JP2004160505A

JP2004160505A - ハニカム構造体の溶接方法

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Publication number: JP2004160505A
Application number: JP2002330221A
Authority: JP
Inventors: Taku Tsuchiya; 卓土屋
Original assignee: Honda Motor Co Ltd
Current assignee: Honda Motor Co Ltd
Priority date: 2002-11-14
Filing date: 2002-11-14
Publication date: 2004-06-10
Anticipated expiration: 2022-11-14
Also published as: JP4173986B2

Abstract

【課題】ハニカム構造体の端部を、簡便な方法により、均一かつ十分な強度で溶接する。
【解決手段】外筒１６に挿入されたハニカム構造体１４を水平横置きに設定する。楕円形状焦点２４の長尺方向が鉛直となる状態で、半導体レーザをハニカム構造体１４の端部に照射しながら、ハニカム構造体１４および外筒１６を軸心Ｏを中心に１回転させて溶接を行う。楕円形状焦点２４を軸心Ｏの方向へ移動させた後、再度ハニカム構造体１４および外筒１６を回転させて溶接を行う。このとき、前回の溶接領域に対して所定量のオーバラップ部位を設ける。
【選択図】図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、排ガス浄化用で金属製のハニカム構造体が筒の内部に挿入された金属触媒に対して、ハニカム構造体の端面をレーザによって溶接するハニカム構造体の溶接方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車または自動二輪車に用いられる排気管には、排ガス浄化用にハニカム構造の金属製触媒が用いられている。金属製触媒は、一般に波形を有する薄板を巻回してハニカム構造体を形成し、該ハニカム構造体を筒の中に挿入している。ハニカム構造体は触媒としての作用を有し、未燃化水素、窒素酸化物、硫化酸化物およびその他のすすを吸着する。
【０００３】
この金属製触媒を使用する際には、排ガスの流れによって中心部が長手方向に突出するフィルムアウト現象が発生することがあり、このフィルムアウト現象を防止するためにはハニカム構造体の隣接する部分同士を固定する必要がある。
【０００４】
金属製触媒を固定するために、レーザ溶接を用いて溶接する方法やアーク溶接を用いて溶接する方法が提案されている。特に、レーザ溶接を用いる溶接方法は、ロウ付けなどの前処理工程が不要で、しかも結合部材が不要であるという特徴を有する。
【０００５】
具体的には、外筒の側方からレーザを照射貫通させる方法（例えば、特許文献１参照）、ハニカム構造体の端部にレーザを一定の振幅で振動させながら溶接する方法（例えば、特許文献２参照）、およびハニカム構造体の端部をＴＩＧ溶接により溶接する方法（例えば、特許文献３参照）が提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６４−４２５４号公報（第３頁右上欄第４行〜第１５行）
【特許文献２】
特開平６−３９５７０号公報（段落［００１５］〜［００１９］）
【特許文献３】
特開平７−３１８８７号公報（段落［００１１］〜［００１４］）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献１に開示された方法では、ハニカム構造体が数点の穿孔部分でのみ溶着固定されているので強度が不十分であり、穿孔の数を増やすと、外筒およびハニカム構造体の強度が低下するという不都合がある。
【０００８】
また、特許文献２に開示された方法では、溶接箇所によりエネルギー供給量が異なり、特に、振幅端ではエネルギー供給量が極端に大きくなって溶け落ちが発生するおそれがある。溶け落ちを防止するためには遮蔽材によってマスキングを行う必要がある。
【０００９】
