JP2004200672A - 半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 - Google Patents
半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004200672A JP2004200672A JP2003403290A JP2003403290A JP2004200672A JP 2004200672 A JP2004200672 A JP 2004200672A JP 2003403290 A JP2003403290 A JP 2003403290A JP 2003403290 A JP2003403290 A JP 2003403290A JP 2004200672 A JP2004200672 A JP 2004200672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- plane
- cleaning
- silicon
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】 (110)シリコンのような半導体表面をRaで0.15nm以下にすることにより、移動度の高いトランジスタの作製を可能にする。具体的には、RCA洗浄後の半導体表面に、ラジカル酸化によって酸化膜を形成した後、この酸化膜を剥離することにより、平坦化された半導体表面が得られた。同様な結果は、湿式酸化によって酸化膜を形成し、エッチバックを繰り返すことによっても得られた。
【選択図】 図3
Description
Hf、Zr、Ta、Ti、La、Co、Y及びAlの一つ又は何れかの元素を組み合わせた金属珪化物、
Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr及びBaから選ばれる一つ又は何れかの元素を組み合わせた金属酸化物、
Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr及びBaから選ばれる一つ又は何れかの元素を組み合わせた金属窒化物、
あるいは、
Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr及びBaから一つ又は何れかの元素を組み合わせた金属酸窒化物
を含んだ高誘電膜で形成しても良い。
以下では、(110)シリコンを使用して電界効果トランジスタを構成した場合について説明する。まず、(110)シリコン表面におけるキャリア電子の移動度を、律速する要因(律速要因)について説明すると、移動度の律速要因として、通常、(1)不純物散乱μco、(2)ホノン散乱μph、(3)表面ラフネス散乱μsrの3つの要因が挙げられる。更に、観測される移動度μは、3つの要因の足し合わせとなっており、Mattersonの法則で与えられ、次式によってあらわされることが知られている。
図3を参照して、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
次に、図7を参照して、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
まず、湿式酸化を用いた平坦性向上の実施形態を第3の実施形態として説明する。
次に、薬液処理を用いて平坦性維持及び改善する手法を本発明の第4の実施形態として説明する。シリコン表面の洗浄にはRCA洗浄が多用されていることは前述した通りであるが、RCA洗浄工程のSC1洗浄(80℃程度に昇温させたアンモニアと過酸化水素水と純水液中にシリコンを浸漬しての洗浄)中に、Si−Si結合の弱い部分がOHイオンによりアタックされ、Si表面が荒れることが知られている。SC1処理では、過酸化水素水によるシリコン表面の酸化と、OHイオンによるSi−Oエッチング、さらにはSi一Siエツチングによるエッチバックを同時に進行させる。そのことにより、パーティクル除去や有機物汚染除去の効果が高いという特徴を有するものの、Si表面を荒らすという副作用が存在する。シリコン表面をなるべく荒らさない為には、アルカリ洗浄を無くした洗浄処理方法が求められる。アルカリ洗浄処理を無くし、RCAと同等レベル以上のパーティクル除去、有機汚染除去、メタル汚染除去能力を有する洗浄方法として、特開平11−057636号公報に、5つの工程を用いた洗浄処理方法が示されている。
302、702 素子領域
303、703 酸化膜
304、704 ゲート絶縁膜
305、705 ゲート電極
306、706 n−ソース、ドレイン領域
307、707 側壁絶縁膜
308、708 n+ソース、ドレイン領域
Claims (71)
- 所定面方位のシリコン表面を用いて形成された半導体装置において、
その表面ラフネスが、中心線平均粗さRaで表現すると0.09nm以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記所定面方位が実質的に(100)面を含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 実質的に(110)面方位のシリコン表面を用いて形成された半導体装置において、
その表面ラフネスが、中心線平均粗さRaで表現すると0.15nm以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、前記シリコン表面は、中心線平均粗さRaで0.11nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4において、前記シリコン表面は、中心線平均粗さRaで0.09nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項5において、前記シリコン表面は、中心線平均粗さRaで0.07nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6において、前記シリコン表面は中心線平均粗さRaで0.02nm以上であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至7のいずれかにおいて、前記実質的に(110)面方位を有する表面は、(110)面、(551)面、(311)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(113)面、(115)面、(117)面、(331)面、(221)面、(332)面、(111)面、及び、(320)面のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3乃至7のいずれかにおいて、前記実質的に(110)面方位を有する表面は、(110)面または(551)面であることを特徴とする半導体装置。
- ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜、及び、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル領域は所定面方位を有するシリコン表面に形成され、前記シリコン表面は0.09nm以下の中心線平均粗さRaを有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10において、前記所定面方位は実質的に(100)面を含んでいることを特徴とする半導体装置。
- ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜、及び、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル領域は実質的に(110)面方位を有するシリコン表面に形成され、前記シリコン表面は0.15nm以下の中心線平均粗さRaを有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記中心線平均粗さRaは0.11nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記中心線平均粗さRaは0.07nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記実質的に(110)面方位を有するシリコン表面は、(110)面、(551)面、(311)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(113)面、(115)面、(117)面、(331)面、(221)面、(332)面、(111)面、及び、(320)面のいずれかであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記実質的に(110)面方位を有する表面は、(110)面または(551)面であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10または12において、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜の何れか一つ以上を含むことを特徴とする半導体装置。
- 請求項10または12において、前記ゲート絶縁膜中には、希ガス元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10または12において、前記電界効果トランジスタのゲート絶縁膜は、高比誘電率を有する誘電体膜を含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 請求項19において、前記誘電体膜は、金属珪化物、金属酸化物、及び、金属窒化物からなる群から選択された少なくとも一つを含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 請求項20において、前記金属珪化物は、シリコンと共に、Hf,Zr,Ta,Ti,La,Co,Y,及び、Alからなる群から選ばれた少なくとも一つを含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 請求項20において、前記金属酸化物は、Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr及びBaから選ばれた少なくとも一つを含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 請求項20において、前記金属窒化物は、Nと共に、Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr及びBaから選ばれる少なくとも一つを含んでいることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10または12において、前記ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、及び、高比誘電率を有する誘電体膜から選択された膜を組み合わせた構造であることを特徴とする半導体装置。
- 半導体装置を製造する方法において、0.09nm以下の中心線平均粗さRaとなるように、所定面方位を備えたシリコン半導体表面を平坦化する工程を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。
- 請求項25において、前記所定面方位は実質上、(100)面方位を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、実質的に(110)面方位を有するシリコン表面を用意し、0.15nm以下の所定中心線平均粗さRaとなるように、前記シリコン表面を平坦化する平坦化工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項25または27において、前記平坦化工程は、OH濃度を低下させたRCA SC−1洗浄液を少なくとも用いて前記シリコン表面を洗浄する工程と、酸素ラジカルを含む雰囲気で、前記洗浄されたシリコン表面を酸化することによって、前記洗浄されたシリコン表面に酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項28において、前記酸化膜はゲート絶縁膜或いはゲート絶縁膜の一部として使用され、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、所定面方位を有するシリコン表面を用意し、当該シリコン表面を等方性酸化工程により酸化することにより第1の酸化膜を形成し、前記シリコン表面を予め定められた中心線平均粗さRaまで平坦化し、前記第1の酸化膜を除去する工程ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項30において、前記等方性酸化工程及び除去工程は前記予め定められた中心線平均粗さRaが得られるまで、複数回繰りかえされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項30において、更に、前記平坦化されたシリコン表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
- 請求項30において、前記等方性酸化工程は550℃以下の温度で、前記シリコン表面をラジカル酸化する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 酸素ラジカルを含む雰囲気で、半導体領域の表面に犠牲酸化膜を形成する工程と、前記犠牲酸化膜を除去する工程とを含み、これにより、半導体領域の表面平坦性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- チャネル領域及びゲート絶縁膜を含む半導体装置を製造する方法において、酸素ラジカルを含む雰囲気で、半導体表面を犠牲酸化膜を形成する工程と、前記犠牲酸化膜を除去する工程とにより、前記チャネル領域の半導体表面の平坦性を向上させ、当該平坦性を向上させたチャネル領域の半導体表面に、ゲート絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項27において、前記実質的な(110)面方位は、(110)面、(551)面、(311)面、(221)面、(553)面、(335)面、(112)面、(113)面、(115)面、(117)面、(331)面、(221)面、(332)面、(111)面、及び、(320)面のいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項25または27において、前記平坦化工程はシリコン表面を大気に曝すことなく行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項28、30〜35のいずれかにおいて、前記酸化膜を形成する工程は、Ar,Kr,Xeの少なくとも一つを含む希ガスと酸素ガスとの混合ガス中に、マイクロ波励起により発生したガスプラズマを使用して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項25または27において、前記平坦化工程は、Ar,Kr,Xeの少なくとも一つを含む希ガスと酸素ガスとの混合ガス中に、マイクロ波励起により発生したガスプラズマを使用してシリコン表面を酸化する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項27において、前記所定中心線平均粗さRaは0.09nm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項25または27において、更に、前記シリコン表面にゲート絶縁膜を形成する工程を含み、当該ゲート絶縁膜を形成する工程は、酸素ラジカルを含む雰囲気でシリコン表面を酸化処理する工程と、窒素ラジカル又はNHラジカルを含む雰囲気でシリコン表面を窒化処理する工程との少なくとも一方或いは同時並列処理工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項41において、前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、Ar,Kr.Xeの少なくとも一つから選択された希ガスと、アンモニア、窒素、酸素、NO,及びN2Oの少なくとも一つから選択された絶縁膜形成ガスの混合ガスを用意する工程と、
前記混合ガスにマイクロ波励起によりプラズマを発生する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項27において、前記平坦化工程は、水蒸気を使用した酸化処理を行うことにより、前記シリコン表面に酸化膜を形成する第1の工程と、
前記酸化膜を厚さ方向に部分的に除去し、前記シリコン表面上に、10〜1000オングストロームの厚さの酸化膜を残す第2の工程とを含み、前記第1及び第2の工程を少なくとも一回行った後、HFを含む水溶液で前記酸化膜を完全に除去する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項25または27において、前記シリコン表面を洗浄する洗浄工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程はOH濃度を低下させたRCA洗浄処理によって前記シリコン表面を洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程は7以下のpHを有する洗浄液で前記シリコン表面を洗浄する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程は、オゾンを含む超純水を用いて前記シリコン表面をリンスする第1の工程と、HF,溶存酸素を低下させたH2O、及び、界面活性剤を含む洗浄液を用いて、500kHz以上の周波数を有する振動を与えながら、前記シリコン表面を洗浄する第2の工程と、オゾンを含むH2Oを使用して、前記シリコン表面をリンスする第3の工程と、HFと溶存酸素を低下させたH2Oとを含む洗浄液を使用して、前記シリコン表面を洗浄して酸化膜を除去する第4の工程と、水素を添加したH2Oを用いて、前記シリコン表面をリンスする第5の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項47において、前記第2及び第4の工程の少なくとも一方における洗浄液に水素が添加されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、HF及び100ppb以下の溶存酸素を含むH2Oを含む洗浄液を使用して前記シリコン表面を処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程はHFと、100ppb以下の溶存酸素、0.1ppm〜1.6ppmの水素を含有するH2Oとを含む洗浄液を用意し、当該洗浄液に500kHz以上の周波数を有する振動を与えることによって洗浄を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程は前記シリコン表面を空気に曝すことなく行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程は前記シリコン表面を洗浄液に接触させ、前記洗浄液中のOHの発生を抑制しながら、前記洗浄液に超音波を与えることによって行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項44において、前記洗浄工程は、オゾンを含むH2Oを使用してシリコン表面を洗浄する第1の工程と、HF、H2O、及び、界面活性剤を含む洗浄液に500kHz以上の高周波振動を与えながら洗浄を行う第2の工程と、オゾンを含むH2Oによって洗浄を行う第3の工程と、HF及びH2Oを含む洗浄液を使用して、酸化膜を除去するために洗浄を行う第4の工程と、水素又は重水素を添加されたH2Oを使用して、500kHz以上の周波数の振動を与えながら、洗浄を行い、シリコン表面を水素又は重水素によって終端する第5の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項53において、第2及び第4の工程におけるH2Oからは酸素が除去され、水素が添加されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項53において、前記第1乃至第5の工程は前記シリコン表面を空気に曝さない状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- シリコン表面に、湿式ガスを用いた酸化処理を行い、酸化膜を形成する第1工程と、
前記酸化膜を剥離すること無く、10A以上1000A以下の厚さまでエッチバックする第2工程と、
その後、第1工程と第2工程を所望数繰り返し、
最後にHFを含む水溶液により酸化膜を剥離することにより、シリコン表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - オゾンを含有する純水による洗浄を行う第1工程、500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、脱気したH2Oと、界面活性剤とを含有する洗浄液による洗浄を行う第2工程、オゾンを含有するH2Oによる洗浄を行う第3工程、酸化膜を除去するためにHFと脱気したH2Oを含有する洗浄液による洗浄を行う第4工程、水素が添加されたH2Oによる洗浄を行う第5工程とからなる洗浄方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項57に記載された半導体装置の製造方法において、前記第2及び第4工程の脱気したH2Oは、H2Oを脱気した後に水素を添加することによって形成されたH2Oであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- HFと、溶存酸素濃度が100ppb以下のH2Oとを含有する洗浄液により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜の少なくとも一つを剥離処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、溶存酸素濃度が100ppb以下のH2OへHを添加した洗浄液により、半導体表面を洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項57乃至60のいずれかに記載された半導体装置の製造方法において、半導体装置の洗浄開始から終了まで、処理薬液と半導体装置が空気に触れることが無いような装置中で処理を行うことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 請求項57乃至61のいずれかにおいて、前記シリコン表面は実質的に(110)面方位を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体表面の処理方法において、
前記半導体表面を洗浄する工程と、
前記洗浄された半導体表面を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体表面の処理方法。 - 請求項63において、前記半導体表面は、実質的に(110)の面方位を有するシリコン表面であることを特徴とする半導体表面の処理方法。
- 請求項64において、前記表面を平坦化する工程は、中心線平均粗さ(Ra)で前記半導体表面を0.15nmより小さくする工程であることを特徴とする半導体表面の処理方法。
- 半導体表面のラフネスを平坦化する半導体表面の処理方法において、
前記半導体表面を湿式酸化によって酸化し、酸化膜を形成する第1の工程と、
前記酸化膜を所定の厚さまでエッチバックする第2の工程とを有し、
更に、前記第1及び第2の工程を少なくとも2回繰り返した後、第2の工程で残された残膜を剥離する工程を含み、これによって、前記半導体表面を平坦化することを特徴とする半導体表面の処理方法。 - 半導体表面の平坦性を維持する半導体表面の処理方法において、
前記半導体表面をオゾンを含有する純水によって洗浄する第1工程、500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、脱気したH2Oと、界面活性剤とを含有する洗浄液による洗浄を行う第2工程、オゾンを含有するH2Oによる洗浄を行う第3工程、酸化膜を除去するためにHFと脱気したH2Oを含有する洗浄液による洗浄を行う第4工程、水素が添加されたH2Oによる洗浄を行う第5工程とを含み、これによって、前記半導体表面の表面の平坦性を維持することを特徴とする半導体表面の処理方法。 - 請求項67に記載された半導体表面の処理方法において、前記第2及び第4工程の脱気したH2Oは、H2Oを脱気した後に水素を添加することによって形成されたH2Oであることを特徴とする半導体表面の処理方法。
- HFと、溶存酸素濃度が100ppb以下のH2Oとを含有する洗浄液により、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜のいずれか一つを剥離処理することを特徴とする半導体表面の処理方法。
- 500kHz以上の周波数の振動を与えながら、HFと、溶存酸素濃度が100ppb以下のH2OへHを添加した洗浄液により、半導体表面を洗浄することを特徴とする半導体表面の処理方法。
- 請求項67乃至70のいずれかに記載された半導体表面の処理方法において、半導体表面の洗浄開始から終了まで、処理薬液と半導体表面が空気に触れることが無いような装置中で処理を行うことを特徴とする半導体表面の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003403290A JP4694782B2 (ja) | 2002-12-02 | 2003-12-02 | 半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002350177 | 2002-12-02 | ||
JP2002350177 | 2002-12-02 | ||
JP2003403290A JP4694782B2 (ja) | 2002-12-02 | 2003-12-02 | 半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004200672A true JP2004200672A (ja) | 2004-07-15 |
JP4694782B2 JP4694782B2 (ja) | 2011-06-08 |
Family
ID=32774988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003403290A Expired - Fee Related JP4694782B2 (ja) | 2002-12-02 | 2003-12-02 | 半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4694782B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004105116A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Yazaki Corporation | Pチャネルパワーmis電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
JP2005093562A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Tadahiro Omi | 半導体装置の製造方法 |
JP2007256011A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kurita Water Ind Ltd | イオン交換樹脂または限外ろ過膜の検査方法 |
US7821056B2 (en) | 2006-09-21 | 2010-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
US7902595B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power IC device and method of manufacturing same |
EP2442363A2 (en) | 2006-07-13 | 2012-04-18 | National University Corporation Tohoku Unversity | Semiconductor device |
US8183670B2 (en) | 2002-12-02 | 2012-05-22 | Foundation For Advancement Of International Science | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2023032497A1 (ja) * | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法 |
JP7571691B2 (ja) | 2021-09-06 | 2024-10-23 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217981A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 半導体部材および半導体装置 |
JPH07302775A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000260767A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001135805A (ja) * | 2000-09-19 | 2001-05-18 | Canon Inc | 半導体部材及び半導体装置の製造方法 |
JP2001308341A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶薄膜およびそれを用いた半導体素子 |
JP2002184973A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003403290A patent/JP4694782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05217981A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Canon Inc | 半導体部材および半導体装置 |
