JP2004107721A - プリント基板の電気メッキにおける揺動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スルーホールを有するプリント基板3の電気メッキにおける揺動方法であり、メッキ槽1に浸漬したプリント基板3を揺動させて電気メッキをする際、少なくともプリント基板3の基板面がメッキ液2の流れ方向7を横切る方向の動きを含むように揺動を繰り返して電気メッキをする電気メッキにおける揺動方法である。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、スルーホールを有するプリント基板の電気メッキにおける揺動方法に関し、詳しくは、スルーホールのアスペクト比の高いプリント基板のスルーホール内周に均一な膜厚の電気メッキを施すことができるプリント基板の電気メッキにおける揺動方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
周知のように、スルーホールを有するプリント基板は、スルーホールの内周面にもスルーホールメッキが施されている。このようなスルーホール内周にメッキを施すには、プリント基板をメッキ槽に浸漬して揺動させて行っている。メッキ槽は、図8に示したように、メッキ槽1の両内側にアノード電極aが設けられ、メッキ液2を満たされている。プリント基板3はキャリア4にセットされて、クランク機構6等によって揺れ動かす揺動バー5に支持され、アノード電極a,a間に浸漬されている。メッキ液2は、メッキ槽1の底部からのエアー撹拌又は噴流撹拌によって、一定方向の流れ7が与えられている。
【0003】
従来、プリント基板3に均一にメッキを施すために行われる揺動方法には、図9(メッキ槽1の平面図)に示したように、アノード電極a,a間に平行に垂下させたプリント基板3をX(アノード電極に垂直な方向)方向或いはY(アノード電極に平行な方向)方向に揺動させる方法がある。また、他の揺動方法は、図10(メッキ槽1の平面図)に示したように、プリント基板3を水平面に対して平行にXY方向に揺動させる揺動方法、或いは図11(メッキ槽1の側面図)に示したように、Y方向とZ(垂直)方向に揺動させる揺動方法がある。
【0004】
なお、プリント基板のスルーホール・メッキ方法には、例えば特許公開2002−121694号公報がある。この従来例は、両面型プリント基板の表裏の銅メッキ層の厚みを任意にコントロールできるメッキ方法であり、この方法は、プリント基板の表裏のイオン流動性を異ならせることによって、銅メッキ層の厚みを制御するものであって、プリント基板の揺動によるスローイングパワー(均一電着性)の改善を示唆するものではない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
近年、プリント基板の多層化が一般的であって、その厚さは1.6mm以上のもの、例えば5.4mm,6mmといったものが多くなっており、スルーホールの穴径が0.3mmのものもある。しかも、単位面積当たりのスルーホール数も増大しており、プリント基板に1つのスルーホール欠損が発生すれば、そのプリント基板は不良品となり、その発生の確率を零とする必要がある。このようなスルーホールのアスペクト比が高く、密度の高いプリント基板では、従来の揺動方法によりメッキを施した場合、メッキ液のスルーホール内への流動性が低下してスローイングパワが低下し、スルーホール欠損不良が発生し易い欠点があった。
【0006】
上記従来例は、アスペクト比の高いスルーホールを有するプリント基板を電気メッキする際のスルーホール内周のスローイングパワーの低下を揺動方法により改善する方法は開示されていないし、プリント基板の揺動方法を改善することによって、スルーホール内周に安定した膜厚のメッキ層を施すことを示唆するものではない。
【0007】
本発明は、上記のような課題に鑑みなされたものであり、アスペクト比が高いスルーホールを有するプリント基板のスルーホール内周にスローイングパワーの良好な電気メッキを施すことができるプリント基板の電気メッキにおける揺動方法を提供することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成したものであって、請求項1の発明は、スルーホールを有するプリント基板の電気メッキにおける揺動方法において、
メッキ液に浸漬した前記プリント基板を揺動させて電気メッキをする際、該プリント基板の基板面が少なくとも該メッキ液の流れ方向を横切る動きを含む揺動を繰り返して電気メッキをすることを特徴とするプリント基板の電気メッキにおける揺動方法である。
【0009】
請求項1の発明では、高アスペクト比のスルーホールを有するプリント基板を揺動させる際、メッキ槽内のメッキ液の流れ方向を考慮して、プリント基板を揺動させており、プリント基板の基板面がメッキ液の流れ方向を横切るような方向の動きを含んだ揺動として電気メッキをしている。プリント基板は、その基板面がメッキ液の流れ方向を横切る方向の動きを含んでいるため、メッキ液の流れ方向に対して傾斜し、プリント基板の両基板面のメッキ液の擾乱に差が生じて、スルーホール内へのメッキ液の流動性が改善される。しかも、プリント基板の揺動は繰り返し行われ、その際にプリント基板の両面が交互に傾斜して、両基板面には交互に緩慢な擾乱が発生し、スルーホール内へのメッキ液の流動性が改善され、高アスペクト比のスルーホール内周にスローイングパワーの良好なメッキ層を施すことができる作用を有する。
【0010】
また、請求項2の発明は、前記揺動が該メッキ槽内のメッキ液の流れる方向に対して逆方向の動きを含むことを特徴とする請求項1に記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法である。
【0011】
請求項2の発明では、プリント基板がメッキ液の流れ方向に逆らうような方向(逆方向)に動くように揺動する動作を含むことによって、プリント基板がメッキ液との濡れ性が良くなり、請求項1の発明により作用とを合わせて、スルーホール内へのメッキ液の流動性が改善され、高アスペクト比のスルーホール内周にスローイングパワーの良好なメッキ層を施すことができる作用を有する。
【0012】
また、請求項3の発明は、前記メッキ液の流れ方向が前記メッキ槽の底部から上方への流れ又は横方向の流れであることを特徴とする請求項1又は2に記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法である。
【0013】
請求項3の発明では、メッキ液の流れ方向が前記メッキ槽の底部から上方への流れ又は横方向の流れであってもよく、好ましくはメッキ槽の底部から上方への流れであるが、メッキ液の流れ方向が横方向の流れの場合は、その揺動機構を簡便なものとし得る作用を有するが、好ましくは、メッキ槽の底部から上方への流れとする。
【0014】
また、請求項4の発明は、前記プリント基板面の該メッキ液の流れ方向を横切る動きが、前記プリント基板の上端部と下端部又は両側端部を互いに異なった方向に移動する揺動であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法である。
【0015】
請求項4の発明では、プリント基板の基板面が該メッキ液の流れ方向を横切る方向の動きが前記プリント基板の上端部と下端部又は両側端部が互いに異なった方向に揺動するようにしたものであり、プリント基板をメッキ槽の限られた範囲で傾斜角を大きく取れるので、揺動のストロークを十分に設定することができ、スローイングパワーを効果的なものとする作用を有する。
【0016】
また、請求項5の発明は、前記プリント基板のスルーホールのアスペクト比が5以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法である。
【0017】
請求項5の発明では、スルーホールのアスペクト比が5以上の高アスペクト比のプリント基板に適したプリント基板の電気メッキにおける揺動方法であり、この揺動方法によれば、アスペクト比が18以上であってもスローイングパワーの低下を解消できる作用を有する。
【0018】
また、請求項6の発明は、前記プリント基板面が前記メッキ液の流れ方向を横切る際の傾斜角の最大傾斜角が該メッキ液の流れ方向に対して、1〜44度であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
【0019】
請求項6の発明では、プリント基板がメッキ液の流れ方向を横切って傾斜する際に、プリント基板面がなす最大傾斜角が該メッキ液の流れ方向に対して、1〜44度の範囲内の角度に傾斜させることにより、スローイングパワーの低下を解消することができる作用を有する。なお、メッキ液の流れ方向に依存するが、概ね傾斜角度が1度未満ではその効果が乏しく、44度を超えるとメッキ液の擾乱が激しくなり好ましくない。好ましい傾斜角は、5〜15度に範囲である。
【0020】
なお、本発明のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法は、例えば硫酸銅メッキを想定した場合、撹拌はエアー撹拌又は噴流撹拌の何れでもよいが、より効果な撹拌としては噴流撹拌が好ましい。そのメッキ液の流れ方向は、メッキ槽の底から上方への流れ又は横方向の流れの何れでもよいが、好ましくは底から上方への流れである。
【0021】
本発明における電気メッキの条件としては、電流密度が0.1〜10A/dm2、好ましくは0.5〜2.0A/dm2、硫酸銅濃度が、10〜250g/L、好ましくは30〜70g/L、硫酸濃度が、10〜400g/L、好ましくは200〜300g/L、塩素濃度が、10〜150mg/L、好ましくは、30〜80mg/L、浴温が15〜35度、好ましくは20〜30度とする。また、プリント基板は、揺動のストロークが±1〜100mm、好ましくは±5〜20mm、揺動の速さが10〜10000mm/min、好ましくは300〜1000mm/minとする。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明におけるプリント基板の電気メッキにおける揺動方法の実施形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、アスペクト比の高いプリント基板を対象とする。なお、図1(a)は本発明に係るプリント基板の電気メッキにおける揺動方法の一実施形態を説明するためのメッキ槽の断面図、図1(b)は他の実施形態の平面図、図2は他の実施形態を説明するための断面図、図3は他の実施形態を説明するための断面図、図4はスローイングパワーが改善される原理を説明するための説明図、図5はスルーホール内へのメッキ液の流れを示す説明図、図6は本発明の実施形態に用いられる揺動機構の概略斜視図、図7はスルーホールにおけるスローイングパワーを説明するための断面図である。
【0023】
(実施形態1)
本実施形態は、図1(a)に示したように、プリント基板3の電気メッキにおける揺動方法に関する。メッキ槽1にはその両内側にアノード電極aが設けられ、硫酸銅メッキ液等のメッキ液2が満たされ、アノード電極a間には、カソード電極を接続したプリント基板3の基板面がアノード電極aに平行にメッキ液2に浸漬されている。メッキ液2は噴流撹拌が行われ、メッキ液2の流れる方向7を示したように、メッキ槽1の底部から上方へと流れが発生している。高アスペクト比のスルーホールが多数形成されたプリント基板3は、所定の冶具に固定されて、揺動機構に取り付けられて所定の周期で揺動してメッキが施されている。この揺動機構は、その一例が後記されているように、XZ方向,XY方向,或いはXYZ方向に自由に動作させることができる機構である。先に説明したが、X方向とはアノード電極aに垂直な方向(プリント基板3面に直交する方向)、Y方向はアノード電極aに平行な方向(プリント基板3の面に平行な方向)、Z方向はプリント基板3の面に沿う垂直方向である。
【0024】
本実施形態のプリント基板の揺動は、メッキ槽1に投入されたプリント基板3を初期位置とし、この初期位置からプリント基板3を降下させながらプリント基板3の下端を左方向に、プリント基板3の上端を右方向へ移動させて、プリント基板3を傾斜角θaに達するまで傾斜させる。この揺動には、メッキ液2の流れ方向7に対して逆方向の動きと、プリント基板3の基板面がメッキ液2の流れ方向7を横切る方向の動きとを含んでいる。続いて、プリント基板3の上端を左方向に略水平に移動させるとともに、プリント基板3の下端を右方向に移動させてプリント基板3を傾斜角θbに達するまで傾斜させる。この揺動には、プリント基板3の基板面がメッキ液2の流れ方向7を横切る方向の動きを含んでいる。続いて、左傾斜したプリント基板3を上昇させながらアノード電極aに平行な初期位置に戻す。再び、プリント基板3は、先と同じように揺動させる。この揺動には、プリント基板3の基板面がメッキ液2の流れ方向7を横切る方向の動きを含んでおり、最初の傾斜揺動とは異なるプリント基板3の基板面で流れ方向7を横切っている。この揺動では、揺動機構のXZ方向への駆動によって、揺動させることができる。なお、X方向には互いに異なる方向へに移動を含む。
【0025】
なお、傾斜角θaと傾斜角θbとは略等しい角度であり、傾斜角θa,θbは、垂直方向のメッキ液2の噴流による流れ方向7に対して、5〜15度の傾斜角が好ましいが、1〜44度の角度まで傾斜させて電気メッキを施すことも可能である。また、メッキ液2の撹拌は、メッキ槽1の底部からエアー撹拌、メッキ槽の横から噴流であってもよい。最も好ましいメッキ液2の撹拌はメッキ槽1の底部から上部に向かう噴流撹拌である。
【0026】
(実施形態2)
本実施形態について、図1(b)の平面図を参照して説明する。本実施形態のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法は、メッキ槽1の両側にアノード電極aが設けられ、メッキ槽1の底部から上方にメッキ液2が噴流撹拌されている。本実施形態の揺動方法は、上記実施形態と類似する揺動方法であるが、上記実施形態が垂直方向の揺動とすれば、本実施形態の揺動は、向きを90度異ならせた水平方向の揺動である。
【0027】
プリント基板3は、アノード電極aに平行に垂直方向に降下させてメッキ液2に浸漬し、この位置を初期位置とする。プリント基板3は、揺動機構によって、初期位置からプリント基板3を水平前方方向に揺動させながらプリント基板3の両側端部をそれぞれ両アノード電極a側に近づけるように右側に傾ける。プリント基板3が所定の傾斜角θaに達すると、プリント基板3の後方端を水平に左側へ戻しながらプリント基板3の前方端を左側に移動させて、プリント基板3をアノード電極aに対して平行な位置に移動させて、さらにプリント基板3を水平後方方向に揺動させて、先の傾斜方向とは逆方向にプリント基板3の両側端部を傾斜角θbに達するまで傾ける。このような動作を繰り返し行って、メッキ液2の流れ方向に対して、プリント基板3の基板面が流れを横切るように揺動させることによって、スルーホール内へのメッキ液2の流動性が改善され、スルーホール内周のスローイングパワーの低下を防止できる。この揺動は、揺動機構によるXY方向の駆動でプリント基板3を揺動させることができる。
【0028】
また、本実施形態では、メッキ液が水平方向に流れるように噴流(メッキ槽の横方向から噴流撹拌)させることによって、スルーホール内へのメッキ液の流動性が良好となり、一層スローイングパワーの低下を解消できる。また、メッキ液の撹拌は、底部からのエアー撹拌であってもよいが、最も好ましいメッキ液の撹拌はメッキ槽の横方向からの噴流撹拌である。
【0029】
(実施形態3)
本実施形態について、図2の断面図を参照して説明する。本実施形態は、メッキ槽1の両内側にアノード電極aが設けられ、メッキ液2はメッキ槽1の底部から上方への流れ方向7が生じるように噴流撹拌されている。プリント基板3の揺動は、図10の従来例で説明したような揺動方法に類似するが、従来例の揺動が垂直方向であるのに対して、プリント基板3を水平方向に揺動させたものである。プリント基板3は、アノード電極aに平行であっても、メッキ液の底部から上方への流れに対して、プリント基板3の基板面がメッキ液2の流れを横切る動きとメッキ液2の流れに向かう動きとを含むように揺動させている。
【0030】
プリント基板3は、アノード電極aに平行に降下させてメッキ液2に浸漬し、この位置を初期位置とし、揺動機構によって、初期位置からアノード電極aに平行に上方へと移動させてから下方に移動させながらプリント基板3の一端面を右側のアノード電極a側に近づける。その位置から下方へと移動させてから上方へと移動させて、プリント基板3の他端面を右側のアノード電極a側に近づけて初期位置に戻る。この揺動を繰り返すことによって、プリント基板3の両面がメッキ液2の流れを横切るように揺動させることができるとともに、メッキ液2の流れに向かう動きが含まれているので、プリント基板3とメッキ液2との濡れ性が良好となり、スルーホール内へのメッキ液の流動性が改善され、スルーホール内周のスローイングパワーの低下を解消できる。なお、メッキ液の撹拌は、メッキ槽の底部からエアー撹拌、メッキ槽の横方向からの噴流であってもよいが、高アスペクト比のスルーホールを有するプリント基板に最も好ましい撹拌は、メッキ槽の底部から上方への噴流撹拌である。
【0031】
(実施形態4)
図3の実施形態は、図1(a)と類似してが、本実施形態では、垂直方向にプリント基板31 を降下させた後、プリント基板32 が傾斜角θaとなるまで傾斜させた後、その角度を維持した状態で、メッキ液2の流れ方向7に対して抗する方向(流れに向かう方向)に降下させ、プリント基板33 の位置まで降下した後、プリント基板33 の上端と下端を互いに逆方向に移動させて、プリント基板34 が傾斜角θbとなるまで傾斜させる。この傾斜角度θbを維持したまま、上方(メッキ液2の流れ方向)に移動させて、再び初期位置に戻して、同様な揺動を繰り返す。
【0032】
上述したように、本発明のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法は、プリント基板がメッキ液の流れを横切るような動きを含む揺動方法であって、図4をに示したように、メッキ液2の流れがプリント基板3の基板面3aに直接曝されるのに対して、基板面3bにはメッキ液2の渦流が発生して僅かに擾乱される。プリント基板3の基板面3aと基板面3bとには、交互にメッキ液2の流れの乱れが発生する。このようなメッキ液の擾乱を発生させることによって、図5に示したように、傾斜したプリント基板3に設けられたスルーホール9内へのメッキ液の流動性が改善されて、スルーホール9内周にスローイングパワーの良好な膜厚のメッキ層が形成される。なお、このメッキ槽1には、メッキ槽1の上方に噴流したメッキ液2がメッキ槽1の上部から外部に流れ出してメッキ槽1の底部に送り込まれる循環経路8が設けられている。
【0033】
