JP2004104130A

JP2004104130A - 多重干渉ビームを使用するレチクル焦点測定システムおよびレチクル焦点測定方法

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Publication number: JP2004104130A
Application number: JP2003315916A
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Inventors: Stephen Roux; スティーヴン　ルー; Todd J Bednarek; トッド　ジェイ　ベッドナレック
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Filing date: 2003-09-08
Publication date: 2004-04-02
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Abstract

【課題】合理的に従来のステージ測定法を使用して、レチクル位置のパターン表面を６つのＤＯＦでトラッキングできるように、（裏面取り付けされたレチクルに関して）レチクルステージに対してレチクル焦点面を簡単に較正または補正でき、かつ、レチクル表面をレチクルステージの表面にマッピングすることによってステージ位置がレチクルの表面ではなくステージの表面に基づくようにフィードバックできる測定システムおよび測定方法を提供すること。
【解決手段】レチクルのパターン面の位置データを干渉計測定ビームの第１のセットに基づいて測定するステップと、レチクルステージのスキャン中にレチクルステージのマップデータを干渉計測定ビームの第２のセットに基づいて測定するステップと、レチクルのパターン面上のパターンによってウェーハを露光する間にレチクルステージを前記位置データおよび前記マップデータに基づいて制御するステップとを有する方法。
【選択図】図２Ａ

Description

　本発明は、露光中にレチクルステージを制御することに関する。

　歴史的にリソグラフィツールでは、レチクルの取り付け面およびパターン面は同一の面であり、レチクルステージプラテンの平面においてレチクル焦点面を形成する。従って、ステージ位置を６つの自由度（ＤＯＦ）で知れば、レチクルパターン表面位置を６つのＤＯＦで知ることができる。６つのＤＯＦは、図１に示されているように、Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｒｘ，ＲｙおよびＲｚである。しかし、極紫外線（ＥＵＶ）レチクルの取り付け（またはクランピング）は、ほぼ確実にレチクルの裏面（たとえばパターン表面の反対の表面）になる。裏面取り付けは、レチクルステージに対して相対的なレチクル焦点面の位置になる。このレチクル焦点面の位置は、レチクルの平坦性、レチクルの厚さおよびレチクルの厚さの変動の関数である。したがって、深紫外線（ＤＵＶ）システムとは対照的に、レチクルステージ位置を知っても、レチクルのパターンが６つのすべてのＤＯＦにおいてどこに位置づけされているのかを知ることはできない。アウトオブプレーンＤＯＦ（Ｚ，ＲｘおよびＲｙ）は、レチクルの厚さ変動のため、容易に検出することができない。６つのすべてのＤＯＦにおいて、パターン面（取り付け面とは反対の面）の位置を精確に知る必要がある。

　ほぼすべてのステッパおよびスキャナでは３つのインプレーンＤＯＦ（Ｘ，ＹおよびＲｚ）は、干渉計を使用して典型的なステージ測定図から検出される。しかし、アウトオブプレーンＤＯＦ（Ｚ，ＲｙおよびＲｘ）を測定するのはさらに難しい。前記のようにＥＵＶツールでは、Ｚ，ＲｘおよびＲｙを、従来のリソグラフィツールよりも格段に精確に知らなければならない。このように精確さが要求されるのは、リソグラフィツールの光学系に関連してレチクル上の焦点面にパターンを位置づけしなければならないからである。また幾つかのケースでは、光学系はレチクルの焦点面においてテレセントリックではないので、レチクルステージ上のレチクル位置を６つのＤＯＦで精確に検出する必要性がますます高まる。しかも、レチクルが完全に平坦でなかったとしても、レチクルのパターン上で焦点を精確に維持することは不可欠である。したがって、ＥＵＶツールにおいてレチクルのパターン面のＺ位置および面外の傾斜（ＲｘおよびＲｙ）を測定することは、非常に高い精度を要求する。

　それゆえ本発明の課題は、合理的に従来のステージ測定法を使用して、レチクル位置のパターン表面を６つのＤＯＦでトラッキングできるように、（裏面取り付けされたレチクルに関して）レチクルステージに対してレチクル焦点面を簡単に較正または補正でき、かつ、レチクル表面をレチクルステージの表面にマッピングすることによってステージ位置がレチクルの表面ではなくステージの表面に基づくようにフィードバックできる測定システムおよび測定方法を提供することである。

　前記課題は、レチクルのパターン面の位置データを干渉計測定ビームの第１のセットに基づいて測定するステップと、レチクルステージのスキャン中にレチクルステージのマップデータを干渉計測定ビームの第２のセットに基づいて測定するステップと、レチクルのパターン面上のパターンによってウェーハを露光する間にレチクルステージを前記位置データおよび前記マップデータに基づいて制御するステップとを有する方法によって解決される。

　本発明の実施形態では、レチクルのパターン面の位置データを干渉計測定ビームの第１のセットに基づいて測定するステップと、レチクルステージのスキャン中にレチクルステージのマップデータを干渉計測定ビームの第２のセットに基づいて測定するステップと、レチクルのパターン面上のパターンによってウェーハを露光する間にレチクルステージを前記位置データおよび前記マップデータに基づいて制御するステップとを有する方法が提供される。

　さらに本発明の実施形態では、第１の干渉計を使用して、レチクルステージ上に裏面取り付けされたレチクルのレチクル焦点面を検出するステップと、第２の干渉計を使用して、レチクルステージをスキャンする間にレチクルステージの位置を検出するステップと、レチクル焦点面とレチクルステージの位置とを相関付けするステップと、レチクルステージを露光プロセス中に前記相関付けステップに基づいて制御するステップとを有する方法が提供される。

　さらに本発明の実施形態では、レチクルを保持する可動のレチクルステージと、二重干渉計装置（dual interferometer device）と、記憶装置とを有するシステムが提供される。前記レチクルはパターン面を有し、前記二重干渉計装置は、干渉計ビームの第１のセットおよび第２のセットを投射し、レチクルのパターン面からの干渉計ビームの第１のセットを検出し、レチクルステージからの干渉計ビームの第２のセットを検出する。前記記憶装置は、干渉計ビームの第１のセットによって測定されたレチクルの位置データと、干渉計ビームの第２のセットによって測定されたレチクルステージのマップデータとを記憶する。

　以下で本発明を、添付された図面に関連して説明する。これらの図面において、同じ参照番号は同一の構成要素または同機能の構成要素を示す。さらに、参照番号の極左の桁の数字は、該参照番号が最初に示されている図面を表す。

　レチクルのパターン表面の位置と、レチクルステージにクランプされたレチクルに対するレチクル焦点面の位置とを検出するため、干渉測定ビームの第１のセットが使用される（このレチクルは、たとえば裏面、片面または前面取り付けされている）。Ｙ方向にスキャンされる間にレチクルステージの位置のマップを検出するため、干渉測定ビームの第２のセットが使用される。これらの干渉計測定ビームの２つのセットは相関され、レチクル焦点面がレチクルステージのマップに関連づけられる。この情報は、レチクルのパターン表面上のパターンをウェーハ上に露光する間にレチクルステージを制御するために使用される。

　図１は、レチクル１００に対する６つの自由度（ＤＯＦ）を示している。このレチクルは本発明の実施形態によれば、Ｘ-Ｙ面内またはＸ-Ｙ面に対して平行に配向される。ここでも６つのＤＯＦは、Ｘ（Ｘ軸に沿っている）、Ｙ（Ｙ軸に沿っている）、Ｚ（Ｚ軸に沿っている）、Ｒｘ（Ｘ軸を中心とする回転）、Ｒｙ（Ｙ軸を中心とする回転）およびＲｚ（Ｚ軸を中心とする回転）である。比較的簡単に検出できるＤＯＦは、レチクルステージの移動に基づいてＸ，ＹおよびＲｚである。以下で説明する実施形態において、以下の議論の焦点となるＤＯＦはＺおよびＲｙである。利点は、レチクル１００の配向が変更されても、以下の装置および方法によってすべてのＤＯＦを検出できることである。