JPH07302775A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000260767A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001308341A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶薄膜およびそれを用いた半導体素子 |
JP2001135805A (ja) * | 2000-09-19 | 2001-05-18 | Canon Inc | 半導体部材及び半導体装置の製造方法 |
JP2002184973A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8183670B2 (en) | 2002-12-02 | 2012-05-22 | Foundation For Advancement Of International Science | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7928518B2 (en) | 2003-05-26 | 2011-04-19 | Tadahiro Ohmi | P-channel power MIS field effect transistor and switching circuit |
US7663195B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-02-16 | Tadahiro Ohmi | P-channel power MIS field effect transistor and switching circuit |
WO2004105116A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Yazaki Corporation | Pチャネルパワーmis電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
JP2005093562A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Tadahiro Omi | 半導体装置の製造方法 |
JP2007256011A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kurita Water Ind Ltd | イオン交換樹脂または限外ろ過膜の検査方法 |
US7902595B2 (en) | 2006-06-07 | 2011-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power IC device and method of manufacturing same |
EP2442363A2 (en) | 2006-07-13 | 2012-04-18 | National University Corporation Tohoku Unversity | Semiconductor device |
US8362567B2 (en) | 2006-07-13 | 2013-01-29 | National University Corporation Tohoku University | Semiconductor device |
JP2013232666A (ja) * | 2006-07-13 | 2013-11-14 | Tohoku Univ | 半導体装置 |
US7821056B2 (en) | 2006-09-21 | 2010-10-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same |
WO2023032497A1 (ja) * | 2021-09-06 | 2023-03-09 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法 |
JP7571691B2 (ja) | 2021-09-06 | 2024-10-23 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4694782B2 (ja) | 2011-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101232470B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US7928518B2 (en) | P-channel power MIS field effect transistor and switching circuit | |
KR100741442B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
US6953727B2 (en) | Manufacture method of semiconductor device with gate insulating films of different thickness | |
JP4694782B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法、及び、半導体表面の処理方法 | |
US20080274607A1 (en) | Semiconductor device and fabrication process thereof | |
EP1186010A1 (en) | Nitrided re-oxidised polysilicon gate to improve hot carrier performance | |
JP4954437B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005079215A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2007034534A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
JP5278132B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN113539968B (zh) | 半导体器件的形成方法 | |
JP6440246B2 (ja) | 半導体素子の形成方法 | |
JP4463601B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体製造装置 | |
JP2003347265A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPH0945918A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008078588A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060810 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061016 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110224 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4694782 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |