JP2004153004A - Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same - Google Patents
Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004153004A JP2004153004A JP2002316484A JP2002316484A JP2004153004A JP 2004153004 A JP2004153004 A JP 2004153004A JP 2002316484 A JP2002316484 A JP 2002316484A JP 2002316484 A JP2002316484 A JP 2002316484A JP 2004153004 A JP2004153004 A JP 2004153004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- conductive pattern
- hybrid integrated
- integrated circuit
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は混成集積回路装置およびその製造方法に関し、特に、大判の金属基板の表面に多数個の電気回路を構成することを特徴とする混成集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図18を参照して、従来の混成集積回路装置100の構成を説明する。図18(A)は従来の混成集積回路装置100の平面図であり、図18(B)はその断面図である。
【0003】
図18(A)を参照して、従来の混成集積回路装置100の構成を説明する。アルミニウム等の金属から成る金属基板101の表面には、絶縁層110を介して導電パターン102が形成されており、導電パターン102の所定の箇所に回路素子105が実装されることにより所望の混成集積回路が実現されている。ここで、回路素子105としては、IC、チップ抵抗、チップコンデンサ、パワートランジスタ等が採用され、フェイスアップで実装されるトランジスタは金属細線103を介して導電パターン102と電気的に接続されている。導電パターン102から成るパッド102Aは、金属基板101の1側辺に複数個が形成され、この箇所には、半田等のロウ材を介してリードが固着される。
【0004】
図18(B)を参照してケース材106で回路素子105が封止された場合の断面図を説明する。金属基板101の表面に形成された導電パターン102および回路素子105から成る電気回路は、樹脂等から成るケース材106で封止されている。また、リード104が固着する辺では、封止領域と外部とを区画する壁状の部材が形成されている。そして、この壁状の部材から金属基板101の周辺部までの領域は、リード104を固着するための固着領域と成っていた。
【0005】
図19を参照して、導電パターン102とリード104との接続部に付いて説明する。この接合部では、固着強度を向上させるために、両者共に幅広に形成されている。具体的には、リード104が固着される箇所の導電パターンの幅a×長さbは、それぞれ2mm×2mmまたはそれ以上に形成されていた。更に導電パターン102に固着される箇所のリード104に付いても、固着強度を向上させるために、1.1mm〜1.5mm程度に形成されていた。このことから、リード104のピッチは2mm若しくは2.5mm程度に形成されていた。更にリード104が固着される箇所から金属基板101の端部までの距離Aは2mm以上に形成されていた。
【0006】
次に、図20を参照して混成集積回路装置100の製造方法を簡単に説明する。導電パターン102を形成する工程、回路素子105を実装する工程および金属細線103により電気的接続を行う工程を経て短冊状の金属基板112には、複数個の混成集積回路が形成されている。そして、プレス機を用いた「打ち抜き」により、点線で示す箇所で個々の回路基板113を金属基板112から分離する。その後、個々の回路基板113のパッド102A上にリードを固着する工程、回路を封止する工程等を経て混成集積回路装置が完成する(例えば、特許文献1を参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−12987号公報(第4頁、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような混成集積回路装置およびその製造方法は以下に示すような問題を有していた。
【0009】
第1に、リード104を固着するためのパッド102Aが金属基板30の周辺部に形成されているが、半田等のロウ材を介して行うリード104とパッド102Aとの接合強度を確保するために、パッド102Aは幅広に形成されていた。このことから、リード102A同士のピッチを狭く形成するのが難しく、従ってそのピッチは2mm以上に成ってしまい、このことがリード104の本数を制約していた。また、多数個のリード104を形成する混成集積回路装置を形成するためには、金属基板30の幅を大きく形成する必要性が生じ、従って混成集積回路装置全体の大型化を招く恐れがあった。
【0010】
また、リード104が固着する箇所の領域に絶縁性樹脂等を封入することにより、リード104を狭ピッチに形成することが可能となる。しかしながら、リード104が固着される箇所は、装置の面方向に開口しているので、絶縁性樹脂の封入に係る工数が多く成ってしまう問題もあった。このことから、現状の混成集積回路装置では、この部分に樹脂の充填は行われないのが通常である。
【0011】
第2に、プレス機を用いて各回路基板113の分離を行った後にリードの固着と封止の工程を行っていたので、これらの作業に係る工程数が増加し、コストが高くなってしまう問題があった。
【0012】
本発明は、上記した問題を鑑みて成されたものである。従って、本発明の主な目的は、リード間の間隔を狭く形成することができる混成集積回路装置を提供することにある。更に、本発明の他の目的は、1枚の金属板に多数個の電気回路を構成し、封止の工程およびリードの固着を行う工程を行ってから、個々の基板への分割を行う混成集積回路装置の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第1に、少なくとも表面が絶縁処理された基板と、前記基板の表面に形成された導電パターンおよび前記導電パターン上に固着された回路素子から成る電気回路と、前記基板の周辺部で前記導電パターンに固着されたリードと、前記基板上で前記電気回路を囲む枠状のケース材とを有し、前記導電パターンと前記リードとが固着する箇所で両者の機械的接続を補強する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする。
【0014】
本発明は、第2に、少なくとも表面が絶縁処理された基板と、前記基板の表面に形成された導電パターンおよび前記導電パターン上に固着された回路素子から成る電気回路と、前記基板の周辺部で前記導電パターンに固着されたリードと、熱硬化前の粉末樹脂が一体化されたペレットを前記電気回路上に載置して溶融硬化させることにより前記電気回路を樹脂封止する封止樹脂とを有し、前記導電パターンと前記リードとが固着される箇所まで延在した前記封止樹脂により、両者の機械的接続を補強することを特徴とする。
