JP2004117889A

JP2004117889A - フォトレジスト用剥離液組成物

Info

Publication number: JP2004117889A
Application number: JP2002281646A
Authority: JP
Inventors: Yoko Nishimura; 西村　洋子; Toru Kimura; 木村　徹; Masaaki Inoue; 井上　昌章
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2002-09-26
Filing date: 2002-09-26
Publication date: 2004-04-15

Abstract

【解決手段】本発明のフォトレジスト用剥離液組成物は、基板表面に形成されたフォトレジストからなる膜を、該基板から剥離させる際に用いられる剥離液組成物であって、
該剥離液組成物が、下記式（１）
【化１】

〔式（１）中、ｍは２以上の整数、ｎは０以上の整数を表わす。〕
で表わされる化合物を含有することを特徴とする。
【効果】本発明によれば、厚膜のフォトレジストに対して優れた剥離性能を示し、またバンプや基板を腐食しない点でも優れているフォトレジスト用剥離液組成物を提供することができる。
【選択図】　　なし

Description

【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、フォトレジスト用剥離液組成物に関する。さらに詳しくは、回路基板の製造の際、または半導体や電子部品の回路基板への実装の際に行われる配線形成やバンプ形成等のフォトファブリケーションにおいて用いられるフォトレジスト用剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フォトファブリケーションとは、感光性または感放射線性の樹脂組成物からなるフォトレジストを、シリコンウエハー等の被加工物表面に塗布し、フォトリソグラフィ技術によって塗膜にパターンを形成し、これをマスクとして化学エッチング、電解エッチングまたは電気メッキを主体とするエレクトロフォーミング技術を単独または組み合わせることにより、各種精密部品を製造する技術の総称であり、現在の精密微細加工技術の主流となっている。
【０００３】
近年、電子機器の小型化に伴ない、ＬＳＩの高集積化、多層化が急激に進んでおり、ＬＳＩを電子機器に搭載するための基板への多ピン実装方法が求められ、ＴＡＢ方式やフリップチップ方式によるベアチップ実装等が注目されてきている。
このような高密度実装においては、電解めっきにより金属導体が形成され、その金属パターンの微細化が進んでいる。このような金属パターンとしては、接続用端子であるバンプ（微小電極）や、電極までの導通部を形成するための配線が挙げられる。このバンプにおいては、高さ１５μｍ以上の突起電極が基板上に高精度に配置されることが必要であり、また配線においては、該配線の微細化が必要である。現在、ＬＳＩのさらなる小型化に対応して、配線やバンプの高精度化・微細化がさらに要求されており、今後、その要求は一層強くなると考えられる。
【０００４】
このような微細な金属パターンを形成する際に用いられるフォトレジストには、メッキによって形成されるバンプ等の高さ以上となるように塗膜を形成できること、高い解像性を有することが求められている。具体的には、金属バンプ形成用途では、１５μｍ以上の膜厚の塗膜を形成可能であり、かつ２５μｍピッチの解像性を有することが求められ、配線用途では１０μｍの膜厚の塗膜を形成可能であり、かつ幅５μｍの配線の解像性を有することが求められている。さらに、フォトレジストを硬化させることにより得られたパターン状硬化物をマスク材として電解メッキを行う際に、該パターン状硬化物がメッキ液に対して充分な濡れ性を有するとともに、メッキ液に対して耐性を有すること等が求められる。
【０００５】
このような状況下、微細な金属パターンを形成する際に用いられる材料として、１０μｍ以上の膜厚を形成できるアルカリ現像性の厚膜用ネガ型フォトレジストが注目されている（特開平８−３０１９１１号公報）。このようなアルカリ現像性の厚膜用ネガ型フォトレジストを用いてバンプあるいは配線を形成する場合は、フォトリソグラフィー技術により基板上に該レジストからなるパターン状硬化物を形成した後、該パターン状硬化物をマスクとしてメッキを行なう。その後、剥離液により、不要となったパターン状硬化物を基板から剥離し、バンプあるいは配線を形成している。
【０００６】
このネガ型フォトレジストは、露光部を硬化させてパターン状硬化物を形成しており、ポジ型フォトレジストに比べてメッキ液に対する耐性に優れ、１０μｍ以上の厚膜でも良好な金属パターン形状が得られるため、バンプ形成用や回路基板作製用として有用である。しかしながら、ネガ型フォトレジスト、特に上記のような厚膜を形成することができるネガ型フォトレジストは、ポジ型フォトレジストと比較して、基板からパターン状硬化物を剥離することが困難であり、さらに剥離液の剥離処理能力が劣るという欠点があった。
【０００７】
一般的に、バンプ形成や回路基板作製時に行われるパターン状硬化物の剥離方法としては、剥離液を用いるウエット剥離法が採用されている。このウエット剥離法で使用される剥離液に要求される主な条件としては、次の２点を挙げることができる。
１）　基板とフォトレジストとの密着性を強固にするため実施される高温ポストベークや、メッキ液の濡れ性を向上させるために実施される酸素プラズマエッチング処理等により硬化・変質したフォトレジストをも完全に剥離でき、その剥離処理能力が高いこと。
２）　取り扱いが容易であり、かつ毒性が少なく、安全であること。
【０００８】
従来、フォトレジストからなるパターン状硬化物の剥離に用いられる剥離液としては、酸性剥離液またはアルカリ性剥離液が使用されている。酸性剥離液の代表的なものとしては、アルキルベンゼンスルホン酸に、フェノール化合物、塩素系溶剤、芳香族炭化水素等を配合した剥離液が市販されているが、これら剥離液は、アルカリ現像型のネガ型フォトレジストからなるパターン状硬化物を剥離する能力が充分でない上、毒性の強いフェノール化合物や環境汚染の原因となる塩素系溶剤を含有する点も問題とされている。さらに、基板や該基板上のバンプあるいは配線を腐食するという問題があった。
【０００９】
一方、アルカリ性剥離液としては、水溶性有機アミンと、ジメチルスルホキシドのような有機溶剤とからなる剥離液が市販されている。しかしながら、上記酸性剥離液と同様、アルカリ現像性ネガ型フォトレジストからなるパターン状硬化物を剥離する能力が充分でない等の問題点があった。
【００１０】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、バンプ形成や回路基板作製に有用なネガ型フォトレジストの中でも、特に、アルカリ現像性であり、かつ１０μｍ以上の厚膜が形成可能なアクリル系ネガ型フォトレジストをパターニングして得られるパターン状硬化物に対し、優れた剥離性能を有すると共に、基板や該基板上のバンプあるいは配線を腐食せず、さらに、毒性や環境汚染の少ないフォトレジスト用剥離液組成物を提供することを目的としている。
【００１１】
【発明の概要】
本発明に係るフォトレジスト用剥離液組成物は、基板表面に形成されたフォトレジストからなる膜を、該基板から剥離させる際に用いられる剥離液組成物であって、
該剥離液組成物が、下記式（１）
【００１２】
【化２】