さらに、特許文献３に開示された方法では、アーク溶接の一種であるＴＩＧ溶接を用いているが、通常、ＴＩＧ溶接やＭＩＧ溶接は比較的厚い板材に適用する溶接方法であり、ハニカム構造体のような薄板に適用する場合には特別な条件の下で行う必要がある。溶接の条件が整わない場合には、端面が過度に溶融したり、送給されるワイヤによって端面が塞がってしまうことがある。
【００１０】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、ハニカム構造体の端部を、簡便な方法により、均一かつ十分な強度で溶接することを可能にするハニカム構造体の溶接方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るハニカム構造体の溶接方法は、金属製の薄板からなるハニカム構造体を金属製の外筒に挿入し、半導体レーザの略楕円形状焦点を前記ハニカム構造体の端部に照射し、前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に移動させながら前記薄板の端部を溶融させ、前記薄板同士を溶接することを特徴とする。
【００１２】
このように、略楕円形状焦点の幅の狭い方向に、略楕円形状焦点またはハニカム構造体を移動させながら溶接を行うことにより、略楕円形状焦点の長尺幅の範囲を一度に溶接することができて、簡便である。また、薄板同士が多数の接点で溶着されるため、ハニカム構造体は均一かつ十分な強度で溶接される。
【００１３】
この場合、前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に移動させて複数回溶接を行い、各回の溶接に対応する溶接領域は、隣接する溶接領域に対してオーバラップ部位が設けられているとよい。略楕円形状焦点の両端部はレーザの出力が低いが、この両端部についてはオーバラップ部位を設けることにより２回溶接することになり、溶接不良を低減させることができる。
【００１４】
また、前記ハニカム構造体および前記外筒を水平横置きにして、前記略楕円形状焦点の長尺方向が鉛直となるように前記半導体レーザを照射すると、溶融金属が下方へ流動し、薄板同士が接する接点に溜まり、集合凝固部が形成される。この集合凝固部により薄板同士を強固に溶接することができる。
【００１５】
さらに、前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に複数回、かつ、同心状に溶接を行うようにしてもよい。
【００１６】
さらにまた、前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に複数回、かつ、平行に溶接を行うようにしてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るハニカム構造体の溶接方法について好適な実施の形態を挙げ、添付の図１〜図１１を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法では、図１に示す溶接装置１０を用いて排ガス浄化用触媒担体１２のハニカム構造体１４の端部を溶接する。
【００１９】
図１に示すように、排ガス浄化用触媒担体１２は、ハニカム構造体１４が外筒１６の内部に挿入されたものであり、ハニカム構造体１４の端部はレーザ１８によって溶接されている。レーザ１８は半導体レーザである。ハニカム構造体１４は、方形に成形された薄いステンレス鋼板（薄板）２０（図４参照）が数枚巻回されたものであり、レーザ１８が照射されることにより、隣接するステンレス鋼板２０の端部が接点部で互いに溶接される。このように、ステンレス鋼板２０同士が溶接されることによりフィルムアウト現象を防止することができる。
【００２０】
外筒１６は、ハニカム構造体１４を構成するステンレス鋼板２０と比べて厚いステンレス鋼材の筒であり、ハニカム構造体１４よりもやや長尺である。ハニカム構造体１４は外筒１６の内部に挿入されており、ハニカム構造体１４の側部が外筒１６によって完全に覆われている。
【００２１】