【0015】
本発明は、第3に、金属基板の表面に多数個の電気回路を構成する工程と、前記各電気回路にリードを固着する工程と、前記基板上の前記各電気回路を囲む枠状のケース材を前記金属基板に固着する工程と、前記リードが固着される箇所に絶縁性樹脂を形成する工程と、個々の前記電気回路が形成された回路基板を分離する工程とを有することを特徴とする。
【0016】
本発明は、第4に、金属基板の表面に多数個の電気回路を構成する工程と、前記金属基板の表面の前記電気回路同士の境界線に対応する箇所に分離溝を形成する工程と、前記各電気回路にリードを固着する工程と、熱硬化前の粉末樹脂が一体化されたペレットを、前記電気回路上に載置して溶融硬化させることにより、前記電気回路を樹脂封止する工程と、個々の前記電気回路が形成された回路基板を分離する工程とを有することを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
(混成集積回路装置10を説明する第1の実施の形態)
図1を参照して、混成集積回路装置10の構成を説明する。図1(A)は混成集積回路装置10の平面図であり、図1(B)は図1(A)の断面図である。
【0018】
本発明の混成集積回路装置10は、少なくとも表面が絶縁処理された回路基板11と、回路基板11の表面に形成された導電パターン13および導電パターン13上に固着された回路素子14から成る電気回路と、回路基板11の周辺部で導電パターン13に固着されたリード15と、回路基板11上で電気回路を囲む枠状のケース材20とを有し、導電パターン13とリード15とが固着する箇所で両者の機械的接続を補強する絶縁性樹脂とを有する構成と成っている。このような構成要素を以下にて説明する。
【0019】
回路基板11の材料としては、アルミや銅等の金属が採用される。また、回路基板11の材料として合金を採用しても良い。ここでは、アルミからなる回路基板11を採用し、例えばその両面はアルマイト処理されている。絶縁層12は、回路基板11の表面に形成されており、導電パターン13と回路基板11とを絶縁させる働きを有する。また、回路素子14から発せられる熱を積極的に回路基板11に伝達させるために、絶縁層12にはアルミナが高充填されている場合もある。ここで、絶縁等を目的としてアルミ基板の表面に形成されるAL2O3等の酸化物は必ずしも必要では無い。従って、回路基板の表面は他の絶縁処理が施されても良い。
【0020】
導電パターン13は、絶縁層12の表面に設けられており、銅等の金属から形成されている。導電パターン13の所定の箇所には回路素子14が固着され、回路基板11の1側辺には、導電パターン13から成る接続部が千鳥に配置されている。導電パターン13の所定の箇所に回路素子14が固着されることで所定の電気回路が、回路基板11上に形成されている。
【0021】
回路素子14は、導電パターン13の所定の箇所に、半田等のロウ材を介して実装される。回路素子14としては、受動素子、能動素子または回路装置等を全般的に採用することができる。また、パワー系の素子を実装する場合は、導電パターン上に固着されたヒートシンク上にその素子が実装される。また、フェイスアップで実装されるトランジスタおよびICは、金属細線16を介して導電パターン13と電気的に接続されている。
【0022】
リード15は、半田等のロウ材を介して導電パターン13より成るパッド部に固着されており、外部との電気的入力・出力を行う働きを有する。ここでは、導電パターン13とリード15との接合部は絶縁性樹脂17により補強されている。従って、従来の混成集積回路装置では、導電パターン13とリード15との電気的接続および機械的結合をロウ材で行っていたが、本発明ではロウ材は両者を電気的に接続する働きを主に有する。このことからリード15同士の間隔を狭ピッチに形成することができる。ここで、混成集積回路装置10が実装されるPCB等の実装基板側が狭ピッチに形成されたリード15に対応できない場合は、リード15を千鳥に配置させて、実質的なリード15のピッチを大きくすることで対応することができる。
【0023】
ケース材20は、回路基板11上で電気回路を封止して且つリード15が導電パターン13に固着する固着領域18を区画する働きを有する。ケース材20を構成する材料としては、樹脂系の材料若しくは金属製の材料を採用することができ、ケース材20と回路基板11とは、接着剤を介して接着されている。導電パターン13とリード15とが接続される箇所には、絶縁性樹脂17が充填される固着領域18が形成される。絶縁性樹脂17は、導電パターン13とリード15が接続する箇所を封止し、更に、両者の接着強度を向上させる働きを有する。また、図1では、ケース材20にはリード15が固着される固着領域18が形成されているが、この固着領域18は省いて形成することも可能である。即ち、図1(C)に示すように、電気回路のみが封止されるようにケース材20を形成し、リード15と導電パターン13との接続箇所には、ポッティングにより絶縁性樹脂17を形成することも可能である。
【0024】
図2(A)を参照して導電パターン13とリード15との関連構成等を説明する。導電パターン13は、表面が絶縁処理された回路基板11の表面に所定の電気回路が実現されるように形成されており、回路素子14が固着されるパッド部や配線部が形成されている。そして、回路基板11の一側辺に、導電パターン13から成る固着箇所が、並列して形成されている。ここで、リード15が固着される箇所の導電パターンの幅は、配線部を形成する導電パターンと同等に形成されている。
【0025】
図2(B)を参照して、リード15が導電パターン13に固着される箇所の詳細を説明する。リード15が固着される箇所の導電パターン13の幅×長さは1mm×1mm程度に形成されている。また、導電パターン13に固着される箇所のリード15の幅は、外部に導出させる箇所の幅と同等に形成されており、0.5mm程度に形成されている。上記のことから、各リード15同士のピッチPは狭く形成することができ、具体的には1.2mm(1/20インチ)程度まで狭く形成することができる。
【0026】
リード15は、回路基板11の一則辺に設けた導電パターン13の固着箇所に、半田等のロウ材を介して固着されている。また、導電パターン13に固着される箇所のリード15の幅は、外部に延在する部分のリード15と同程度に形成されている。また、リード15は半田等のロウ材を介して導電パターン13に固着されているが、本発明に於けるロウ材の役割は、主に、両者の電気的接続を行うことにある。即ち、導電パターン13とリード15との電気的接続をロウ材で行い、両者の接続部に形成される絶縁性樹脂で両者の接続強度を確保している。
【0027】
