JP2004224666A - SiC単結晶製造方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】黒鉛坩堝内の細かな温度制御が可能なSiC単結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】複数の誘導加熱コイル22を有するSiC単結晶製造装置である。前記複数の誘導加熱コイル22は、それぞれに対応させた共振型のインバータ66を備える加熱ユニットを構成する。前記加熱ユニットは、前記各インバータ66から各誘導加熱コイル22に供給される電流の位相差を求める位相検出器と、この電流の位相差を補正する駆動制御部とを備える。前記複数の誘導加熱コイル22は、種基板とSiC粉末原料とを内包する黒鉛坩堝14に、要求される温度を独立に形成可能に配置されることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】複数の誘導加熱コイル22を有するSiC単結晶製造装置である。前記複数の誘導加熱コイル22は、それぞれに対応させた共振型のインバータ66を備える加熱ユニットを構成する。前記加熱ユニットは、前記各インバータ66から各誘導加熱コイル22に供給される電流の位相差を求める位相検出器と、この電流の位相差を補正する駆動制御部とを備える。前記複数の誘導加熱コイル22は、種基板とSiC粉末原料とを内包する黒鉛坩堝14に、要求される温度を独立に形成可能に配置されることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード等の素材に利用されるSiC単結晶の製造方法及び装置に係り、特に大径のSiC単結晶を製造するのに好適なSiC単結晶製造方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のSiC単結晶の製造は、改良レーリー法(改良型昇華再結晶法)と呼ばれる方法で行われてきた。前記方法は、単結晶成長空間と当該空間を覆う多孔質黒鉛壁によって隔たれた、SiC粉末原料空間とを備える黒鉛坩堝を用いてSiC単結晶を製造する方法である。
【0003】
前記結晶成長空間の蓋部には結晶基板を備え、SiC粉末原料空間にはSiC粉末原料を備える。黒鉛坩堝を外部から加熱することにより、SiC粉末原料は昇華し、当該空間よりも低温である単結晶成長空間へ、多孔質黒鉛壁を透過して移動する。このとき、黒鉛坩堝内の温度分布は、底部を高温域、蓋部を低温域としておく。前記のような温度分布により、種結晶の結晶成長面に、昇華したSiCが付着して結晶成長が行われる。
【0004】
しかし、前記の方法では、黒鉛坩堝内の温度分布の勾配が不均一となるため、高品質で大径なSiC単結晶を得ることは困難であった。前記方法を鑑みてなされた発明が、特許文献1に示されるものである。当該発明は、黒鉛坩堝内の蓋部に種結晶を備え、底部にSiC粉末原料を備えるようにしており、黒鉛坩堝加熱時に、上部を低温、下部を高温とするようにしている。さらに当該発明では、前記黒鉛坩堝内の結晶基板とSiC粉末原料との間に複数の遮蔽板を備える。前記複数の遮蔽板による熱輻射により、黒鉛坩堝内で種結晶周辺及び前記結晶基板の結晶成長面の温度の均一化を図る。これにより、成長する単結晶の成長面を平坦に保つことができ、安定成長を促すことが可能となる。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−264795号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のようなSiC単結晶製造装置の構成では、高品質なSiC単結晶を得るために必要な、SiC単結晶の成長に伴う底部から蓋部にかけての細かな温度制御を行うことは不可能である。
本発明では、上記課題を解決し、黒鉛坩堝内の細かな温度制御を可能とし、高品質で、かつ大径のSiC単結晶製造方法及び装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るSiC単結晶製造方法は、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、種基板とSiC粉末原料とを内装する坩堝を加熱する各々共振型インバータを備えた複数の誘導加熱コイルを、前記種基板領域と中間領域と前記SiC粉末原料領域との配置に沿って配列し、各誘導加熱コイルに電流を供給し、各誘導加熱コイルの周波数を同期させるとともに、電流位相を同期または設定範囲内に保持させ、各誘導加熱コイルへの投入電力を制御して、前記坩堝内に備えられる種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御することを特徴とする。
