JP2004119414A

JP2004119414A - 電子線描画方法

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Publication number: JP2004119414A
Application number: JP2002276730A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Fujita; 藤田　滋; Yasuhide Fujiwara; 藤原　康秀; Masahiro Masuzawa; 升澤　正弘
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-09-24
Filing date: 2002-09-24
Publication date: 2004-04-15

Abstract

【課題】本発明の課題は、本発明は後方散乱の影響を抑え、レジスト層の表面が綺麗な浅い凹凸パターンを形成することができる電子線描画方法を提供することである。
【解決手段】基板２１上に形成されたレジスト層２５の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する電子線描画方法において、電子線の後方散乱を抑えるための散乱制御層２７を設けるようにした。また、散乱制御層２５の散乱の頻度を表す微分散乱断面積は、基板２１の微分散乱断面積より小さくし、基板２１の材質の散乱確率比が所定値以上の場合には散乱制御層２５として樹脂を用い、散乱確率比が所定値よりも小さくなりようにした。
【選択図】　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線描画方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路や超微細光学素子（例えば波長分割多重光通信用デバイスなど）のマイクロ加工プロセス分野では、０．１μｍ以下の溝幅で高アスペクト比（１０〜６０）を狙った開発が進められてきた。即ち、数ｎｍオーダのビ−ム径の電子線と、５０ＫｅＶ以上の高加速電圧条件を組み合わせて、ミクロンオーダ（１μｍ〜３μｍ）のレジスト厚みを対象としていた。この方法では、入射電子線がレジスト層を透過して基板面からの後方散乱電子がレジスト層表面近傍まで影響を与えることはなかった。
【０００３】
しかし、ＤＶＤ（光ディスク）等の大容量記録媒体の作成工程では、３０ｎｍ以下のパターン深さが要求され、従来からのレーザ波長とレンズ特性（ＮＡ）で制約される光絞り径では対応できなくなった。そこで、電子線を用いた描画技術の試みが始められている。例えば、浅いパタ−ンを形成する場合、厚めのレジスト層に開口パターンを設け、これをマスクにして基板をエッチングし、パターンを形成する方法である。これは、シリコン基板表面の数十ｎｍのＳｉＯ_２層とレジスト材のエッチングレートの差を利用する方法である（図１２参照）。
【０００４】
しかし、この従来方法はプラズマエッチング装置やイオンビームエッチング装置など高価な設備を必要とするため、コスト高になるという問題点があった。そのため、エッチング工程を使わずに、サブミクロン以下の浅いパターンを形成する方法が望まれる。
【０００５】
２５ＧＢ以上の大容量記録媒体の原盤では、溝ピッチは０．３μｍ以下、溝幅は０．１５μｍ以下、深さは０．０２５μｍ以下が要求され、さらにこの密度を有しかつ、連続的に一筆書きモード（連続描画）で実施する必要がある。これは、ディスク面には時間情報が組み込まれた蛇行ガイド溝を刻むことが要求されるからである。従来の電子線描画は、数十ｎｍオ−ダのビームを所定の領域内にベクタ−スキャンやベクタースキャンモードといった塗り重ね方式で行っていた（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１―２８３２８２号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来技術では、通常１００ｍｍ／ｓオーダの描画速度が限界であり、例えば１枚の描画に約１００時間以上を費やしていた。従って、描画速度を高めるためには、高速度回転と上述した連続描画は不可避であった。しかも、溝の内壁や表面の荒れは、信号ノイズを招くという問題があり、レジスト層内での電子散乱領域生成の細かな制御が必要となる。
【０００８】
