JP2004134479A

JP2004134479A - ２次元キャリア分布測定用試料、２次元キャリア分布測定用試料の作製方法、および２次元キャリア分布の評価方法

Info

Publication number: JP2004134479A
Application number: JP2002295677A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Kikuchi; 菊地　吉男
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2002-10-09
Filing date: 2002-10-09
Publication date: 2004-04-30

Abstract

【課題】走査型プローブ顕微鏡による２次元キャリア分布の評価に適した２次元キャリア分布測定用試料の作製方法を提供する。
【解決手段】２次元キャリア分布測定用試料の作製方法は、測定対象領域が形成された基板上に膜厚が１μｍ以上の薄膜を堆積する工程と、薄膜上にダミーウエハを接着する工程と、測定対象領域の断面が露出するように基板と垂直な方向に切断する工程と、切断面を鏡面研磨する工程とを含む。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２次元キャリア分布測定用試料の作成方法と、このような試料を用いた２次元キャリア分布の評価方法に関し、特に、半導体デバイスにおけるキャリアの２次元分布の形状を精度よく評価するための試料作製技術と、評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超ＬＳＩの高集積化に伴い、キャリアの２次元分布をナノメーターの分解能で制御する技術が必要になってきている。特に、０．１μｍ以下の世代の微細化のレベルになると、ゲート電極下でのキャリア分布の形状が、直接半導体デバイスのトランジスタ特性に影響することになる。
【０００３】
従来、不純物の分布を測定する技術としては、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析法）が広く用いられてきた。この手法は高感度で有効であるが、１次元でしか測定出来ないという欠点がある。一方、２次元的には、断面ＴＥＭ（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察用の試料に電子ビームを収束させることにより、ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：エネルギー分散Ｘ線分光）やＥＥＬＳ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｌｏｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：電子エネルギー損失分光）などの分析をおこなう手法も多く利用されている。ただし、この手法も、空間分解能的を上げると感度に問題があり、まだ改良の余地が残されている。
【０００４】
このため、導電性の探針（プローブ）を直接試料表面に接触させ、探針と試料の間に電圧を印可しながら走査させて探短と試料との間の容量の変化を測定することによって試料中のキャリア分布を得る走査型容量顕微鏡（ＳＣＭ：ＳｃａｎｎｉｎｇＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）や、同じく電圧を印加しながら試料上に探針を走査して試料中の局所的拡がり抵抗の分布を測定することによってキャリア分布を得る装置（ＳＳＲＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ　Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が開発され、２次元的にキャリア分布を測定する技術として有望視されている。
【０００５】
これらの装置を用いて、ゲート電極下でのキャリアの２次元分布等を測定するためには、ゲート電極を含むソース・ドレイン領域の断面を、ほとんど傾斜のない状態で鏡面に研磨する必要がある。
【０００６】
このような試料作成技術としては、従来の断面ＴＥＭ観察する際の試料作製手法の応用が有効であることが知られている（たとえば、非特許文献１参照）。図５に、従来の断面ＴＥＭ観察用の試料作成工程の概略を示す。
【０００７】
まず、図５（ａ）に示すように、測定対象領域であるゲート１０２およびソース・ドレイン１０３が形成された半導体基板１０１に、ダミーウエハ１０５を接着する。次に、図５（ｂ）に示すように、スライサーで短冊状に切断する。切断面には、ゲート１０２およびソース・ドレイン１０３の断面が露出し、基板１０１とダミーウエハ１０５との間に接着層１０６が介在する。次に、図５（ｃ）に示すように、研磨盤１１１を用いて切断面を鏡面研磨する。
【０００８】
【非特許文献１】
“Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ　（ＳＣＭ）”，　Ｓｕｐｐｏｒｔ　Ｎｏｔｅ　Ｎｏ．　２８９，　Ｒｅｖ．　Ａ，　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ　Ｖｅｅｃｏ　Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ　Ｇｒｏｕｐ，　Ｓａｎｔａ　Ｂａｒｂａｒａ，　ＣＡ９３１１７，　Ｊａｎｕａｒｙ　３１，　２０００，　ｐｐ２８９−４３　ｔｏ　２８９−５１
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来の試料作成工程による切断面を鏡面研磨した場合、図５（ｄ）に示すように、接着層１０６の近傍でのだれ１２０を避けることはできない。鏡面研磨により、柔らかい接着層１０６の部分が先にけずれ、接着層の近傍が落ち込むからである。このような鏡面研磨の結果、ゲート１０２およびソース・ドレイン１０３を含む測定領域がだれ１２０の中に入ってしまい、測定対象領域が湾曲、あるいは斜めに傾斜する。このような測定領域に探針（プローブ）を走査させると、被走査面に対する接触力や接触角度、あるいは接触面積に悪影響をあたえ、ＳＣＭ測定やＳＳＲＭ測定の信頼性が低下する。このような接触のばらつきによる信頼性の低下は、特に高精度の測定をする際に問題になる。
【００１０】
一方、収束イオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ）を表面研磨に適用する方法が考えられるが、イオンで研磨した後の表面には、使用したイオンのアモルファス層が形成される。このため、信号雑音比（Ｓ／Ｎ）が悪くなり測定用試料の作製には適さないことがわかっている。
【００１１】
これらの問題点に鑑みて、測定対象領域でのだれを防止し、正確な測定を可能にする２次元キャリア分布測定用試料が望まれている。なお、本件特許出願と同一出願人による特願２００２−１２８６５３に、測定用試料の作製について別の提案がなされている。
【００１２】
本発明は、測定対象領域にだれがなく、ＳＣＭ測定やＳＳＲＭ測定に耐え得る断面形状の２次元キャリア分布測定用試料を提供することを目的とするものである。
【００１３】
また、このような２次元キャリア分布測定用試料の作製方法の提供を目的とする。
【００１４】
さらに、このような方法で作製された試料を用いて、２次元キャリア分布を高精度に評価する方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、まずＳＣＭやＳＳＲＭにより測定する測定領域でのだれを解消するために、測定領域を接着面から十分離す構成を採用する。具体的には、基板をダミーウエハと接着する前に、測定試料表面に十分な膜厚を有する薄膜を堆積する。
【００１６】
第１の側面においては、２次元キャリア分布測定用の試料は、基板と、基板に形成された測定対象領域と、基板および測定対象領域に位置する薄膜と、薄膜上に位置するダミーウエハと、積層方向に沿って前記測定対象領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備える。
【００１７】
測定領域上に位置する薄膜は、１μｍ以上の膜厚を有するアモルファス層であることが好ましい。アモルファス層とすることによって、基板に対する応力などの影響を低減する。また、膜厚を１μｍ以上とすることによって、接着面から十分に離れた位置で、測定領域の断面が湾曲や傾きのない平坦な鏡面研磨面に現われる。
【００１８】
アモルファス層は、基板とほぼ等しい硬度を有することが望ましい。これにより、研磨速度のばらつきを低減し、研磨後の平坦さを保証する。
【００１９】
また、ダミーウエハは、測定対象領域がターゲットとする所望のキャリア濃度を有する領域を有することが望ましい。これにより、作製された試料で２次元キャリアの分布を測定する際に、ダミーウエハに形成されたキャリア濃度の領域を参照することによって、２次元キャリア分布が迅速かつ容易に校正できる。
【００２０】
第２の側面では、上述した２次元キャリア分布測定用試料の作製方法を提供する。この方法は、以下の工程を含む。
（ａ）測定対象領域が形成された基板上に厚さ１μｍ以上の薄膜を形成する。
（ｂ）薄膜上にダミーウエハを接着する。
（ｃ）測定対象領域の断面が露出するように前記基板と垂直な方向に切断する。
（ｄ）切断面を鏡面研磨する。
【００２１】
薄膜の堆積は、基板へのストレス等の影響を考えた場合、アモルファス状態で低温堆積するのが好ましい。具体的には、プラズマ重合や、ＴＥＯＳ等の原料ガスを用いた低温酸化膜の堆積を利用することができる。
【００２２】
上記の作製方法は、ダミーウエハに、あらかじめ測定領域がターゲットとする所望のキャリア濃度の領域を形成する工程をさらに含む。試料を用いて実際に２次元キャリア分布を評価する際の校正を容易にする。
【００２３】
第３の側面では、２次元キャリア分布測定用試料を用いて、２次元キャリア分布を評価する方法を提供する。この評価方法は以下の工程を含む。
（ａ）不純物拡散領域が形成された基板と、前記基板および不純物拡散領域を覆う膜厚が１μｍ以上の薄膜と、前記薄膜上に接着されたダミーウエハと、積層方向に沿って不純物拡散領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備える２次元キャリア分布測定用の試料を準備する。
（ｂ）走査型プローブ顕微鏡を用いて、研磨面で露出した不純物拡散領域の２次元キャリア分布を評価する。
【００２４】
走査型プローブ顕微鏡は、たとえば走査型拡がり抵抗顕微鏡である。この場合、評価方法は、走査型拡がり抵抗顕微鏡を用いて前記研磨面で基板の拡がり抵抗を測定する工程と、測定した抵抗値をキャリア濃度に変換する工程とをさらに含む。
【００２５】
走査型プローブ顕微鏡として、走査型容量顕微鏡を用いることもできる。この場合、評価方法は、当該走査型容量顕微鏡を用いて前記研磨面で基板の容量を測定する工程と、測定した容量をキャリア濃度に変換する工程とをさらに含む。
【００２６】
測定に用いた２次元キャリア分布測定用試料は、キャリア分布の測定対象領域が平坦な鏡面上に露出するので、プローブの接触力や接触角度が一定し、基板容量や拡がり抵抗を測定領域全体にわたって正確に測定することができる。したがって、たとえば、シリコンデバイスのソース・ドレイン領域でのｐ／ｎ接合の位置の確認や、エクステンションの形状をナノメーターのオーダーで正確に評価することができる。この技術は、ＣＭＯＳプロセスの管理に有効に適用できる。
【００２７】
試料準備工程は、前記ダミーウエハに所望のキャリア濃度の領域を形成する工程を含む。また、評価工程は、測定対象領域と所望のキャリア濃度の領域とを同時に測定する工程と、この測定結果をもとに２次元キャリア分布を校正する工程とをさらに含む。これにより、２次元キャリア分布の校正が容易になる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態に係る２次元キャリア分布測定用の試料の作製工程を示す図である。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン（Ｓｉ）基板１１上にゲート１２およびソース・ドレイン１３が形成されたチップを、サンプル用に切り出し、このチップの基板１１上に、膜厚１μｍ以上の薄膜２１を形成する。薄膜２１として、たとえばアモルファス層２１を低温で堆積する。基板１１への応力等の影響を低減するためである。アモルファス層２１は、基板１１と同程度の硬度を有し、低温で堆積できる層であれば、その種類は問わない。低温でのアモルファス層の堆積方法として、ＴＥＯＳ等を材料ガスに用いた低温酸化膜の堆積や、プラズマ重合の利用が有効である。
【００３１】
なお、図１（ａ）では、説明の便宜上、ゲート１２およびソース・ドレイン領域１３上にのみアモルファス層２１が堆積されているように図示されているが、アモルファス層２１は、基板１１の全面に堆積されるものとする。図２（ａ）に、基板１１上にゲート絶縁膜１４を介して形成されたゲート１２、およびソース・ドレイン領域１３を覆ってアモルファス層２１を堆積した状態の断面図を示す。
【００３２】
次に、図１（ｂ）に示すように、アモルファス層２１を堆積したチップに、ダミーウエハ１５を接着する。接着剤として、たとえばエポキシ系のものを用いる。このとき、接着層をできるだけ薄くすることが望ましい。ダミーウエハ１５は、測定対象領域がターゲットとする範囲の抵抗値を有する。図１の例における測定対象領域は、ソース・ドレイン１３を含む基板領域である。
【００３３】
次に、図１（ｃ）に示すように、ダミーウエハ１５を接着したチップを短冊状に切断する。以降の鏡面研磨工程を考えた場合、スライサーよりも、ダイシングソーで、レジンボンドに２０００番〜３０００番のダイヤモンドの粒子を埋め込んだものを用いる方が望ましい。短冊状に切断した切断面は、図２（ｂ）に示すとおりである。
【００３４】
次に、図１（ｄ）に示すように、切断面に鏡面研磨工程を示す。鏡面研磨の最終処理として、コロイダルシリカを用いた鏡面処理を付加することが望ましい。
【００３５】
このような作製工程を経た結果、図１（ｅ）に示す２次元キャリア分布測定用の試料３０が完成する。試料３０は、基板１１と、基板１１に形成されたゲート１２およびソース・ドレイン１３を含む測定対象領域と、基板１１と測定対象領域上に位置するアモルファス層２１と、アモルファス層２１上に位置するダミーウエハ１５と、これらの積層方向に沿って測定対象領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備える。
【００３６】
図１（ｅ）に示すように、鏡面研磨の結果、接着層１６の近傍のダミーウエハ１５およびアモルファス層２１にだれ２５が生じる。しかし、測定対象領域となるソース・ドレイン１３の断面領域は接着層１６から離れ、だれのない平坦な鏡面で形成される。
【００３７】
このようにして作製された２次元キャリア分布測定用の試料３０は、ＳＣＭ（走査型容量顕微鏡）やＳＳＲＭ（走査型拡がり抵抗顕微鏡）などの走査型プローブ顕微鏡を用いた２次元キャリア分布の評価に適しており、高精度な２次元キャリア分布の測定を可能にする。
【００３８】
また、このような試料３０を用いることによって、ＣＭＯＳプロセスでの工程管理を正確かつ効率的にすることができる。
【００３９】
図３および４は、図１に示す工程で作製された２次元キャリア分布測定用試料３０と、走査型プローブ顕微鏡を用いて、実際に２次元キャリア分布を評価する手法を示す図である。図３では、ＳＣＭ（走査型容量顕微鏡）を用いた評価方法を、図４ではＳＳＲＭ（走査型拡がり抵抗顕微鏡）を用いた評価方法を説明する。
【００４０】
図３において、ＳＣＭは電気容量センサ５０を装備した導電性プローブ４０ａを有する。プローブ４０ａに交流電圧を印加しながら、プローブ４０ａの先端を、断面形状が試料の鏡面に現われる測定領域に沿って走査させる。実際の測定では、鏡面に自然酸化膜（ＳｉＯ_２　膜）１８が形成されており、ＳｉＯ_２　膜１８を介してプローブ４０ａを走査することになる。プローブ４０ａと基板１１との間の静電容量Ｃｓｉは、基板中のキャリア濃度によって変化する。キャリア濃度が低いほど容量の変化が大きく、コントラストが大きくなる。測定された静電容量は、たとえばトランジスタの静電容量分布モデルを用いたシミュレーションにより、キャリア濃度に変換され、等高線で表わされる画像として出力される。
【００４１】
本発明の実施形態により作製された試料３０は、だれのない平坦な鏡面上に測定対象領域の断面形状を有するので、プローブ４０ａの鏡面に対する接触角度が一定し、測定精度が向上する。
【００４２】