本発明の特徴は、固着領域18に充填された絶縁性樹脂17で、リード15と導電パターン13との接続強度を確保する点にある。このように絶縁性樹脂17でリード15と導電パターン13との固着強度を確保することにより、従来例に於ける幅広のパッド102Aを省いて両者の接続を行うことができる。具体的には、ロウ材を用いて導電パターン13とリード15との電気的接続を行い、両者の接続箇所に塗布される絶縁性樹脂17で両者の接続強度を確保するので、リード15を狭ピッチに形成することができる。即ち、導電パターン13とリード15の接続箇所の面積を縮小することができるので、電気回路を構成できる有効面積を増大することが可能となり、混成集積回路装置の更なる小型化を行うことができる。
【0028】
図3を参照して、他の形態の混成集積回路装置10Aの構成を説明する。混成集積回路装置10Aは、少なくとも表面が絶縁処理された回路基板11と、回路基板11の表面に形成された導電パターン13および導電パターン13上に固着された回路素子14から成る電気回路と、回路基板11の周辺部で導電パターン13に千鳥配置されて固着されたリード15と、熱硬化前の粉末樹脂が一体化されたペレット22を、電気回路上に載置して溶融硬化させることにより、電気回路を樹脂封止する封止樹脂19とを有する。上記したように、同図に示す混成集積回路装置10Aは、回路基板11上に形成された電気回路の封止手段以外は、図1に示した混成集積回路装置10と同様の構成と成っている。従って、封止を行う手段以外の構成要素は混成集積回路装置10の構成要素と同様であるので、その説明は割愛する。
【0029】
ペレット22は、固化された熱硬化前の粉末樹脂が補強用シート21に設けられたものである。ペレット22を回路基板11上に載置して加熱することにより、粉末樹脂は融解して封止樹脂19となり、その自重により沈み込んだ封止樹脂19が回路基板11上の電気回路を封止する。また、封止樹脂19は、リード15と導電パターン13との接続部分も封止し、導電パターン13とリード15との固着を強化している。このような構成の混成集積回路装置10Aは、上記した特徴を有している。また、補強用シート21は省略して、封止樹脂19のみによる封止を行うことも可能である。
【0030】
(混成集積回路装置10の製造方法を説明する第2の実施の形態)
図4〜図10を参照して、本実施の形態では、図1に図示した混成集積回路装置10の製造方法を説明する。混成集積回路装置10の製造方法は、金属基板30の表面に多数個の電気回路を構成する工程と、各電気回路にリード15を固着する工程と、金属基板30上の各電気回路を囲み且つリード15が各電気回路に固着する固着領域18を区画する枠状のケース材20を金属基板30に固着する工程と、各ケース材20の固着領域18に絶縁性樹脂17を充填させる工程と、個々の電気回路が形成された回路基板11を分離する工程とを有する。このような各工程を以下にて説明する。
【0031】
第1工程:図4から図6参照
本工程は、金属基板30の表面に多数個の電気回路を構成する工程である。先ず、図4(A)を参照して、大判の金属基板30を用意する。例えば、大判の金属基板30の大きさは、数十センチ四方の大きさを有する矩形である。金属基板30としては、例えば両面がアルマイト処理されたアルミ基板を採用することができる。そして、金属基板30の表面には、表面に形成される導電パターンと金属基板とを絶縁させるために、絶縁層12が設けられている。また、導電パターンは、所望の電気回路が実現されるようにエッチング等で形成され、各回路基板の側辺部に対応する箇所には、導電パターンにより成るパッドが形成され、後の工程でパッド上にはリードフレームが固着される。
【0032】
次に、図4(B)を参照して、Vカットソー31を高速で回転させて、ダイシングラインD1に沿って金属基板30の裏面に溝を形成する。ダイシングラインD1は格子状に設けられており、絶縁層12上に形成された個々の電気回路の境界線に対応している。
【0033】
次に、図5(A)および図5(B)を参照して、溝32が形成された金属基板30の形状を説明する。
【0034】
図5(A)を参照して、金属基板30の絶縁層12が設けられない面には、溝32が格子状に形成されている。本実施の形態では、V型の形状の刃先を有するVカットソー31を用いて溝を形成するので、溝32はV型の断面となる。また、溝32の中心線は、絶縁層12上に形成された個々の導電パターン13の境界線に対応している。
【0035】
図5(B)を参照して、溝32の形状等を説明する。ここでは、溝32はV型の断面に形成されている。そして、溝32の深さは、金属基板30の厚さよりも浅く成っている。従って、本工程では金属基板30は個々の回路基板11に分割されず、溝32の部分に対応する金属基板30の残りの厚み部分で連結されている。このことから、個々の回路基板11として分割するまでは、金属基板30は1枚のシート状のものとして扱うことができる。また、本工程に於いて、「バリ」が発生した場合は、高圧洗浄を行って「バリ」を除去する。
【0036】
次に、図6を参照して、各回路基板11上の導電パターン13の所望の箇所に回路素子14を固着して電気的接続を行う。ここで、実装される回路素子14としては、トランジスタやIC等の能動素子や、チップ抵抗器やチップコンデンサ等の受動素子を全般的に採用することができる。更に、ベアのトランジスタ等が樹脂封止された回路装置等が実装されても良い。また、フェイスアップで実装されたICやトランジスタは、金属細線16を介して導電パターン13と電気的に接続される。
【0037】
第2工程:図7参照
本工程は、各電気回路にリード15を固着する工程である。同図を参照して、金属基板30の表面にマトリックス状に形成された多数個の電気回路に、リード15が固着されている。具体的には、リード15はタイバーで連結されたリードフレーム15Aの形状で供給されている。そして、各導電パターンを形成する導電パターン13に、半田等のロウ材を介して各リード15は固着される。ここで、固着されたリードフレーム15Aを自立させるための手段が追加されて用いられも良い。
【0038】
固着されたリードフレーム15Aを自立させる方法を説明する。リードフレーム15Aを自立させる方法としては、例えば2つの方法が考えられ、第1の方法はリードフレーム15Aの何れか1つのリード15を金属基板30に固定する方法であり、第2の方法はリードフレーム15Aを自立させる治具を用いる方法である。
【0039】
上記した第1の方法では、各電気回路に固着されたリードフレーム15Aの中の1つのリード15を、金属基板30に設けたホールに填め込むことにより、リードフレーム15Aの自立を行っている。この方法では、接地電位となるリード15を、金属基板30に設けたホールに填め込むことにより、回路密度の向上も行うことができる。第2の方法では、金属基板30の両端に設けた治具で各リードフレーム15Aをサポートすることにより、リードフレーム15Aが湾曲してしまうのを防止することができる。
【0040】
また、リード15と接続される導電パターン13は、千鳥に配置することも可能である。リード15が千鳥配置される場合は、リードフレーム15Aとして供給されるリード15は、千鳥配置された導電パターン13に固着するように、交互に折り曲げられた状態で供給される。また、各列毎に、2つのリードフレーム15Aが別々に供給されても良い。
【0041】
第3工程:図8参照
