JP2004221569A - トリプル・ウェル半導体デバイスの静電放電保護回路 - Google Patents
トリプル・ウェル半導体デバイスの静電放電保護回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004221569A JP2004221569A JP2003431428A JP2003431428A JP2004221569A JP 2004221569 A JP2004221569 A JP 2004221569A JP 2003431428 A JP2003431428 A JP 2003431428A JP 2003431428 A JP2003431428 A JP 2003431428A JP 2004221569 A JP2004221569 A JP 2004221569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- doped region
- diode
- esd
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体デバイスは、好ましくはダイオード接合型構成である。半導体デバイスを直列構成で使用するとき、制御回路を使用してバイアス印加を制御することができる。領域3および3Aは、nドープされ、nドープ領域8まで下方に延びて、p−ドープ領域6を基板領域10から分離するようにリングを形成する。領域3および3Aは、領域6の分離をもたらす他の寸法の絶縁を有することができる。その上、領域3および3Aは、単一の打込み、または異なるエネルギーまたはドーズ量の複数の打込みを使用して形成することができる。領域6は、基板10からの分離を可能にするように、pドープされる。この実施形態では、p−nダイオードの金属学的接合は、p−領域6が領域3、領域3Aおよび領域8に境を接するところに形成される。
【選択図】図1
Description
前記基板の内部にある、第2のドーパントの型の第1のドープされた領域と、
前記第1のドープされた領域の上にある第2のドープされた領域と、
前記第2のドープされた領域の上にある第3のドープされた領域と、
前記第3のドープされた領域の縁部を画定する縁構造と、
前記第2のドープされた領域を前記基板から隔離する第4の構造とを備える半導体デバイス。
(2)前記第4の構造が、前記第2のドーパントの型のドープされた領域である、上記(1)に記載の半導体デバイス。
(3)前記第4の構造が、絶縁物である、上記(1)に記載の半導体デバイス。
(4)前記第4の構造が、絶縁された側壁である、上記(3)に記載の半導体デバイス。
(5)前記縁構造が、浅いトレンチ分離である、上記(1)に記載の半導体デバイス。
(6)前記縁構造が、ポリシリコン・ゲート構造である、上記(1)に記載の半導体デバイス。
(7)前記第4の構造が、トレンチ分離(TI)である、上記(3)に記載の半導体デバイス。
(8)前記第4の構造が、深いトレンチ分離(DTI)である、上記(3)に記載の半導体デバイス。
(9)複数のデバイスを備える半導体であって、前記デバイスのそれぞれが、
第1のドーパントの型の基板と、
前記基板の内部にある、第2のドーパントの型の第1のドープされた領域と、
前記第1のドープされた領域の上にある第2のドープされた領域と、
前記第2のドープされた領域の上にある第3のドープされた領域と、
前記第3のドープされた領域の縁部を画定する縁構造と、
前記第2のドープされた領域を前記基板から隔離する第4の構造とを有する半導体。
(10)前記複数のデバイスのうちの第1のデバイスが、前記複数のデバイスのうちの第2のデバイスに直列に結合されている、上記(9)に記載の半導体。
(11)前記複数のデバイスのうちの前記第2のデバイスの縁構造が、基準制御回路に結合されている、上記(10)に記載の半導体。
(12)前記基準制御回路が、前記縁構造へのバイアス印加を制御する、上記(11)に記載の半導体。
(13)前記第1のドープされた領域が、前記第1のドープされた領域へのバイアス印加を制御する基準制御回路に接続される、上記(11)に記載の半導体。
(14)前記デバイスの各々の前記第4の構造が、前記第2のドーパントの型のドープされた領域である、上記(12)に記載の半導体。
(15)前記デバイスの各々の前記第4の構造が、絶縁物である、上記(12)に記載の半導体。
(16)前記デバイスの各々の前記第4の構造が、絶縁された側壁である、上記(15)に記載の半導体。
(17)前記デバイスのうちの1つの前記縁構造の1つが、ポリシリコン・ゲートである、上記(12)に記載の半導体。
(18)前記デバイスのうちの1つの前記第4の構造の1つが、トレンチ分離(TI)である、上記(12)に記載の半導体。
(19)互いに直列に結合された複数のトリプル・ウェル・ダイオードを備える回路であって、前記ダイオードの各々が共有のnドープ領域を有するものである回路。
(20)さらに、
前記共有のnドープ領域へのバイアス印加を制御するように、前記共有のnドープ領域に結合された制御デバイスを備える、上記(19)に記載の回路。
3、3A、3B、103A nウェル領域(nドープ領域、陰極)
8、108、108A n−バンド構造
5、105、105A pドープ領域(陽極)
6、106 p−ドープ領域
10 基板
103、103A、103B、トレンチ分離構造(TI)
113、113A、133、133B 深いトレンチ分離構造(DTI)
164、1816、1818、1900 制御回路(VREF)
Claims (20)
- 第1のドーパントの型の基板と、
前記基板の内部にある、第2のドーパントの型の第1のドープされた領域と、
前記第1のドープされた領域の上にある第2のドープされた領域と、
前記第2のドープされた領域の上にある第3のドープされた領域と、
前記第3のドープされた領域の縁部を画定する縁構造と、
前記第2のドープされた領域を前記基板から隔離する第4の構造とを備える半導体デバイス。 - 前記第4の構造が、前記第2のドーパントの型のドープされた領域である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第4の構造が、絶縁物である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第4の構造が、絶縁された側壁である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記縁構造が、浅いトレンチ分離である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記縁構造が、ポリシリコン・ゲート構造である、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第4の構造が、トレンチ分離(TI)である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記第4の構造が、深いトレンチ分離(DTI)である、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 複数のデバイスを備える半導体であって、前記デバイスのそれぞれが、
第1のドーパントの型の基板と、
前記基板の内部にある、第2のドーパントの型の第1のドープされた領域と、
前記第1のドープされた領域の上にある第2のドープされた領域と、
前記第2のドープされた領域の上にある第3のドープされた領域と、
前記第3のドープされた領域の縁部を画定する縁構造と、
前記第2のドープされた領域を前記基板から隔離する第4の構造とを有する半導体。 - 前記複数のデバイスのうちの第1のデバイスが、前記複数のデバイスのうちの第2のデバイスに直列に結合されている、請求項9に記載の半導体。
- 前記複数のデバイスのうちの前記第2のデバイスの縁構造が、基準制御回路に結合されている、請求項10に記載の半導体。
- 前記基準制御回路が、前記縁構造へのバイアス印加を制御する、請求項11に記載の半導体。
- 前記第1のドープされた領域が、前記第1のドープされた領域へのバイアス印加を制御する基準制御回路に接続される、請求項11に記載の半導体。
- 前記デバイスの各々の前記第4の構造が、前記第2のドーパントの型のドープされた領域である、請求項12に記載の半導体。
- 前記デバイスの各々の前記第4の構造が、絶縁物である、請求項12に記載の半導体。
- 前記デバイスの各々の前記第4の構造が、絶縁された側壁である、請求項15に記載の半導体。
- 前記デバイスのうちの1つの前記縁構造の1つが、ポリシリコン・ゲートである、請求項12に記載の半導体。
