JP2004119803A - 電子部品の樹脂注入方法及び装置 - Google Patents

電子部品の樹脂注入方法及び装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004119803A
JP2004119803A JP2002283014A JP2002283014A JP2004119803A JP 2004119803 A JP2004119803 A JP 2004119803A JP 2002283014 A JP2002283014 A JP 2002283014A JP 2002283014 A JP2002283014 A JP 2002283014A JP 2004119803 A JP2004119803 A JP 2004119803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressing
resin
release film
resin injection
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002283014A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4102634B2 (ja
Inventor
Shinji Takase
高瀬 慎二
Koji Tamura
田村 孝司
Yohei Onishi
大西 洋平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Towa Corp
Original Assignee
Towa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Towa Corp filed Critical Towa Corp
Priority to JP2002283014A priority Critical patent/JP4102634B2/ja
Priority to US10/648,153 priority patent/US6929977B2/en
Publication of JP2004119803A publication Critical patent/JP2004119803A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4102634B2 publication Critical patent/JP4102634B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • H01L21/566Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9212Sequential connecting processes
    • H01L2224/92122Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
    • H01L2224/92125Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

【課題】複数個の半導体チップをバンプを介して一体に装着した基板で、少なくとも前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが発生することを効率良く防止する、電子部品の樹脂注入方法及びその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】樹脂注入金型における三枚型1・2・3を完全型締め状態で、且つ、上型1の金型面に離型フィルム4が被覆された状態で、且つ、押圧加圧均等機構5における押圧部11・加圧均等部12にて半導体チップ6天面の高さ・傾きに対応して各別に隙間なく且つ均等な圧力で押圧した状態で、且つ、下型2のセット用凹所17にフリップチップ基板9を供給セットした状態で、三枚型1・2・3に複数個の該チップ6(図1では九個の該チップ6)と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する(アンダーフィルする)。
【選択図】  図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数個の半導体チップをバンプ(接続電極)を介して一体に装着した基板において、少なくとも前記した基板と半導体チップとの間(隙間)に樹脂を注入する電子部品(フリップチップ)の樹脂注入方法及び装置の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、固定上型と可動下型とから成る二枚型(樹脂注入型)を用いて、複数個の半導体チップをバンプを介して一体に装着した基板における半導体チップと基板との間に樹脂を注入することが行われている。