　図２Ａは、本発明の実施形態によるリソグラフィツールの一部２００を示す。この一部２００は、レチクル２０４が裏面取り付けされたレチクルステージ２０２を有し、レチクル２０４はパターン２０６を有する。一定の比例で縮小して示されていないが、干渉計システム２０８は２つの干渉計２０８Ａおよび２０８Ｂを有する。各干渉計２０８Ａおよび２０８Ｂは、照明装置２１０から一部２００の方向へ照明光（Ｉ）を投射する。異なる実施形態では、照明装置２１０を光源、レーザとすることができるか、または集束光学装置または拡散光学装置を有する類似したもの、またはこれらの装置を有さない類似したものとすることができる。第１干渉計２０８Ａからの第１のセットの干渉測定ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ２は、レチクル２０４上の第１の位置２１２および第２の位置２１４からそれぞれ反射される。第１の位置２１２はパターン２０６の第１の側に隣接しており、第２の位置２１４はパターン２０６の第２の側に隣接している。反射されたビームは検出器（Ｄ）２０６によって受け取られる。検出されたビームに相応する信号が、コントローラ２２０による処理前または処理後に、記憶装置２１８に記憶される。

　また図２Ａを参照すると、第２の干渉計２０８Ｂからの第２のセットの干渉測定ビームＲＳＺ３およびＲＳＺ４が同様に、レチクルステージ２０２上の第１のポイント２２２および第２のポイント２２４からそれぞれ反射され、検出器２１６によって検出される。次に、検出されたビームに相関する信号が記憶装置２１８に記憶される。上記の実施形態では、４つのすべての測定ポイント２１２，２１４，２２２，２２４は実質的に、等しいＹ値を有する直線に沿っている。このことは、別の実施形態でも必要とされることがある。

　図２Ｂには本発明による干渉計２０８' が示されている。この干渉計２０８' は第１の干渉計２０８Ａ' および第２の干渉計２０８Ｂ' を有する。

　図３Ａおよび図３Ｂは、本発明の実施形態によるレチクル２０４の、可能性のある第１の位置および第２の位置を示している。Ｚ値およびＲｙ値を計算するため、干渉計システム２０８または２０８' によって干渉技術が実施され、値がコントローラ２２０（図２Ａ）によって求められる。Ｚ値は、距離Ｚ１およびＺ２を平均することによって求められ、Ｒｙは以下の数式に基づいて求められる：
　Ｒｙ＝（Ｚ２−Ｚ１）／Ｌ
　別の実施形態では信号は、２つの関連するビーム（すなわちＲＳＺ１およびＲＳＺ２、またはＲＳＺ３およびＲＳＺ４）の強度、位相、距離等に基づいて干渉測定結果を表す。前記２つの関連するビームは比較され、比較から得られた信号は、レチクルステージ２０２またはレチクル２０４のパラメータ（たとえば位置、方向、傾斜等）に相応する。

　図３Ａを参照すると、ＺおよびＲｙの計算は、Ｙ軸上またはＹ軸に対して平行に存在するレチクル２０４に関しては以下のとおりである。Ｚに関しては、レチクル２０４がＹ軸上またはＹ軸に対して平行に存在するので、Ｚ１は近似的にＺ２に等しい。したがって、Ｚ≒Ｚ１≒Ｚ２である。Ｚ１≒Ｚ２であればＺ２−Ｚ１≒０であるから、Ｒｙは実質的にゼロである。

　図３Ｂを参照すると、ＺおよびＲｙの計算は、Ｙ軸を中心として回転されたＲｙのレチクルに関しては以下のとおりである。Ｚは（Ｚ１＋Ｚ２）／２に等しいか、またはこれら２つの値の平均値に等しい。Ｒｙは、上記の数式で示されているように、（Ｚ２−Ｚ１）／Ｌに等しい。