- 前記デバイスのうちの1つの前記第4の構造の1つが、トレンチ分離(TI)である、請求項12に記載の半導体。
- 互いに直列に結合された複数のトリプル・ウェル・ダイオードを備える回路であって、前記ダイオードの各々が共有のnドープ領域を有するものである回路。
- さらに、
前記共有のnドープ領域へのバイアス印加を制御するように、前記共有のnドープ領域に結合された制御デバイスを備える、請求項19に記載の回路。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/248,329 US6891207B2 (en) | 2003-01-09 | 2003-01-09 | Electrostatic discharge protection networks for triple well semiconductor devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221569A true JP2004221569A (ja) | 2004-08-05 |
JP4006398B2 JP4006398B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=32710627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003431428A Expired - Fee Related JP4006398B2 (ja) | 2003-01-09 | 2003-12-25 | 静電放電保護デバイスを有する集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6891207B2 (ja) |
JP (1) | JP4006398B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738035A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 樹脂封止電子回路装置の製造方法 |
JP2010512003A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド | トレンチ絶縁を用いたラッチアップ現象のない垂直方向tvsダイオードアレイ構造 |
JP2010129893A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Sony Corp | 半導体集積回路 |
US7888739B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic discharge circuit and method of dissipating an electrostatic current |
WO2014181565A1 (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置およびesd保護デバイス |
JP2015103605A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 株式会社メガチップス | Esd保護回路 |
US9559094B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-01-31 | Socionext Inc. | Semiconductor device and integrated circuit |
KR20180026682A (ko) * | 2014-11-25 | 2018-03-13 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 수직 집적 반도체 디바이스 및 제작 방법 |
KR102187242B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2020-12-04 | 주식회사 케이이씨 | 과도 전압 억제 소자 및 그 제조 방법 |
WO2023058553A1 (ja) * | 2021-10-04 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 過渡電圧吸収素子 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7138701B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-11-21 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge protection networks for triple well semiconductor devices |
US7145187B1 (en) * | 2003-12-12 | 2006-12-05 | National Semiconductor Corporation | Substrate independent multiple input bi-directional ESD protection structure |
US20050179111A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Iwen Chao | Semiconductor device with low resistive path barrier |
US6987300B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-01-17 | Microchip Technology Incorporated | High voltage ESD-protection structure |
US20050224917A1 (en) * | 2004-04-12 | 2005-10-13 | Jing-Horng Gau | Junction diode |
US7138686B1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit with improved signal noise isolation and method for improving signal noise isolation |
US7459367B2 (en) * | 2005-07-27 | 2008-12-02 | International Business Machines Corporation | Method of forming a vertical P-N junction device |
US20070108477A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-17 | Tsun-Lai Hsu | Semiconductor structure |
US7442996B2 (en) * | 2006-01-20 | 2008-10-28 | International Business Machines Corporation | Structure and method for enhanced triple well latchup robustness |
JP4819548B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置 |
US8431958B2 (en) * | 2006-11-16 | 2013-04-30 | Alpha And Omega Semiconductor Ltd | Optimized configurations to integrate steering diodes in low capacitance transient voltage suppressor (TVS) |
US9793256B2 (en) * | 2006-11-30 | 2017-10-17 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Optimized configurations to integrate steering diodes in low capacitance transient voltage suppressor (TVS) |
JP2008153748A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 双方向スイッチ及び双方向スイッチの駆動方法 |