【００１３】
〔式（１）中、ｍは２以上の整数、ｎは０以上の整数を表わす。〕
で表わされる化合物を含有することを特徴とする。
上記式（１）で表わされる化合物が、ｍ＝４の化合物であることが好ましい。また、上記フォトレジストは、アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストであることが好ましい。
【００１４】
さらに本発明によれば、該剥離液を特定の温度で用いた前記ネガ型フォトレジストの剥離プロセス、および該剥離プロセスにより製造された金属パターンおよびこの金属パターンを具備する半導体デバイスも提供される。
【００１５】
【発明の具体的説明】
以下、本発明をより詳細に説明する。
フォトレジスト用剥離液組成物
本発明のフォトレジスト用剥離液組成物（以下、剥離液組成物ともいう。）は、下記式（１）
【００１６】
【化３】

【００１７】
で表わされる化合物を含有しており、式（１）中、ｍは２以上、好ましくは３〜５の整数であり、ｎは０以上、好ましくは０〜３の整数であることが望ましい。式（１）中に存在する２つのｎは、相互に同一の整数であっても、異なる整数であってもよい。
上記式（１）で表わされる化合物を含有する本発明のフォトレジスト用剥離液組成物は、１０μｍ以上の厚膜が形成可能なアクリル系ネガ型フォトレジストをパターニングして得られるパターン状硬化物に対し、優れた剥離性能を有し、さらに基板や該基板上のバンプあるいは配線を腐食することがない。
【００１８】
このような上記式（１）で表わされる化合物として、具体的には、
１，１−ジメチルアジリジニウムヒドロキシド、１，１−ジエチルアジリジニウムヒドロキシド、１，１−ジプロピルアジリジニウムヒドロキシド、１，１−ジブチルアジリジニウムヒドロキシド等のｍ＝２の化合物；
１，１−ジメチルアゼチジニウムヒドロキシド、１，１−ジエチルアゼチジニウムヒドロキシド、１，１−ジプロピルアゼチジニウムヒドロキシド、１，１−ジブチルアゼチジニウムヒドロキシド等のｍ＝３の化合物；
１，１−ジメチルピロリジニウムヒドロキシド、１，１−ジエチルピロリジニウムヒドロキシド、１，１−ジプロピルピロリジニウムヒドロキシド、１，１−ジブチルピロリジニウムヒドロキシド等のｍ＝４の化合物；
１，１−ジメチルペルヒドロピリジニウムヒドロキシド、１，１−ジエチルペルヒドロピリジニウムヒドロキシド、１，１−ジプロピルペルヒドロピリジニウムヒドロキシド、１，１−ジブチルペルヒドロピリジニウムヒドロキシド等のｍ＝５の化合物等が挙げられる。
【００１９】
本発明においては上記式（１）の化合物として、ｍ＝４で表わされる化合物を用いることが好ましい。本発明の剥離液組成物が、ｍ＝４で表わされる化合物を含有することにより、１０μｍ以上の厚膜が形成可能なアクリル系ネガ型フォトレジストをパターニングして得られるパターン状硬化物に対し、特に優れた剥離性能を有することができる。
【００２０】
このような上記式（１）で表わされる化合物は、本発明の剥離液組成物１００重量％中に０．１〜１５重量％、好ましくは０．３〜８重量％の量で含有していることが望ましい。この範囲で含有されていることにより、パターン状に硬化したレジスト膜を充分に剥離することができる。
本発明の剥離液組成物は、上記式（１）の化合物を上記の量で含有していれば、特に限定されないが、上記式（１）で表わされる化合物と共に、（ａ）主溶剤、（ｂ）添加剤、（ｃ）テトラ（置換）アンモニウムヒドロキシド等の成分を含有することができる。
【００２１】
上記主溶剤（ａ）としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート等が挙げられる。このような主溶剤（ａ）の内では、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、を用いることが好ましい。これらは単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。このような主溶剤（ａ）は、基板から剥がれたレジストの硬化物片を溶解するために用いられる。
【００２２】
上記添加剤（ｂ）としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、フェノール、カテコール、ピロガロール、ポリエチレングリコール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン等が挙げられる。このような添加剤（ｂ）の内では、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、メタノール、エタノール、２−プロパノールを用いることが好ましい。これらは単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。このような添加剤（ｂ）は、剥離液組成物に添加される成分同士の相溶性を向上させる目的で用いられる。
【００２３】
上記テトラ（置換）アルキルアンモニウムヒドロキシド（ｃ）は、アンモニウムヒドロキシドの窒素原子に結合する４つの水素原子が全てアルキル基および／または置換アルキル基で置換された化合物である。前記４つの水素原子は同一のアルキル基または置換アルキル基で置換されていてもよく、あるいは異なった複数種のアルキル基または置換アルキル基で置換されていてもよい。
【００２４】
このアルキル基としては、炭素数が１〜５、好ましくは１〜３のアルキル基が用いられる。そのようなアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基等を例示することができる。また、置換アルキル基としては、水酸基、アルコキシ基で置換されたアルキル基が好ましく、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−メトキシエチル基、２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル基等を例示することができる。
【００２５】
このようなテトラ（置換）アルキルアンモニウムヒドロキシド（ｃ）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラ（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチル｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル｝アンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。これらのうち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシドを用いることが好ましい。これらは単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記テトラ（置換）アルキルアンモニウムヒドロキシドは、水和物であっても良い。
【００２６】
このようなテトラ（置換）アルキルアンモニウムヒドロキシド（ｃ）は、剥離液組成物の剥離能力をさらに向上させる目的で用いられる。
本発明の剥離液組成物は、上記式（１）で表わされる化合物を含んでいれば、上記式（１）で表わされる化合物の量は特に限定されない。より好ましい剥離液組成物の組成、すなわち上記主溶剤（ａ）、上記添加剤（ｂ）、上記テトラ（置換）アンモニウムヒドロキシド（ｃ）の含有量を以下に説明する。
【００２７】
本発明の剥離液組成物（１００重量％）の具体例としては、
上記式（１）の化合物を、０．１〜１５重量％、好ましくは０．３〜８重量％、
上記添加剤（ｂ）を、０〜４０重量％、好ましくは１〜３０重量％、
上記テトラ（置換）アンモニウムヒドロキシド（ｃ）を、０〜１０重量％、好ましくは０〜５重量％の量で含有し、残部は上記主溶剤（ａ）であるものが挙げられる。
【００２８】
残部である主溶剤（ａ）は、好ましくは４０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上の量で含有されていることが望ましい。より具体的には、上記主溶剤（ａ）は、４０〜９９．９重量％、好ましくは６０〜９８重量％の量で含有されていることが望ましい。
本発明の剥離液組成物は、厚膜のフォトレジストに対して優れた剥離性能を示し、さらに基板や該基板上のバンプあるいは配線を腐食しない。
【００２９】
本発明の剥離液組成物には、必要に応じてこの分野で一般的に用いられる他の成分をさらに配合することができる。他の成分の例としては、表面張力を低下させ、フォトレジストへの親和力を高める目的で、界面活性剤を挙げることができる。
上記界面活性剤としては、たとえばＢＭ−１１００（ＢＭ　ケミー社製）、メガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｒ−０８（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５（旭硝子（株）製）、ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８（東レシリコーン（株）製）等の商品名で市販されているフッ素系界面活性剤等を挙げることができる。このような界面活性剤は、本発明の剥離液組成物１００重量％中に、０〜１重量％の量で添加されることが好ましい。
【００３０】
本発明のフォトレジスト用剥離液組成物は上記成分を、室温（２０〜２５℃）下で２〜１０時間程度攪拌して製造される。
フォトレジスト用剥離液組成物の用法および有用性　　
次に、以上のような本発明のフォトレジスト用剥離液組成物を用いてバンプを形成するプロセスおよび回路基板を作製するプロセスについて説明する。
銅、金、パラジウム等の導電層に覆われた基板表面に、フォトレジストを塗布する。基板にフォトレジストを塗布する方法としては、たとえば、スピンコーティング法、キャスティング法、ディップコート法等の一般的な方法が挙げられる。スピンコーティング法の場合、スピナー上に基板を置き、該基板上にレジストを滴下し、５００〜１００００ｒｐｍ程度で回転させる。
【００３１】
また、このフォトレジストとしては、従来公知である酸またはアルカリ現像型であるネガ型またはポジ型フォトレジストを使用することができるが、アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストを用いることが好ましい。アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストとしては、具体的には、ＴＨＢ−１１０Ｎ、ＴＨＢ−１２２Ｎ、ＴＨＢ−１５０Ｎ、ＴＨＢ−１５１Ｎ（ＪＳＲ社製）等を用いることができる。
【００３２】