【0008】
上記のような方法により、各誘導加熱コイル毎の電流制御を行うと、隣接する誘導加熱コイル間には相互誘導による電流が流れ、温度の上昇や下降が起きる箇所が生じる。このため、誘導加熱コイル間に生じる周波数を同期させ、電流の位相差を調整することで、各誘導加熱コイル間で安定した電流制御が可能となる。よって、坩堝内に備えられる種基板とSiC粉末原料との温度を独立に制御することができ、SiC単結晶の成長を制御することができる。
【0009】
また、前記各誘導加熱コイルの温度制御を前記SiC単結晶の成長に合わせて行い、前記SiC単結晶の成長面が一定温度を保つようにすると良い。
SiC単結晶が成長する際、その成長面が一定温度に保たれることにより、成長するSiC単結晶の内部欠陥を少なくすることができる。
【0010】
また、上記SiC単結晶製造方法を実現するためのSiC単結晶製造装置は、複数の誘導加熱コイルを有するSiC単結晶製造装置において、当該複数の誘導加熱コイルはそれぞれに対応させた複数の共振型インバータと、各共振型インバータから各誘導加熱コイルに供給される電流の位相差を求める位相検出器と、この電流の位相差を補正する駆動制御部とを備え、前記複数の誘導加熱コイルは種基板とSiC粉末原料とを内包する坩堝に要求される温度を独立に形成可能に配置されることを特徴とする。
【0011】
上記のような装置にすることにより、複数の誘導加熱コイル毎に入力電力を設定することが可能となる。また、誘導加熱コイルに電流を流した際に生じる周波数を同期させ、電流の位相差を同期させる駆動制御部を備えるようにしたことで、当該誘導加熱コイルに任意の温度差を作製することができる。よって、この誘導加熱コイルを、種基板とSiC粉末原料とを内包する坩堝を加熱可能な範囲に配置することで、前記種基板と前記SiC粉末原料との間に任意の温度差を作り出すことができ、SiC単結晶の成長を制御することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明に係るSiC単結晶製造装置の実施形態を図面に従って以下に説明する。本実施形態に係るSiC単結晶製造装置の基本構成は、図1に示すようにSiC単結晶を成長させるための黒鉛坩堝14と前記黒鉛坩堝14を内装する反応槽18と、前記反応槽18を覆う複数の誘導加熱コイル22からなる。また、前記誘導加熱コイル22は図2に示すように、夫々がインバータ66に接続され、独立な電流制御が可能な加熱ユニットを構成する。
【0013】
前記黒鉛坩堝14は、蓋部13と胴部11と底部15とからなり、蓋部13に結晶基板10を備え、底部15から胴部11の下半部にかけてSiC粉末原料12を内装する。前記構成の黒鉛坩堝14は、外部の温度変化による影響で内部の温度が変化することを少なくするための、断熱材16をその外殻として備える。
【0014】
前記断熱材16により覆われた黒鉛坩堝14は、それらを内装可能な二層構造の石英管の反応槽18に内装され、かつ当該反応槽18の中央部に支持される。前記反応槽18における二層間となっている空間は、冷却槽20とされ冷却水を媒体として反応槽18が過熱することを防止する。前記反応槽18は、前記黒鉛坩堝14が位置する部分にあたる外周を、前記黒鉛坩堝14を加熱する複数の誘導加熱コイル22により螺旋状に覆われる。前記黒鉛坩堝14の上下の端部は放熱により温度が下がりやすいため、温度保持をする必要がある。このため、前記誘導加熱コイル22は前記黒鉛坩堝14の上下端よりも長い範囲で備えられる。
【0015】
さらに前記反応槽18には、黒鉛坩堝14の酸化消失、SiC結晶及びSiC粉末原料12の酸化を防ぐために、内部空気を不活性ガスに置換する真空ポンプ24と不活性ガス注入手段26とが備えられる。また、前記黒鉛坩堝14の上下には、当該黒鉛坩堝14の上下温度を測定するための放射温度計23、25が備えられる。
【0016】
前記誘導加熱コイル22は複数のコイル(実施形態は3個)からなっているため、そのままでは相互誘導作用によって各誘導加熱コイル22を正確に電力制御できなくなるので、本実施形態では次のように構成されている。すなわち、同心に配置された複数の誘導加熱コイル22の周波数・電流位相を同期させ、あるいは設定された位相差となるように個別に電力制御可能としている。円筒型に配列された個々の誘導加熱コイル22への投入電力を制御しても相互誘導の影響を回避することことができ、種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御可能となるようにゾーンコントロールすることができる。このため、最も上段の誘導加熱コイル22mとその駆動制御回路50mをメインユニットとし、その下段の誘導加熱コイル22sl、22s2と駆動制御回路50s1、24s2をサブユニットとし、メインユニットの負荷コイル部の電流を検出し、この電流の周波数と位相が一致するように、あるいは設定される位相差を保持するようにサブユニットのインバータを運転するようにしている。
【0017】
図2に示すように、この実施形態では、メインユニット並びにサブユニットの各々は、共通の電源部60から順変換部62を介して電源供給を受けて駆動されるようになっており、メインチョッパ64m、サブチョッパ64s(s1、s2以下同じ)を備えて電力調整ができるようになっている。チョッパ64の出力側にはインバータ66(66m、66s)が接続されている。インバータ66は電圧型とされダイオードとトランジスタとを直列接続した辺からなるブリッジ回路によって構成されている。各インバータ66の出力側の誘導加熱コイル22を含む負荷コイル部68(68m、68s)には、コンデンサ70(70m、70s)が誘導加熱コイル22と直列に接続して直列共振回路を構成している。これにより、各誘導加熱コイル22によって前述した反応槽18に内装されている黒鉛坩堝14加熱することができ、結晶基板10及びSiC粉末原料12が輻射加熱される。
【0018】
ところで、本実施形態では、複数の誘導加熱コイル22を作動させることによって生じる相互誘導作用の影響を回避するために、複数の加熱ユニットにおける誘導加熱コイル22の電流周波数と位相を同期させるか、あるいは一定の位相差になるように制御している。このため、各サブユニットには、電流位相差検出制御器72を付帯させており、メインユニットの負荷コイル部68mを流れる電流と、サブユニットの負荷コイル部68sを流れる電流を入力し、両者の位相差を求め、この位相差と周波数をゼロまたは一定の範囲内に収束するようにインバータ66sを駆動制御するようにしている。これはインバータ66sの駆動パルスの切り替えタイミングを調整することにより実現できる。これにより、メインユニットとサブユニットの各チョッパ64にて誘導加熱コイル22への投入電力を調整しても、隣接する誘導加熱コイル22間で相互誘導による影響を最小限に抑制することができるので、電力調整を安定して行わせることができ、各誘導加熱コイル22で加熱される黒鉛坩堝14の内部領域の温度を任意に設定することができ、昇温、降温を高速に行わせつつ、ゾーンコントロールが可能となるのである。また、負荷コイル部68(68m、68s)には、誘導加熱コイル22と直列に変流器76(76m、76s)が設けられており、その出力電流を電流位相差検出制御器72にフィードバックするようになっている。
【0019】
なお、当該実施形態では、サブユニットの負荷コイル部68sに可変リアクトル74を介装しており、サブユニットのインバータ66mの出力電圧と電流位相差をゼロまたは一定の範囲内に収まるように調整するようにし、力率を改善するようにしている。
【0020】
上記のようなSiC単結晶製造装置では、反応槽18内の空気を真空ポンプ24および不活性ガス注入手段26により、Ar等の不活性ガスと置換する。また、前記不活性ガスは、後述する加熱処理を行う間、前記反応槽18の下部から上部へ向けて送り続けられる。不活性ガス注入後、各加熱ユニットを送電状態にする。当該加熱ユニットの誘導加熱コイル22は、誘導加熱により、導電体である黒鉛坩堝14に渦電流を起こし加熱する。当該黒鉛坩堝14は断熱材16により覆われているが、輻射熱が発生する。このため、反応槽18が過熱状態となることを防止するために、冷却槽20に冷却水を流入して冷却する。
【0021】
また、後述するように前記加熱ユニット52を制御し、黒鉛坩堝14の内部のSiC粉末原料12が昇華する2100〜2400℃程度になるまで加熱する。このとき、各加熱ユニットを制御して、黒鉛坩堝14の上方を低温域、下方を高温域となるようにする。つまり、結晶基板10の温度は、SiC粉末原料12の温度よりも低温となるように制御する。前記加熱ユニットによる温度制御による黒鉛坩堝14内の下方から上方に掛けての温度勾配は、10℃〜30℃/cm程度とするのが良く、結晶基板10とSiC粉末原料12との間の温度差は100℃程度となるように保つと良い。なお、前記温度勾配は、前記結晶基板10が前記黒鉛坩堝14の上部に備えられ、SiC粉末原料12が下部に備えられる場合には前記黒鉛坩堝14の下部を高温域とし、上部を低温域とするが、前記結晶基板10とSiC粉末原料12との配置が逆の場合には温度勾配も逆になる。
【0022】
加熱されたSiC粉末原料12は昇華し、上記温度制御により低温域となっている結晶基板10の表面部へ付着する。前記のごとく昇華したSiC粉末原料12が、結晶基板10に付着することにより、結晶成長が行われる。この時、反応槽18に流入させるAr流量と真空ポンプ24による排気速度を制御し、反応槽18の内部圧力を0.1Torr〜300Torrの所望の値に保つ。こうして減圧することにより、大きな結晶成長速度を得ることができる。
【0023】
前記加熱ユニットによる温度制御により、黒鉛坩堝14の内部に任意の温度勾配を作り出し、前記SiC粉末原料12による結晶成長を効率良く促す。また、前記結晶成長により生成される新規の結晶基板10の表面温度と、黒鉛坩堝14の底部15との温度差を一定に保つことにより、精度良く大径のSiC単結晶の製造をすることができる。さらにまた、新規生成される結晶基板10の表面温度の温度分布を一定に保つようにすることで、生成されるSiC単結晶の内部欠陥を少なくすることができる。さらに各誘導加熱コイル22の温度制御を独立させて行うことにより、温度勾配を変化させ、SiC単結晶の成長速度を任意に変化させることが可能となる。
【0024】
各誘導加熱コイル22を、上記の誘導加熱装置としたために、本実施例のごとく隣接する誘導加熱コイル22を密接させて配置した場合であっても、各誘導加熱コイル22間における相互誘導の影響を受けること無く、前記の温度勾配を精度良くつくることができる。
【0025】
本実施形態では、結晶基板10を黒鉛坩堝14の蓋部13へ備え、SiC粉末原料12を前記黒鉛坩堝14の下半部へ備えるようにしたが、結晶基板10を黒鉛坩堝14の下部へ、SiC粉末原料12を上部へ備えるようにしても良い。こうした場合、上述した温度勾配は、黒鉛坩堝14の上部を高温域、下方を低温域となるように制御することとなる。
なお、本実施例では。図1、図2に示す誘導加熱コイル22の数を3ゾーンとしているが、ゾーン数を増やすこともできる。この場合、上記加熱ユニットを増設するようにすれば良い。
【0026】
【発明の効果】
上記のごとく、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、種基板とSiC粉末原料とを内装する坩堝を加熱する各々共振型インバータを備えた複数の誘導加熱コイルを、前記種基板領域と中間領と前記SiC粉末原料領域との配置に沿って配列し、各誘導加熱コイルに電流を供給し、各誘導加熱コイルの周波数を同期させるとともに、電流位相を同期または設定範囲内に保持させ、各誘導加熱コイルへの投入電力を制御して、前記坩堝内に備えられる種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御するようにしたことにより、黒鉛坩堝内に任意の温度差をつくることが可能となり、大径で高精度なSiC単結晶を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るSiC単結晶製造装置の反応槽の正面拡大断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係るSiC単結晶製造装置の全体図を示す概略図である。
【符号の説明】
10………結晶基板、11………胴部、12………SiC粉末原料、13………蓋部、14………黒鉛坩堝、15………底部、16………断熱材、18………反応槽、20………冷却槽、22………誘導加熱コイル、23………放射温度計、24………真空ポンプ、25………放射温度計、26………不活性ガス注入手段。
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード等の素材に利用されるSiC単結晶の製造方法及び装置に係り、特に大径のSiC単結晶を製造するのに好適なSiC単結晶製造方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のSiC単結晶の製造は、改良レーリー法(改良型昇華再結晶法)と呼ばれる方法で行われてきた。前記方法は、単結晶成長空間と当該空間を覆う多孔質黒鉛壁によって隔たれた、SiC粉末原料空間とを備える黒鉛坩堝を用いてSiC単結晶を製造する方法である。
【0003】
前記結晶成長空間の蓋部には結晶基板を備え、SiC粉末原料空間にはSiC粉末原料を備える。黒鉛坩堝を外部から加熱することにより、SiC粉末原料は昇華し、当該空間よりも低温である単結晶成長空間へ、多孔質黒鉛壁を透過して移動する。このとき、黒鉛坩堝内の温度分布は、底部を高温域、蓋部を低温域としておく。前記のような温度分布により、種結晶の結晶成長面に、昇華したSiCが付着して結晶成長が行われる。
【0004】
しかし、前記の方法では、黒鉛坩堝内の温度分布の勾配が不均一となるため、高品質で大径なSiC単結晶を得ることは困難であった。前記方法を鑑みてなされた発明が、特許文献1に示されるものである。当該発明は、黒鉛坩堝内の蓋部に種結晶を備え、底部にSiC粉末原料を備えるようにしており、黒鉛坩堝加熱時に、上部を低温、下部を高温とするようにしている。さらに当該発明では、前記黒鉛坩堝内の結晶基板とSiC粉末原料との間に複数の遮蔽板を備える。前記複数の遮蔽板による熱輻射により、黒鉛坩堝内で種結晶周辺及び前記結晶基板の結晶成長面の温度の均一化を図る。これにより、成長する単結晶の成長面を平坦に保つことができ、安定成長を促すことが可能となる。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−264795号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のようなSiC単結晶製造装置の構成では、高品質なSiC単結晶を得るために必要な、SiC単結晶の成長に伴う底部から蓋部にかけての細かな温度制御を行うことは不可能である。
本発明では、上記課題を解決し、黒鉛坩堝内の細かな温度制御を可能とし、高品質で、かつ大径のSiC単結晶製造方法及び装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るSiC単結晶製造方法は、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、種基板とSiC粉末原料とを内装する坩堝を加熱する各々共振型インバータを備えた複数の誘導加熱コイルを、前記種基板領域と中間領域と前記SiC粉末原料領域との配置に沿って配列し、各誘導加熱コイルに電流を供給し、各誘導加熱コイルの周波数を同期させるとともに、電流位相を同期または設定範囲内に保持させ、各誘導加熱コイルへの投入電力を制御して、前記坩堝内に備えられる種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御することを特徴とする。
【0008】
上記のような方法により、各誘導加熱コイル毎の電流制御を行うと、隣接する誘導加熱コイル間には相互誘導による電流が流れ、温度の上昇や下降が起きる箇所が生じる。このため、誘導加熱コイル間に生じる周波数を同期させ、電流の位相差を調整することで、各誘導加熱コイル間で安定した電流制御が可能となる。よって、坩堝内に備えられる種基板とSiC粉末原料との温度を独立に制御することができ、SiC単結晶の成長を制御することができる。
【0009】
また、前記各誘導加熱コイルの温度制御を前記SiC単結晶の成長に合わせて行い、前記SiC単結晶の成長面が一定温度を保つようにすると良い。
SiC単結晶が成長する際、その成長面が一定温度に保たれることにより、成長するSiC単結晶の内部欠陥を少なくすることができる。
【0010】
また、上記SiC単結晶製造方法を実現するためのSiC単結晶製造装置は、複数の誘導加熱コイルを有するSiC単結晶製造装置において、当該複数の誘導加熱コイルはそれぞれに対応させた複数の共振型インバータと、各共振型インバータから各誘導加熱コイルに供給される電流の位相差を求める位相検出器と、この電流の位相差を補正する駆動制御部とを備え、前記複数の誘導加熱コイルは種基板とSiC粉末原料とを内包する坩堝に要求される温度を独立に形成可能に配置されることを特徴とする。
【0011】
上記のような装置にすることにより、複数の誘導加熱コイル毎に入力電力を設定することが可能となる。また、誘導加熱コイルに電流を流した際に生じる周波数を同期させ、電流の位相差を同期させる駆動制御部を備えるようにしたことで、当該誘導加熱コイルに任意の温度差を作製することができる。よって、この誘導加熱コイルを、種基板とSiC粉末原料とを内包する坩堝を加熱可能な範囲に配置することで、前記種基板と前記SiC粉末原料との間に任意の温度差を作り出すことができ、SiC単結晶の成長を制御することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明に係るSiC単結晶製造装置の実施形態を図面に従って以下に説明する。本実施形態に係るSiC単結晶製造装置の基本構成は、図1に示すようにSiC単結晶を成長させるための黒鉛坩堝14と前記黒鉛坩堝14を内装する反応槽18と、前記反応槽18を覆う複数の誘導加熱コイル22からなる。また、前記誘導加熱コイル22は図2に示すように、夫々がインバータ66に接続され、独立な電流制御が可能な加熱ユニットを構成する。
【0013】
前記黒鉛坩堝14は、蓋部13と胴部11と底部15とからなり、蓋部13に結晶基板10を備え、底部15から胴部11の下半部にかけてSiC粉末原料12を内装する。前記構成の黒鉛坩堝14は、外部の温度変化による影響で内部の温度が変化することを少なくするための、断熱材16をその外殻として備える。
【0014】
前記断熱材16により覆われた黒鉛坩堝14は、それらを内装可能な二層構造の石英管の反応槽18に内装され、かつ当該反応槽18の中央部に支持される。前記反応槽18における二層間となっている空間は、冷却槽20とされ冷却水を媒体として反応槽18が過熱することを防止する。前記反応槽18は、前記黒鉛坩堝14が位置する部分にあたる外周を、前記黒鉛坩堝14を加熱する複数の誘導加熱コイル22により螺旋状に覆われる。前記黒鉛坩堝14の上下の端部は放熱により温度が下がりやすいため、温度保持をする必要がある。このため、前記誘導加熱コイル22は前記黒鉛坩堝14の上下端よりも長い範囲で備えられる。
【0015】
さらに前記反応槽18には、黒鉛坩堝14の酸化消失、SiC結晶及びSiC粉末原料12の酸化を防ぐために、内部空気を不活性ガスに置換する真空ポンプ24と不活性ガス注入手段26とが備えられる。また、前記黒鉛坩堝14の上下には、当該黒鉛坩堝14の上下温度を測定するための放射温度計23、25が備えられる。
【0016】
前記誘導加熱コイル22は複数のコイル(実施形態は3個)からなっているため、そのままでは相互誘導作用によって各誘導加熱コイル22を正確に電力制御できなくなるので、本実施形態では次のように構成されている。すなわち、同心に配置された複数の誘導加熱コイル22の周波数・電流位相を同期させ、あるいは設定された位相差となるように個別に電力制御可能としている。円筒型に配列された個々の誘導加熱コイル22への投入電力を制御しても相互誘導の影響を回避することことができ、種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御可能となるようにゾーンコントロールすることができる。このため、最も上段の誘導加熱コイル22mとその駆動制御回路50mをメインユニットとし、その下段の誘導加熱コイル22sl、22s2と駆動制御回路50s1、24s2をサブユニットとし、メインユニットの負荷コイル部の電流を検出し、この電流の周波数と位相が一致するように、あるいは設定される位相差を保持するようにサブユニットのインバータを運転するようにしている。
【0017】
図2に示すように、この実施形態では、メインユニット並びにサブユニットの各々は、共通の電源部60から順変換部62を介して電源供給を受けて駆動されるようになっており、メインチョッパ64m、サブチョッパ64s(s1、s2以下同じ)を備えて電力調整ができるようになっている。チョッパ64の出力側にはインバータ66(66m、66s)が接続されている。インバータ66は電圧型とされダイオードとトランジスタとを直列接続した辺からなるブリッジ回路によって構成されている。各インバータ66の出力側の誘導加熱コイル22を含む負荷コイル部68(68m、68s)には、コンデンサ70(70m、70s)が誘導加熱コイル22と直列に接続して直列共振回路を構成している。これにより、各誘導加熱コイル22によって前述した反応槽18に内装されている黒鉛坩堝14加熱することができ、結晶基板10及びSiC粉末原料12が輻射加熱される。
【0018】
ところで、本実施形態では、複数の誘導加熱コイル22を作動させることによって生じる相互誘導作用の影響を回避するために、複数の加熱ユニットにおける誘導加熱コイル22の電流周波数と位相を同期させるか、あるいは一定の位相差になるように制御している。このため、各サブユニットには、電流位相差検出制御器72を付帯させており、メインユニットの負荷コイル部68mを流れる電流と、サブユニットの負荷コイル部68sを流れる電流を入力し、両者の位相差を求め、この位相差と周波数をゼロまたは一定の範囲内に収束するようにインバータ66sを駆動制御するようにしている。これはインバータ66sの駆動パルスの切り替えタイミングを調整することにより実現できる。これにより、メインユニットとサブユニットの各チョッパ64にて誘導加熱コイル22への投入電力を調整しても、隣接する誘導加熱コイル22間で相互誘導による影響を最小限に抑制することができるので、電力調整を安定して行わせることができ、各誘導加熱コイル22で加熱される黒鉛坩堝14の内部領域の温度を任意に設定することができ、昇温、降温を高速に行わせつつ、ゾーンコントロールが可能となるのである。また、負荷コイル部68(68m、68s)には、誘導加熱コイル22と直列に変流器76(76m、76s)が設けられており、その出力電流を電流位相差検出制御器72にフィードバックするようになっている。
【0019】
なお、当該実施形態では、サブユニットの負荷コイル部68sに可変リアクトル74を介装しており、サブユニットのインバータ66mの出力電圧と電流位相差をゼロまたは一定の範囲内に収まるように調整するようにし、力率を改善するようにしている。
【0020】
上記のようなSiC単結晶製造装置では、反応槽18内の空気を真空ポンプ24および不活性ガス注入手段26により、Ar等の不活性ガスと置換する。また、前記不活性ガスは、後述する加熱処理を行う間、前記反応槽18の下部から上部へ向けて送り続けられる。不活性ガス注入後、各加熱ユニットを送電状態にする。当該加熱ユニットの誘導加熱コイル22は、誘導加熱により、導電体である黒鉛坩堝14に渦電流を起こし加熱する。当該黒鉛坩堝14は断熱材16により覆われているが、輻射熱が発生する。このため、反応槽18が過熱状態となることを防止するために、冷却槽20に冷却水を流入して冷却する。
【0021】
また、後述するように前記加熱ユニット52を制御し、黒鉛坩堝14の内部のSiC粉末原料12が昇華する2100〜2400℃程度になるまで加熱する。このとき、各加熱ユニットを制御して、黒鉛坩堝14の上方を低温域、下方を高温域となるようにする。つまり、結晶基板10の温度は、SiC粉末原料12の温度よりも低温となるように制御する。前記加熱ユニットによる温度制御による黒鉛坩堝14内の下方から上方に掛けての温度勾配は、10℃〜30℃/cm程度とするのが良く、結晶基板10とSiC粉末原料12との間の温度差は100℃程度となるように保つと良い。なお、前記温度勾配は、前記結晶基板10が前記黒鉛坩堝14の上部に備えられ、SiC粉末原料12が下部に備えられる場合には前記黒鉛坩堝14の下部を高温域とし、上部を低温域とするが、前記結晶基板10とSiC粉末原料12との配置が逆の場合には温度勾配も逆になる。
【0022】
加熱されたSiC粉末原料12は昇華し、上記温度制御により低温域となっている結晶基板10の表面部へ付着する。前記のごとく昇華したSiC粉末原料12が、結晶基板10に付着することにより、結晶成長が行われる。この時、反応槽18に流入させるAr流量と真空ポンプ24による排気速度を制御し、反応槽18の内部圧力を0.1Torr〜300Torrの所望の値に保つ。こうして減圧することにより、大きな結晶成長速度を得ることができる。
【0023】
前記加熱ユニットによる温度制御により、黒鉛坩堝14の内部に任意の温度勾配を作り出し、前記SiC粉末原料12による結晶成長を効率良く促す。また、前記結晶成長により生成される新規の結晶基板10の表面温度と、黒鉛坩堝14の底部15との温度差を一定に保つことにより、精度良く大径のSiC単結晶の製造をすることができる。さらにまた、新規生成される結晶基板10の表面温度の温度分布を一定に保つようにすることで、生成されるSiC単結晶の内部欠陥を少なくすることができる。さらに各誘導加熱コイル22の温度制御を独立させて行うことにより、温度勾配を変化させ、SiC単結晶の成長速度を任意に変化させることが可能となる。
【0024】
各誘導加熱コイル22を、上記の誘導加熱装置としたために、本実施例のごとく隣接する誘導加熱コイル22を密接させて配置した場合であっても、各誘導加熱コイル22間における相互誘導の影響を受けること無く、前記の温度勾配を精度良くつくることができる。
【0025】
本実施形態では、結晶基板10を黒鉛坩堝14の蓋部13へ備え、SiC粉末原料12を前記黒鉛坩堝14の下半部へ備えるようにしたが、結晶基板10を黒鉛坩堝14の下部へ、SiC粉末原料12を上部へ備えるようにしても良い。こうした場合、上述した温度勾配は、黒鉛坩堝14の上部を高温域、下方を低温域となるように制御することとなる。
なお、本実施例では。図1、図2に示す誘導加熱コイル22の数を3ゾーンとしているが、ゾーン数を増やすこともできる。この場合、上記加熱ユニットを増設するようにすれば良い。
【0026】
【発明の効果】
上記のごとく、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、種基板とSiC粉末原料とを内装する坩堝を加熱する各々共振型インバータを備えた複数の誘導加熱コイルを、前記種基板領域と中間領と前記SiC粉末原料領域との配置に沿って配列し、各誘導加熱コイルに電流を供給し、各誘導加熱コイルの周波数を同期させるとともに、電流位相を同期または設定範囲内に保持させ、各誘導加熱コイルへの投入電力を制御して、前記坩堝内に備えられる種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御するようにしたことにより、黒鉛坩堝内に任意の温度差をつくることが可能となり、大径で高精度なSiC単結晶を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るSiC単結晶製造装置の反応槽の正面拡大断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係るSiC単結晶製造装置の全体図を示す概略図である。
【符号の説明】
10………結晶基板、11………胴部、12………SiC粉末原料、13………蓋部、14………黒鉛坩堝、15………底部、16………断熱材、18………反応槽、20………冷却槽、22………誘導加熱コイル、23………放射温度計、24………真空ポンプ、25………放射温度計、26………不活性ガス注入手段。
Claims (3)
- 昇華法によるSiC単結晶の製造方法において、種基板とSiC粉末原料とを内装する坩堝を加熱する各々共振型インバータを備えた複数の誘導加熱コイルを、前記種基板領域と中間領域と前記SiC粉末原料領域との配置に沿って配列し、各誘導加熱コイルに電流を供給し、各誘導加熱コイルの周波数を同期させるとともに、電流位相を同期または設定範囲内に保持させ、各誘導加熱コイルへの投入電力を制御して、前記坩堝内に備えられる種基板と中間領域とSiC粉末原料域との温度を独立に制御することを特徴とするSiC単結晶製造方法。
- 前記各誘導加熱コイルの温度制御を前記SiC単結晶の成長に合わせて行い、前記SiC単結晶の成長面が一定温度を保つようにすることを特徴とする請求項1に記載のSiC単結晶製造方法。
- 複数の誘導加熱コイルを有するSiC単結晶製造装置において、当該複数の誘導加熱コイルはそれぞれに対応させた複数の共振型インバータと、各共振型インバータから各誘導加熱コイルに供給される電流の位相差を求める位相検出器と、この電流の位相差を補正する駆動制御部とを備え、前記複数の誘導加熱コイルは種基板とSiC粉末原料とを内包する坩堝に要求される温度を独立に形成可能に配置されることを特徴とするSiC単結晶製造装置。
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KR101069911B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-10-05 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법 |
CN102925967A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN107208310A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-26 | 新日铁住金株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
-
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101069911B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-10-05 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 제어방법 |
JP2008074662A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶製造装置 |
US9068277B2 (en) | 2006-09-21 | 2015-06-30 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Apparatus for manufacturing single-crystal silicon carbide |
CN102925967A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 李汶军 | 多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置 |
CN107208310A (zh) * | 2015-03-24 | 2017-09-26 | 新日铁住金株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
CN107208310B (zh) * | 2015-03-24 | 2019-10-11 | 昭和电工株式会社 | 碳化硅单晶的制造方法 |
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