溶接装置１０は、排ガス浄化用触媒担体１２を水平に保持して軸心Ｏを中心として比較的低速で回転させる回転機構２２と、半導体レーザ発振器２６が搭載されたテーブル２８を上下および左右に移動可能なテーブル移動機構３０と、回転機構２２、テーブル移動機構３０および半導体レーザ発振器２６を制御するコントローラ３２とを有する。半導体レーザ発振器２６は、排ガス浄化用触媒担体１２に対してレーザ１８を軸方向と平行に照射することができる。半導体レーザ発振器２６は、半導体のＰＮ接合部で発生するレーザ１８をレンズを通さないで照射し、これによってレーザ１８の焦点は楕円形状焦点２４（図２参照）となる。楕円形状焦点２４は、鉛直縦長となるように設定されている。楕円形状焦点２４は幾何学上の完全な楕円である必要はなく、縦横の長さが異なる略楕円形状であればよい。
【００２２】
コントローラ３２は、テーブル２８の位置、回転機構２２の回転速度およびレーザ１８の出力をそれぞれ連動させながら調整可能である。
【００２３】
図２に示すように、楕円形状焦点２４は縦方向が幅Ｌ０の鉛直縦長の形状である。半導体レーザの特徴として、楕円形状焦点２４の上下両端部における小さい幅ｔの部分は出力分布が傾斜しており、外周に向かって出力が小さくなっている。また、幅ｔを除く中央の幅Ｌ１の範囲では出力がほぼ一定である。
【００２４】
次に、このように構成される溶接装置１０およびその他の装置を用いてハニカム構造体１４を製造し、該ハニカム構造体１４を溶接する方法について、図３〜図１１を参照しながら説明する。
【００２５】
図３のステップＳ１において、まず、触媒用のステンレス鋼板２０を方形にプレス成形する（図４参照）。成形したステンレス鋼板２０は、所定の長さに切断する。
【００２６】
次に、ステップＳ２において、図５に示すように、成形および切断したステンレス鋼板２０を数枚まとめて、中央部をシームローラ４０によってシーム接合する。その後、シーム接合した箇所を中心に巻回してハニカム構造体１４を得る。なお、方形に成形されたステンレス鋼板２０は、巻回することによって、方形の部分がやや変形して波形となる。
【００２７】
ハニカム構造体１４は、方形に成形したものと、平板のままのステンレス鋼板２０とを組み合わせて巻回するようにしてもよい。
【００２８】
次いで、ステップＳ３において、ハニカム構造体１４（図６参照）を外筒１６に圧入する。外筒１６は、ハニカム構造体１４よりもやや長尺であり、ハニカム構造体１４を外筒１６の内部に挿入し、ハニカム構造体１４の側部が外筒１６によって完全に覆われるようにする。
【００２９】
次に、ステップＳ４において、外筒１６の略中間部にレーザビーム４２（図７参照）を照射し、側面を１周または２周して溶接する。これにより、ハニカム構造体１４の側面の一部と外筒１６の内面とが固定される。また、レーザビーム４２による溶接箇所４４はハニカム構造体１４の端部から離間した位置に設定する。
【００３０】
次に、ステップＳ５において、外筒１６を溶接装置１０（図１参照）の回転機構２２に取り付けるとともに、テーブル移動機構３０におけるテーブル２８の位置を調整する。この際、図８に示すように、楕円形状焦点２４の上端点Ｐが外筒１６の内周面に一致するようにテーブル２８の位置を調整する。
【００３１】
次に、ステップＳ６において、回転機構２２により外筒１６およびハニカム構造体１４を１回転させるとともに、レーザ１８を照射する。これにより、ハニカム構造体１４の端面のうち円環形状ハッチング部（溶接領域）４６を溶接する。このとき、楕円形状焦点２４の上端点Ｐのハニカム構造体１４に対する相対移動速度は溶接に適した所定の値の速度Ｖとなるように設定する。すなわち、上端点Ｐと軸心Ｏとの距離をｒ０とすると、外筒１６およびハニカム構造体１４の回転速度ωは、ω＝Ｖ／ｒ０として設定される。
【００３２】
図９Ａに示すように、ハニカム構造体１４を構成する複数のステンレス鋼板２０は複数の接点４８で互いに接触している。ハニカム構造体１４の端部にレーザ１８を照射することによって、ステンレス鋼板２０の端部が溶融する。
【００３３】
ところで、溶融した状態の金属（溶融金属）は流動性があるので重力によって下方へ流れる傾向があり、接点４８の周辺に溜まる。特に、楕円形状焦点２４（図８参照）は鉛直縦向きに設定されているので、楕円形状焦点２４内で溶融金属は下方へ流れやすく、また接点４８へ到達しやすい。
【００３４】
ステンレス鋼板２０の形状によっては、溶融金属が接点４８へ到達できないことがある。この場合でも、ハニカム構造体１４は回転機構２２によって回転しているので、溶融金属に加わる重力の方向が変化することになり、結果として接点４８に到達しうる。接点４８に到達した溶融金属は表面張力によってその場に留まる。
【００３５】
このように、接点４８の周辺には溶融金属が溜まりやすく、図９Ｂに示すように、凝固後に玉状の集合凝固部５０が形成されて、隣接するステンレス鋼板２０が接点４８の部分で接合される。
【００３６】
また、溶融金属は接点４８に多少の隙間がある場合でも溜まることができるので、集合凝固部５０が形成されやすい。さらに、接点４８に対して周辺から溶融金属が流入しない場合でも、互いに接するステンレス鋼板２０の端部が溶融および凝固することにより接点４８の部分が接合される。
【００３７】
なお、楕円形状焦点２４の上端点Ｐを外筒１６の内面に合わせて溶接する際、外筒１６は、溶融することがなくハニカム構造体１４と溶着することがない。なぜなら、上端点Ｐにおけるレーザ１８の出力は非常に弱く（図２参照）、しかも外筒１６はステンレス鋼板２０よりも厚く熱容量が大きく、温度があまり上昇しないためである。
【００３８】
次に、ステップＳ７において、ハニカム構造体１４の全面に対して溶接を終了したか否かを判断する。溶接を終了した場合には、回転機構２２から外筒１６を離脱させる。溶接が未終了である場合には次のステップＳ８に移る。
【００３９】
ステップＳ８においては、テーブル移動機構３０を調整し、楕円形状焦点２４の位置を下げる。この際、下げる量は、幅Ｌ１＋ｔ（図２参照）、若しくは幅Ｌ１とし、直前に溶接をした領域（例えば、円環形状ハッチング部４６）と幅ｔ、若しくはｔ×２の幅のオーバラップ部位を設ける。このようなオーバラップ部位については溶接を２度行うことになる。図２から諒解されるように、楕円形状焦点２４における上下両端の幅ｔの部分は比較的低出力であるが、オーバラップ部位を設けることにより、低出力部は２度溶接されることになり、溶融不良をなくすことができる。
【００４０】
このステップＳ８の処理の後、前記のステップＳ６へ戻り溶接処理を続行する。またステップＳ８ではレーザ１８の照射を停止しておくとよい。
【００４１】
ステップＳ６へ戻り溶接を行う際、上端点Ｐの位置が移動しているので、外筒１６およびハニカム構造体１４の回転速度ωを再設定する。例えば、図８に示すように、楕円形状焦点２４の移動量が幅Ｌ１＋ｔであり上端点Ｐと軸心Ｏとの距離がｒ１であるときには、回転速度ωは、ω＝Ｖ／ｒ１として設定される。
【００４２】
なお、回転速度ωを一定として、上端点Ｐと軸心Ｏとの距離に応じてレーザ１８の出力を調整するようにしてもよい。この場合、外筒１６の外周に近いほど高出力とし、軸心Ｏに近いほど低出力にする。換言すれば、ハニカム構造体１４の単位面積あたり同じエネルギー［Ｊ］が照射されるように、レーザ１８の出力［Ｗ］および／または回転速度ωを設定すればよい。
【００４３】
上記したように、本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法によれば、図１０に示すように、ハニカム構造体１４の端部に集合凝固部５０が形成された排ガス浄化用触媒担体１２が得られる。
【００４４】
排ガス浄化用触媒担体１２は、隣接するステンレス鋼板２０の端部が多数の接点４８において互いに溶接されているので、フィルムアウト現象が発生しない。特に、溶融金属の流動性によって集合凝固部５０が多数形成されるので、ステンレス鋼板２０同士を強固に接合することができる。
【００４５】
また、レーザ１８は半導体レーザであり、楕円形状焦点２４を形成する。溶接を行う際、楕円形状焦点２４とハニカム構造体１４とを楕円形状焦点２４の幅の狭い方向に相対的に移動させるので、幅Ｌ０（図２参照）の範囲（例えば、円環形状ハッチング部４６）を一度に溶接することができる。従って、短時間で溶接を行うことができ、また、点焦点を用いる場合の走査動作が不要である。
【００４６】
さらに、楕円形状焦点２４のうち両端部の低出力部については、低い幅ｔ、若しくはｔ×２の幅のオーバラップ部位をもって溶接を行うので、溶接不良が発生しない。
【００４７】
さらにまた、本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法によれば、溶接する箇所である楕円形状焦点２４と軸心Ｏとの距離に応じて回転速度ωまたはレーザ１８の出力を調整するようにしているので、ハニカム構造体１４の端部全面を均一かつ確実に溶接することができる。局所的に過剰なエネルギーを受ける箇所がないので、マスキングなどの処理が不要である。
【００４８】
排ガス浄化用触媒担体１２は、外筒１６とハニカム構造体１４とから構成されており、外筒１６とハニカム構造体１４は、レーザビーム４２（図７参照）による略中央部の溶接箇所４４でのみ固定されている。従って、排ガスの熱を受ける際に、ハニカム構造体１４は拘束されずに軸方向に熱膨張することができ、応力を受けない。
【００４９】
また、外筒１６およびハニカム構造体１４を１周回転させる間は、回転速度ω、レーザ１８の出力およびテーブル２８の位置等は固定しておけばよいので、複雑な設定をすることなく簡便に溶接を行うことができる。
【００５０】
なお、溶接の順序は、必ずしも隣接する順に行う必要はない。例えば、円環形状ハッチング部４６（図８参照）の溶接を行った後に、軸心Ｏの周辺を溶接し、その後に中間の円環状の領域を溶接するようにしてもよい。この場合も隣接する溶接領域に所定のオーバラップ部位を設けるとよい。
【００５１】
次に、本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法の変形例について図１１を参照しながら説明する。この方法では、上記の実施の形態で使用する溶接装置１０を用いて溶接を行い、この際、楕円形状焦点２４を水平方向に移動させる。
【００５２】
図１１に示すように、まず、楕円形状焦点２４を初期位置Ｑ１に設定する。この初期位置Ｑ１は、外筒１６から離れた左上方で、かつ上端点Ｐと外筒１６の内周の上端点Ａが同じ高さに設定されている。
【００５３】
次いで、レーザ１８を照射させるとともにテーブル２８（図１参照）を右方向へ一定の速度Ｖで位置Ｑ２まで移動させる。位置Ｑ２は、初期位置Ｑ１と同じ高さで、かつ外筒１６から離れた右上方に設定されている。このように楕円形状焦点２４を移動させることによりハニカム構造体１４の上部における幅Ｌ０の範囲を溶接する。
【００５４】
このとき、ハニカム構造体１４を形成するステンレス鋼板２０の端部が溶融し、接点４８（図９Ｂ参照）において隣接するステンレス鋼板２０同士が溶接される。また、楕円形状焦点２４（図８参照）は鉛直縦向きに設定されているので、楕円形状焦点２４内で溶融した金属は下方へ流れやすく、接点４８へ到達しやすい。この結果、凝固後に玉状の集合凝固部５０（図９Ｂ参照）が形成されるので強固に接合される。
【００５５】
楕円形状焦点２４を初期位置Ｑ１から位置Ｑ２へ移動させる際、外筒１６の一部を通過することになるが、外筒１６は比較的厚く熱容量が大きいために温度があまり上昇しない。従って、外筒１６とハニカム構造体１４とは溶着することがない。
【００５６】
次に、テーブル移動機構３０を調整し、楕円形状焦点２４の位置Ｑ２を位置Ｑ３へ下げる。この際、下げる量は、幅Ｌ１＋ｔ（図２参照）、若しくは幅Ｌ１とし、直前に溶接をした領域と幅ｔ、若しくはｔ×２の幅のオーバラップ部位を設ける。
【００５７】
この後、レーザ１８を照射させるとともにテーブル２８を左方向へ速度Ｖで移動させ、ハニカム構造体１４の幅Ｌ０の範囲を溶接する。前回に溶接を行った範囲に対して幅ｔ、若しくはｔ×２の幅のオーバラップ部位については２度溶接を行うことになるので溶融不良をなくすことができる。
【００５８】
このように楕円形状焦点２４を右方向への移動、下方への移動および左方向への移動を繰り返し、外筒１６の内周の下端点Ｂまで溶接を行う。これによりハニカム構造体１４の全面を溶接することがで、排ガス浄化用触媒担体１２が得られる。
【００５９】
上述したように、本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法の変形例によれば、テーブル２８を移動させることにより溶接を行うことができ、外筒１６およびハニカム構造体１４を回転させる必要がない。