しかし、高速化のために大電流でかつ高エネルギ−（高加速電圧）を適用すると、基板からの後方散乱の影響によって、散乱した電子がレジスト層を感光させることとなる。この影響はレジスト厚みが薄くなればなる程、顕著になるという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は後方散乱の影響を抑え、レジスト層の表面が綺麗な浅い凹凸パターンを形成することができる電子線描画方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板上に形成されたレジスト層の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する電子線描画方法において、電子線の後方散乱を抑えるための散乱制御層を設けることを特徴とする。
【００１１】
この請求項１に記載の発明では、レジスト層の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する際に、高電流及び高電圧の制御であっても、電子線の後方散乱の影響を抑えることができ、レジスト層の厚みが薄い場合でも、レジスト層の表面が綺麗な浅い凹凸パターンを形成することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、散乱制御層の散乱の頻度を表す微分散乱断面積は、基板の微分散乱断面積より小さいことを特徴とする。
【００１３】
この請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層を構成する材料の散乱の頻度を表す微分散乱断面積を、基板の微分散乱断面積より小さくすることで、電子線の後方散乱の領域が狭くなり、従ってレジスト層の表面まで散乱電子が到達することを防ぐことができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、基板の材質の散乱確率比が所定値以上の場合には散乱制御層として樹脂を用い、散乱確率比が所定値よりも小さい場合には散乱制御層として無機系材料を用いることを特徴とする。
【００１５】
この請求項３に記載の発明では、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱確率比が所定値よりも小さい場合には散乱制御層として無機系材料を用いることで、電子線の後方散乱の領域を狭くすることができる。
【００１６】
また、基板の材質の散乱確率比が所定値よりも大きい場合には散乱制御層として樹脂を用いることで、無機系材料を用いる場合と同様の効果が得られる。尚、樹脂を用いた場合には、密度が無機系材料に比べて小さいので、厚みを大きくとる必要がある。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れかに記載の発明において、レジスト層は主鎖切断型又は化学増幅型の電子線露光用のレジスト剤であり、散乱制御層は電子線の不感性能を有するレジスト剤であることを特徴とする。
【００１８】
この請求項４に記載の発明では、請求項１乃至３の何れかに記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層として電子線に反応しないレジスト層として主鎖切断型又は化学増幅型のレジスト剤を用いることで、耐溶剤性が飛躍的に向上するとともに、散乱制御層として電子線に不感性能のレジスト剤を用いるので、耐久性に優れる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れかに記載の発明において、散乱制御層は無機系材料であることを特徴とする。
【００２０】
この請求項５に記載の発明では、請求項１乃至４の何れかに記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層として無機系材料を用いることで、散乱制御層が溶出したり侵食したりせず、耐久性に優れる安定した形態を維持することができる。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れかに記載の発明において、散乱制御層は耐溶剤性を有するフッ素系又はフェノール系の樹脂材料であることを特徴とする。
【００２２】
この請求項６に記載の発明では、請求項１乃至５の何れかに記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層として耐溶剤性を有する樹脂材料を用いることで、無機系材料と同様に安定した形態を維持することができる。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６の何れかに記載の発明において、散乱制御層の表面にはレジスト剤の溶媒成分による溶出及び変形を避ける保護層を設けることを特徴とする。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、保護層は耐溶剤性を有する無機系材料であることを特徴とする。