図４において、ＳＳＲＭはログアンプを装備した導電性プローブ４０ｂを有し、プローブ４０ｂと半導体基板１１の間に電圧を印加しながら、プローブ４０ｂを鏡面に形成された測定領域上に走査する。走査時に、プローブ４０ｂの先端を基板１１に対して押圧する。測定したいのは、基板１１中に局所的に拡がるサンプル抵抗Ｒ２である。一方、プローブ４０ｂの先端と基板１１との接触点に、接触抵抗Ｒ１が存在する。プローブ４０ｂを基板１１に対して押圧することにより、接触抵抗Ｒ１をターゲットであるサンプル抵抗Ｒ２よりもはるかに小さくする。たとえば、約１０ＧＰａの押し込みで、Ｒ１＜＜Ｒ２になる。なお、図示はしないが、図４においても、基板１１上の鏡面に自然酸化膜が形成されており、この自然酸化膜を塑性変形させるように押圧する。測定された拡がり抵抗はログアンプを介して出力され、キャリア濃度に変換される。
【００４３】
拡がり抵抗を測定する場合、測定領域が湾曲したり、傾斜したりすると、プローブ４０ｂの基板１１に対する接触力に影響し、正確な抵抗値を得ることができない。この点、図１の工程で作製された試料３０は、測定対象領域が平坦な鏡面で構成されるため、接触力を一定に維持しながら、精度よく拡がり抵抗を測定することができる。
【００４４】
なお、図３および図４に示す測定例において、ダミーウエハ１５にあらかじめ、測定対象領域（たとえばゲート１２およびソース・ドレイン１３を含む基板領域）がターゲットとする、所望のキャリア濃度の領域を形成しておく。所望のキャリア濃度の領域は、図１に示す接着層１６を挟んで基板１１上の測定対象領域と対象となる位置に形成するのが望ましい。これにより、ダミーウエハ１５上の所望のキャリア濃度の領域の断面も、平坦な鏡面として構成することができる。
【００４５】
図３または図４の走査型プローブ顕微鏡を用いた測定時には、試料３０の測定対象領域と、あらかじめダミーウエハ１５に形成された所望の（ターゲットとする）キャリア濃度領域とを、同時に走査する。そして、双方の領域の測定値の一致に基づいて、２次元キャリア分布を校正する。このように、あらかじめダミーウエハ１５に形成されたキャリア濃度の領域の抵抗値、あるいは静電容量値を参照することにより、シミュレーションなしで測定結果を容易に校正することができる。
（付記１）　基板と、前記基板に形成された測定対象領域と、前記基板および測定対象領域に位置する薄膜と、前記薄膜上に位置するダミーウエハと、積層方向に沿って前記測定対象領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備えることを特徴とする２次元キャリア分布測定用試料。
（付記２）　前記薄膜は、アモルファス層であることを特徴とする付記１に記載の２次元キャリア分布測定用試料。
（付記３）　前記薄膜の膜厚は１μｍ以上であることを特徴とする付記１または２に記載の２次元キャリア分布測定用試料。
（付記４）　前記薄膜は、前記基板とほぼ等しい硬度を有することを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の２次元キャリア分布測定用試料。
（付記５）　前記ダミーウエハは、前記測定対象領域がターゲットとする所望のキャリア濃度の領域を有することを特徴とする付記１に記載の測定用試料。
（付記６）　測定対象領域が形成された基板上に膜厚が１μｍ以上の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にダミーウエハを接着する工程と、前記測定対象領域の断面が露出するように前記基板と垂直な方向に切断する工程と、前記切断面を鏡面研磨する工程とを含むことを特徴とする２次元キャリア分布測定用試料の作製方法。
（付記７）　前記薄膜形成工程は、低温でアモルファス層を堆積する工程であることを特徴とする付記６に記載の２次元キャリア分布測定用試料の作製方法。
（付記８）　前記ダミーウエハに、あらかじめ前記測定領域がターゲットとする所望のキャリア濃度の領域を形成する工程をさらに含むことを特徴とする付記６に記載の２次元キャリア分布測定用試料の作製方法。
（付記９）　不純物拡散領域が形成された基板と、前記基板および不純物拡散領域を覆う厚さ１μｍ以上の薄膜と、前記薄膜上に接着されたダミーウエハと、積層方向を垂直に延び前記不純物拡散領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備える２次元キャリア分布測定用の試料を準備する工程と、
走査型プローブ顕微鏡を用いて、前記研磨面で露出した不純物拡散領域の２次元キャリア分布を評価する工程と
を含むことを特徴とする２次元キャリア分布の評価方法。
（付記１０）　前記走査型プローブ顕微鏡は走査型拡がり抵抗顕微鏡であり、当該走査型拡がり抵抗顕微鏡を用いて前記研磨面で前記基板の拡がり抵抗を測定する工程と、
前記測定した抵抗値をキャリア濃度に変換する工程と
をさらに含むことを特徴とする付記９に記載の２次元キャリア分布の評価方法。
（付記１１）　前記走査型プローブ顕微鏡は、走査型容量顕微鏡であり、当該走査型容量顕微鏡を用いて前記研磨面で前記基板の容量を測定する工程と、
前記測定した容量をキャリア濃度に変換する工程と
をさらに含むことを特徴とする付記９に記載の２次元キャリア分布の評価方法。
（付記１２）　前記試料準備工程は、前記ダミーウエハに所望のキャリア濃度の領域を形成する工程を含み、前記評価工程は、測定対象領域と所望のキャリア濃度の領域とを同時に測定する工程と、この測定結果をもとに２次元キャリア分布を校正する工程とをさらに含むことを特徴とする付記１０または１１に記載の２次元キャリア分布の評価方法。
【００４６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ＣＭＯＳプロセス等で、キャリアの２次元分布形状を高精度に評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る２次元キャリア分布測定用試料の作製工程を示す図である。
【図２】図１に示す作製工程において、アモルファス層を堆積した状態の断面形状と、ダミーウエハを重ねて切断した状態の断面形状を示す図である。
【図３】図１の工程で作製した２次元キャリア分布測定用の試料をＳＣＭ（走査型容量顕微鏡）測定に適用する評価方法を説明するための図である。
【図４】図１の工程で作成した２次元キャリア分布測定用の試料をＳＳＲＭ（走査型拡がり抵抗顕微鏡）測定に適用する評価方法を説明するための図である。
【図５】従来の２次元キャリア分布測定用の試料の作製工程を示す図である。
【符号の説明】
１１　シリコン基板
１２　ゲート
１３　ソース・ドレイン
１５　ダミーウエハ
２１　アモルファス層（薄膜）
３０　２次元キャリア分布測定用試料
４０ａ、４０ｂ　プローブ

Claims

基板と、
前記基板に形成された測定対象領域と、
前記基板および測定対象領域上に位置する薄膜と、
前記薄膜上に位置するダミーウエハと、
積層方向に沿って前記測定対象領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備えることを特徴とする２次元キャリア分布測定用試料。
前記薄膜は、アモルファス層であることを特徴とする請求項１に記載の２次元キャリア分布測定用試料。
測定対象領域が形成された基板上に膜厚が１μｍ以上の薄膜を堆積する工程と、
前記薄膜上にダミーウエハを接着する工程と、
前記測定対象領域の断面が露出するように前記基板と垂直な方向に切断する工程と、
前記切断面を鏡面研磨する工程と
を含むことを特徴とする２次元キャリア分布測定用試料の作製方法。
不純物拡散領域が形成された基板と、前記基板および不純物拡散領域を覆う膜厚が１μｍ以上の薄膜と、前記薄膜上に接着されたダミーウエハと、積層方向に沿って前記不純物拡散領域の断面を平坦に露出させた研磨面とを備える２次元キャリア分布測定用の試料を準備する工程と、
走査型プローブ顕微鏡を用い、前記研磨面で露出する不純物拡散領域の２次元キャリア分布を評価する工程と
を含むことを特徴とする２次元キャリア分布の評価方法。
前記試料準備工程は、前記ダミーウエハに所望のキャリア濃度の領域を形成する工程を含み、
前記評価工程は、前記測定対象領域と、前記所望のキャリア濃度の領域とを同時に測定する工程と、この測定結果をもとに２次元キャリア分布を校正する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の評価方法。