本工程は、図8(A)を参照して、「金属基板30上の各電気回路を囲み且つリード15が各電気回路に固着する固着領域18を区画する枠状のケース材20を金属基板30に固着する工程である。ケース材20は、金属製または樹脂製のものであり、接着剤を介してケース材20と金属基板30とは接合される。また、図8(B)を参照して、リード15を折り曲げて、回路基板11の面方向に導出させることも可能である。
【0042】
第4工程:図9参照
本工程は、各ケース材20の固着領域18に絶縁性樹脂17を充填させる工程である。図9(A)を参照して、本工程では、前工程で固着されたケース材20の固着領域18に絶縁性樹脂17を充填する。絶縁性樹脂17としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を使用することができる。このように絶縁性樹脂17を固着領域17に充填することにより、リード15と導電パターン13との接合を強固にすることができる。また、金属基板30にケース材20がマトリックス状に固着されているので、各固着領域18への絶縁性樹脂17の充填は極めて容易に行うことができる。
【0043】
図9(B)を参照して、ケース材20を固着領域18を省略して形成する事も可能である。即ち、導電パターン13とリード15との接合部分を、絶縁性樹脂17でコーティングする。このことにより、両者の接続部分の機械的強度を確保することができる。
【0044】
第5工程:図10参照
本工程は、電気回路の境界線で回路基板11を分離することにより個々の回路基板11を分離する工程である。
【0045】
図10(A)を参照して、本工程では、各回路基板11上に形成された電気回路の境界線に対応する箇所の金属基板30を、丸カッター41を用いて切除することにより、各回路基板11に分離する。丸カッター41は、具体的には、金属基板30の絶縁層12が設けられた面の、溝32の中心線に対応する残りの厚み部分を押し切る。ここでは、溝32はV型の断面を有する。従って、溝32が最も深く形成された部分の、金属基板30の残りの厚み部分と絶縁層12とを、丸カッター41は切除することになる。ここで、丸カッター41は駆動力を有さず、支持部42を介して丸カッター41の外周部を押しつけながら、各回路基板11の境界線沿いに移動させることにより、丸カッター41は回転する。
【0046】
リード15は、各回路基板11の1側辺部に形成されており、外部に導出される部分のリード15は、回路基板11に対して垂直に延在している。従って、丸カッター41および支持部42は、リード15に接触すること無く、各回路基板11の分離を行うことができる。
【0047】
図10(A)で、回路基板11に対して垂直に延在しているリード15は、所定の長さに調節されて、そのまま導出させても良い。また、回路基板11に対してリード15が平行になるように、折り曲げ加工を行うこともできる。
【0048】
以上の説明では、丸カッター41を用いて個々の回路基板への分離を行ったが、溝32が設けられた箇所で基板を折り曲げることにより回路装置10の分離を行うことも可能である。特に、ケース材20に固着領域を設けない場合や、壁部20Aを比較的に低く形成した場合では、回路基板11を上方向にも折り曲げることが可能となる。このように、折り曲げによる各回路基板の分離を行うことにより、電気回路が形成される有効面積を増大させることが可能となる。
【0049】
図10(B)を参照して、更にまた、各回路基板11の分離を行ってから、ケース材20の固着を行うことも可能である。このような場合は、電気回路の有効面積を更に大きくすることができる。更に、回路基板11の側面部をケース材20でカバーすることができるので、回路基板11とケース材20との固着を強固にすることができる。
【0050】
本発明の特徴は、1枚の金属基板30にマトリックス状に電気回路を構成し、リード15の固着、ケース材20の接着および固着領域18への絶縁性樹脂17の充填を行った後に、各回路基板11の分割を行うことにある。ケース材20の固着領域18は、金属基板30上にマトリックス状に形成されているので、各固着領域18への絶縁性樹脂17の充填は、極めて容易に行うことができる。
【0051】
(混成集積回路装置10Aの製造方法を説明する第3の実施の形態)
図11〜図16を参照して、本実施の形態では、図3に図示した混成集積回路装置10Aの製造方法を説明する。混成集積回路装置10Aの製造方法は、金属基板30の表面に多数個の電気回路を構成する工程と、金属基板10の表面の電気回路同士の境界線に対応する箇所に分離溝32Aを形成する工程と、各電気回路にリード15を固着する工程と、熱硬化前の粉末樹脂が一体化され表面に補強用のシート21が設けられたペレット22を、電気回路上に載置して溶融硬化させることにより、電気回路を樹脂封止する工程と、個々の電気回路が形成された回路基板11を分離する工程とを有する。このような各工程を以下にて説明する。
【0052】
第1および第2工程:図11から図13参照
本工程は金属基板30の表面に多数個の電気回路を構成し、金属基板10の表面の電気回路同士の境界線に対応する箇所に分離溝32Aを形成する工程である。
【0053】
上述したように、本工程は、第2の実施の形態で説明した第1工程とほぼ同様であるので、重複する方法についての説明は割愛する。本工程のポイントは、金属基板11の導電パターン13が形成される面の、各電気回路同士の境界線に対応する箇所に分離溝32Aを設けたことにある。図12を参照して、各電気回路の境界線に対応する箇所の裏面には溝32が設けられており、その表面には分離溝32Aが設けられている。
【0054】
また、リード15の固着を行う第2の工程に関しても、上述した第2の実施の形態と同様であるので、その詳細な説明は割愛する。
【0055】
第3工程:図14から図16参照
本工程は、熱硬化前の粉末樹脂が一体化され表面に補強用のシート21が設けられたペレット22を、電気回路上に載置して溶融硬化させることにより、電気回路を樹脂封止する工程である。ペレット22を載置する方法は2つあり、第1の方法は個々の電気回路を1つのペレット22で封止する方法であり、第2の方法は一方向に整列した電気回路を同一のペレット22で封止する方法である。
【0056】
図14を参照して、上述した第1の封止を行う方法を説明する。この方法では、先ず、金属基板30の表面に形成された多数個の電気回路の各々にペレット22を載置する。ペレット22は、固化された粉末状の樹脂を補強用シート21に設けたものである。次に、ペレット22を加熱することにより、樹脂封止を行う。ペレット22が加熱されると粉末樹脂が軟化し、樹脂自身の重みによりペレット22が沈み込んで樹脂封止が行われる。
【0057】
図15を参照して、上述した第2の封止を行う方法を説明する。この方法では、リード15の整列方向に整列した1方向の電気回路が、1つのペレット22で封止されている。ペレット22を融解させる方法等は上述の第1の方法と同一なので、その説明は割愛する。
【0058】
図16(A)を参照して、上述の工程でペレット22による封止が行われた金属基板30の断面を説明する。ペレット22の封止樹脂19は、金属基板30上に形成された電気回路を封止している。封止樹脂19は、各回路基板11の終端部まで延在して、リード15と導電パターン13との接続箇所まで封止しているので、両者の接続強度を確保している。従って、リード15と導電パターン13との接続強度を確保するための手段を別途に設けることなく、両者の接続強度を向上させることができる。