本実施形態のプリント基板の電気メッキにおける揺動は、図6に示した揺動機構によって、実施することができる。同図において、揺動機構10は、メッキ槽1の上部に設けられ、Z方向(上下方向)に可動するように架台12に設置されている。プリント基板3はキャリア20に固定され、フライトバー21の両端部を支持してX方向(プリント基板の流れ方向)に摺動するようにX方向摺動部11が設けられている。キャリア20の下端部は、ロッド14の先端部に設けられた受部15に載置され、ロッド14の他端部が揺動機構10のX方向摺動部13に連動するように設けられている。X方向摺動部13は、X方向摺動部11と同位置方向に摺動するよう構成され、或いはそれぞれが反対方向に摺動するように構成され、例えば二点鎖線で示したプリント基板3′のように傾斜させることができる。プリント基板3は、この傾斜させる動作と揺動機構10の上下動とを組み合わせることにより、図1(a),(b),図2及び図3に示した実施形態ようなプリント基板の揺動が可能である。なお、揺動機構はこの形態に限定するものではない。
【0034】
【実施例】
本発明の実施例について、比較例との比較実験により説明する。この比較試験では、スルーホール内周の膜厚のスローイングパワーを求めて、その有効性を確認した。この比較試験では、プリント基板として、板厚が5.4mm、スルーホールの穴径が0.3mmのものを用いて、電流密度が1A/dm2 として低電流密度作業により、硫酸銅メッキを行った。このスルーホールのアスペクト比は18である。硫酸銅メッキ液には、硫酸銅50g/L,硫酸300g/L,塩素40mg/Lを混合し、添加剤として、荏原ユージライト(株)製のCU−BRITE21を加えた。また、比較例1〜3の揺動方法は、比較例1が揺動無し、比較例2が水平揺動、比較例3が垂直揺動とした。メッキ槽の浴温は20度とした。
【0035】
なお、スローイングパワー(均一電着性)の測定は、メッキが被着したスルーホールを示す図7を参照して説明すると、断面図からa〜fの各膜厚(μm)を測定し、下記式1から求めた。なお、a,c,d,fはプリント基板表裏の膜厚、b,eはスルーホール内周の膜厚である。
【0036】
【数1】
【0037】
(実施例1)
本実施例は、揺動方法が図1(a)の実施形態として、撹拌方法はメッキ槽の底部から上方へのエアー撹拌とし、その結果を表1に示した。
【0038】
【表1】
【0039】
(実施例2)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を図1(a)の実施形態として、撹拌方法はメッキ槽の底部から下方への噴流撹拌とし、その結果を表2に示した。
【0040】
【表2】
【0041】
(実施例3)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を図1(a)の実施形態とし、撹拌方法は横方向からの噴流撹拌として、その結果を表3に示した。
【0042】
【表3】
【0043】
上記結果から実施例1〜3では、メッキ槽底部から上方への噴流撹拌である液実施例2が最も良好なスローイングパワーが得られたが、横方向からの噴流撹拌した実施例3も良好であった。
【0044】
(実施例4)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を図1(b)の実施形態にして、撹拌方法はエアー撹拌とし、その結果を表4に示した。
【0045】
【表4】
【0046】
(実施例5)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を図1(b)の実施形態にし、撹拌方法は底部から下方への噴流撹拌として、その結果を表5に示した。
【0047】
【表5】
【0048】
(実施例6)
本実施例では、プリント基板の揺動方法を図1(b)の実施形態にし、撹拌方法は横方向からの噴流撹拌として、その結果を表6に示した。
【0049】
【表6】
【0050】
上記結果から実施例4〜6では、メッキ槽の側部から横方向への噴流撹拌である実施例6が最も良好なスローイングパワーが得られたが、底部から上方への噴流撹拌した実施例5も比較的良好な結果を得た。
【0051】
(実施例7)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を従来例の図2の実施形態にし、撹拌方法は底部からのエアー撹拌として、その結果を表7に示した。
【0052】
【表7】
【0053】
(実施例8)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を従来例の図2の実施形態にし、撹拌方法はメッキ槽の底部から上方への噴流撹拌として、その結果を表8に示した。
【0054】
【表8】
【0055】