US8450832B2 (en) * | 2007-04-05 | 2013-05-28 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Large tuning range junction varactor |
CN100448007C (zh) * | 2007-04-19 | 2008-12-31 | 浙江大学 | 一种网格状静电放电防护器件 |
US7576370B2 (en) * | 2007-04-20 | 2009-08-18 | California Micro Devices | Low operating voltage electro-static discharge device and method |
JP4346655B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2009-10-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US7741187B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-06-22 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Lateral junction varactor with large tuning range |
EP2215656A1 (en) * | 2007-10-25 | 2010-08-11 | Nxp B.V. | Semiconductor device with improved esd protection |
US8350355B2 (en) | 2010-03-01 | 2013-01-08 | Infineon Technologies Ag | Electrostatic discharge devices |
US8334571B2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-12-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Junction varactor for ESD protection of RF circuits |
US8871600B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-10-28 | International Business Machines Corporation | Schottky barrier diodes with a guard ring formed by selective epitaxy |
US9006863B2 (en) * | 2011-12-23 | 2015-04-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Diode string voltage adapter |
US8994068B2 (en) * | 2012-08-30 | 2015-03-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | ESD protection device |
US9059008B2 (en) * | 2012-10-19 | 2015-06-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Resurf high voltage diode |
US10249684B2 (en) * | 2012-12-17 | 2019-04-02 | Nantero, Inc. | Resistive change elements incorporating carbon based diode select devices |
CN103474427B (zh) * | 2013-09-16 | 2016-01-06 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 集成式单向超低电容tvs器件及其制造方法 |
JP6355481B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2018-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US9893050B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-02-13 | Nxp Usa, Inc. | ESD protection structure |
US9831232B2 (en) | 2015-10-02 | 2017-11-28 | Nxp Usa, Inc. | ESD protection device |
CN108807155B (zh) | 2017-04-28 | 2020-10-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
US20200066709A1 (en) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | Mediatek Inc. | Semiconductor device having noise isolation between power regulator circuit and electrostatic discharge clamp circuit |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3210147B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP4330183B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2009-09-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
EP0932202B1 (en) * | 1997-12-31 | 2006-09-20 | STMicroelectronics S.r.l. | ESD protection network on semiconductor circuit structures |
KR100265774B1 (ko) * | 1998-03-26 | 2000-09-15 | 윤종용 | 반도체 메모리장치의 트리플 웰의 제조방법 |
KR100307554B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-11-15 | 박종섭 | Esd 소자를 구비하는 반도체장치 |
US6388857B1 (en) * | 1999-07-23 | 2002-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor circuit device with improved surge resistance |
US6720822B2 (en) * | 2001-10-31 | 2004-04-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Negative charge pump architecture with self-generated boosted phases |
US6563181B1 (en) * | 2001-11-02 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | High frequency signal isolation in a semiconductor device |
-
2003
- 2003-01-09 US US10/248,329 patent/US6891207B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-25 JP JP2003431428A patent/JP4006398B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738035A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 樹脂封止電子回路装置の製造方法 |