【0003】
即ち、まず、前記した複数個の半導体チップをバンプ(接続電極)を介して一体に装着した基板を前記した下型に設けたセット用凹所に供給セットして前記両型を型締めすると共に、前記した上型に設けた一つの樹脂注入用キャビティ内に前記した複数個の半導体チップを嵌装セットする。
次に、前記した下型に設けた樹脂材料供給用のポット内で加熱溶融化された樹脂材料(溶融樹脂)を樹脂加圧用のプランジャで加圧して前記したキャビティ内に注入することにより、前記したキャビティ内において、前記した半導体チップの外周囲に及び前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入するようにしている。
次に、加熱溶融化された樹脂材料が硬化するのに必要な所要時間の経過後に、前記した両型を型開きすることにより、前記した半導体チップの外周囲と前記した半導体チップと基板との間に硬化樹脂(成形樹脂部)が成形された樹脂注入済基板が得ることができる。
また、次に、前記した樹脂注入済基板の所要個所を切断することにより、前記した各半導体チップに各別に対応した樹脂注入済個片(フリップチップ成形品)を分離して得るようにしている。
なお、前述したような従来例が記載されている特許文献等を調査したが発見できなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したキャビティ内で樹脂注入済基板を成形する場合、前記した半導体チップの高さが異なるものがあるために、また、前記した半導体チップの天面に傾きがあって水平面とならず斜面となるものがあるために、前記したキャビティ天面と半導体チップとの間に隙間が発生しやすく、当該隙間に溶融樹脂が浸入することにより、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが発生しやすいと云う問題があった。
【0005】
従って、本発明は、複数個の半導体チップをバンプを介して一体に装着した基板において、少なくとも前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが発生することを効率良く防止することができる、電子部品の樹脂注入方法及びその装置を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を解決するために本発明に電子部品の樹脂注入方法は、樹脂注入用金型を搭載している電子部品の樹脂注入装置を用いて、基板に装着した複数個の半導体チップの天面を離型フィルムを介して押圧して前記金型にてアンダーフィルする電子部品の樹脂注入方法であって、前記した半導体チップの天面の高さと傾きとに対応して隙間なく且つ均等な圧力で各別に押圧した状態でアンダーフィルすることを特徴とする。
【0007】
また、前記技術的課題を解決するために本発明に電子部品の樹脂注入方法は、電子部品における複数個の半導体チップを装着した基板を樹脂注入用金型と離型フィルムとを用いて、前記金型にて前記した半導体チップの天面を離型フィルムを介して押圧してアンダーフィルする電子部品の樹脂注入装置であって、前記した半導体チップの天面の高さと傾きとに対応して隙間なく且つ均等な圧力で各別に押圧した状態でアンダーフィルすることを特徴とする。
【0008】
また、前記技術的課題を解決するために本発明に係る電子部品の樹脂注入装置は、電子部品における複数個の半導体チップをアンダーフィルする上型と中間プレートと下型とから成る三枚型の樹脂注入用金型と、前記した半導体チップの天面を被覆する離型フィルムを前記した上型と中間プレートとの間に供給する離型フィルム供給機構とを備えた電子部品の樹脂注入装置であって、前記した半導体チップの天面を離型フィルムを介して各別に押圧する押圧加圧均等機構に備えた該チップの天面の高さと傾きとに対応して各別に該チップの天面を押圧する該チップ用押圧部と、前記押圧部に隙間なく且つ均等な圧力を加える加圧均等部とを含むことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
即ち、基本的に、電子部品(フリップチップ)の樹脂注入装置において、三枚型(樹脂注入用金型)と離型フィルムと押圧部・加圧均等部を備えた押圧加圧均等機構とを備えたことを特徴とする。
なお、前記した三枚型を用いて、前記離型フィルムを介して複数個の半導体チップの天面をその高さと傾きに対応して押圧した状態で複数個の半導体チップと基板との間に少なくとも樹脂を注入する。
また、前記した押圧加圧均等機構にて離型フィルムを前記した複数個の半導体チップ天面を各別に隙間なく且つ均等に被覆することができるので、前記した複数個の半導体チップと離型フィルムとの間に溶融樹脂が浸入することを効率良く防止することができる。
従って、前記した複数個の半導体チップの天面における樹脂ばりの発生を効率良く防止することができる。
【0010】
【実施例】
以下、図1乃至図7に基づいて、説明する。
なお、図1乃至図5は、本発明に係る樹脂注入装置要部を示した図である。
また、図6は、本発明に用いる基板を示した図である。
また、図7は、本発明に係る押圧加圧均等機構要部を示した図である。
【0011】
即ち、電子部品の樹脂注入装置において、図1に示すように、上型1と該上型1に対向配置した下型2と前記した両型1・2間に設けた中間プレート3とから成る三枚型の樹脂注入用金型と、前記した上型1の金型面に被覆する離型フィルム4を前記した上型1と中間プレート3との間に所定の張力で張架して供給する離型フィルム供給機構(図示しない)と、前記した上型1に組み込まれて前記離型フィルム4を介して半導体チップ6の天面を各別に押圧する押圧加圧均等機構5とを少なくとも設けている。
また、前記した押圧加圧均等機構5は、前記離型フィルム4を介して該チップ6の天面の高さと傾きとに対応して各別に該チップ6の天面を押圧する該チップ用押圧部11と、前記押圧部11を各別に隙間なく且つ均等な圧力を加える加圧均等部12とから構成されている。
【0012】
また、本実施例で用いる基板8は、図6(1)・図6(2)に示すように、例えば、前記基板8上の所定個所にある九個(複数個)の半導体チップ6と、前記した基板8側と該チップ6とを電気的に接続するバンプ7(接続電極)とから少なくとも構成されている。
従って、前記したバンプ7を介して前記基板8上に前記した複数個の該チップ6を一体に装着されたフリップチップ基板9(以下、FC基板9と示す。)を示していると共に、図1で示す前記三枚型1・2・3を搭載した前記装置にて前記FC基板9の半導体チップ6と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する、つまりは、アンダーフィルするように構成されている。
また、本実施例においては、FC基板9は九個の半導体チップ6を装着した基板8を対象としているが、該チップ6の数量を適宜に変更して実施してもよい。
【0013】
また、前記した上型1は、図1に示すように、前記した離型フィルム4を所定の張力にて張架して被覆するように上型1の金型面に傾斜部10A・10Bを形成しており、前記中間プレート3側に凸部形状となるように構成されていると共に、前記傾斜部10A・10B間には、前記した押圧加圧均等機構5を前記傾斜部10A・10Bの最下端部43より下方向に向けて突出できるように押圧機構空間部13を形成して構成されている。
また、前記した中間プレート3は、図1に示すように、トランスファー成形により樹脂を注入する樹脂注入傾斜部14と、前記上型1の傾斜部10Aと離型フィルム4を介して接合するフィルム狭持部15と、前記FC基板9に樹脂を注入して樹脂注入外周部側面を形成するキャビティ16とを設けている。
また、前記下型2は、図1に示すように、前記FC基板9が前記した下型3における金型面の所定位置に前記半導体チップ6装着側を上方向に向けた状態で供給セットできるセット用凹所17を設けている。
【0014】
従って、前記した三枚型1・2・3にて前記FC基板9における半導体チップ6と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する場合、前記した下型2のセット用凹所17に前記FC基板9を供給セットさせて前記した下型2と中間プレート3とを型締め状態とし、且つ、前記離型フィルム4を前記した上型1の傾斜部10A・10Bの形状に沿って被覆させた状態で、前記した上型1と下型2・中間プレート3とを完全に型締めする(図1の状態を示す)。
このとき、前記した中間プレート3のキャビティ16と離型フィルム4と基板8上面とで形成されたキャビティ空間部18が構成されると共に、前記した離型フィルム4を被覆された上型1の傾斜部10Bと中間プレート3の樹脂注入傾斜部14とで形成されたトランスファー成形で樹脂を注入する経路になる前記キャビティ空間部18と連通したゲート空間部19が構成される。
なお、前記したキャビティ空間部18・ゲート空間部19に樹脂を注入する場合、前記した三枚型1・2・3に適宜に加熱ヒータ(図示しない)を埋設させ当該樹脂を加熱溶融化させて溶融樹脂37として注入するように構成されている。
【0015】
即ち、前記した上型の傾斜部10A・10Bの形状に沿って被覆された前記した離型フィルム4を供給した状態で、且つ、前記した下型2のセット用凹所17にFC基板9を供給セットさせた状態で、前記三枚型1・2・3を完全に型締めして複数個の半導体チップ6(図1では九個の該チップ6)と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する場合、前記離型フィルム4を介して前記上型1に組み込まれた押圧加圧均等機構5に備えた前記した複数個の半導体チップ6の天面の高さと傾きとに対応して押圧する押圧部11と、前記押圧部11を各別に隙間なく且つ均等な圧力を加える加圧均等部12とで押圧することができるので、前記した複数個の半導体チップ6の天面における樹脂ばりの発生を効率良く防止することができる、電子部品の樹脂注入方法及び装置を提供することができる。