(実施例9)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を従来例の図2の実施形態にし、撹拌方法は横方向からの噴流撹拌として、その結果を表9に示した。
【0056】
【表9】
【0057】
上記結果から実施例7〜9では、メッキ槽の底部から上方への噴流撹拌である実施例9が最も良好なスローイングパワーが得られたが、横方向への噴流撹拌した実施例9も比較的良好な結果を得た。
【0058】
(実施例10)
本実施例は、プリント基板の揺動方法を図2の実施形態にし、撹拌方法は横方向からの噴流撹拌として、その結果を表10に示した。
【0059】
【表10】
【0060】
上記実施例10は、スローインパワーが70であり、良好な結果を得た。実施例1〜10では、実施例5が最も良好な結果を得ており、測定のバラツキの範囲を考慮すれば、同様な撹拌条件としては実施例2が好ましい結果を得ている。これらの結果から実施例2の揺動方法であって、メッキ槽の底部から上方へのメッキ液の噴流撹拌が最も好ましい。
【0061】
【発明の効果】
上述のように、本発明によれば、少なくともプリント基板の基板面がメッキ液の流れを横切るようにプリント基板を揺動させることによって、プリント基板の両基板面が交互にメッキ液の流れを横切るようにプリント基板を揺動させることで、高アスペクト比のプリント基板であってもスローイングパワーを良好なもとするプリント基板の揺動方法が提供ができる効果を有する。
【0062】
また、本発明によれば、上記揺動に加えて、メッキ液の流れに向かう方向の揺動を加えることによって、一層メッキ液とプリント基板との濡れ性が改善されて、スルーホール内へのメッキ液の流動性が良好となり、スローイングパワーの低下を一層優れたものとすることができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明に係るプリント基板の電気メッキにおける揺動方法の一実施形態を説明するためのメッキ槽の断面図、(b)は他の実施形態の平面図である。
【図2】本発明の他の実施形態を説明するための断面図である。
【図3】本発明の他の実施形態を説明するための断面図である。
【図4】本発明の原理を説明するための説明図である。
【図5】本発明におけるスルーホール内へのメッキ液の流れを示す説明図である。
【図6】本発明の実施形態に用いられる揺動機構の概略斜視図である。
【図7】スルーホール内周のスローイングパワーを説明するための断面図である。
【図8】従来のプリント基板の揺動方法の一例を示す断面図である。
【図9】従来のプリント基板の揺動方法の他の例を示す平面図である。
【図10】従来のプリント基板の揺動方法の他の例を示す平面図である。
【図11】従来のプリント基板の揺動方法の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 メッキ槽
2 メッキ液
3 プリント基板
7 メッキ液の流れ方向
a アノード電極
Claims (6)
- スルーホールを有するプリント基板の電気メッキにおける揺動方法において、
メッキ液に浸漬した前記プリント基板を揺動させて電気メッキをする際、該プリント基板の基板面が少なくとも該メッキ液の流れ方向を横切る動きを含む揺動を繰り返して電気メッキをすることを特徴とするプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。 - 前記揺動が該メッキ槽内のメッキ液の流れる方向に対して逆方向の動きを含むことを特徴とする請求項1に記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
- 前記メッキ液の流れ方向が前記メッキ槽の底部から上方への流れ又は横方向の流れであることを特徴とする請求項1又は2に記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
- 前記プリント基板面の該メッキ液の流れ方向を横切る動きが、前記プリント基板の上端部と下端部又は両側端部を互いに異なった方向に移動する揺動であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
- 前記プリント基板のスルーホールのアスペクト比が5以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
- 前記プリント基板面が前記メッキ液の流れ方向を横切る際の傾斜角の最大傾斜角が該メッキ液の流れ方向に対して、1〜44度であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプリント基板の電気メッキにおける揺動方法。
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