【００２５】
請求項９に記載の発明は、請求項７又は８に記載の発明において、全体構成が基板、散乱制御層、保護層、レジスト層の順に積層されていることを特徴とする。
【００２６】
請求項７乃至９に記載の発明では、請求項１乃至６の何れかに記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層の表面に保護層を設けることで、溶剤に耐えられない一般的なレジスト剤であっても表面を保護することができ、散乱制御層が溶出したり侵食したりせず、安定した形態を維持することができる。
【００２７】
請求項１０に記載の発明は、請求項２記載の発明において、微分散乱断面積は原子種類、重量濃度及び密度を制御因子とすることを特徴とする。
【００２８】
この請求項１０に記載の発明では、請求項２に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層の材料等の条件を変更することで、後方散乱の影響を防止することができ、電子線に係る電流や電圧を変更する必要がないので、煩雑な制御を必要としない。
【００２９】
請求項１１に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、無機系材料はダイヤモンドライクカーボン、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ_２、インジウムチタン酸オキサイド（ＩＴＯ）であることを特徴とする。
【００３０】
請求項１１に記載の発明は、請求項５に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、これらの材料を用いることで、更に耐久性に優れる安定した形態を維持することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本実施の形態に係る電子線描画装置の一例を示す概略図、図２は図１に係る電子線描画装置を用いて凹凸パターンを形成する様子を示す断面図、図３は従来例に係る電子線による後方散乱の影響を示す断面図、図４はレジスト層の厚さによる後方散乱の影響の違いを示す断面図、図５は後方散乱の影響によるレジスト層の表面荒れ状態を示す斜視図、図６は本実施例に係る被加工物の一例を示す断面図、図７は図６に係る被加工物において電子線による後方散乱の影響を示す断面図である。
【００３２】
電子線描画装置１０は、電子ビームを発生する電子ビーム発生系Ｐと、発生した電子ビームを収束させる電子ビームレンズ系Ｑとからなる。尚、ユニットは真空チャンバ１１内に設けられている。
【００３３】
真空チャンバ１１には、露光する被加工物１２を回転及び横移動させるための駆動系が電子ビームレンズ系Ｑの真下に位置しており、被加工物１２上に収束した電子ビームを照射し、回転移動することでスパイラル又は同心円状の溝を形成する。そして、これらの筐体は、振動を除去するための石定盤１４等に設置され、外乱振動の影響を防止している。
【００３４】
電子ビーム発生系Ｐは、電子銃１とコンデンサレンズ２と電子ビーム偏向電極３、アパーチャ４等により構成されている。電子銃１から出射された電子ビームは、コンデンサレンズ２によって集光される。一対の電極から構成されるエミッターから電子ビームが出射されると、コンデンサレンズ２によって集光される。また、電子ビームは一対の電極から構成される電子ビーム偏向器を通過することで行う。偏向された電子ビームはアパーチャ４に照射される。
【００３５】
電子ビーム偏向電極３は、偏向が大きければアパーチャ４により電子ビームを遮断して、被加工物１２まで到達しないようにし、偏向がなければアパーチャ４を通過し被加工物１２に到達するようにＯＮ／ＯＦＦが可能である。また、電子ビームはアパーチャ４によりビーム整形も同時に行なわれ電子ビームレンズ系へと導入される。
【００３６】
電子ビームレンズ系Ｑでは、ウォブル溝を形成するために第２電子ビーム偏向電極５を通過することで、電子ビームに偏向角を与えることが可能となる。もちろん、ウォブル溝を形成しない場合は、偏向は行わない。その後、電子ビームは被加工物１２上に集光、集光スポット径を調整するためのフォーカスレンズ６、７によって駆動され、被加工物１２上に集光される。被加工物１２を回転移動させる駆動系については、通常の光ディスク原盤露光装置と基本的には同様の構造だが、電子ビーム露光特有の構成となっている。
【００３７】
次に上述した電子線描画装置１０を用いて、テ−ブル上面に載置された被加工物（レジスト層＋基板）に微細なパタ−ンの潜像形成（図２（ａ））と現像処理（図２（ｂ））を行う場合について説明する。
【００３８】
基板２１の表面上には、レジスト層２３が形成されている。基板２１は、シリコンやガラス等の材料からなる。レジスト層２３は、Ａｒ、Ｋｒレーザ等に感度を有するグル−プとは反応系が基本的に異なり、主鎖切断型と呼ばれるポジ型レジスト（日本ゼオン株式会社：商品名ＺＥＰ５２０）、分子量の増加をもやらす架橋型ネガレジスト（東京応化（株）：商品名ＯＥＢＲ１００）、ＰＨＳ樹脂と酸発生剤から成る化学増幅系レジストなどである。いずれも電子線のエネルギーで反応が進む。レ−ザ照射では、ビーム３次元形状にほぼ忠実に潜像が形成されるのに対して、電子線照射ではビ−ムの基本形状に加えて散乱領域の形状で潜像の形状が決定される。
【００３９】
散乱領域は図３に示した様に、基板２１から反射した電子やレジスト層２３内での原子同士の弾性衝突の繰り返し挙動で決まるものである。この挙動には、複数の因子が絡み合っているが、基本的には数１に示したモンテカルロシュミレーション手法で説明できる。
【００４０】
また、図３において示す領域Ａ〜Ｃは、左から順番に電子の運動エネルギ−が大きくなっていく場合を示し、この図では、主に基板２１からの１次電子の後方散乱領域の大小によりレジスト層内での影響度の大小を説明した。基板２１上面からはみ出した長さδ_０と領域面積が大きい程、即ち、レジスト表面近くまで散乱電子の数が多い程、パタ−ンの面荒れやうねりが大きくなることがわかる。
【００４１】
図４では、同一のエネルギーを有する電子線が入射したときに、レジスト層２３の厚みが薄い程、その影響が大きいことを示している。加速電圧５０ＫＶ以上では、レジスト厚みが２５ｎｍ以下で顕著な面荒れが発生することがわかっている。
【００４２】
最終製品である基板２１の表面は、原盤から転写されたＮｉスタンパ面に対応しておりレジスト表面を忠実に反映する。従って、メディアの信号ノイズは主に原盤作成工程で生成されることになる。図５は面荒れが発生する様子を模式図で示している。本来、平らな面形状を示すべきだが、丸みを帯びた無数の凹凸部２２が散在している。
【００４３】
本発明では、上記の問題点を解決すべく、まず表１で示す電子線軌道計算式を検討した。式（１）は、古典的な単散乱モデルを用いたものである。Ｅ_０なるエネルギーをもって試料表面に入射した１個の電子は、試料中で原子と衝突して、（１）式で与えられる遮蔽ラザフォード型の散乱確率分布に従う方向に変化を受ける。衝突間では電子の軌道は直線であると仮定し、その距離は（２）式の平均自由工程Λであたえられる。電子がこのΛなる距離を進む間には方向変化は起きないが、電子間の衝突によるエネルギー損失は生じる。エネルギー損失量は（３）式で示すベーテの式を用いる。
【００４４】
本発明では基板２１の表面上に散乱制御層２５を設けることで、（１）式で得られる値を小さくする方向で検討を行った。式中のＺｉ（試料構成原子ｉの原子番号）とβｉ（試料構成原子ｉの遮蔽パラメ−タ−）を変化させることで、電子の散乱挙動を変化させることができる。
【００４５】
図６に示すように、散乱制御層２５を配置すると、図７の如く後方散乱領域が変化することは容易に分かる。散乱制御層２５に要求される条件は基板２１（Ｓｉ、ガラスなど）よりも原子量等価数が小さいことである。（数１中の式１：Ｚｉ）各種材料について（１）式の値を試算して、比較すると下記の表１に示すようになる。
【００４６】
【数１】

【００４７】
【表１】

【００４８】
表中で、基板材料のＳｉの散乱確率比を１として、その他の原子の値を規格化した。１よりも小さい値をとれば、散乱領域が狭くなり、レジスト表面までに後方散乱電子が到達する可能性が少なくなることが分かった。
【００４９】
また、散乱制御層２５の原子番号すなわち材料の種類を選びかつ、適正な厚みを選定すれば良い。樹脂の場合、電子線の進入深さは相当深いので、１〜５μｍの範囲で求め、更に実験的に決定する。また、無機系材料とくに金属系は密度が、シリコンやガラスに比べて、非常に大きいので数十ｎｍの範囲で条件選定を行えば、所望の効果が得られる。
【００５０】
散乱制御層２５は電子線に不感性能を有するレジスト剤である。ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）は、１８０℃以上のベ−キング処理を行うと、耐溶剤性が極端に向上することが知られており、ノボラック系のポジ型レジスト群（東京応化（株）：商品名ＯＦＰＲ８００）においても、ベ−キング温度を約１３０℃（実施例では１６０℃）より高くすると電子線にも反応しないし溶剤にも溶けない強固な薄膜が得られる。本発明では、その性質を利用して散乱制御層２５を得た。
【００５１】
基板２１がガラスの場合にはＳｉＯ_２の散乱確率比は数１に示すように０．５１なので、散乱制御層２５として樹脂を用い、ガラスの上から順に樹脂、及びレジスト層２３の構成をとる必要がある。これに対し、基板２１の材料の散乱確率比が低い場合には、散乱制御層２５として無機系材料を用いることができる。尚、樹脂を用いた場合には、密度が無機系材料に比べて小さく、式（２）の平均自由工程が長く成りやすいので、厚みを大きくとる必要がある。この様に基板２１の材質によって積層の組み合わせを適宜変更することで狙いの効果を発揮することができる。
【００５２】
また、散乱制御層２５として無機系材料を用いることが望ましい。散乱制御層２５として無機系材料を用いることで、レジスト溶媒に対抗することができ、散乱制御層２５が溶出したり侵食したりせず、耐久性に優れる安定した形態を維持することができる。無機系材料の一例としてはダイヤモンドライクカーボン、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ_２、インジウムチタン酸オキサイド（ＩＴＯ）がある。
【００５３】
また、有機系材料であっても、フッ素系樹脂やフェノ−ル系樹脂の場合には、レジスト溶媒に対抗することができる。尚、レジスト層２３に用いられる溶媒は、キシレンやオルソジクロルベンゼン、メチルエチルケトンに代表的される有機溶剤であり、たいていの樹脂は溶出する。しかしフッ素系樹脂やフェノ−ル系樹脂の場合は、耐溶剤性に優れ溶出し難い。
【００５４】
次に第２実施例について説明する。図８に示すように、第２実施例では、散乱制御層２５の表面にはレジスト剤の溶媒成分による溶出及び変形を避ける保護層２７を設けるようにした。散乱制御層２５の材料等の条件を変更することで、後方散乱の影響を防止することができ、電子線に係る電流や電圧を変更する必要がないので、煩雑な制御を必要としない。また、全体構成は基板２１、散乱制御層２５、保護層２７、レジスト層２３の順に積層する。
【００５５】
保護層２７の例としては、無機系材料でかつｎｍオ−ダの薄膜（電子線透過を阻害しない厚み）を容易に形成可能なものとして、インジウムチタン酸オキサイド（ＩＴＯ）、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ_２などが望ましい。
【００５６】
本発明は、上述のようなの実施の形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形が可能である。例えば、基板２１、散乱制御層２５、保護層２７及びレジスト層２３の積層の順序は適宜変更可能であり、例えばレジスト層２３の上に散乱制御層２５を設けても良いし、保護層２７を設ける場合には、散乱制御層２５と保護層２７とを入れ替え、基板２１、保護層２７、散乱制御層２５及びレジスト層２３の順番に積層してもよい。
【００５７】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明では、レジスト層の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する際に、高電流及び高電圧の制御であっても、電子線の後方散乱の影響を抑えることができ、レジスト層の厚みが薄い場合でも、レジスト層の表面が綺麗な浅い凹凸パターンを形成することができる。
【００５８】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱制御層を構成する材料の散乱の頻度を表す微分散乱断面積を、基板の微分散乱断面積より小さくすることで、電子線の後方散乱の領域が狭くなり、従ってレジスト層の表面まで散乱電子が到達することを防ぐことができる。
【００５９】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は２に記載の発明と同様の作用効果を奏するとともに、散乱確率比が所定値よりも小さい場合には散乱制御層として無機系材料を用いることで、電子線の後方散乱の領域を狭くすることができる。
【００６０】
また、基板の材質の散乱確率比が所定値よりも大きい場合には散乱制御層として樹脂を用いることで、無機系材料を用いる場合と同様の効果が得られる。
【００６１】
請求項４に記載の発明では、請求項１乃至３の何れかに記載の発明と同様の効果を奏するとともに、散乱制御層として電子線に反応しないレジスト層として主鎖切断型又は化学増幅型のレジスト剤を用いることで、耐溶剤性が飛躍的に向上するとともに、散乱制御層として電子線に不感性能のレジスト剤を用いるので、耐久性に優れる。