【００６０】
得られた排ガス浄化用触媒担体１２は、隣接するステンレス鋼板２０の端部が多数の接点４８において互いに溶接されているので、フィルムアウト現象が発生しない。
【００６１】
また、テーブル２８を移動させる速度Ｖ、レーザ１８の出力は所定の固定値とすることができるので、複雑な設定をすることなく簡便に溶接を行うことができる。
【００６２】
本発明に係るハニカム構造体の溶接方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るハニカム構造体の溶接方法によれば、ハニカム構造体の端部を、簡便な方法により、均一かつ十分な強度で溶接するという効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ハニカム構造体の端部を溶接する溶接装置を示す模式斜視図である。
【図２】半導体レーザの楕円形状焦点とその出力分布を示す図である。
【図３】本実施の形態に係るハニカム構造体の溶接方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】ステンレス鋼板を方形にプレス成形する様子を示す模式図である。
【図５】プレス成形したステンレス鋼板をシームローラによってシーム接合する様子を示す模式図である。
【図６】ハニカム構造体を外筒に挿入する様子を示す模式図である。
【図７】外筒の周囲をレーザビームによってビーム溶接する様子を示す模式図である。
【図８】ハニカム構造体の端部に楕円形状焦点を照射させて、外筒およびハニカム構造体を回転させながら溶接する様子を示す模式図である。
【図９】図９Ａは、ハニカム構造体を構成するステンレス鋼板の端部の溶接処理前の状態を示す一部拡大斜視図であり、図９Ｂは、ハニカム構造体を構成するステンレス鋼板の端部の溶接処理後の状態を示す一部拡大斜視図である。
【図１０】溶接処理後の排ガス浄化用触媒担体の側面図である。
【図１１】ハニカム構造体の端部に楕円形状焦点を移動させながら照射させて溶接する様子を示す模式図である。
【符号の説明】
１０…溶接装置１２…排ガス浄化用触媒担体
１４…ハニカム構造体１６…外筒
１８…レーザ２０…ステンレス鋼板
２２…回転機構２４…楕円形状焦点
２６…半導体レーザ発振器２８…テーブル
３０…テーブル移動機構３２…コントローラ
４０…シームローラ４６…円環形状ハッチング部
４８…接点５０…集合凝固部

Claims

金属製の薄板からなるハニカム構造体を金属製の外筒に挿入し、
半導体レーザの略楕円形状焦点を前記ハニカム構造体の端部に照射し、
前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に移動させながら前記薄板の端部を溶融させ、前記薄板同士を溶接することを特徴とするハニカム構造体の溶接方法。
請求項１記載のハニカム構造体の溶接方法において、
前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に移動させて複数回溶接を行い、
各回の溶接に対応する溶接領域は、隣接する溶接領域に対してオーバラップ部位が設けられていることを特徴とするハニカム構造体の溶接方法。
請求項１または２記載のハニカム構造体の溶接方法において、
前記ハニカム構造体および前記外筒を水平横置きにして、
前記略楕円形状焦点の長尺方向が鉛直となるように前記半導体レーザを照射することを特徴とするハニカム構造体の溶接方法。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のハニカム構造体の溶接方法において、
前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に複数回、かつ、同心状に溶接を行うことを特徴とするハニカム構造体の溶接方法。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のハニカム構造体の溶接方法において、
前記略楕円形状焦点または前記ハニカム構造体を、前記略楕円形状焦点の幅の狭い方向に相対的に複数回、かつ、平行に溶接を行うことを特徴とするハニカム構造体の溶接方法。