方法は、JIS K 6854‐3(接着剤−はく離接着強さ試験方法−第3部:T形はく離)に準拠するものであり、本明細書の密着力は、当該JIS規格法により測定する「接着剤のはく離接着強さ」に相当する。
【0059】
実施例1
厚さ12μmの長尺な未処理ポリエチレンテレフタレートフィルム(二村化学工業社製「FE2000」)の片面を、インバーター電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理した。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、繰り返し周波数1KHz、負電圧−550V、正電圧400V、処理時間15秒とした。次いで、フィルム処理面に厚さ80nmのアルミニウム蒸着層を形成して、高分子系複合フィルムを得た。
【0060】
実施例2
実施例1における水素プラズマに代えてアルゴンプラズマを使用した他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0061】
比較例1
実施例1における水素プラズマに代えて酸素プラズマを使用した他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0062】
比較例2
実施例1で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、単極DC電源及びDC放電用に配置した対向電極を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、電圧は負電圧−700V、処理時間は15秒とした。
【0063】
比較例3
実施例1で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、RF電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、周波数13.56MHz、出力500W、処理時間は15秒とした。
【0064】
比較例4
実施例1で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にコロナ処理により表面処理をした他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0065】
比較例5
実施例1における表面処理をしなかった他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0066】
実施例3
実施例1における厚さ12μmの長尺な未処理ポリエチレンテレフタレートフィルム(二村化学工業社製「FE2000」)に代えて、片面側が既にコロナ処理されている厚さ25μmの長尺な未処理無延伸ポリプロピレンフィルム(二村化学工業社製「CP−FG」)を使用し、その非コロナ処理面に、インバーター電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理を行うこととした他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0067】
実施例4
実施例3における水素プラズマに代えてアルゴンプラズマを使用した他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0068】
比較例6
実施例3における水素プラズマに代えて酸素プラズマを使用した他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0069】
比較例7
実施例3で使用したポリプロピレンフィルムの非コロナ処理面に、単極DC電源及びDC放電用に配置した対向電極を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、電圧は負電圧−700V、処理時間は15秒とした。
【0070】
比較例8
実施例3で使用したポリプロピレンフィルムの非コロナ処理面にRF電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、周波数13.56MHz、出力500W、処理時間は15秒とした。
【0071】
比較例9
実施例3で使用したポリプロピレンフィルムの非コロナ処理面にコロナ処理により表面処理をした他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0072】
比較例10
実施例3における表面処理をしなかった他は、実施例3と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0073】
実施例5
実施例1における厚さ80nmのアルミニウム蒸着層を形成したことに代えて厚さ10nmの酸化アルミニウム蒸着層を形成した他は、実施例1と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0074】
実施例6
実施例5における水素プラズマに代えてアルゴンプラズマを使用した他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0075】
比較例11
実施例5における水素プラズマに代えて酸素プラズマを使用した他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0076】
比較例12
実施例5で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、単極DC電源及びDC放電用に配置した対向電極を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、電圧は負電圧−700V、処理時間は15秒とした。
【0077】
比較例13
実施例5で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に、RF電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、周波数13.56MHz、出力500W、処理時間は15秒とした。
【0078】
比較例14
実施例5で使用したポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にコロナ処理により表面処理をした他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0079】
比較例15
実施例5における表面処理をしなかった他は、実施例5と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0080】
実施例7
厚さ17μmの長尺なポリイミドフィルム(鐘淵化学工業社製「アピカルAH」)の片面に、インバーター電源を用いて発生させた水素プラズマを用いて表面処理をした。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、繰り返し周波数1KHz、負電圧−550V、正電圧400V、処理時間60秒とした。次いで、フィルム処理面に厚さ100nmの銅蒸着層を形成して、高分子系複合フィルムを得た。
【0081】
実施例8
実施例7における水素プラズマに代えてアルゴンプラズマを使用した他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0082】
比較例16
実施例7における水素プラズマに代えて酸素プラズマを使用した他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0083】
比較例17
実施例7で使用したポリイミドフィルムの片面に、単極DC電源及びDC放電用に配置した対向電極を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、デューティー比1/1000、電圧は負電圧−700V、処理時間は60秒とした。
【0084】
比較例18
実施例7で使用したポリイミドフィルムの片面にRF電源を用いて発生させた水素プラズマにより表面処理をした他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。表面処理条件は、電極間距離13mm、周波数13.56MHz、出力500W、処理時間は60秒とした。
【0085】
比較例19
実施例7で使用したポリイミドフィルムの片面にコロナ処理により表面処理をした他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0086】
比較例20
実施例7における表面処理をしなかった他は、実施例7と同様にして、高分子系複合フィルムを得た。
【0087】
実施例1〜4、比較例1〜10、実施例7〜8及び比較例16〜20で得た高分子系複合フィルムについて、T形剥離試験を行って密着力(常態密着力及び耐水密着力)を測定した。密着力測定結果を下記表1に示す。各実施例及び比較例におけるフィルム種、蒸着層種、表面処理方法及びガス種も表1に示す。
【0088】
【表1】
【0089】
実施例5〜6及び比較例11〜15で得た高分子系複合フィルムについて、酸素透過率及び水蒸気透過率を測定した。これらの測定結果を下記表2に示す。各実施例及び比較例におけるフィルム種、蒸着層種、表面処理方法及びガス種も表2に示す。
【0090】
【表2】
【図面の簡単な説明】
【図1】一対の電極とインバーター電源とを配置した本発明の表面処理装置の概念図である。
【図2】電極Aに印加するパルス電圧の波形の一例を示す図である。
【図3】電極Aに印加するパルス電圧の波形の一例を示す図である。
【図4】電極Aに印加するパルス電圧の波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 電極A
2 電極B
3 高分子フィルム
4 インバーター電源
5 表面処理過程
6 チャージアップ除去過程
Claims (7)
- 相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させることを特徴とする高分子フィルムの表面処理方法。