US7888739B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-02-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic discharge circuit and method of dissipating an electrostatic current |
JP2010512003A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド | トレンチ絶縁を用いたラッチアップ現象のない垂直方向tvsダイオードアレイ構造 |
KR101394913B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2014-05-27 | 알파 앤드 오메가 세미컨덕터 리미티드 | 트렌치 소자분리를 사용한 래치업 없는 버티컬 tvs 다이오드 어레이 구조 |
JP2010129893A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Sony Corp | 半導体集積回路 |
US8093623B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-01-10 | Sony Corporation | Semiconductor integrated circuit |
WO2014181565A1 (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置およびesd保護デバイス |
JP2015103605A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 株式会社メガチップス | Esd保護回路 |
US9559094B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-01-31 | Socionext Inc. | Semiconductor device and integrated circuit |
KR20180026682A (ko) * | 2014-11-25 | 2018-03-13 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 수직 집적 반도체 디바이스 및 제작 방법 |
KR101950637B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2019-02-20 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 수직 집적 반도체 디바이스 및 제작 방법 |
KR102187242B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2020-12-04 | 주식회사 케이이씨 | 과도 전압 억제 소자 및 그 제조 방법 |
WO2023058553A1 (ja) * | 2021-10-04 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 過渡電圧吸収素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040135141A1 (en) | 2004-07-15 |
US6891207B2 (en) | 2005-05-10 |
JP4006398B2 (ja) | 2007-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4006398B2 (ja) | 静電放電保護デバイスを有する集積回路 | |
US6060752A (en) | Electrostatic discharge protection circuit | |
US8039899B2 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
US6236087B1 (en) | SCR cell for electrical overstress protection of electronic circuits | |
US7348657B2 (en) | Electrostatic discharge protection networks for triple well semiconductor devices | |
US7880223B2 (en) | Latch-up free vertical TVS diode array structure using trench isolation | |
US6919603B2 (en) | Efficient protection structure for reverse pin-to-pin electrostatic discharge | |
US7372109B2 (en) | Diode and applications thereof | |
US8455315B2 (en) | Symmetric blocking transient voltage suppressor (TVS) using bipolar transistor base snatch | |
US5272371A (en) | Electrostatic discharge protection structure | |
US9793256B2 (en) | Optimized configurations to integrate steering diodes in low capacitance transient voltage suppressor (TVS) | |
US8653557B2 (en) | High holding voltage electrostatic discharge (ESD) device | |
US20030146474A1 (en) | SCR devices in silicon-on-insulator CMOS process for on-chip ESD protection | |
US8981426B2 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
US11121210B2 (en) | Integrated circuit with triple guard wall pocket isolation | |
WO2008063592A2 (en) | Circuit configuration and manufacturing processes for vertical transient voltage suppressor (tvs) and emi filter | |
US6320232B1 (en) | Integrated semiconductor circuit with protective structure for protection against electrostatic discharge | |
US5949094A (en) | ESD protection for high density DRAMs using triple-well technology | |
JPS6341065A (ja) | Cmos半導体装置 | |
US9633992B1 (en) | Electrostatic discharge protection device | |
CN107658291B (zh) | 用于保护集成电路免于静电放电的结构 | |
EP0822596A2 (en) | Improvements in or relating to integrated circuits | |
KR20040090480A (ko) | 내부 회로를 보호하는 보호 회로를 구비한 반도체 장치 | |
US6147852A (en) | Device for protecting an integrated circuit against electrostatic discharges | |
CN112447703A (zh) | 静电放电防护元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061117 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070821 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070827 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |