JP2004222261A - 差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法 - Google Patents

差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 スイッチングノイズを減らすことができるだけでなく回路構成が簡単な差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法を提供する。
【解決手段】 差動電荷ポンプは、第1入力信号、第2入力信号、前記第2入力信号の反転された信号、前記第1入力信号の反転された信号を各々入力して、第1出力信号、第2出力信号、前記第1出力信号と同一電圧レベルの第3出力信号、前記第2出力信号と同一電圧レベルの第4出力信号を発生する第1乃至第4ドライバと、第1又は第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第1、第2、第3あるいは第4出力信号が印加されるソースと第1又は第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第1乃至第4トランジスタとを有し、第1乃至第4トランジスタとそれぞれのドライバが直列に連結される。
【選択図】 図3

Description

本発明は電荷ポンプ回路に係り、特に差動入力信号に応答して差動出力信号を発生する差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法に関する。
位相同期ループは位相検出器、電荷ポンプ、ループフィルタ、及び電圧制御発振器を備えて構成される。位相検出器は基準クロック信号と電圧制御発振器から出力されるクロック信号の位相差を検出する。電荷ポンプは位相検出器の出力信号に応答してループフィルタに電荷を充電したり、ループフィルタに充電された電荷を放電する。そして、電圧制御発振器はループフィルタに充電された電荷に対応する電圧に応答して出力されるクロック信号の位相を可変する。
位相同期ループの電荷ポンプには単一出力信号を発生する単一電荷ポンプと差動出力信号を発生する差動電荷ポンプとがある。単一電荷ポンプを用いる位相同期ループの電圧制御発振器は単一出力信号に応答してクロック信号を発生し、差動電荷ポンプを用いる位相同期ループの電圧制御発振器は差動出力信号に応答してクロック信号を発生するようになる。
一般的に、単一電荷ポンプを用いて位相同期ループを設計すれば位相検出器から出力されるアップ、ダウン信号に応答してスイッチング動作を遂行することによりスイッチングノイズが発生し、しかも単一出力信号を発生するために、後段のループフィルタに流入するノイズを除去することが容易でない。
一方、差動電荷ポンプを用いて位相同期ループを設計すれば位相検出器から出力されるアップ、ダウン信号に応答してスイッチング動作を遂行することによりスイッチングノイズが発生するが、差動出力信号を発生するために、後段のループフィルタにノイズが流入してもノイズによる影響を除去できる。
このような理由で位相同期ループは一般的に単一電荷ポンプを用いないで差動電荷ポンプを用いて設計する。しかし、差動電荷ポンプを用いて位相同期ループを設計しても差動電荷ポンプがスイッチング動作を遂行することにより発生するスイッチングノイズによる性能低下は相変らず存在する。
それで、差動電荷ポンプを利用した位相同期ループのスイッチングノイズを減らすための研究が続いており、これと関連した多くの技術が公開されている。
図1は、従来の差動電荷ポンプの一例の構成を示すものであって、特許文献1の図4に公開された構成である。
図1に示した差動電荷ポンプの構成及び動作は、特許文献1に詳細に説明されているので参考にすることができ、ここでは簡単に説明する。
図1に示した差動電荷ポンプは、PMOSトランジスタ170a、170b、180a、180bとNMOSトランジスタ172a、172b、178a、178bのゲートにアップ信号PUMPUPN、PUMPUPPとダウン信号PUMPDNN、PUMPDNPとが印加され、第1出力信号FILTU発生端子と第2出力信号FILTD発生端子間にバッファ200a、200bを備えて構成されている。したがって、アップ信号PUMPUPN、PUMPUPPとダウン信号PUMPDNN、PUMPDNPとによってPMOSトランジスタ170a、170b、180a、180bとNMOSトランジスタ172a、172b、178a、178bとがスイッチング動作した時に発生するスイッチングノイズはバッファ200a、200bを用いて除去することができる。
しかし、実際的にバッファ200a、200bを用いてスイッチングノイズを完全に除去することは難しく、回路構成が複雑な短所もある。
米国特許第6,385,265号明細書
本発明の目的はスイッチングノイズを減らすことができるだけでなく回路構成が簡単な差動電荷ポンプ及び方法を提供することにある。
本発明の他の目的は前記目的を達成するための差動電荷ポンプを利用した位相同期ループ及び方法を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明の差動電荷ポンプは、第1入力信号を入力して第1出力信号を発生する第1ドライバ、第2入力信号を入力して第2出力信号を発生する第2ドライバ、前記第2入力信号の反転された信号を入力して前記第1出力信号と同一の電圧レベルを有する第3出力信号を発生する第3ドライバ、前記第1入力信号の反転された信号を入力して前記第2出力信号と同一の電圧レベルを有する第4出力信号を発生する第4ドライバ、第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第1出力信号が印加されるソースと第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第1トランジスタ、前記第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第2出力信号が印加されるソースと第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第2トランジスタ、第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第3出力信号が印加されるソースと前記第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第3トランジスタ、及び前記第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第4出力信号が印加されるソースと前記第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第4トランジスタを備えることを特徴とする。
前記目的を達成するための本発明の差動電荷ポンピング方法は、第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、前記第2入力信号の反転された信号を各々入力して、第1出力信号、第2出力信号、前記第1出力信号と同等なレベルの第3出力信号、及び前記第2出力信号と同等なレベルの第4出力信号を各々発生する第1段階、及び第1バイアス電圧が前記第1出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第3出力信号の電圧レベルを制御して第1差動電荷ポンプ出力信号を発生し、前記第1バイアス電圧が前記第2出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第4出力信号の電圧レベルを制御して第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する第2段階を備えることを特徴とする。
前記他の目的を達成するための本発明の差動電荷ポンプを利用した位相同期ループは、基準クロック信号とクロック信号の位相差を検出して第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を発生する位相検出手段、前記第1入力信号、前記第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を入力して第1差動電荷ポンプ出力信号と第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する差動電荷ポンプ、前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して電荷を充放電するループフィルタ、及び前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号を入力にして前記クロック信号の位相を制御する電圧制御発振器を備えた位相同期ループにおいて、前記差動電荷ポンプは、前記第1入力信号を入力して第1出力信号を発生する第1ドライバ、前記第2入力信号を入力して第2出力信号を発生する第2ドライバ、前記第2入力信号の反転された信号を入力して前記第1出力信号と同一の電圧レベルを有する第3出力信号を発生する第3ドライバ、前記第1入力信号の反転された信号を入力して前記第2出力信号と同一の電圧レベルを有する第4出力信号を発生する第4ドライバ、第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第1出力信号が印加されるソースと第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第1トランジスタ、前記第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第2出力信号が印加されるソースと第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第2トランジスタ、第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第3出力信号が印加されるソースと前記第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第3トランジスタ、及び前記第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第4出力信号が印加されるソースと前記第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第4トランジスタを備えることを特徴とする。
前記他の目的を達成するための本発明の差動電荷ポンプを利用した位相同期ルーピング方法は、基準クロック信号とクロック信号の位相差を検出して第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を発生する位相検出段階、前記第1入力信号、前記第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、前記第2入力信号の反転された信号を各々入力して、第1出力信号、第2出力信号、前記第1出力信号と同等なレベルの第3出力信号、及び前記第2出力信号と同等なレベルの第4出力信号を各々発生し、さらに、第1バイアス電圧が前記第1出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第3出力信号の電圧レベルを制御して第1差動電荷ポンプ出力信号を発生し、前記第1バイアス電圧が前記第2出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第4出力信号の電圧レベルを制御して第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する電荷ポンピング段階、前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して電荷を充放電する電荷充放電段階、及び前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して前記クロック信号の位相を制御する電圧制御発振段階を備えることを特徴とする。
上記のような本発明の差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法は、アップ及びダウン信号の遷移時に発生するスイッチングノイズが減少して動作性能が向上する。
また、本発明の差動電荷ポンプ及びこれを利用した位相同期ループは回路構成が簡単で、集積化時にレイアウト面積を減らすことができる。
以下、添付した図面を参考にしながら本発明の差動電荷ポンプ及び方法、並びにこれを利用した位相同期ループ及び方法を説明すれば次の通りである。
図2は、本発明の差動電荷ポンプの実施形態の構成を示す回路図であって、ドライバD1〜D4、PMOSトランジスタP1、P2、及びNMOSトランジスタN1、N2で構成されている。
図2に示した差動電荷ポンプの構成を説明すれば次の通りである。
ドライバD1〜D4はバッファからなり、各々は、ダウン信号DN、アップ信号UP、反転されたアップ信号UPB、反転されたダウン信号DNBを入力する。第1トランジスタであるPMOSトランジスタP1のソースは第1ドライバD1の出力信号に連結し、ゲートは第1バイアス電圧VBIASPに連結し、ドレインは第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに連結している。第3トランジスタであるNMOSトランジスタN1のドレインは第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに連結し、ゲートは第2バイアス電圧VBIASNに連結し、ソースは第3ドライバD3の出力信号に連結している。第2トランジスタであるPMOSトランジスタP2のソースは第2ドライバD2の出力信号に連結し、ゲートは第1バイアス電圧VBIASPに連結し、ドレインは第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに連結している。第4トランジスタであるNMOSトランジスタN2のドレインは第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに連結し、ゲートは第2バイアス電圧VBIASNに連結し、ソースは第4ドライバD4の出力信号に連結している。
図2に示した差動電荷ポンプの動作を説明すれば次の通りである。
バイアス電圧VBIASP、VBIASNが印加され、そして“ハイ”レベルのアップ信号UPと“ロー”レベルのダウン信号DNが印加される場合は、反転されたアップ信号UPBが“ロー”レベルであり、反転されたダウン信号DNBが“ハイ”レベルである。
すると、第1、第4ドライバD1、D4の各々は、“ロー”レベルのダウン信号DNと“ハイ”レベルの反転されたダウン信号DNBを入力にして接地電圧レベルの信号と電源電圧レベルの信号を発生する。また、第2、第3ドライバD2、D3の各々は“ハイ”レベルのアップ信号UPと“ロー”レベルの反転されたアップ信号UPBを入力にして電源電圧レベルの信号と接地電圧レベルの信号を発生する。
そうすれば、PMOSトランジスタP1がオフされ、NMOSトランジスタN1がオンされて第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに充電された電荷がNMOSトランジスタN1を通して放電される。また、PMOSトランジスタP2がオンされ、NMOSトランジスタN2がオフされてPMOSトランジスタP2を通して第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに電荷を充電する。
一方、バイアス電圧VBIASP、VBIASNが印加され、“ロー”レベルのアップ信号UPと“ハイ”レベルのダウン信号DNが印加される場合は、反転されたアップ信号UPBが“ハイ”レベルであり、反転されたダウン信号DNBが“ロー”レベルである。
すると、第1、第4ドライバD1、D4の各々は“ハイ”レベルのダウン信号DNと“ロー”レベルの反転されたダウン信号DNBを入力にして電源電圧レベルの信号と接地電圧レベルの信号を発生する。また、第2、第3ドライバD2、D3の各々は“ロー”レベルのアップ信号UPと“ハイ”レベルの反転されたアップ信号UPBを入力にして接地電圧レベルの信号と電源電圧レベルの信号を発生する。
そうすれば、PMOSトランジスタP1がオンされ、NMOSトランジスタN1がオフされてPMOSトランジスタP1を通して第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに電荷を充電する。また、PMOSトランジスタP2がオフされ、NMOSトランジスタN2がオンされて第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに充電された電荷がNMOSトランジスタN2を通して放電される。
すなわち、PMOSトランジスタP1、P2それぞれのソースに接地電圧及び電源電圧レベルが印加され、NMOSトランジスタN1、N2それぞれのソースに接地電圧及び電源電圧レベルが印加されると、PMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN1が電流源になって電流を流す。また、PMOSトランジスタP1、P2それぞれのソースに電源電圧及び接地電圧レベルが印加され、NMOSトランジスタN1、N2それぞれのソースに電源電圧及び接地電圧レベルが印加されると、PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN2が電流源になって電流を流す。
上述したように本発明の差動電荷ポンプは、バイアス電圧VBIASP、VBISANがPMOSトランジスタP1、P2とNMOSトランジスタN1、N2のゲートに印加されている状態で、アップ及びダウン信号UP、DNと反転されたアップ及びダウン信号UPB、DNBが遷移して、これらトランジスタP1、P2、N1、N2のソースに電源電圧または接地電圧レベルが印加されるように構成されている。したがって、スイッチング動作時にこれらトランジスタP1、P2、N1、N2とそれぞれのドライバD1、D2、D3、D4が直列に連結していて、スイッチングと寄生キャパシタンスにより発生するスイッチングノイズを減少できる。
図3は、本発明の差動電荷ポンプの望ましい実施形態の構成を示すものであって、基準電圧発生回路10、共通モードフィードバック回路12、基準電流発生回路14、インバータI1〜I4、PMOSトランジスタP1、P2、及びNMOSトランジスタN1、N2で構成されている。
図3においては、図2に示したドライバD1〜D4の各々をインバータI1〜I4で構成して、インバータI1〜I4の各々に反転されたダウン信号DNB、反転されたアップ信号UPB、アップ信号UP、及びダウン信号DNが印加されるように構成されている。
そして、ドライバD1〜D4の各々がインバータI1〜I4で構成されることによって、図2に示したドライバD1〜D4に印加される信号の位相と反対位相の信号が印加されるように構成されている。
図3に示した構成の動作を説明すれば次の通りである。
基準電圧発生回路10は、基準電圧VREFを発生する。共通モードフィードバック回路12は基準電圧VREFとノードA、Bの電圧を比較して一定のバイアス電圧VBIASPを発生する。すなわち、共通モードフィードバック回路12はノードA、Bの電圧が基準電圧VREFより低ければ第1バイアス電圧VBIASPを高め、ノードA、Bの電圧が基準電圧VREFより高ければ第1バイアス電圧VBIASPを低めることによって一定の第1バイアス電圧VBIASPを発生する。基準電流発生回路14は基準電流を発生する。NMOSトランジスタN3は、基準電流発生回路14の出力およびバイアス電圧VBIASNに連結したドレインおよびゲート、そして接地電圧に連結したソースを有し、基準電流を流して、バイアス電圧VBIASNを発生する。
“ハイ”レベルの反転されたダウン信号DNBと、“ロー”レベルのダウン信号DN及び“ロー”レベルの反転されたアップ信号UPBと、“ハイ”レベルのアップ信号UPが印加されると、インバータI1〜I4の各々は接地電圧レベルの信号、電源電圧レベルの信号、接地電圧レベルの信号、電源電圧レベルの信号を出力する。そうすれば、PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN2がオフされ、PMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN1がオンされる。これにより、PMOSトランジスタP2を通して第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに電荷が充電される。また、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに充電された電荷がNMOSトランジスタN1を通して放電されるようになる。すなわち、第1バイアス電圧VBIASPがPMOSトランジスタP2のゲートに印加されている状態でソースに電源電圧が印加されるとPMOSトランジスタP2が電流源になって第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに電流を流し、第2バイアス電圧VBIASNがNMOSトランジスタN1のゲートに印加されている状態でソースに接地電圧が印加されるとNMOSトランジスタN1が電流源になって第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDから接地電圧に電流を流す。
一方、“ロー”レベルの反転されたダウン信号DNBと“ハイ”レベルのダウン信号DN及び“ハイ”レベルの反転されたアップ信号UPBと“ロー”レベルのアップ信号UPが印加されると、インバータI1〜I4の各々は電源電圧レベルの信号、接地電圧レベルの信号、電源電圧レベルの信号、接地電圧レベルの信号を出力する。そうすれば、PMOSトランジスタP1とNMOSトランジスタN2がオンされ、PMOSトランジスタP2とNMOSトランジスタN1がオフされる。これにより、PMOSトランジスタP1を通して第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに電荷が充電され、第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに充電された電荷がNMOSトランジスタN2を通して放電されるようになる。すなわち、第1バイアス電圧VBIASPがPMOSトランジスタP1のゲートに印加されている状態でソースに電源電圧が印加されるとPMOSトランジスタP1が電流源になって第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに電流を供給し、第2バイアス電圧VBIASNがNMOSトランジスタN2のゲートに印加されている状態でソースに接地電圧が印加されるとNMOSトランジスタN2が電流源になって第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUから接地電圧に電流を流す。
上述したように本発明の差動電荷ポンプは、バイアス電圧VBIASP、VBIASNが印加された状態でPMOSトランジスタP1、P2とNMOSトランジスタN1、N2のソースに印加される電圧によってPMOSトランジスタP1、P2とNMOSトランジスタN1、N2が電流源になって第1及び第2差動電荷ポンプ出力信号FILTD、FILTUに電流を流す。
すなわち、本発明の差動電荷ポンプは、PMOSトランジスタP1、P2とNMOSトランジスタN1、N2がそれぞれのドライバD1、D2、D3、D4と直列に連結していて、スイッチングと寄生キャパシタンスにより発生するスイッチングノイズを減少できる。
図4は、図3に示した共通モードフィードバック回路12の実施形態の回路図であって、PMOSトランジスタP3、P4、NMOSトランジスタN4〜N7、及び電流源IR1、IR2で構成されている。
図4に示した回路の動作を説明すれば次の通りである。
基準電圧VREFに応答してNMOSトランジスタN5、N6がオンされて電流i2が流れ、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに応答してNMOSトランジスタN4、N7がオンされて電流i1を流す。
もしもPMOSトランジスタP3、P4の大きさ及びNMOSトランジスタN4〜N7の大きさが同一に設計されていて、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧を合せた電圧が基準電圧VREFの2倍より高まるようになれば、NMOSトランジスタN5、N6に比べてNMOSトランジスタN4、N7がさらに多くオンされて電流i1が電流i2に比べて大きくなる。これにより、第1バイアス電圧VBIASPが高まるようになる。
一方、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧を合せた電圧が基準電圧VREFの2倍より低くなれば、NMOSトランジスタN4、N7に比べてNMOSトランジスタN5、N6がさらに多くオンされて電流i2が電流i1に比べて大きくなる。これにより、第1バイアス電圧VBIASPが低くなる。
図4に示した共通モードフィードバック回路12は、上述したような方法で動作を遂行して第1差動電荷ポンプ出力信号FILTD及び第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧を合せた電圧が基準電圧VREFの2倍と同一の電圧になれば一定の第1バイアス電圧VBIASPを発生するようになる。
図5は、本発明の差動電荷ポンプを利用した位相同期ループの構成を示すブロック図であって、位相検出器20、差動電荷ポンプ22、ループフィルタ24、及び電圧制御発振器26で構成されている。
図5に示したブロックそれぞれの機能を説明すれば次の通りである。
位相検出器20は、基準クロック信号CLKとVCO_クロック信号VCO_CLKを入力してVCO_クロック信号VCO_CLKの位相が基準クロック信号CLKの位相より遅ければ“ハイ”レベルのアップ信号UP及び反転されたダウン信号DNBと“ロー”レベルのダウン信号DN及び反転されたアップ信号UPBを発生し、VCO_クロック信号VCO_CLKの位相が基準クロック信号CLKの位相より速ければ“ハイ”レベルのダウン信号DN及び反転されたアップ信号UPNと“ロー”レベルの反転されたダウン信号DNB及びアップ信号UPを発生する。差動電荷ポンプ22は“ハイ”レベルのアップ信号UP及び反転されたダウン信号DNBと“ロー”レベルのダウン信号DN及び反転されたアップ信号UPBに応答して第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUに電荷を充電し、かつ第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDの電荷を放電して、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧差が大きくする。また、“ハイ”レベルのダウン信号DN及び反転されたアップ信号UPNと“ロー”レベルの反転されたダウン信号DNB及びアップ信号UPに応答して第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDに電荷を充電し、かつ第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電荷を放電して第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧差が小さくする。ループフィルタ24は第1差動電荷ポンプ出力信号FILTD及び第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの各々に連結して電荷を充放電する。電圧制御発振器26は第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧差が大きくなればVCO_クロック信号VCO_CLKを速く発生し、第1差動電荷ポンプ出力信号FILTDと第2差動電荷ポンプ出力信号FILTUの電圧差が小さくなればVCO_クロック信号VCO_CLKを遅く発生する。
本発明の差動電荷ポンプを利用した位相同期ループは、本発明の差動電荷ポンプを用いることによってスイッチングノイズが減少する。
以上は本発明の望ましい実施形態を説明したが、本発明の技術分野に熟練した当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できるものである。
従来の差動電荷ポンプの一例の構成を示す回路図である。 本発明の差動電荷ポンプの実施形態の構成を示す回路図である。 本発明の差動電荷ポンプの望ましい実施形態の構成を示す回路図である。 図3に示した共通モードフィードバック回路の実施形態の回路図である。 本発明の差動電荷ポンプを用いた位相同期ループの構成を示すブロック図である。
符号の説明
D1〜D4 ドライバ
P1、P2 PMOSトランジスタ
N1、N2 NMOSトランジスタ

Claims (12)

  1. 第1入力信号を入力して第1出力信号を発生する第1ドライバと、
    第2入力信号を入力して第2出力信号を発生する第2ドライバと、
    前記第2入力信号の反転された信号を入力して前記第1出力信号と同一の電圧レベルを有する第3出力信号を発生する第3ドライバと、
    前記第1入力信号の反転された信号を入力して前記第2出力信号と同一の電圧レベルを有する第4出力信号を発生する第4ドライバと、
    第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第1出力信号が印加されるソースと第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第1トランジスタと、
    前記第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第2出力信号が印加されるソースと第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第2トランジスタと、
    第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第3出力信号が印加されるソースと前記第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第3トランジスタと、
    前記第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第4出力信号が印加されるソースと前記第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第4トランジスタとを備えることを特徴とする差動電荷ポンプ。
  2. 前記第1入力信号はダウン信号、前記第2入力信号はアップ信号であって、前記第1ないし第4ドライバはバッファであることを特徴とする請求項1に記載の差動電荷ポンプ。
  3. 前記第1入力信号は反転されたダウン信号、前記第2入力信号は反転されたアップ信号であって、前記第1ないし第4ドライバはインバータであることを特徴とする請求項1に記載の差動電荷ポンプ。
  4. 前記差動電荷ポンプは、
    基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
    基準電流を発生して前記第2バイアス電圧に出力が連結した基準電流発生回路と、
    前記基準電圧の出力と前記第1差動電荷ポンプ出力信号及び前記第2差動電荷ポンプ出力信号とを入力にして前記第1バイアス電圧を発生する共通モードフィードバック回路と、
    前記第2バイアス電圧に連結したドレイン及びゲート、そして接地電圧に連結したソースを有する第5トランジスタとをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の差動電荷ポンプ。
  5. 基準クロック信号とクロック信号の位相差を検出して第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を発生する位相検出手段と、
    前記第1入力信号、前記第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を入力して第1差動電荷ポンプ出力信号と第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する差動電荷ポンプと、
    前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して電荷を充放電するループフィルタと、
    前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号を入力にして前記クロック信号の位相を制御する電圧制御発振器とを備えた位相同期ループにおいて、
    前記差動電荷ポンプは、
    前記第1入力信号を入力して第1出力信号を発生する第1ドライバと、
    前記第2入力信号を入力して第2出力信号を発生する第2ドライバと、
    前記第2入力信号の反転された信号を入力して前記第1出力信号と同一の電圧レベルを有する第3出力信号を発生する第3ドライバと、
    前記第1入力信号の反転された信号を入力して前記第2出力信号と同一の電圧レベルを有する第4出力信号を発生する第4ドライバと、
    第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第1出力信号が印加されるソースと第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第1トランジスタと、
    前記第1バイアス電圧に連結したゲートと前記第2出力信号が印加されるソースと第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第2トランジスタと、
    第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第3出力信号が印加されるソースと前記第1差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第3トランジスタと、
    前記第2バイアス電圧に連結したゲートと前記第4出力信号が印加されるソースと前記第2差動電荷ポンプ出力信号に連結したドレインを有した第4トランジスタとを備えることを特徴とする位相同期ループ。
  6. 前記第1入力信号はダウン信号、前記第2入力信号はアップ信号であって、前記第1ないし第4ドライバはバッファであることを特徴とする請求項5に記載の位相同期ループ。
  7. 前記第1入力信号は反転されたダウン信号、前記第2入力信号は反転されたアップ信号であって、前記第1ないし第4ドライバはインバータであることを特徴とする請求項5に記載の位相同期ループ。
  8. 前記差動電荷ポンプは、
    基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
    基準電流を発生して前記第2バイアス電圧に出力が連結した基準電流発生回路と、
    前記基準電圧の出力と前記第1差動電荷ポンプ出力信号及び前記第2差動電荷ポンプ出力信号とを入力にして前記第1バイアス電圧を発生する共通モードフィードバック回路と、
    前記第2バイアス電圧に連結したドレイン及びゲート、そして接地電圧に連結したソースを有する第5トランジスタとをさらに備えることを特徴とする請求項5に記載の位相同期ループ。
  9. 第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、前記第2入力信号の反転された信号を各々入力して、第1出力信号、第2出力信号、前記第1出力信号と同等なレベルの第3出力信号、及び前記第2出力信号と同等なレベルの第4出力信号を各々発生する第1段階と、
    第1バイアス電圧が前記第1出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第3出力信号の電圧レベルを制御して第1差動電荷ポンプ出力信号を発生し、前記第1バイアス電圧が前記第2出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第4出力信号の電圧レベルを制御して第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する第2段階とを備えることを特徴とする差動電荷ポンピング方法。
  10. 前記第2段階は、
    基準電圧と前記第1差動電荷ポンプ出力信号及び前記第2差動電荷ポンプ出力信号を入力して前記第1バイアス電圧を発生し、
    基準電流を利用して前記第2バイアス電圧を発生することを特徴とする請求項9に記載の差動電荷ポンピング方法。
  11. 基準クロック信号とクロック信号の位相差を検出して第1入力信号、第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、及び前記第2入力信号の反転された信号を発生する位相検出段階と、
    前記第1入力信号、前記第2入力信号、前記第1入力信号の反転された信号、前記第2入力信号の反転された信号を各々入力して、第1出力信号、第2出力信号、前記第1出力信号と同等なレベルの第3出力信号、及び前記第2出力信号と同等なレベルの第4出力信号を各々発生し、さらに、
    第1バイアス電圧が前記第1出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第3出力信号の電圧レベルを制御して第1差動電荷ポンプ出力信号を発生し、前記第1バイアス電圧が前記第2出力信号の電圧レベルを制御し、前記第2バイアス電圧が前記第4出力信号の電圧レベルを制御して第2差動電荷ポンプ出力信号を発生する電荷ポンピング段階と、
    前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して電荷を充放電する電荷充放電段階と、
    前記第1差動電荷ポンプ出力信号と前記第2差動電荷ポンプ出力信号に応答して前記クロック信号の位相を制御する電圧制御発振段階とを備えることを特徴とする位相同期ルーピング方法。
  12. 前記電荷ポンピング段階は、
    基準電圧と前記第1差動電荷ポンプ出力信号及び第2差動電荷ポンプ出力信号を入力して前記第1バイアス電圧を発生し、
    基準電流を利用して前記第2バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項11に記載の位相同期ルーピング方法。
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