【0059】
分離溝32Aは、各電気回路の境界線に対応する箇所に設けられており、この分離溝32Aで各ペレット22が一体化してしまうのを防止することができる。具体的には、封止樹脂19を融解する工程では、封止樹脂19は周辺部に向かい徐々に延在するが、各回路基板の終端部には分離溝32Aが設けられている。従って、分離溝32Aに融解した状態の封止樹脂19が到達すると、その際に発生する表面張力により、分離溝32Aの箇所で封止樹脂19の広がりはストップする。上記のことから、隣接するペレット22同士の封止樹脂19が一体化してしまうのを防止することができる。
【0060】
図16(B)を参照して、上記では補強用シート21で補強されたペレット22を使用した樹脂封止の方法を説明したが、補強用シート21を省いた封止樹脂19のみで形成されるペレット(Eペレット)を使用することも可能である。このような補強用の樹脂が設けられていないEペレットを使用することによりより安価に装置を製造することができる。またEペレットは横方向への樹脂の流れだしがあるが、溝32により隣接するペレット同士が一体化してしまうのを防止することができる。
【0061】
図17を参照して、本発明の第4の工程は、個々の電気回路が形成された回路基板11を分離する工程である。本工程の詳細は、第2の実施の形態の第5工程と同様であるので、その説明は省略する。また、各回路基板11の分割を行う方法としては、同図に示す丸カッター41を用いた方法以外の方法でも行うことができる。即ち、周知のダイシングによる方法、チョコレートブレークによる方法等でも、各回路基板11の分離を行うことができる。
【0062】
更に、上記までの説明では、固化された樹脂が補強用のシートに形成されたペレット(Fペレット)または固化された樹脂(Eペレット)を使用した封止方法を説明したが、回路基板11上にエポキシ樹脂等の封止材を形成して全面コーティングを行う方法もある。このように封止材の全面コーティングを行う場合では、各回路基板11を分離する工程で、回路基板11と封止材を同時に分離を行う。
【0063】
【発明の効果】
本発明では、以下に示すような効果を奏することができる。
【0064】
第1に、本発明の混成集積回路装置では、リード15と導電パターン13とが接着する箇所を絶縁性樹脂17で封止することにより、両者の接続強度を向上させることができる。従って、リード15を狭ピッチで導電パターン13に固着することが可能となり、リード15の固着に係る部分の面積を狭くすることができる。
【0065】
第2に、本発明の混成集積回路装置の製造方法では、金属基板30に形成された多数個の電気回路をケース材20で封止して、固着領域18へ絶縁性樹脂17を充填することによりリード15の固着強度を確保している。固着領域18は、金属基板30上に平面的に配置されているので、固着領域18への絶縁性樹脂17の充填は極めて容易に行うことができる。
【0066】
第3に、本発明の混成集積回路装置の製造方法では、金属基板30上にマトリックス状に設けた各電気回路の境界線に対応する箇所に分離溝32Aを設けて、ペレット22により封止を行っている。従って、ペレット22を溶融させる工程に於いて、封止樹脂19が分離溝32Aでストップするので、隣接する封止樹脂19が一体化してしまうのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の混成集積回路装置の平面図(A)、断面図(B)、断面図(C)である。
【図2】本発明の混成集積回路装置の平面図(A)、拡大図(B)である。
【図3】本発明の混成集積回路装置の平面図(A)、断面図(B)である。
【図4】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図(A)、斜視図(B)である。
【図5】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図(A)、断面図(B)である。
【図6】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図7】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図8】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図(A)、断面図(B)である。
【図9】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図(A)、断面図(B)である。
【図10】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図(A)、断面図(B)である。
【図11】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図(A)、断面図(B)である。
【図12】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図13】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図14】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図15】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図16】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図(A)、断面図(B)である。
【図17】本発明の混成集積回路装置の製造方法を説明する断面図である。
【図18】従来の混成集積回路装置を説明する平面図(A)、断面図(B)である。
【図19】従来の混成集積回路装置を説明する平面図である。
【図20】従来の混成集積回路装置の製造方法を説明する平面図である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a hybrid integrated circuit device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a hybrid integrated circuit device having a large number of electric circuits formed on a surface of a large-sized metal substrate and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Referring to FIG. 18, a configuration of a conventional hybrid integrated circuit device 100 will be described. FIG. 18A is a plan view of a conventional hybrid integrated circuit device 100, and FIG. 18B is a sectional view thereof.
[0003]
Referring to FIG. 18A, a configuration of a conventional hybrid integrated circuit device 100 will be described. A conductive pattern 102 is formed on the surface of a metal substrate 101 made of a metal such as aluminum with an insulating layer 110 interposed therebetween, and a circuit element 105 is mounted on a predetermined portion of the conductive pattern 102 to obtain a desired hybrid integrated circuit. A circuit has been implemented. Here, as the circuit element 105, an IC, a chip resistor, a chip capacitor, a power transistor, or the like is employed, and the transistor mounted face-up is electrically connected to the conductive pattern 102 via the
[0004]
A cross-sectional view in the case where the circuit element 105 is sealed with the
[0005]
With reference to FIG. 19, the connection between the conductive pattern 102 and the
[0006]
Next, a method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 100 will be briefly described with reference to FIG. A plurality of hybrid integrated circuits are formed on the strip-shaped metal substrate 112 through a process of forming the conductive pattern 102, a process of mounting the circuit element 105, and a process of making electrical connection by the
[0007]
[Patent Document 1]
JP-A-2000-12987 (
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above-described hybrid integrated circuit device and its manufacturing method have the following problems.
[0009]
First, a
[0010]
Also, by encapsulating an insulating resin or the like in a region where the
[0011]
Second, since the steps of fixing and sealing the leads are performed after each circuit board 113 is separated using a press machine, the number of steps involved in these operations increases, and the cost increases. There was a problem.
[0012]
The present invention has been made in view of the above problems. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a hybrid integrated circuit device capable of forming a narrow interval between leads. Further, another object of the present invention is to provide a hybrid method in which a large number of electric circuits are formed on one metal plate, a sealing step and a step of fixing leads are performed, and then division into individual substrates is performed. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an integrated circuit device.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
The present invention firstly provides an electric circuit comprising a substrate having at least a surface insulated, a conductive pattern formed on the surface of the substrate and a circuit element fixed on the conductive pattern, and a peripheral portion of the substrate. Having a lead fixed to the conductive pattern and a frame-shaped case material surrounding the electric circuit on the substrate, and reinforcing a mechanical connection between the conductive pattern and the lead at a position where the lead is fixed. And an insulating resin.
[0014]
The present invention secondly provides a substrate having at least a surface insulated, an electric circuit including a conductive pattern formed on the surface of the substrate and a circuit element fixed on the conductive pattern, and a peripheral portion of the substrate. A lead fixed to the conductive pattern, and a sealing resin for resin-sealing the electric circuit by mounting and melting and curing a pellet in which the powder resin before heat curing is integrated on the electric circuit. And the mechanical connection between the conductive pattern and the lead is reinforced by the sealing resin extending to a position where the lead is fixed.
[0015]
Third, the present invention provides a step of forming a plurality of electric circuits on a surface of a metal substrate, a step of fixing leads to the electric circuits, and a frame-like case surrounding the electric circuits on the substrate. Fixing a material to the metal substrate, forming an insulating resin at a position where the lead is fixed, and separating the circuit board on which the individual electric circuits are formed. I do.
[0016]
The present invention is, fourthly, a step of forming a plurality of electric circuits on the surface of the metal substrate, and a step of forming a separation groove at a position corresponding to a boundary between the electric circuits on the surface of the metal substrate, Fixing the leads to the respective electric circuits, and sealing the electric circuits with resin by placing the pellets in which the powder resin before heat curing is integrated on the electric circuits and melting and curing the pellets. And a step of separating the circuit board on which the individual electric circuits are formed.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(First Embodiment Explaining Hybrid Integrated Circuit Device 10)
The configuration of the hybrid integrated circuit device 10 will be described with reference to FIG. 1A is a plan view of the hybrid integrated circuit device 10, and FIG. 1B is a cross-sectional view of FIG.
[0018]
The hybrid integrated circuit device 10 of the present invention is an electric circuit comprising a circuit board 11 having at least a surface insulated, a
[0019]
As a material of the circuit board 11, a metal such as aluminum or copper is employed. Further, an alloy may be adopted as a material of the circuit board 11. Here, a circuit board 11 made of aluminum is employed, for example, both surfaces of which are anodized. The insulating
[0020]
The
[0021]
The circuit element 14 is mounted on a predetermined portion of the
[0022]
The
[0023]
The
[0024]
With reference to FIG. 2A, a related configuration between the
[0025]
With reference to FIG. 2B, details of a place where the
[0026]
The
[0027]
The feature of the present invention resides in that the insulating resin 17 filled in the fixing region 18 ensures the connection strength between the lead 15 and the
[0028]
With reference to FIG. 3, a configuration of a hybrid integrated circuit device 10A of another embodiment will be described. The hybrid integrated circuit device 10A includes an electric circuit including a circuit board 11 having at least a surface insulated, a
[0029]
The pellets 22 are obtained by providing solidified powder resin before thermosetting on the reinforcing sheet 21. When the pellet 22 is placed on the circuit board 11 and heated, the powder resin is melted to form a sealing resin 19, and the sealing resin 19 sunk by its own weight seals the electric circuit on the circuit board 11. I do. In addition, the sealing resin 19 also seals a connection portion between the lead 15 and the
[0030]
(Second Embodiment Explaining Method for Manufacturing Hybrid Integrated Circuit Device 10)
In this embodiment, a method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. The method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10 includes a step of forming a large number of electric circuits on the surface of the
[0031]
First step: See FIGS. 4 to 6
This step is a step of forming a large number of electric circuits on the surface of the
[0032]
Next, referring to FIG. 4 (B), V-cut saw 31 is rotated at a high speed to form a groove on the back surface of
[0033]
Next, with reference to FIGS. 5A and 5B, the shape of the
[0034]
Referring to FIG. 5A,
[0035]
The shape and the like of the
[0036]
Next, referring to FIG. 6, a circuit element 14 is fixed to a desired portion of
[0037]
Second step: See FIG.