【0016】
ここで、前記した押圧加圧均等機構5について、以下に詳細に説明する。
【0017】
即ち、前記した押圧加圧均等機構5は、前述した通り、押圧部11と加圧均等部12とを前記した上型1の傾斜部10A・10B間に形成された押圧機構空間部13に組み込んだ状態で設けられると共に、前記半導体チップ6の数量・形状等に対応して各別に着脱自在に取付け・取外しをできるように構成されている。
【0018】
また、前記した押圧部11は、図1に示すように、前記した複数個の半導体チップ6天面の傾きに対応して各別に前記離型フィルム4を介して押圧する傾き調整部材20と、前記傾き調整部材20を介して複数個の該チップ6天面の高さに対応して各別に押圧する同複数個の該チップ用押圧部材21と、前記した同複数個の押圧部材21を取付け固定して上型1内を摺動自在に上下往復動できる押圧部用固定ブロック22とが設けられている。
なお、前記した押圧部材21には、前記した中間プレート3側を丸形状として傾き調整部20を自由に可動でき且つ前記傾き調整部20に覆われた押圧先端部材23と、前記した傾き調整部20の天面の隙間部分より前記押圧先端部材23を付設可能な押圧棒24と、前記した押圧棒24と固定ブロック22下面とを固定するスプリング等から成る弾性部材25を前記取付棒24に巻き付けて内包した弾性部材用空間部材26とが設けられている。
【0019】
また、前記した加圧均等部12は、図1に示すように、前記した複数個の該チップ6に対応して設けた押圧部11の固定ブロック22上をスライドする同複数個のL型形状をしたスライド部材31と、前記スライド部材31との間にスプリング等から成る同複数個の弾性部材32と、前記したスライド部材31と弾性部材32とを嵌装して均等な圧力を加えてスライドする一体型の加圧均等部材33と、前記加圧均等部材33を介して弾性材料・空気圧・油圧・水圧等を駆動源として均等な圧力を加える加圧均等用駆動部材34と、前記した弾性部材32と加圧均等部材33と駆動部材34とを載置して水平方向にスライドでき且つ前記した固定ブロック22を固定してスライド部材31を嵌装できる加圧均等部用載置ブロック35とが設けられている。
【0020】
ここで、図1と図7(1)・(2)とで示すように、前記した押圧加圧均等機構5の相互の関係を以下に詳細に説明する。
【0021】
即ち、前記した押圧棒24の天面には、所定角度で傾斜した係合面27が形成されると共に、前記したスライド部材31の底面部28には、前記係合面27と同所定角度で形成され且つ底面部28の中央部分を傾斜させるように凹み29を形成した傾斜面42が設けていると共に、前記した押圧棒24の係合面27とスライド部材31の傾斜面42とが係合してスライドするように構成されている。また、前記した加圧均等部材33は、前記した複数個の該チップ6に対応して同複数個の押圧部材21とスライド部材31とを設けるのと同様に、同複数個の貫通孔36が設けられていると共に、前記載置ブロック35に載置して前記貫通孔36に前記スライド部材31の挿入部位30(図7(1)の斜線部分)を挿入させて、前記載置ブロック35上を水平方向に前記駆動部材34にてスライドするように構成されている。
【0022】
即ち、前記した複数個の該チップ6の天面を離型フィルム4を介して各別に隙間なく且つ均等な圧力を加える場合、前記した加圧均等部材33を前記駆動部材34にて水平方向にスライドすることにより、前記した加圧均等部材33の貫通孔36に嵌装された弾性部材32に均等な圧力が各別に加わると同時に、前記した弾性部材32と接する前記した挿入部位30の当接面におけるスライド部材31も水平方向にスライドする。
このとき、前記したスライド部材31が水平方向にスライドするのと同時に、前記した傾斜面42もスライドすると、前記した押圧棒24の係合面27とが係合して、前記した押圧棒24・押圧先端部材23・傾き調整部材20を垂直方向に下動する。
このとき、前記したスライド部材31の傾斜面42と押圧棒24の係合面27とは係合した状態となって、前記押圧部11を固定ロックした状態となるので、該チップ6天面と前記離型フィルム4との隙間はなくなり、該チップ6天面に樹脂が浸入しないように構成されている。
従って、前記離型フィルム4を介して該チップ6天面を各別に隙間なく且つ均等な圧力を加えることができる。
【0023】
ここで、前記した三枚型1・2・3と離型フィルム4と押圧加圧均等機構5とを備えた装置を用いて、前記したFC基板9における半導体チップ6と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する方法を、以下に詳細に説明する。
【0024】
まず、図2で示すように、前記三枚型1・2・3は型開き状態であって、前記離型フィルム4は、前記した押圧機構11の傾き調整部20底面と接触しない状態で且つ前記した上型1と中間プレート3との間に所定の張力にて水平状態で張架されると共に、前記したFC基板9は、前記した中間プレート3と下型2との間に前記金型外部(図示しない)より供給される。
このとき、前記した押圧加圧均等機構5に備えた押圧棒24の係合面27とスライド部材31の傾斜面42との間には隙間が形成されており、該チップ6の天面を押圧しない状態、つまりは、前記した上型用最下端部43よりも傾き調整部20底面が下方向に突出した状態(取付棒24に巻き付けて空間部材26に内包された弾性部材25が伸張した状態)にすることにより、該チップ6の垂直方向における厚みに対応して前記離型フィルム4を介して前記押圧部11を該チップ6天面の高さと傾きとに対応して各別に押圧できる状態で、前記した固定ブロック22に各別に前記押圧部11を固定するように構成されている。
【0025】
例えば、前記した空間部材26には、該チップ6を押圧しない場合に、図示はしていないが、前記弾性部材25は伸張するように構成されているが、前記弾性部材25が伸張しない場合に各空間部材26と連通した空気等を供給するエア供給機構を設けて前記弾性部材25を伸張させるようにしてもよい。
【0026】
次に、図3に示すように、前記した下型2のセット用凹所17にFC基板9を供給セットして前記中間プレート3と下型2とを型締めすると共に、前記した上型1の金型面における傾斜部10A・10Bに沿って且つ前記傾き調整部20の底面に沿って凸形状に被覆させる。
このとき、前記した中間プレート3と下型2とが型締めすることにより、前記した中間プレート底面とFC基板9における樹脂を注入しない外周部位41を接合するので、前記基板9をセット用凹所17から離脱しないように装着固定できて、且つ、前記した基板8おける外周部位41や側面や底面に樹脂が廻り込まないように接合される。
【0027】
次に、図4に示すように、前記離型フィルム4を供給して被覆されて前記した三枚型1・2・3が完全に型締めした状態を示すと共に、前記した押圧加圧均等機構5における傾き調整部20にて該チップ6の高さと傾きとに対応して各別に押圧する、つまりは、前記した傾き調整部20と押圧先端部材23と押圧棒24とが垂直方向に上動する(図4で示す上矢印方向)のと同時に、前記取付棒24に巻き付けて空間部材26に内包した弾性部材25が縮んだ状態となる。
このとき、前記した押圧棒24の係合面27とスライド部材31の傾斜面42との間の隙間は、図2で示す当該隙間より狭くはなるが係合しない状態で維持されるように構成されている。
従って、前記した三枚型1・2・3とが完全型締め状態で、前記した押圧加圧均等機構5における押圧部11の傾き調整部20にて該チップ6の高さと傾きとに対応して各別に前記離型フィルム4を介して押圧することができる。
【0028】
次に、図5に示すように、前記した離型フィルム4を供給して被覆されて前記三枚型1・2・3が完全に型締めした状態で、前述の押圧加圧均等機構5における加圧均等部12の加圧均等部材33を前記駆動部材34にて水平方向に前記載置ブロック35上をスライドする(図5で示す左矢印方向)と、前記した弾性部材32を介してスライド部材31も同方向にスライドして、前記したスライド部材31の傾斜面42と押圧棒24の係合面27とが係合して、前記押圧部11を各別に離型フィルム4を介して隙間なく且つ均等に圧力を加えて、次に、トランスファー成形にて前記したキャビティ空間部18と連通した樹脂経路であるゲート空間部19から加熱溶融化された溶融樹脂37を注入する。
即ち、前述のように、前記した複数個の該チップ6天面の高さと傾きとに対応して隙間なく且つ均等な圧力を各別に前記離型フィルム4を介して該チップ6天面を押圧することができる、前記装置に設けた押圧加圧均等機構5を提供することができる。
【0029】
次に、図1に示すように、前記三枚型1・2・3は完全型締め状態で、且つ、前記上型1の金型面に離型フィルムが被覆された状態で、且つ、前記押圧加圧均等機構5における押圧部11・加圧均等部12にて該チップ6天面の高さと傾きとに対応して各別に隙間なく且つ均等な圧力で押圧した状態で、当該溶融樹脂37を前記キャビティ空間部18に完全に注入充填される。
【0030】
次に、前記キャビティ空間部18に注入充填された溶融樹脂37が硬化し、次に、前記三枚型1・2・3を型開きする(図2の状態を示す)ことにより、該チップ6の外周囲及び該チップ6と基板8との間に樹脂が成形された樹脂注入済基板38を得られる(図6(1)・(2)参照)。
次に、前記した樹脂注入済基板38は、図6(1)〜(3)に示すように、前記注入済基板38の所要部位39(図6(1)・(2)の破線部分)を切断することにより、該チップ6に各別に対応した樹脂注入済個片40(フリップチップ成形品)を分離して得られる。
【0031】
即ち、前記三枚型1・2・3は完全型締め状態で、且つ、前記上型1の金型面に離型フィルム4が被覆された状態で、且つ、前記した押圧加圧均等機構5における押圧部11・加圧均等部12にて該チップ6天面の高さと傾きとに対応して各別に隙間なく且つ均等な圧力で押圧した状態で、且つ、前記した下型2のセット用凹所17にFC基板9を供給セットした状態で、前記した三枚型1・2・3に複数個の半導体チップ6(図1では九個の該チップ6)と基板8との間に少なくとも樹脂を注入する(アンダーフィルする)ことができるので、前記した複数個の半導体チップ6の天面における樹脂ばりの発生を効率良く防止する、電子部品の樹脂注入方法及び装置を提供することができる。
【0032】
また、他の実施例として、本実施例では前記したFC基板9の該チップ6装着側を上向きに供給セットするように説明しているが、前記FC基板9を該チップ6装着側を上向きではなく、どのような方向に向けて供給セットしてもよい。
つまり、図1で示す前記した三枚型1・2・3と離型フィルム4と押圧加圧均等機構5との構成関係も同様に、前記した方向に適宜に合わせて前記装置を位置決めしてから前記FC基板9をアンダーフィルすると共に、前記したFC基板9を前記三枚型1・2・3内から離脱しないように基板固定手段を付設することも適宜可能である。
【0033】
また、他の実施例として、例えば、半導体チップをワイヤとで電気的に接続された基板の半導体チップの天面を前記押圧加圧均等機構5にてアンダーフィルするように実施してもよい。
つまり、半導体チップの天面を樹脂封止せずにアンダーフィルする基板においては、前記した押圧加圧均等機構5を採用してもよい。
【0034】
また、他の実施例として、前記した三枚型1・2・3にてFC基板9をアンダーフィルする、つまりは、前記キャビティ空間部18に溶融樹脂37を注入する際に、例えば、少なくとも前記三枚型1・2・3内を外気遮断状態として、空気等を強制的に吸引排出する真空成形を併用してアンダーフィルしてもよい。
【0035】
また、他の実施例として、前記した離型フィルム4の該チップ6天面側における該フィルム表面に微粘着性の離型フィルムを用いてもよい。
【0036】
また、本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に変更・選択して採用できるものである。
【0037】
【発明の効果】
本発明によれば、複数個の半導体チップをバンプを介して一体に装着した基板において、少なくとも前記した半導体チップと基板との間に樹脂を注入する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが発生することを効率良く防止することができる、電子部品の樹脂注入方法及び装置を提供するという、優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明に係わる樹脂注入装置を概略的に示す概略縦断面図である。
【図2】図2は、図1に対応する前記装置要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、型開き状態を示す。
【図3】図3は、図1に対応する前記装置要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上型の金型面に離型フィルムを被覆させた状態を示す。
【図4】図4は、図1に対応する前記装置要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、型締め状態を示す。
【図5】図5は、図1に対応する前記装置要部を拡大して概略的に示す概略拡大縦断面図であって、型締めしてアンダーフィルする状態を示す。
【図6】図6(1)は、本発明に用いる基板の例を概略的に示す概略平面図であって、図6(2)・(3)は、図6(1)に対応する前記基板を概略的に示す概略縦断面図である。
【図7】図7(1)は、本発明に係る押圧加圧均等機構要部を拡大して概略的に示す概略拡大斜視図であって、図7(2)は、図7(1)に対応する前記機構要部を概略的に示す概略平面図である。
【符号の説明】
1 上型
2 下型
3 中間プレート
4 離型フィルム
5 押圧加圧均等機構
6 半導体チップ
7 バンプ(接続電極)
8 基板
9 フリップチップ基板(FC基板)
10A・10B 傾斜部
11 押圧部
12 加圧均等部
13 押圧機構空間部
14 樹脂注入傾斜部
15 フィルム狭持部
16 キャビティ
17 凹所
18 キャビティ空間部
19 ゲート空間部
20 傾き調整部材
21 押圧部材
22 固定ブロック
23 押圧先端部材
24 押圧棒
25・32 弾性部材
26 空間部材
27 係合面
28 底面部
29 凹み
30 挿入部位
31 スライド部材
33 加圧均等部材
34 駆動部材
35 載置ブロック
36 貫通孔
37 溶融樹脂
38 樹脂注入済基板
39 所要部位
40 樹脂注入済個片(フリップチップ成形品)
41 外周部位
42 傾斜面
43 最下端部