フォトレジストを基板上に塗布した後、９０〜１２０℃で３〜１０分間程度プリベークし、レジスト膜を形成する。レジスト膜は、バンプを形成する場合には膜厚２０μｍ以上となるように、また、配線を形成する場合には膜厚１０μｍ以上となるように形成される。レジスト膜を形成した後、通常の方法に従い、所定のマスクを介してレジスト膜に紫外線等を照射して露光し、さらにその後、現像を行って所定のレジストパターン（パターン状硬化物）を形成する。
【００３３】
このようにレジストパターンを作製した後、レジスト膜が現像により除去された部分（未露光部）にメッキを施す。この場合、メッキ方式としては、電解メッキ、無電解メッキのいずれかを必要に応じて選択することができる。また、メッキの金属種としては、金、銅、ハンダ、ニッケル等を必要に応じて選択することができる。メッキ終了後、本発明の剥離液組成物を、基板上に形成されたレジストパターンと接触（浸漬など）させて、レジストパターンの剥離を行う。なお、現像液としては、従来公知のものを使用することができる。
【００３４】
上記レジストパターンと接触させる際の剥離液組成物の温度は、好ましくは１５〜８０℃、より好ましくは２０〜６０℃であることが望ましい。剥離液組成物の温度が１５℃未満の場合は、基板からレジストパターンが剥離する速度が遅くなることがある。また、剥離液組成物の温度が８０℃を越えると、剥離性能が低下することがある。
【００３５】
レジストパターンの剥離方法としては、ディップ方式を挙げることができ、具体的には、上記温度の剥離液組成物を入れた剥離槽に、レジストパターンが形成された基板を浸漬し、さらに剥離液組成物を攪拌してレジストパターンの剥離を行う。さらに、基板を浸漬している時に超音波を作用させてもよい。また、別の剥離方法としては、シャワー状の剥離液を基板に接触させてレジストパターンの剥離を行う方法を挙げることもできる。
【００３６】
基板を剥離液組成物に接触させる時間（剥離時間）は、マスクパターンの形状、レジストの膜厚、剥離液組成物の温度、剥離方法等により適宜選択することができ、上記ディップ方式においては２〜６０分程度である。
このようにしてレジストパターンを基板から剥離した後、通常の方法に従い、その基板を水洗し、乾燥空気の吹き付けやベーク等を行うことにより基板を乾燥させる。
【００３７】
上記プロセスにより、基板上に高さが１０μｍ以上のメッキによる金属がパターン化される。メッキ形状がドット状の場合、その金属ドット（柱）をバンプとして使用し、またメッキ形状がライン状の場合、その金属ラインを回路の配線として使用することができる。上記プロセスにより作製した、バンプや配線は、従来にない狭ピッチ化やハイアスペクト化が可能なため、半導体デバイスの高密度実装や、高密度配線基板の製造に有用である。
【００３８】
【実施例】
以下に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜剥離テスト用基板の作製＞
アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストとして、ＪＳＲ製ＴＨＢ−１５１Ｎを使用した。
【００３９】
上記アクリル系ネガ型フォトレジストを４インチウエハーに滴下し、スピンコート（３００ｒｐｍ・１０秒間、次いで１１００ｒｐｍ・２０秒間）し、ホットプレートで１２０℃５分間プリベークし、該ウエハー表面に膜厚７０μｍのレジスト膜を形成した。その後、露光機（ズース・マイクロテック（株）製、コンタクトアライナーＭＡ１５０）により１０００ｍＪ／ｃｍ^２でマスクを介してレジスト膜の露光を行った。
【００４０】
次に、露光後のレジスト膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、前記ネガ型フォトレジストからなる所定のレジストパターンが形成された基板を得た。該基板を剥離テストに供した。
【００４１】
【実施例１】
Ｎ−メチルピロリドンが８８重量％、トリエタノールアミンが１０重量％、ジメチルピロリジニウムヒドロキシドが０．５重量％およびメタノールが１．５重量％となるように各成分を室温で２時間混合攪拌し、剥離液組成物（１００重量％）を調製した。
【００４２】
上記剥離テスト用フォトレジストパターンを有する基板を、表１に記載の温度にコントロールされ、約２００ｒｐｍで攪拌されている１Ｌの剥離液組成物に１０分間浸漬し、剥離テストを実施した。レジストパターンが剥離した基板が１０枚以上の場合を○、レジストパターンが剥離した基板が５〜９枚の場合を△、レジストパターンが剥離した基板が０〜４枚の場合を×として評価した。
【００４３】
結果を表１に示す。
また、該剥離液組成物の金属腐食性を調べるために、銅スパッタウェハーを、約２００ｒｐｍで攪拌された剥離液組成物に１０分間浸漬し、銅の腐食試験を実施した。銅が腐食されない場合を○、銅が腐食される場合を×として評価した。
結果を表１に示す。
【００４４】
【実施例２〜７】
実施例１において、組成を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして実施例２〜７の組成物を調製した。さらに、剥離温度を表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、フォトレジストの剥離テスト、金属腐食性テストを実施した。
結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】