This step is a step of fixing the
[0038]
A method of making the
[0039]
In the above-described first method, one
[0040]
Further, the
[0041]
Third step: See FIG.
In this step, referring to FIG. 8A, “the frame-shaped
[0042]
Fourth step: See FIG.
This step is a step of filling the insulating resin 17 into the fixing region 18 of each
[0043]
Referring to FIG. 9B,
[0044]
Fifth step: See FIG.
This step is a step of separating the individual circuit boards 11 by separating the circuit boards 11 at the boundary of the electric circuit.
[0045]
Referring to FIG. 10A, in this step, the
[0046]
The
[0047]
In FIG. 10A, the
[0048]
In the above description, the individual circuit boards are separated by using the round cutter 41. However, the circuit device 10 can be separated by bending the board at a position where the
[0049]
Referring to FIG. 10B, it is also possible to further fix the
[0050]
A feature of the present invention is that an electric circuit is formed in a matrix on a
[0051]
(Third Embodiment Explaining Method for Manufacturing Hybrid Integrated Circuit Device 10A)
In this embodiment, a method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10A shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. In the method of manufacturing the hybrid integrated circuit device 10A, a process of forming a large number of electric circuits on the surface of the
[0052]
First and second steps: See FIGS. 11 to 13
This step is a step of forming a large number of electric circuits on the surface of the
[0053]
As described above, this step is almost the same as the first step described in the second embodiment, and therefore, the description of the overlapping method will be omitted. The point of this step is that the separation groove 32A is provided at a position corresponding to the boundary between the electric circuits on the surface of the metal substrate 11 on which the
[0054]
Further, the second step of fixing the
[0055]
Third step: See FIGS. 14 to 16
In this step, the electric circuit is resin-sealed by placing the pellets 22 on which the powder resin before heat curing is integrated and the surface of which is provided with the reinforcing sheet 21 on the electric circuit and melt-curing them. It is a process. There are two methods for placing the pellets 22, the first method is to seal individual electric circuits with one pellet 22, and the second method is to seal electric circuits arranged in one direction with the same pellet. 22 is a method of sealing.
[0056]
With reference to FIG. 14, a method for performing the above-described first sealing will be described. In this method, first, the pellet 22 is placed on each of a number of electric circuits formed on the surface of the
[0057]
A method for performing the above-described second sealing will be described with reference to FIG. In this method, one-way electric circuits aligned in the alignment direction of the
[0058]
With reference to FIG. 16A, a cross section of the
[0059]
The separation groove 32A is provided at a position corresponding to the boundary of each electric circuit, and can prevent each pellet 22 from being integrated by the separation groove 32A. Specifically, in the step of melting the sealing resin 19, the sealing resin 19 gradually extends toward the peripheral portion, but a separation groove 32A is provided at the end of each circuit board. Accordingly, when the molten sealing resin 19 reaches the separation groove 32A, the spreading of the sealing resin 19 at the separation groove 32A is stopped by the surface tension generated at that time. From the above, it is possible to prevent the sealing resin 19 of the adjacent pellets 22 from being integrated.
[0060]
With reference to FIG. 16 (B), the method of resin sealing using the pellets 22 reinforced with the reinforcing sheet 21 has been described above. However, the resin sealing method is formed only with the sealing resin 19 omitting the reinforcing sheet 21. It is also possible to use pellets (E pellets). By using E pellets without such a reinforcing resin, the device can be manufactured at lower cost. Although the E pellet has a resin flow in the lateral direction, the adjacent pellets can be prevented from being integrated by the
[0061]
Referring to FIG. 17, the fourth step of the present invention is a step of separating circuit board 11 on which individual electric circuits are formed. The details of this step are the same as those of the fifth step of the second embodiment, and a description thereof will be omitted. Further, as a method for dividing each circuit board 11, a method other than the method using the round cutter 41 shown in FIG. That is, each circuit board 11 can be separated by a known dicing method, a chocolate break method, or the like.
[0062]
Further, in the above description, the sealing method using the pellet (F pellet) or the solidified resin (E pellet) in which the solidified resin is formed on the reinforcing sheet has been described. There is also a method in which a sealing material such as an epoxy resin is formed and the entire surface is coated. When the entire surface of the sealing material is coated as described above, the circuit board 11 and the sealing material are simultaneously separated in the step of separating the circuit boards 11.
[0063]
【The invention's effect】
According to the present invention, the following effects can be obtained.
[0064]
First, in the hybrid integrated circuit device of the present invention, the connection strength between the
[0065]
Second, in the method of manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention, a plurality of electric circuits formed on the
[0066]
Third, in the method of manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention,
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view (A), a sectional view (B), and a sectional view (C) of a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 2 is a plan view (A) and an enlarged view (B) of a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 3 is a plan view (A) and a cross-sectional view (B) of the hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIGS. 4A and 4B are a plan view and a perspective view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention. FIGS.
FIGS. 5A and 5B are a perspective view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention; FIGS.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
8A and 8B are a cross-sectional view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
9A and 9B are a cross-sectional view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
10A and 10B are a cross-sectional view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
11A and 11B are a perspective view (A) and a sectional view (B) illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 13 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 14 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
FIG. 15 is a perspective view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device of the present invention.
16A and 16B are a cross-sectional view and a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a hybrid integrated circuit device according to the present invention.
FIG. 17 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the hybrid integrated circuit device of the present invention.
18A and 18B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a conventional hybrid integrated circuit device.
FIG. 19 is a plan view illustrating a conventional hybrid integrated circuit device.
FIG. 20 is a plan view illustrating a method for manufacturing a conventional hybrid integrated circuit device.
Claims (21)
前記導電パターンと前記リードとが固着する箇所で両者の機械的接続を補強する絶縁性樹脂とを有することを特徴とする混成集積回路装置。A substrate having at least a surface insulated, an electric circuit including a conductive pattern formed on the surface of the substrate and a circuit element fixed on the conductive pattern, and a circuit fixed to the conductive pattern at a peripheral portion of the substrate Having a lead and a frame-shaped case material surrounding the electric circuit on the substrate,
A hybrid integrated circuit device, comprising: an insulating resin that reinforces a mechanical connection between a portion where the conductive pattern and the lead are fixed.
前記導電パターンと前記リードとが固着される箇所まで延在した前記封止樹脂により、両者の機械的接続を補強することを特徴とする混成集積回路装置。A substrate having at least a surface insulated, an electric circuit including a conductive pattern formed on the surface of the substrate and a circuit element fixed on the conductive pattern, and a circuit fixed to the conductive pattern at a peripheral portion of the substrate A lead and a sealing resin for resin-sealing the electric circuit by mounting and melting and curing a pellet in which the powder resin before heat curing is integrated on the electric circuit,
A hybrid integrated circuit device, wherein a mechanical connection between the conductive pattern and the lead is reinforced by the sealing resin extending to a location where the lead is fixed.
前記各電気回路にリードを固着する工程と、
前記基板上の前記各電気回路を囲む枠状のケース材を前記金属基板に固着する工程と、
前記リードが固着される箇所に絶縁性樹脂を形成する工程と、
個々の前記電気回路が形成された回路基板を分離する工程とを有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A step of configuring a large number of electric circuits on the surface of the metal substrate,
Fixing a lead to each of the electric circuits;
Fixing a frame-shaped case material surrounding the electric circuits on the substrate to the metal substrate,
A step of forming an insulating resin at a place where the lead is fixed,
Separating the circuit board on which the individual electric circuits are formed.
前記金属基板の表面の前記電気回路同士の境界線に対応する箇所に分離溝を形成する工程と、
前記各電気回路にリードを固着する工程と、
熱硬化前の粉末樹脂が一体化されたペレットを、前記電気回路上に載置して溶融硬化させることにより、前記電気回路を樹脂封止する工程と、
個々の前記電気回路が形成された回路基板を分離する工程とを有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。A step of configuring a large number of electric circuits on the surface of the metal substrate,
Forming a separation groove at a position corresponding to a boundary between the electric circuits on the surface of the metal substrate;
Fixing a lead to each of the electric circuits;
A step of resin-sealing the electric circuit by placing the pellets in which the powder resin before heat curing has been integrated and mounting and melting the resin on the electric circuit,
Separating the circuit board on which the individual electric circuits are formed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002316484A JP2004153004A (en) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002316484A JP2004153004A (en) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004153004A true JP2004153004A (en) | 2004-05-27 |
Family
ID=32460178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002316484A Pending JP2004153004A (en) | 2002-10-30 | 2002-10-30 | Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004153004A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015040868A1 (en) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Lead frame, electronic control device using lead frame, and lead-frame mounting method |
CN116884964A (en) * | 2023-08-04 | 2023-10-13 | 江苏诚盛科技有限公司 | LED chip packaging method |
-
2002
- 2002-10-30 JP JP2002316484A patent/JP2004153004A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015040868A1 (en) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Lead frame, electronic control device using lead frame, and lead-frame mounting method |
JP2015060958A (en) * | 2013-09-19 | 2015-03-30 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | Lead frame, electronic controller using lead frame, and lead frame mounting method |
CN105453259A (en) * | 2013-09-19 | 2016-03-30 | 日立汽车系统株式会社 | Lead frame, electronic control device using lead frame, and lead-frame mounting method |
US9780016B2 (en) | 2013-09-19 | 2017-10-03 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Lead frame, electronic control device using lead frame, and lead-frame mounting method |
CN116884964A (en) * | 2023-08-04 | 2023-10-13 | 江苏诚盛科技有限公司 | LED chip packaging method |
CN116884964B (en) * | 2023-08-04 | 2024-03-26 | 江苏诚盛科技有限公司 | LED chip packaging method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10770380B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
US10431529B2 (en) | Semiconductor device | |
TWI450373B (en) | Dual side cooling integrated power device package and module and methods of manufacture | |
US8008759B2 (en) | Pre-molded clip structure | |
US6482674B1 (en) | Semiconductor package having metal foil die mounting plate | |
JP4539773B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5930980B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2019091922A (en) | Semiconductor device | |
JP5169964B2 (en) | Mold package mounting structure and mounting method | |
JP4413054B2 (en) | Method for manufacturing hybrid integrated circuit device | |
JPH11330314A (en) | Semiconductor device structure, manufacture thereof, and lead frame used therefor | |
JP2009110980A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP2004153004A (en) | Hybrid integrated circuit device and method for manufacturing the same | |
JP4942452B2 (en) | Circuit equipment | |
JP5056429B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
KR20170095681A (en) | Power module and method for the same | |
JP2007201251A (en) | Semiconductor package, and manufacturing method thereof | |
JP2004134436A (en) | Hybrid integrated circuit device and its manufacturing method | |
US20070231968A1 (en) | Method for Producing an Electronic Circuit | |
JP2003273287A (en) | Semiconductor device | |
JP2004214464A (en) | Semiconductor device, package therefor and its manufacturing method | |
JP2004273807A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JP2004095936A (en) | Manufacturing method of circuit device | |
JPH11224916A (en) | Semiconductor device, wiring board, and manufacture thereof | |
TW200926390A (en) | Mask plate for packaging chip module and encapsulation method using the same |