Claims (3)

  1. 樹脂注入用金型を搭載している電子部品の樹脂注入装置を用いて、基板に装着した複数個の半導体チップの天面を離型フィルムを介して押圧して前記金型にてアンダーフィルする電子部品の樹脂注入方法であって、
    前記した半導体チップの天面の高さと傾きとに対応して隙間なく且つ均等な圧力で各別に押圧した状態でアンダーフィルすることを特徴とする電子部品の樹脂注入方法。
  2. 電子部品における複数個の半導体チップを装着した基板を樹脂注入用金型と離型フィルムとを用いて、前記金型にて前記した半導体チップの天面を離型フィルムを介して押圧してアンダーフィルする電子部品の樹脂注入装置であって、
    前記した半導体チップの天面の高さと傾きとに対応して隙間なく且つ均等な圧力で各別に押圧した状態でアンダーフィルすることを特徴とする電子部品の樹脂注入装置。
  3. 電子部品における複数個の半導体チップをアンダーフィルする上型と中間プレートと下型とから成る三枚型の樹脂注入用金型と、前記した半導体チップの天面を被覆する離型フィルムを前記した上型と中間プレートとの間に供給する離型フィルム供給機構とを備えた電子部品の樹脂注入装置であって、前記した半導体チップの天面を離型フィルムを介して各別に押圧する押圧加圧均等機構に備えた該チップの天面の高さと傾きとに対応して各別に該チップの天面を押圧する該チップ用押圧部と、前記押圧部に隙間なく且つ均等な圧力を加える加圧均等部とを含むことを特徴とする電子部品の樹脂注入装置。
JP2002283014A 2002-09-27 2002-09-27 電子部品の樹脂注入装置 Expired - Lifetime JP4102634B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002283014A JP4102634B2 (ja) 2002-09-27 2002-09-27 電子部品の樹脂注入装置
US10/648,153 US6929977B2 (en) 2002-09-27 2003-08-25 Method of introducing resin for electronic component and apparatus used therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002283014A JP4102634B2 (ja) 2002-09-27 2002-09-27 電子部品の樹脂注入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004119803A true JP2004119803A (ja) 2004-04-15
JP4102634B2 JP4102634B2 (ja) 2008-06-18

Family

ID=32025256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002283014A Expired - Lifetime JP4102634B2 (ja) 2002-09-27 2002-09-27 電子部品の樹脂注入装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6929977B2 (ja)
JP (1) JP4102634B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011143730A (ja) * 2011-04-15 2011-07-28 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形装置
CN108724635A (zh) * 2018-07-02 2018-11-02 Tcl王牌电器(惠州)有限公司 倒装注塑模具
WO2018221090A1 (ja) * 2017-06-02 2018-12-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7193491B2 (en) * 2005-03-23 2007-03-20 Andrew Corporation Multi-planar sealing gasket for waveguide assembly
KR101708272B1 (ko) * 2009-10-28 2017-02-21 삼성전자주식회사 반도체 패키지의 제조 장치 및 반도체 패키지의 제조 방법
CH705229B1 (de) * 2011-07-08 2015-06-15 Esec Ag Verfahren und Vorrichtung für die Montage von Halbleiterchips.
US8686550B2 (en) 2012-02-13 2014-04-01 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for high pressure sensor device
US9040352B2 (en) 2012-06-28 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Film-assist molded gel-fill cavity package with overflow reservoir
NL2011512C2 (en) 2013-09-26 2015-03-30 Besi Netherlands B V Method for moulding and surface processing electronic components and electronic component produced with this method.
NL2021145B1 (en) * 2018-06-18 2020-01-06 Besi Netherlands Bv Mould for encapsulating electronic components, insert for such a mould, method for producing an insert and method for encapsulating electronic components

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009096A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Apic Yamada Corp 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
US6770236B2 (en) * 2000-08-22 2004-08-03 Apic Yamada Corp. Method of resin molding

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011143730A (ja) * 2011-04-15 2011-07-28 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形装置
WO2018221090A1 (ja) * 2017-06-02 2018-12-06 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置
JP2018202740A (ja) * 2017-06-02 2018-12-27 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置
TWI750369B (zh) * 2017-06-02 2021-12-21 日商山田尖端科技股份有限公司 樹脂模製模具及樹脂模製裝置
CN108724635A (zh) * 2018-07-02 2018-11-02 Tcl王牌电器(惠州)有限公司 倒装注塑模具
CN108724635B (zh) * 2018-07-02 2021-04-02 Tcl王牌电器(惠州)有限公司 倒装注塑模具

Also Published As

Publication number Publication date
US20040063234A1 (en) 2004-04-01
US6929977B2 (en) 2005-08-16
JP4102634B2 (ja) 2008-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6062810B2 (ja) 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置
US6261501B1 (en) Resin sealing method for a semiconductor device
JP4336499B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP6273340B2 (ja) 樹脂モールド金型及び樹脂モールド装置
JP4416218B2 (ja) 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
WO2020217703A1 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6861609B2 (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
TW201542338A (zh) 樹脂模製模具及樹脂模製方法
JP2004119803A (ja) 電子部品の樹脂注入方法及び装置
JP5906527B2 (ja) モールド金型及びこれを備えた樹脂モールド装置
JP4336502B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP5744683B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP6438794B2 (ja) モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法
JP2008041846A (ja) フリップチップの樹脂注入成形方法及び金型
JP5511724B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4358501B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型
JP3581816B2 (ja) フリップチップの樹脂注入方法
JP2019111692A (ja) 樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP6611631B2 (ja) 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JP3798995B2 (ja) アンダーフィル樹脂モールド方法及び金型
JP6404734B2 (ja) 樹脂成形方法、樹脂成形金型、および成形品の製造方法
JPH05326597A (ja) 電子部品の樹脂封止成形装置と成形品の離型方法
JP2001168121A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法
US11969922B2 (en) Method for manufacturing resin molded product
JP2004253412A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070806

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071211

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071228

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080311

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080324

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4102634

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term