- パルス電圧が、負のパルス電圧Vnの絶対値を正のパルス電圧Vpの絶対値よりも大きくした請求項1に記載の高分子フィルムの表面処理方法。
- 請求項1又は2に記載の表面処理方法により表面処理された高分子フィルム。
- 請求項3に記載の表面処理された高分子フィルムの当該表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルム。
- コーティング層が蒸着層である請求項4に記載の高分子系複合フィルム。
- 高分子フィルムの表面にコーティング層が形成されてなる高分子系複合フィルムにおいて、常態密着力が120g/15mm超過であり、耐水密着力が120g/15mm超過であり、酸素透過率が10−6〜10cc/m2・24hrであり、水蒸気透過率が10−6〜10g/m2・24hrである高分子系複合フィルム。
- 相互に対向状に配置させた一対の電極にインバーター電源から得られるパルス電圧を印加して発生させた水素プラズマ及び/又はアルゴンプラズマに、高分子フィルムの表面を接触させることを特徴とする高分子フィルムの表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003024098A JP4193040B2 (ja) | 2003-01-31 | 2003-01-31 | 高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003024098A JP4193040B2 (ja) | 2003-01-31 | 2003-01-31 | 高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004231864A true JP2004231864A (ja) | 2004-08-19 |
JP4193040B2 JP4193040B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=32952729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003024098A Expired - Lifetime JP4193040B2 (ja) | 2003-01-31 | 2003-01-31 | 高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4193040B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351437A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面処理装置及び表面処理方法 |
JP2007320218A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池裏面封止用シート |
JP2010010477A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | デチャック機構、真空装置、デチャック方法およびデチャック用部品 |
JP2011194802A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Oike Ind Co Ltd | ガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム |
JP2012068536A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、および耐熱遮光フィルムを用いた絞りと光量調整用絞り装置 |
US8507791B2 (en) | 2006-06-21 | 2013-08-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Sheet for sealing rear surface of solar cell |
JP2017094620A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 建材用防湿シート |
-
2003
- 2003-01-31 JP JP2003024098A patent/JP4193040B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351437A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 表面処理装置及び表面処理方法 |
JP2007320218A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池裏面封止用シート |
US8507791B2 (en) | 2006-06-21 | 2013-08-13 | Toppan Printing Co., Ltd. | Sheet for sealing rear surface of solar cell |
JP2010010477A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | デチャック機構、真空装置、デチャック方法およびデチャック用部品 |
JP2011194802A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Oike Ind Co Ltd | ガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム |
JP2012068536A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、および耐熱遮光フィルムを用いた絞りと光量調整用絞り装置 |
JP2017094620A (ja) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 大日本印刷株式会社 | 建材用防湿シート |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4193040B2 (ja) | 2008-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2410005A1 (en) | Molded article, process for producing the molded article, member for electronic device, and electronic device | |
JP5181905B2 (ja) | ガスバリア積層体 | |
US7112370B2 (en) | Vapor-deposited film | |
AU2013321072B2 (en) | Transparent vapor-deposited film | |
JP3637078B2 (ja) | ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途 | |
EP2357078A1 (en) | Laminate, method for producing same, electronic device member, and electronic device | |
US10329658B2 (en) | Gas barrier laminate and method for producing the gas barrier laminate | |
EP1792726A1 (en) | Transparent gas barrier film | |
US20090311498A1 (en) | Transparent conductive film | |
JPH0414440A (ja) | 積層フィルム | |
EP2554582A1 (en) | Compact, production method therefor, electronic device member and electronic device | |
JP4193040B2 (ja) | 高分子フィルムの表面処理方法及び表面処理装置、当該処理方法により処理された高分子フィルム並びに高分子系複合フィルム | |
JP2002532828A (ja) | プラズマ発生のための中空の陰極のアレー | |
JP2014114467A (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法 | |
JP4260907B2 (ja) | フィルム積層体 | |
JP2004203022A (ja) | 帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルム | |
TW202000953A (zh) | 氣相沉積薄膜以及氣相沉積薄膜之製造方法 | |
JP2003342735A (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP2013067015A (ja) | ガスバリア性フィルム及びその製造方法 | |
JP2006142548A (ja) | ガスバリア性透明積層体 | |
US11651944B2 (en) | Film processing method and film manufacturing method | |
JP5509683B2 (ja) | 透明導電性フィルム | |
JP4946350B2 (ja) | ガスバリア性積層体 | |
JP2003340955A (ja) | ガスバリア性フィルム | |
JP2007238666A (ja) | 高分子複合フィルムの製造方法、高分子複合フィルム及び包装材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080820 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4193040 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |