JP2004133762A - データキャリア及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ユーザの使用形態に応じた所望の位置に接続用端子を容易に形成することができるようにする。
【解決手段】ICパッケージ14内に形成されているICチップの電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の一側面に形成されている端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを介して電気的に接続することにより、端子14a〜14fを形成する位置の自由度を大幅に向上させることができるようにして、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子14a〜14fを形成することができるようにし、ICチップを最初から設計する手間及び費用を削減することができるようにする。
【選択図】 図1
【解決手段】ICパッケージ14内に形成されているICチップの電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の一側面に形成されている端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを介して電気的に接続することにより、端子14a〜14fを形成する位置の自由度を大幅に向上させることができるようにして、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子14a〜14fを形成することができるようにし、ICチップを最初から設計する手間及び費用を削減することができるようにする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、データキャリア及びその製造方法に関し、特に、データキャリア上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部とICチップの一側面上に形成された電極パッドとを接続するために用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路により構成されるIC(integrated Circuit)チップと、上記ICチップと電気的に接続されたアンテナコイルパターンとを有するデータキャリアが従来から知られている。
【0003】
このようなデータキャリアにおいては、上記ICチップと上記アンテナコイルパターンとの接続を以下のような方法で行っていた。
第1の方法は、COB(Chip ON board)方式と称される方法により上記ICチップと、上記アンテナコイルパターンとを接続する方法である。この第1の方法では、まず、上記アンテナコイルパターンが形成された基板やフィルム上に上記ICチップを搭載する。
【0004】
次に、上記アンテナコイルパターンの両端部と、上記ICチップの一側面上に形成されている電極パッドとを細い金属線からなるワイヤーで接続して、上記アンテナコイルパターンの両端部と、上記ICチップ上に形成されている電極パッドとを電気的にそれぞれ接続する。そして、上記アンテナコイルパターンの両端部と電極パッドとが電気的に接続されたICチップを樹脂で封止する。
【0005】
第2の方法は、モールドパッケージ方式と称される方法により上記ICチップの電極パッドと、上記アンテナコイルパターンの両端部とを接続する方法である。この第2の方法では、まず、上記ICチップ上に形成された電極パッドにリードを接続する。
【0006】
次に、上記リードが接続されたICチップを樹脂で封止してモールドパッケージを形成する。次に、上記モールドパッケージから引き出されているリードを所望の形状に加工する。そして、基板上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部と、上記所望の形状に加工されたリードとを接続して、上記アンテナコイルパターンと上記ICチップとを電気的に接続する。
【0007】
このように、COB方式及びモールドパッケージ方式を用いてデータキャリアを製造する場合には、上記ICチップの全体を樹脂などで覆うようにしているので、従来はデータキャリアのサイズが大きくなってしまうという問題があった。
【0008】
このような問題を解決する技術として、フリップチップ方式と称される方法により上記ICチップと、上記アンテナコイルパターンとを接続する方法がある。この方法では、まず、上記ICチップ上に形成された電極パッド上に端子(バンプ)を形成する。そして、上記形成したバンプと、基板やフィルム上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部とを接続して、上記アンテナコイルパターンと、上記ICチップとを電気的に接続する。
【0009】
ここで、上述したフリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成について説明する。
図7は、従来の技術を示し、フリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成図である。図7(a)は、上記データキャリアの平面図である。また、図7(b)は、図7(a)のA−A´線に沿うデータキャリアの断面図である。
【0010】
図7に示すように、データキャリア71は、ICチップ72の電極パッド72a、72b上に形成されたバンプ73a、73bと、ポリイミドフィルム74上に形成された銅などからなるアンテナコイルパターン75の両端部とを接続して構成されている。
【0011】
このとき、一方のバンプ73aと、アンテナコイルパターン15の一方の端部とは直接接続することができる。これに対し、他方のバンプ73bと、アンテナコイルパターン75の他方の端部については、絶縁層76上に形成された導電層77を介して接続する必要がある。
【0012】
上記フリップチップ方式で形成されたデータキャリア71では、ICチップ72をアンテナコイルパターン75の両端部に直接接続するようにしているので、データキャリアを小さく形成することができるという利点がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したフリップチップ方式で形成されたデータキャリア71では、ICチップ72の電極パッド72a、72bの位置に合わせて端子(バンプ)73a、73bの位置を決定しなければならなかったため、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子(バンプ)73a、73bを形成することが困難であるという問題点があった。
【0014】
本発明は、前述の問題点にかんがみてなされたものであり、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に接続用端子を容易に形成することができるようにすることを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明のデータキャリアは、基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアであって、上記ICパッケージは、上記半導体集積回路が構成されたICチップと、上記ICチップの一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドと、上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子と、上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるように構成された一方及び他方のコイル接続用配線層とを有することを特徴としている。
【0016】
本発明のデータキャリアの製造方法は、基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアの製造方法であって、上記半導体集積回路が構成されたICチップの一側面上に一方及び他方のコイル接続用電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子を形成する接続用端子形成工程と、上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるコイル接続用配線層を形成する接続用配線層形成工程とを有することを特徴としている。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
次に、添付の図面を参照しながら、本発明のデータキャリア及びその製造方法の第1の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
図1に示すように、データキャリア11は、基材12上にアンテナコイルパターン13を形成するとともに、ICパッケージ14を配設して構成されている。なお、データキャリア11は、RFID(Radio Frequency Import Date)タグや非接触ICカードなどとして用いられるものである。
【0018】
基材12としては、例えば、ガラスエポキシ製またはポリイミド製の基板や、ポリイミド製のフィルムなどが用いられる。
【0019】
アンテナコイルパターン13は、基材12上に形成されたコイル状のパターンであり、外部のリーダ/ライタ装置から送信される各種データを受信したり、データキャリア11から所定のデータを上記リーダ/ライタ装置に送信したりするためのものである。具体的な構成を説明すると、このアンテナコイルパターン13は、銅などの導電体を用いて形成され、約150[μm]の幅を有している。さらに、このアンテナコイルパターン13は、約150[μm]の間隔を開けてコイル状に形成されている。
【0020】
ICパッケージ14は、半導体集積回路からなるICチップを後述するようにしてパッケージングして構成されたものであり、基材12上に搭載される。なお、上記ICチップは、上記アンテナコイルパターン13で受信した各種データを入力して記憶する機能を有している。
【0021】
また、ICパッケージ14の一側面上には、第1のコイル端子14aと、第2のコイル端子14bと、電源端子(VDD)14cと、グランド端子(GND)14dと、第1の入出力端子(I/O1)14eと、第2の入出力端子(I/O2)14fとが形成されている。
【0022】
第1のコイル端子14aは、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン13の一端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン13と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0023】
第2のコイル端子14bは、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン13の他端部とを電気的に接続して、アンテナコイルパターン13と上記半導体回路内との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0024】
なお、図1に示すように、第2のコイル端子14bとアンテナコイルパターン13の他端部との接続は、基材12に形成されているスルーホール12a、12bと、基材12の裏面(アンテナコイルパターン13が形成されていない面)に形成されたパターン12cとを介して行われる。
【0025】
電源端子14cとグランド端子14dは、図示しない外部電源と、上記ICチップ内に形成されている半導体回路とを電気的に接続して、上記半導体回路に電力を供給するための端子である。
第1の入出力端子14eと第2の入出力端子14fは、図示しない外部装置と、上記外部装置とデータのやり取りを行うために上記半導体回路とを電気的に接続するための端子である。
【0026】
そして、本実施の形態のデータキャリア11では、ICパッケージ14上の所望の位置に上述した各端子14a〜14fを配置することができるように、ICパッケージ14をWCSP(Wafer Level Chip Size Package)としている。
【0027】
図2は、本発明の第1の実施の形態を示し、ICパッケージ14の概略構成を示した図である。図2(a)は、ICパッケージ14の平面図である。また、図2(b)は、図2(a)のA−A´線に沿うICパッケージ14の断面図である。
【0028】
図2において、ICパッケージ14は、ICチップ21と、電極パッド22a〜22fと、絶縁層23と、再配線層24a〜24fと、ポスト25a〜25fと、封止樹脂層26と、上述した端子14a〜14f等により構成されている。
【0029】
また、本実施の形態のICチップ21は、2.35×2.42[mm]の大きさに構成されている。なお、上述したように、このICチップ21の内部には図示しない半導体回路が形成されている。
【0030】
上記電極パッド22a〜22fはICチップ21上に形成され、ICチップ21内に形成されている半導体回路の配線の端部と電気的に接続されている。なお、この電極パッド22a〜22fは、例えばアルミニウムなどを用いて形成され、例えば1[μm]程度の厚さに構成されている。
【0031】
絶縁層23は、電極パッド22a〜22fのうちの少なくとも一部のみを導通させるために、ICチップ21上の所定領域に形成される層である。この絶縁層23は、例えばポリイミド(高分子感光性樹脂)などを用いて形成され、例えば1[μm]程度の厚さを有している。
【0032】
再配線層24a〜24fは、電極パッド22a〜22fと絶縁層23の所定領域上に形成される導電体製の層である。すなわち、例えば再配線層24aは、電極パッド22aと、ポスト25aとを電気的に接続するためにパターン化された導電体製の層である。この再配線層24a〜24fは、例えば、銅を用いて形成され、0.7[μm]程度の厚さで構成されている。なお、以下の説明では、必要に応じて、再配線層24a〜24fが形成される領域を再配線層形成領域と称する。このように、本実施の形態では、再配線層24a、24bによりコイル接続用配線層が構成される。また、再配線層24c〜24fにより外部接続用配線層が構成される。
【0033】
ポスト25a〜25fは、再配線層24a〜24f上の所定の領域にそれぞれ形成される円柱形状の導電物である。このポスト25a〜25fは、例えば、再配線層24a〜24fと同様の材料を用いて形成され、100[μm]程度の高さに構成されている。なお、以下の説明では、必要に応じて、ポスト25a〜25fが形成される領域をポスト形成領域と称する。
【0034】
封止樹脂層26は、絶縁体層23と再配線層24の上方で、ポスト25a〜25fが形成されている領域以外の領域を被覆するように形成される絶縁物である。この封止樹脂層26は、例えば、エポキシ樹脂などを用いて形成され、ポスト25a〜25fと同程度の高さで構成されている。
【0035】
各端子14a〜14fは、ポスト25a〜25fの上面と、ポスト25a〜25fに電気的に接続された半円球状の半田で構成されている。各端子14a〜14fは、例えば直径500[μm]程度の大きさに構成されている。
【0036】
このように、本実施の形態では、ポスト25a、25bと、第1及び第2のコイル端子14a、14bとによりコイル接続用端子が構成されている。また、ポスト25c〜25fと、電源端子14c、グランド端子14d、第1の入出力端子14e、及び第2の入出力端子14fとにより外部接続用端子が構成されている。
【0037】
次に、本実施の形態のデータキャリア11の製造方法について説明する。
図3は、本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリア11の製造工程の概略を説明する製造工程断面図である。また、図4は、図3に続くデータキャリア11の製造工程の概略を説明する製造工程断面図である。なお、図3及び図4では、図2(a)のA−A´線に沿う断面図を示している。
【0038】
まず、図3(a)に示すように、例えば直径6[inch](約15.24[cm])、厚さ200[μm]のシリコン基板31の上面に、アルミニウム層を形成した後、フォトエッチングなどを行って電極パッド22a〜22fを形成する。なお、シリコン基板31には、前工程により所望の構成の半導体回路が形成されている。
【0039】
次に、図3(b)に示すように、シリコン基板31と電極パッド22a〜22fの上面に、絶縁層23用のポリイミド層を形成した後、電極パッド22a〜22fが形成されている領域をフォトエッチングなどにより開口させる。
【0040】
次に、図3(c)に示すように、電極パッド22a〜22fと電気的に接続させて再配線層24a〜24fを形成する。上記再配線層24a〜24fの形成工程を具体的に説明すると、電極パッド22a〜22fと絶縁層23の上面のうち、上記再配線層形成領域以外の領域に、レジストを形成する。このレジストは、例えばスパッタリングとフォトリソグラフィーを用いて形成する。そして、上記レジストにより露出された上記再配線形成領域に対して、電界めっきを施して再配線層24a〜24fを形成する。そして、剥離材を用いて上記レジストを除去する。
【0041】
次に、図3(d)に示すように、再配線層24上の所定の領域にポスト25を形成する。上記ポスト25の形成工程を具体的に説明すると、絶縁層23と再配線層24の上面のうち、上記ポスト25を形成する領域以外の領域に、レジストを形成する。このレジストは、例えばスパッタリングとフォトリソグラフィーを用いて形成する。そして、上記レジストにより露出されたポスト25を形成する領域に対して、電界めっきを施して所定数のポスト25a〜25fを形成する。そして、剥離材を用いて上記レジストを除去する。
【0042】
次に、図4(a)に示すように、ポスト25a〜25fが形成されている領域以外の領域を被覆するように封止樹脂層26を形成する。上記封止樹脂層26の形成工程を具体的に説明すると、絶縁体層23と再配線層24a〜24fとポスト25a〜25fの上面を覆うようにエポキシ樹脂を形成する。次に、上記エポキシ樹脂を所定の厚さだけ研磨することによりポスト25a〜25fの上面を露出させて封止樹脂層26を形成する。
【0043】
次に、図4(b)に示すように、ポスト25a〜25fに導通させて半円球状の半田を形成する。これにより、端子14a〜14fが形成される。こうしてウェハー32が形成される。
【0044】
次に、図4(c)に示すように、ウェハー32を切断して、2.35×2.42[mm]の大きさを有する複数のICパッケージ14を形成する。
【0045】
次に、図4(d)に示すように、アンテナコイルパターン13が形成された基材12の所定領域上に、端子14a〜14fを基材側12に対向させてICパッケージ14を実装する。この実装により、端子14a〜14fと、基材12側に形成されている所定の回路パターンとが半田づけされる。こうして、第1のコイル端子14a及び第2のコイル端子14bと、アンテナコイルパターン13の両端部とが電気的に接続される。
【0046】
図5は、本実施の形態のデータキャリア11と、従来のデータキャリアとを比較した結果を示した図である。なお、図5において、データキャリアの信頼性とは、データキャリアの耐湿性、温度サイクル、及び耐衝撃性などの諸特性を意味する。
【0047】
図5に示すように、COB方式及びモールドパッケージ方式で形成されたデータキャリアは、ICチップが保護されているために信頼性は高いが、サイズやコストの面で不利である。
【0048】
また、フリップチップ方式で形成されたデータキャリアは、ICチップを基板やフィルム上に直接貼り付ける構成であるので、サイズやコストの面では有利であるが、信頼性が低くなってしまう。
【0049】
これに対し、本実施の形態のデータキャリア11は、ICパッケージ14をWCSPとしているので、サイズ、コスト、及び信頼性の何れの点でも有利である。すなわち、図3及び図4に示したように、本実施の形態のデータキャリア11では、ICパッケージ14を製造する際に、ICチップ21が形成されている領域のみをパッケージングしているので、ICチップ21と同一の占有面積でICチップ21をパッケージングすることができるとともに、ICチップ21と殆ど変わらない高さでICチップ21をパッケージングすることができる。
【0050】
また、ウェハー32を形成する段階でパッケージングを行うようにしているので、製造コストを低くすることができる。
特に、2×2[mm]のサイズのICチップ21を用いて、データキャリア11を製造すると、上記の効果を顕著に得ることができると考えられる。
【0051】
以上のように本実施の形態では、ICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを用いて電気的に接続するようにしたので、従来のように、ICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22a〜22fの位置に制約されることなく上記ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fの位置をデータキャリアの要求特性に応じて自由に決定することができる。
【0052】
また、従来のフリップチップ方式で形成されたデータキャリアでは、図7で示した電極パッド72a、72bの形成ピッチが狭い場合(例えば150[μm]以下)、アンテナコイルパターン75とICチップ72とを接続するための端子73a、73b以外の端子を設けることが困難であった。
【0053】
このため、アンテナコイルパターン75の両端部とICチップ72とを接続するための端子73a、73b以外の端子を設けた構成のデータキャリア71を製造する場合、従来は、COB方式又はモールドパッケージ方式を採用せざるを得ないので、データキャリアが大きくなってしまう問題点があった。
【0054】
これに対し、本実施の形態のデータキャリア11は、ICチップ21の内部構成に従って一義的に定まる電極パッド22a〜22fの位置に制約されることなく、ICパッケージ14の外部に形成する端子14a〜14fの位置を自由に決定することができる。
【0055】
したがって、アンテナコイルパターンの両端部とICチップに形成される電極パッドとを電気的に接続する際に、これらの接続を容易に行うようにすることができる。すなわち、本実施の形態で説明した方法でデータキャリア11を製造すれば、多くの端子接続が必要なデータキャリアを設計した場合においても、データキャリアを小型化、薄型化することができる。
【0056】
また、上述したように、本実施の形態では、データキャリア11を製造するに際し、ICチップ21の回路構成に応じてその位置が一義的に定まる電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の外部に露出してデータキャリアの基材12側に形成された端子と電気的に接続される端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを用いて電気的に接続するようにしたので、再配線層24a〜24fの形成パターンを変更するだけで端子14a〜14fの位置を変更することができる。これにより、従来のようにICチップの回路構成を、上記ICパッケージ14の外部に露出してデータキャリアの基材12側に形成された端子と電気的に接続される端子14a〜14fの位置要求特性に応じて最初から設計しなおさなくても、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子14a〜14fを形成することができる。したがって、データキャリア1のコストを従来よりも大幅に低減させることができる。
【0057】
さらに、本実施の形態のデータキャリア11は、COB方式やモールドパッケージ方式のようにICチップ21の全体を覆わずに、ICチップ21の上方のみを封止するようにしたので、ICチップ21と他の構成部材とを容易に分離することができ、ICチップ21を容易にリサイクルして使用することができる。したがって、本実施の形態のデータキャリア1は、環境保護の観点からも有益なものである。
【0058】
なお、図3及び図4では、データキャリア11の製造方法の一例を説明したに過ぎず、データキャリア11の製造方法は、図3及び図4に示した方法に限定されず、WCSPの技術を用いてICパッケージ14を形成していれば、データキャリア11の製造方法はどのような方法であってもよい。すなわち、ウェハー処理の工程でパッケージングを行うことができ、且つICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22の位置とは無関係に、ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fの位置を決定することができる方法でICパッケージ14を形成することができれば、データキャリア11の製造方法はどのような方法であってもよい。
【0059】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【0060】
図6において、データキャリア61は、基材62と、アンテナコイルとして配設されるアンテナコイルパターン63と、ICパッケージ64等により構成されている。なお、本実施の形態のデータキャリア61は、RFID(Radio Frequency Import Date)タグや非接触ICカードなどとして用いられるものである。
【0061】
基材62は、例えば、ガラスエポキシ製またはポリイミド製の基板や、ポリイミド製のフィルムなどである。
アンテナコイルパターン63は、基材62上に形成されたコイル状のパターンであり、外部のリーダ/ライタ装置から送信される各種データを受信したり、データキャリア61から上記リーダ/ライタ装置に種々のデータを送信したりするためのものである。
【0062】
ICパッケージ64は、半導体回路が集積されたICチップ(図示せず)を上述した第1の実施の形態と同様にしてパッケージングして構成されたものである。そして、ICパッケージ64の裏面上には、第3のコイル端子64aと、第4のコイル端子64bとが形成されている。
【0063】
第3のコイル端子64aは、アンテナコイルパターン63の一端とを電気的に接続し、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン63の一端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン63と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0064】
また、第4のコイル端子64bは、アンテナコイルパターン63の他端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン63と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0065】
これらの第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとは、図3及び図4に示した第1の実施の形態における第1のコイル端子14aと第2のコイル端子14bと同様の方法で形成されたものである。
【0066】
そして、図6に示すように、本実施の形態では、第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとを、ICパッケージ63の裏面(電極を形成する面)の対角領域に形成するようにして、第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとを可及的に離して形成するようにしている。
【0067】
このようにすることにより、図1に示したスルーホール12a、12bや図7に示した導電層77などを設けなくても、第3及び第4のコイル端子64a、64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを電気的に接続することができる。
【0068】
すなわち、本実施の形態では、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを直接接続することができる。これにより、第3及び第4のコイル端子64a、64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを接続するための製造工程を簡略化することができ、データキャリア61を製造するコストを大幅に低減させることができる。
【0069】
なお、本実施の形態では、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64b以外の端子を設けていないが、上述した第1の実施の形態と同様に、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64b以外の端子を設けるようにしてもよい。
【0070】
また、本実施の形態では、基材62上にアンテナコイルパターン63を形成するようにしたが、再配線層を使用してアンテナコイルパターンを形成するようにしてもよい。具体的に説明すると、例えば、コイル状のパターンとした再配線層の一端をICパッケージの裏面の角領域に形成されたコイル端子に接続するようにする。そして、上記コイル状のパターンとした再配線層の他端をICパッケージの裏面の中央領域に形成されたコイル端子に接続するようにする。
【0071】
このようにすれば、上記コイル状のパターンとした再配線層によりアンテナコイルパターンを形成することができるので、基材を設けなくてもよくなる。したがって、データキャリアをより小さくすることができるとともに、データキャリアのコストをより低減させることができる。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ICチップの一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドと、アンテナコイルの両端部にそれぞれ接続される一方及び他方のコイル接続用端子とを一方及び他方のコイル接続用配線層を介して電気的に接続するようにしたので、上記一方及び他方のコイル接続用端子を形成する位置の自由度を大幅に向上させることができる。これにより、データキャリアの要求特性に応じた任意の位置にコイル接続用端子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態を示し、ICパッケージの概略構成を示した図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの製造工程の概略を説明する製造工程側断面図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態を示し、図3に続くデータキャリアの製造工程の概略を説明する製造工程側断面図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態を示し、本実施の形態のデータキャリアと、従来のデータキャリアとを比較した結果を表形式で示した図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【図7】従来の技術を示し、フリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成図である。
【符号の説明】
11、61 データキャリア
12、62 基材
13、63 アンテナコイルパターン
14、64 ICパッケージ
14a〜14f 端子
21 ICチップ
22a〜22f 電極パッド
24a〜24f 再配線層
25a〜25f ポスト
【発明の属する技術分野】
本発明は、データキャリア及びその製造方法に関し、特に、データキャリア上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部とICチップの一側面上に形成された電極パッドとを接続するために用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路により構成されるIC(integrated Circuit)チップと、上記ICチップと電気的に接続されたアンテナコイルパターンとを有するデータキャリアが従来から知られている。
【0003】
このようなデータキャリアにおいては、上記ICチップと上記アンテナコイルパターンとの接続を以下のような方法で行っていた。
第1の方法は、COB(Chip ON board)方式と称される方法により上記ICチップと、上記アンテナコイルパターンとを接続する方法である。この第1の方法では、まず、上記アンテナコイルパターンが形成された基板やフィルム上に上記ICチップを搭載する。
【0004】
次に、上記アンテナコイルパターンの両端部と、上記ICチップの一側面上に形成されている電極パッドとを細い金属線からなるワイヤーで接続して、上記アンテナコイルパターンの両端部と、上記ICチップ上に形成されている電極パッドとを電気的にそれぞれ接続する。そして、上記アンテナコイルパターンの両端部と電極パッドとが電気的に接続されたICチップを樹脂で封止する。
【0005】
第2の方法は、モールドパッケージ方式と称される方法により上記ICチップの電極パッドと、上記アンテナコイルパターンの両端部とを接続する方法である。この第2の方法では、まず、上記ICチップ上に形成された電極パッドにリードを接続する。
【0006】
次に、上記リードが接続されたICチップを樹脂で封止してモールドパッケージを形成する。次に、上記モールドパッケージから引き出されているリードを所望の形状に加工する。そして、基板上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部と、上記所望の形状に加工されたリードとを接続して、上記アンテナコイルパターンと上記ICチップとを電気的に接続する。
【0007】
このように、COB方式及びモールドパッケージ方式を用いてデータキャリアを製造する場合には、上記ICチップの全体を樹脂などで覆うようにしているので、従来はデータキャリアのサイズが大きくなってしまうという問題があった。
【0008】
このような問題を解決する技術として、フリップチップ方式と称される方法により上記ICチップと、上記アンテナコイルパターンとを接続する方法がある。この方法では、まず、上記ICチップ上に形成された電極パッド上に端子(バンプ)を形成する。そして、上記形成したバンプと、基板やフィルム上に形成されたアンテナコイルパターンの両端部とを接続して、上記アンテナコイルパターンと、上記ICチップとを電気的に接続する。
【0009】
ここで、上述したフリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成について説明する。
図7は、従来の技術を示し、フリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成図である。図7(a)は、上記データキャリアの平面図である。また、図7(b)は、図7(a)のA−A´線に沿うデータキャリアの断面図である。
【0010】
図7に示すように、データキャリア71は、ICチップ72の電極パッド72a、72b上に形成されたバンプ73a、73bと、ポリイミドフィルム74上に形成された銅などからなるアンテナコイルパターン75の両端部とを接続して構成されている。
【0011】
このとき、一方のバンプ73aと、アンテナコイルパターン15の一方の端部とは直接接続することができる。これに対し、他方のバンプ73bと、アンテナコイルパターン75の他方の端部については、絶縁層76上に形成された導電層77を介して接続する必要がある。
【0012】
上記フリップチップ方式で形成されたデータキャリア71では、ICチップ72をアンテナコイルパターン75の両端部に直接接続するようにしているので、データキャリアを小さく形成することができるという利点がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したフリップチップ方式で形成されたデータキャリア71では、ICチップ72の電極パッド72a、72bの位置に合わせて端子(バンプ)73a、73bの位置を決定しなければならなかったため、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子(バンプ)73a、73bを形成することが困難であるという問題点があった。
【0014】
本発明は、前述の問題点にかんがみてなされたものであり、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に接続用端子を容易に形成することができるようにすることを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明のデータキャリアは、基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアであって、上記ICパッケージは、上記半導体集積回路が構成されたICチップと、上記ICチップの一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドと、上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子と、上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるように構成された一方及び他方のコイル接続用配線層とを有することを特徴としている。
【0016】
本発明のデータキャリアの製造方法は、基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアの製造方法であって、上記半導体集積回路が構成されたICチップの一側面上に一方及び他方のコイル接続用電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子を形成する接続用端子形成工程と、上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるコイル接続用配線層を形成する接続用配線層形成工程とを有することを特徴としている。
【0017】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
次に、添付の図面を参照しながら、本発明のデータキャリア及びその製造方法の第1の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
図1に示すように、データキャリア11は、基材12上にアンテナコイルパターン13を形成するとともに、ICパッケージ14を配設して構成されている。なお、データキャリア11は、RFID(Radio Frequency Import Date)タグや非接触ICカードなどとして用いられるものである。
【0018】
基材12としては、例えば、ガラスエポキシ製またはポリイミド製の基板や、ポリイミド製のフィルムなどが用いられる。
【0019】
アンテナコイルパターン13は、基材12上に形成されたコイル状のパターンであり、外部のリーダ/ライタ装置から送信される各種データを受信したり、データキャリア11から所定のデータを上記リーダ/ライタ装置に送信したりするためのものである。具体的な構成を説明すると、このアンテナコイルパターン13は、銅などの導電体を用いて形成され、約150[μm]の幅を有している。さらに、このアンテナコイルパターン13は、約150[μm]の間隔を開けてコイル状に形成されている。
【0020】
ICパッケージ14は、半導体集積回路からなるICチップを後述するようにしてパッケージングして構成されたものであり、基材12上に搭載される。なお、上記ICチップは、上記アンテナコイルパターン13で受信した各種データを入力して記憶する機能を有している。
【0021】
また、ICパッケージ14の一側面上には、第1のコイル端子14aと、第2のコイル端子14bと、電源端子(VDD)14cと、グランド端子(GND)14dと、第1の入出力端子(I/O1)14eと、第2の入出力端子(I/O2)14fとが形成されている。
【0022】
第1のコイル端子14aは、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン13の一端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン13と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0023】
第2のコイル端子14bは、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン13の他端部とを電気的に接続して、アンテナコイルパターン13と上記半導体回路内との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0024】