【００４６】
【比較例１〜６】
実施例１において、組成を表２に示すように変更した以外は実施例１と同様にして比較例１〜６の組成物を調製した。さらに、剥離温度を表２に示すように変更した以外は実施例１と同様にして、フォトレジストの剥離テスト、金属腐食性テストを実施した。
結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】

【００４８】
【発明の効果】
本発明のフォトレジスト用剥離液組成物は、優れた剥離性能、さらに金属腐食の防止という相反する性能を両立するという優れた特長を有する。特に、本発明の剥離液組成物は、従来剥離が困難であった、アルカリ現像性であり、かつ１０μｍ以上の厚膜が形成可能なフォトレジストから形成した厚膜のレジストに対しても、優れた剥離性能を示し、基板上に剥離残りを生じることなく、狭ピッチ化、高密度化されたバンプおよび回路基板を製造することができる。

Claims

基板表面に形成されたフォトレジストからなる膜を、該基板から剥離させる際に用いられる剥離液組成物において、
該剥離液組成物が、下記式（１）

〔式（１）中、ｍは２以上の整数、ｎは０以上の整数を表わす。〕
で表わされる化合物を含有することを特徴とするフォトレジスト用剥離液組成物。
上記式（１）で表わされる化合物が、ｍ＝４の化合物であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト用剥離液組成物。
前記フォトレジストが、アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストであることを特徴とする請求項１または２に記載のフォトレジスト用剥離液組成物。
請求項１または２に記載の剥離液組成物を、基板表面に形成されたフォトレジストからなるパターン状硬化物と１５〜８０℃の温度で接触させ、該硬化物を該基板表面から剥離することを特徴とするパターン状硬化物の剥離方法。
前記フォトレジストが、アルカリ現像型のアクリル系ネガ型フォトレジストであることを特徴とする請求項４に記載のパターン状硬化物の剥離方法。
請求項４または５に記載の方法により形成された金属パターン。
請求項４または５に記載の方法により形成された金属パターンを具備することを特徴とする半導体デバイス。