JP2004153268A - 磁気メモリデバイスおよびそれを形成するための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一実施形態において、メモリデバイス(100)は、複数の磁気データセル(122)と、それら複数の磁気データセル(122)のうちの2つ以上に沿って連続して延在する磁気基準セル(124)とを含む。
【選択図】図3a
Description
Hshape=4πMsT/W
ただし、Msはその要素の飽和磁化である。
122、222、322 磁気データセル
124、224、324 基準セル
126、226、326 分離層または障壁層
224a、224b、324a、324b 強磁性層
228、328 非磁性スペーサ層
Claims (10)
- メモリデバイス(100、200、300、400、500)であって、
それぞれが変更可能な磁気の向きを有する複数の磁気データセル(122、222、322)と、
ピン留めされた磁気の向きを有し、前記複数のデータセル(122、222、322)のうちの2つ以上に沿って連続して延在する磁気基準セル(124、224、324)と、および
前記データセル(122、222、322)と前記基準セル(124、224、324)との間に配置された分離層(126、226、326)とを含む、メモリデバイス。 - 前記基準セル(124、224、324)が少なくとも4:1の長さ対幅の比を有する、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記基準セル(124、224、324)がその最も長い寸法に平行になっている磁化の向きを有する、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記基準セル(124、224、324)がその最も長い寸法に垂直になっている磁化の向きを有する、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 複数の磁気基準セル(124、224、324)をさらに含み、前記複数の磁気基準セル(124、224、324)がそれぞれ、前記複数のデータセル(122、222、322)のうちの2つ以上に沿って連続して延在する、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記基準セル(224、324)が、強磁性材料からなる少なくとも2つの層(224a、224b、324a、324b)を含み、強磁性層(224a、224b、324a、324b)の各対が非磁性材料の層(228、328)によって分離される、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記強磁性材料からなる2つの層(224a、224b、324a、324b)が等しくない厚みを有する、請求項6に記載のメモリデバイス。
- 前記基準セル(124、224、324)の磁化の向きが、形状異方性によってピン留めされる、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記基準セル(124、224、324)の磁化の向きが、磁気結晶異方性によってピン留めされる、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記基準層(224、324)に隣接する反強磁性材料からなる層(230、330)をさらに含む、請求項1に記載のメモリデバイス。
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