なお、図1に示すように、第2のコイル端子14bとアンテナコイルパターン13の他端部との接続は、基材12に形成されているスルーホール12a、12bと、基材12の裏面(アンテナコイルパターン13が形成されていない面)に形成されたパターン12cとを介して行われる。
【0025】
電源端子14cとグランド端子14dは、図示しない外部電源と、上記ICチップ内に形成されている半導体回路とを電気的に接続して、上記半導体回路に電力を供給するための端子である。
第1の入出力端子14eと第2の入出力端子14fは、図示しない外部装置と、上記外部装置とデータのやり取りを行うために上記半導体回路とを電気的に接続するための端子である。
【0026】
そして、本実施の形態のデータキャリア11では、ICパッケージ14上の所望の位置に上述した各端子14a〜14fを配置することができるように、ICパッケージ14をWCSP(Wafer Level Chip Size Package)としている。
【0027】
図2は、本発明の第1の実施の形態を示し、ICパッケージ14の概略構成を示した図である。図2(a)は、ICパッケージ14の平面図である。また、図2(b)は、図2(a)のA−A´線に沿うICパッケージ14の断面図である。
【0028】
図2において、ICパッケージ14は、ICチップ21と、電極パッド22a〜22fと、絶縁層23と、再配線層24a〜24fと、ポスト25a〜25fと、封止樹脂層26と、上述した端子14a〜14f等により構成されている。
【0029】
また、本実施の形態のICチップ21は、2.35×2.42[mm]の大きさに構成されている。なお、上述したように、このICチップ21の内部には図示しない半導体回路が形成されている。
【0030】
上記電極パッド22a〜22fはICチップ21上に形成され、ICチップ21内に形成されている半導体回路の配線の端部と電気的に接続されている。なお、この電極パッド22a〜22fは、例えばアルミニウムなどを用いて形成され、例えば1[μm]程度の厚さに構成されている。
【0031】
絶縁層23は、電極パッド22a〜22fのうちの少なくとも一部のみを導通させるために、ICチップ21上の所定領域に形成される層である。この絶縁層23は、例えばポリイミド(高分子感光性樹脂)などを用いて形成され、例えば1[μm]程度の厚さを有している。
【0032】
再配線層24a〜24fは、電極パッド22a〜22fと絶縁層23の所定領域上に形成される導電体製の層である。すなわち、例えば再配線層24aは、電極パッド22aと、ポスト25aとを電気的に接続するためにパターン化された導電体製の層である。この再配線層24a〜24fは、例えば、銅を用いて形成され、0.7[μm]程度の厚さで構成されている。なお、以下の説明では、必要に応じて、再配線層24a〜24fが形成される領域を再配線層形成領域と称する。このように、本実施の形態では、再配線層24a、24bによりコイル接続用配線層が構成される。また、再配線層24c〜24fにより外部接続用配線層が構成される。
【0033】
ポスト25a〜25fは、再配線層24a〜24f上の所定の領域にそれぞれ形成される円柱形状の導電物である。このポスト25a〜25fは、例えば、再配線層24a〜24fと同様の材料を用いて形成され、100[μm]程度の高さに構成されている。なお、以下の説明では、必要に応じて、ポスト25a〜25fが形成される領域をポスト形成領域と称する。
【0034】
封止樹脂層26は、絶縁体層23と再配線層24の上方で、ポスト25a〜25fが形成されている領域以外の領域を被覆するように形成される絶縁物である。この封止樹脂層26は、例えば、エポキシ樹脂などを用いて形成され、ポスト25a〜25fと同程度の高さで構成されている。
【0035】
各端子14a〜14fは、ポスト25a〜25fの上面と、ポスト25a〜25fに電気的に接続された半円球状の半田で構成されている。各端子14a〜14fは、例えば直径500[μm]程度の大きさに構成されている。
【0036】
このように、本実施の形態では、ポスト25a、25bと、第1及び第2のコイル端子14a、14bとによりコイル接続用端子が構成されている。また、ポスト25c〜25fと、電源端子14c、グランド端子14d、第1の入出力端子14e、及び第2の入出力端子14fとにより外部接続用端子が構成されている。
【0037】
次に、本実施の形態のデータキャリア11の製造方法について説明する。
図3は、本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリア11の製造工程の概略を説明する製造工程断面図である。また、図4は、図3に続くデータキャリア11の製造工程の概略を説明する製造工程断面図である。なお、図3及び図4では、図2(a)のA−A´線に沿う断面図を示している。
【0038】
まず、図3(a)に示すように、例えば直径6[inch](約15.24[cm])、厚さ200[μm]のシリコン基板31の上面に、アルミニウム層を形成した後、フォトエッチングなどを行って電極パッド22a〜22fを形成する。なお、シリコン基板31には、前工程により所望の構成の半導体回路が形成されている。
【0039】
次に、図3(b)に示すように、シリコン基板31と電極パッド22a〜22fの上面に、絶縁層23用のポリイミド層を形成した後、電極パッド22a〜22fが形成されている領域をフォトエッチングなどにより開口させる。
【0040】
次に、図3(c)に示すように、電極パッド22a〜22fと電気的に接続させて再配線層24a〜24fを形成する。上記再配線層24a〜24fの形成工程を具体的に説明すると、電極パッド22a〜22fと絶縁層23の上面のうち、上記再配線層形成領域以外の領域に、レジストを形成する。このレジストは、例えばスパッタリングとフォトリソグラフィーを用いて形成する。そして、上記レジストにより露出された上記再配線形成領域に対して、電界めっきを施して再配線層24a〜24fを形成する。そして、剥離材を用いて上記レジストを除去する。
【0041】
次に、図3(d)に示すように、再配線層24上の所定の領域にポスト25を形成する。上記ポスト25の形成工程を具体的に説明すると、絶縁層23と再配線層24の上面のうち、上記ポスト25を形成する領域以外の領域に、レジストを形成する。このレジストは、例えばスパッタリングとフォトリソグラフィーを用いて形成する。そして、上記レジストにより露出されたポスト25を形成する領域に対して、電界めっきを施して所定数のポスト25a〜25fを形成する。そして、剥離材を用いて上記レジストを除去する。
【0042】
次に、図4(a)に示すように、ポスト25a〜25fが形成されている領域以外の領域を被覆するように封止樹脂層26を形成する。上記封止樹脂層26の形成工程を具体的に説明すると、絶縁体層23と再配線層24a〜24fとポスト25a〜25fの上面を覆うようにエポキシ樹脂を形成する。次に、上記エポキシ樹脂を所定の厚さだけ研磨することによりポスト25a〜25fの上面を露出させて封止樹脂層26を形成する。
【0043】
次に、図4(b)に示すように、ポスト25a〜25fに導通させて半円球状の半田を形成する。これにより、端子14a〜14fが形成される。こうしてウェハー32が形成される。
【0044】
次に、図4(c)に示すように、ウェハー32を切断して、2.35×2.42[mm]の大きさを有する複数のICパッケージ14を形成する。
【0045】
次に、図4(d)に示すように、アンテナコイルパターン13が形成された基材12の所定領域上に、端子14a〜14fを基材側12に対向させてICパッケージ14を実装する。この実装により、端子14a〜14fと、基材12側に形成されている所定の回路パターンとが半田づけされる。こうして、第1のコイル端子14a及び第2のコイル端子14bと、アンテナコイルパターン13の両端部とが電気的に接続される。
【0046】
図5は、本実施の形態のデータキャリア11と、従来のデータキャリアとを比較した結果を示した図である。なお、図5において、データキャリアの信頼性とは、データキャリアの耐湿性、温度サイクル、及び耐衝撃性などの諸特性を意味する。
【0047】
図5に示すように、COB方式及びモールドパッケージ方式で形成されたデータキャリアは、ICチップが保護されているために信頼性は高いが、サイズやコストの面で不利である。
【0048】
また、フリップチップ方式で形成されたデータキャリアは、ICチップを基板やフィルム上に直接貼り付ける構成であるので、サイズやコストの面では有利であるが、信頼性が低くなってしまう。
【0049】
これに対し、本実施の形態のデータキャリア11は、ICパッケージ14をWCSPとしているので、サイズ、コスト、及び信頼性の何れの点でも有利である。すなわち、図3及び図4に示したように、本実施の形態のデータキャリア11では、ICパッケージ14を製造する際に、ICチップ21が形成されている領域のみをパッケージングしているので、ICチップ21と同一の占有面積でICチップ21をパッケージングすることができるとともに、ICチップ21と殆ど変わらない高さでICチップ21をパッケージングすることができる。
【0050】
また、ウェハー32を形成する段階でパッケージングを行うようにしているので、製造コストを低くすることができる。
特に、2×2[mm]のサイズのICチップ21を用いて、データキャリア11を製造すると、上記の効果を顕著に得ることができると考えられる。
【0051】
以上のように本実施の形態では、ICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを用いて電気的に接続するようにしたので、従来のように、ICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22a〜22fの位置に制約されることなく上記ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fの位置をデータキャリアの要求特性に応じて自由に決定することができる。
【0052】
また、従来のフリップチップ方式で形成されたデータキャリアでは、図7で示した電極パッド72a、72bの形成ピッチが狭い場合(例えば150[μm]以下)、アンテナコイルパターン75とICチップ72とを接続するための端子73a、73b以外の端子を設けることが困難であった。
【0053】
このため、アンテナコイルパターン75の両端部とICチップ72とを接続するための端子73a、73b以外の端子を設けた構成のデータキャリア71を製造する場合、従来は、COB方式又はモールドパッケージ方式を採用せざるを得ないので、データキャリアが大きくなってしまう問題点があった。
【0054】
これに対し、本実施の形態のデータキャリア11は、ICチップ21の内部構成に従って一義的に定まる電極パッド22a〜22fの位置に制約されることなく、ICパッケージ14の外部に形成する端子14a〜14fの位置を自由に決定することができる。
【0055】
したがって、アンテナコイルパターンの両端部とICチップに形成される電極パッドとを電気的に接続する際に、これらの接続を容易に行うようにすることができる。すなわち、本実施の形態で説明した方法でデータキャリア11を製造すれば、多くの端子接続が必要なデータキャリアを設計した場合においても、データキャリアを小型化、薄型化することができる。
【0056】
また、上述したように、本実施の形態では、データキャリア11を製造するに際し、ICチップ21の回路構成に応じてその位置が一義的に定まる電極パッド22a〜22fと、ICパッケージ14の外部に露出してデータキャリアの基材12側に形成された端子と電気的に接続される端子14a〜14fとを、再配線層24a〜24fを用いて電気的に接続するようにしたので、再配線層24a〜24fの形成パターンを変更するだけで端子14a〜14fの位置を変更することができる。これにより、従来のようにICチップの回路構成を、上記ICパッケージ14の外部に露出してデータキャリアの基材12側に形成された端子と電気的に接続される端子14a〜14fの位置要求特性に応じて最初から設計しなおさなくても、ユーザの使用形態に応じた所望の位置に端子14a〜14fを形成することができる。したがって、データキャリア1のコストを従来よりも大幅に低減させることができる。
【0057】
さらに、本実施の形態のデータキャリア11は、COB方式やモールドパッケージ方式のようにICチップ21の全体を覆わずに、ICチップ21の上方のみを封止するようにしたので、ICチップ21と他の構成部材とを容易に分離することができ、ICチップ21を容易にリサイクルして使用することができる。したがって、本実施の形態のデータキャリア1は、環境保護の観点からも有益なものである。
【0058】
なお、図3及び図4では、データキャリア11の製造方法の一例を説明したに過ぎず、データキャリア11の製造方法は、図3及び図4に示した方法に限定されず、WCSPの技術を用いてICパッケージ14を形成していれば、データキャリア11の製造方法はどのような方法であってもよい。すなわち、ウェハー処理の工程でパッケージングを行うことができ、且つICチップ21の内部構成に基づく所定の位置に一義的に形成される電極パッド22の位置とは無関係に、ICパッケージ14の外部に露出して形成される端子14a〜14fの位置を決定することができる方法でICパッケージ14を形成することができれば、データキャリア11の製造方法はどのような方法であってもよい。
【0059】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
図6は、本発明の第2の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【0060】
図6において、データキャリア61は、基材62と、アンテナコイルとして配設されるアンテナコイルパターン63と、ICパッケージ64等により構成されている。なお、本実施の形態のデータキャリア61は、RFID(Radio Frequency Import Date)タグや非接触ICカードなどとして用いられるものである。
【0061】
基材62は、例えば、ガラスエポキシ製またはポリイミド製の基板や、ポリイミド製のフィルムなどである。
アンテナコイルパターン63は、基材62上に形成されたコイル状のパターンであり、外部のリーダ/ライタ装置から送信される各種データを受信したり、データキャリア61から上記リーダ/ライタ装置に種々のデータを送信したりするためのものである。
【0062】
ICパッケージ64は、半導体回路が集積されたICチップ(図示せず)を上述した第1の実施の形態と同様にしてパッケージングして構成されたものである。そして、ICパッケージ64の裏面上には、第3のコイル端子64aと、第4のコイル端子64bとが形成されている。
【0063】
第3のコイル端子64aは、アンテナコイルパターン63の一端とを電気的に接続し、上記ICチップ内に集積されている所定の半導体回路と、アンテナコイルパターン63の一端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン63と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0064】
また、第4のコイル端子64bは、アンテナコイルパターン63の他端部とを電気的に接続し、上記アンテナコイルパターン63と上記半導体回路との間で各種データを入出力することができるようにするための端子である。
【0065】
これらの第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとは、図3及び図4に示した第1の実施の形態における第1のコイル端子14aと第2のコイル端子14bと同様の方法で形成されたものである。
【0066】
そして、図6に示すように、本実施の形態では、第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとを、ICパッケージ63の裏面(電極を形成する面)の対角領域に形成するようにして、第3のコイル端子64aと第4のコイル端子64bとを可及的に離して形成するようにしている。
【0067】
このようにすることにより、図1に示したスルーホール12a、12bや図7に示した導電層77などを設けなくても、第3及び第4のコイル端子64a、64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを電気的に接続することができる。
【0068】
すなわち、本実施の形態では、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを直接接続することができる。これにより、第3及び第4のコイル端子64a、64bと、アンテナコイルパターン63の両端部とを接続するための製造工程を簡略化することができ、データキャリア61を製造するコストを大幅に低減させることができる。
【0069】
なお、本実施の形態では、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64b以外の端子を設けていないが、上述した第1の実施の形態と同様に、第3のコイル端子64a及び第4のコイル端子64b以外の端子を設けるようにしてもよい。
【0070】
また、本実施の形態では、基材62上にアンテナコイルパターン63を形成するようにしたが、再配線層を使用してアンテナコイルパターンを形成するようにしてもよい。具体的に説明すると、例えば、コイル状のパターンとした再配線層の一端をICパッケージの裏面の角領域に形成されたコイル端子に接続するようにする。そして、上記コイル状のパターンとした再配線層の他端をICパッケージの裏面の中央領域に形成されたコイル端子に接続するようにする。
【0071】
このようにすれば、上記コイル状のパターンとした再配線層によりアンテナコイルパターンを形成することができるので、基材を設けなくてもよくなる。したがって、データキャリアをより小さくすることができるとともに、データキャリアのコストをより低減させることができる。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ICチップの一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドと、アンテナコイルの両端部にそれぞれ接続される一方及び他方のコイル接続用端子とを一方及び他方のコイル接続用配線層を介して電気的に接続するようにしたので、上記一方及び他方のコイル接続用端子を形成する位置の自由度を大幅に向上させることができる。これにより、データキャリアの要求特性に応じた任意の位置にコイル接続用端子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態を示し、ICパッケージの概略構成を示した図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態を示し、データキャリアの製造工程の概略を説明する製造工程側断面図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態を示し、図3に続くデータキャリアの製造工程の概略を説明する製造工程側断面図である。
【図5】本発明の第1の実施の形態を示し、本実施の形態のデータキャリアと、従来のデータキャリアとを比較した結果を表形式で示した図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態を示し、データキャリアの概略構成の一例を示した図である。
【図7】従来の技術を示し、フリップチップ方式を用いて形成したデータキャリアの構成図である。
【符号の説明】
11、61 データキャリア
12、62 基材
13、63 アンテナコイルパターン
14、64 ICパッケージ
14a〜14f 端子
21 ICチップ
22a〜22f 電極パッド
24a〜24f 再配線層
25a〜25f ポスト
Claims (6)
- 基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアであって、
上記ICパッケージは、上記半導体集積回路が構成されたICチップと、
上記ICチップの一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドと、
上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子と、
上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるように構成された一方及び他方のコイル接続用配線層とを有することを特徴とするデータキャリア。 - 上記一方及び他方のコイル接続用端子を、上記ICチップの一側面上の対角領域に形成するようにしたことを特徴とする請求項1に記載のデータキャリア。
- 上記一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドとは別個に形成された外部接続用電極パッドと、
上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子とは別個に形成された外部接続用端子と、
上記一方及び他方の外部接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方の外部接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるように構成された外部接続用配線層とを有することを特徴とする請求項1または2に記載のデータキャリア。 - 基材上に形成されたアンテナコイルと、上記アンテナコイルを介して送受信される種々のデータを処理するための半導体集積回路を備えたICパッケージとを有するデータキャリアの製造方法であって、
上記半導体集積回路が構成されたICチップの一側面上に一方及び他方のコイル接続用電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、
上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子を形成する接続用端子形成工程と、
上記一方及び他方のコイル接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方のコイル接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるコイル接続用配線層を形成する接続用配線層形成工程とを有することを特徴とするデータキャリアの製造方法。 - 上記一方及び他方のコイル接続用端子を、上記ICチップの一側面上の対角領域に形成するようにしたことを特徴とする請求項4に記載のデータキャリアの製造方法。
- 上記電極パッド形成工程において、上記一側面上に形成された一方及び他方のコイル接続用電極パッドとは別個の外部接続用電極パッドを形成し、
上記接続用端子形成工程において、上記アンテナコイルの一方の端部及び他方の端部とそれぞれ接続するための一方及び他方のコイル接続用端子とは別個に外部接続用端子を形成し、
接続用配線層形成工程において、上記一方及び他方の外部接続用電極パッドに一方の端部が接続され、上記一方及び他方の外部接続用端子に他方の端部がそれぞれ接続されるような外部接続用配線層を形成するようにしたことを特徴とする請求項4または5に記載のデータキャリアの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002298815A JP2004133762A (ja) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | データキャリア及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004133762A true JP2004133762A (ja) | 2004-04-30 |
Family
ID=32288127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002298815A Pending JP2004133762A (ja) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | データキャリア及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004133762A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2002
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