【００６２】
請求項５に記載の発明では、請求項１乃至４の何れかに記載の発明と同様の効果を奏するとともに、散乱制御層として無機系材料を用いることで、散乱制御層が溶出したり侵食したりせず、耐久性に優れる安定した形態を維持することができる。
【００６３】
請求項６に記載の発明では、請求項１乃至５の何れかに記載の発明と同様の効果を奏するとともに、散乱制御層として耐溶剤性を有する樹脂材料を用いることで、無機系材料と同様に安定した形態を維持することができる。
【００６４】
請求項７乃至９に記載の発明では、請求項１乃至６の何れかに記載の発明と同様の効果を奏するとともに、散乱制御層の表面に保護層を設けることで、溶剤に耐えられない一般的なレジスト剤であっても表面を保護することができ、散乱制御層が溶出したり侵食したりせず、安定した形態を維持することができる。
【００６５】
請求項１０に記載の発明では、請求項２に記載の発明と同様の効果を奏するとともに、散乱制御層の材料等の条件を変更することで、後方散乱の影響を防止することができ、電子線に係る電流や電圧を変更する必要がないので、煩雑な制御を必要としない。
【００６６】
請求項１１に記載の発明は、請求項５に記載の発明と同様の効果を奏するとともに、これらの材料を用いることで、更に耐久性に優れる安定した形態を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る電子線描画装置の一例を示す概略図である。
【図２】図１に係る電子線描画装置を用いて凹凸パターンを形成する様子を示す断面図である。
【図３】電子線による後方散乱の影響を示す断面図である。
【図４】レジスト層の厚さによる後方散乱の影響の違いを示す断面図である。
【図５】後方散乱の影響によるレジスト層の表面荒れ状態を示す斜視図である。
【図６】本実施例に係る被加工物の一例を示す断面図である。
【図７】図６に係る被加工物において電子線による後方散乱の影響を示す断面図である。
【図８】第２実施例に係る被加工物を示す断面図である。
【図９】図８に係る被加工物において電子線による後方散乱の影響を示す断面図である。
【図１０】レジスト剤による散乱制御層の不具合状態を示す断面図である。
【図１１】散乱制御層による後方散乱の不具合防止の様子を示す断面図である。
【図１２】従来例に係る被加工物の製造例を示す断面図である。
【符号の説明】
２１　　　　　　基板
２３　　　　　レジスト層
２５　　　　　散乱制御層
２７　　　　　保護層

Claims

基板上に形成されたレジスト層の表面に電子線を照射して凹凸パターンを形成する電子線描画方法において、電子線の後方散乱を抑えるための散乱制御層を設けることを特徴とする電子線描画方法。
散乱制御層の散乱の頻度を表す微分散乱断面積は、基板の微分散乱断面積より小さいことを特徴とする請求項１記載の電子線描画方法。
基板の材質の散乱確率比が所定値以上の場合には散乱制御層として樹脂を用い、散乱確率比が所定値よりも小さい場合には散乱制御層として無機系材料を用いることを特徴とする請求項１又は２記載の電子線描画方法。
レジスト層は主鎖切断型又は化学増幅型の電子線露光用のレジスト剤であり、散乱制御層は電子線の不感性能を有するレジスト剤であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の電子線描画方法。
散乱制御層は無機系材料であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の電子線描画方法。
散乱制御層は耐溶剤性を有するフッ素系又はフェノール系の樹脂材料であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか記載の電子線描画方法。
散乱制御層の表面にはレジスト剤の溶媒成分による溶出及び変形を避ける保護層を設けることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の電子線描画方法。
保護層は耐溶剤性を有する無機系材料であることを特徴とする請求項７記載の電子線描画方法。
全体構成が基板、散乱制御層、保護層、レジスト層の順に積層されていることを特徴とする請求項７又は８記載の電子線描画方法。
微分散乱断面積は原子種類、重量濃度及び密度を制御因子とすることを特徴とする請求項２記載の電子線描画方法。
無機系材料はダイヤモンドライクカーボン、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ_２、インジウムチタン酸オキサイドであることを特徴とする請求項５記載の電子線描画方法。