　したがって種々の実施形態では、レチクル２０４のパターン表面２０６の２つのＤＯＦ（ＺおよびＲｙ）を求めるために、４つの干渉計ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ４が使用される。前記実施形態では、Ｚはパターン表面２０６に対してほぼ垂直な方向であり、リソグラフィツールの光軸に対して平行である。また、これらの実施形態では、Ｒｙはレチクルステージ２０２のスキャン軸を中心とした回転である。上記のように２つの干渉計ビーム（ＲＳＺ１およびＲＳＺ２）は、レチクル２０４のパターン表面２０６のパターン２０６のいずれか一方の側から反射する。これらのビームをリソグラフィ印刷中に使用することはできない。というのも、レチクルステージ２０２はレチクル２０４の物理的な長さよりも長く（図２Ａおよび図２Ｂの矢印として示されたＹスキャン方向に）移動しなければならないからである。それゆえ、ビームがレチクル表面から逸れると、これら２つの干渉計ビーム（ＲＳＺ１およびＲＳＺ２）から不連続な信号が発生してしまう。このような不連続性によって、ＺおよびＲｙにおける精確なステージ制御が困難になるか、ないしはほぼ不可能になってしまう。またレチクル焦点面における別のマスク機能（フレーミングブレード（framing blade、ここには示されていない））によっても、これら２つのビーム（ＲＳＺ１およびＲＳＺ２）の有用性が、リソグラフィの条件下でレチクルステージ２０２を制御するのに非実用的になってしまう。というのも、スキャンが行われるたびにフレーミングブレードが干渉計ビーム（ＲＳＺ１およびＲＳＺ２）を切断してしまうからである。

　また種々の実施形態では、別の２つの干渉計ビーム（ＲＳＺ３およびＲＳＺ４）はレチクルステージ２０２の表面から反射するように位置付けされる。このような反射面を構成するために、多くの任意手段が存在する。幾つかの実施形態では、レチクルステージ２０２の（たとえばポイント２２２を有する）第１の反射面はＸ-Ｙ面内またはＸ-Ｙ面に対して平行に配向され、Ｚ位置のフィードバックが得られる。レチクルステージ２０２の（たとえばポイント２２４を有する）第２の反射面もまた、Ｘ-Ｙ面内またはＸ-Ｙ面に対して平行に配向することができる。択一的な構成では、レチクルステージ２０２の第２の反射面をＹ-Ｚ面内またはＹ-Ｚ面に対して平行に配向することができる。この第２の反射面によって、Ｒｙステージ位置情報が得られる。別の択一的な実施形態では、種々の別の配向により、計算によってＺ値およびＲｙ値が得られるようにすることができる。典型的にはリソグラフィツールは、Ｘ方向またはＺ方向に離れた２つの干渉計（たとえば二重干渉計、または干渉計２１０Ａ' および２１０Ｂ'）の間の差に着目して、Ｒｙ情報を求める。

　図４〜６には、本発明の実施形態による方法４００，５００および６００が示されている。これらの方法の要約は以下に記載されている。レチクル２０４をレチクルステージ２０２上に載せた後（場合によっては較正中または較正の合間に、１回または周期的に）、ＲＳＺ１およびＲＳＺ２からのデータがパターン面２０６のレチクル焦点面を位置検出するために使用される。このレチクル焦点面は、リソグラフィツールの投影光学系（図示されていない）か、またはマシンセットアップによって検出された別の任意の面によって形成される。次に、レチクルステージ２０２がＹ方向にスキャンされレチクル２０４が選択された面にとどまる間、ＲＳＺ３およびＲＳＺ４の値が記録され、マップとして記憶される。リソグラフィツールが露光実行可能である場合、パターン２０６が常に選択された面に存在するようにレチクルステージ２０２、ひいてはレチクル２０４をＺおよびＲｙにおいて制御するため、このマップからのデータが使用される。したがって、ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ２がスキャンのいずれかの終了時にレチクル２０４から逸れても、ステージ制御の信頼性が低下することはない。というのも、制御フィードバックがビームＲＳＺ３およびＲＳＺ４から得られるからである。別の実施形態では、ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ２を常にリソグラフィ中に監視することができる。こうすることによりマップを有効にし、場合によっては、Ｚステージ制御およびＲｙステージ制御のために使用されるマップの更新を連続的に実施することができる。また有利には、別の手段として、レチクル２０４のパターン２０６を選択された面に維持する間にスキャンする間、ステージ位置を検出する手段が存在する。このような手段はすべて本発明で考慮される。

　図４は、本発明の実施形態による方法４００のフローチャートである（ステップ４０２〜４１０）。ステップ４０２では、レチクル（たとえばレチクル２０４）がレチクルステージ（たとえばステージ２０２）に裏面取り付けされる。ステップ４０４では、第１セットの干渉測定ビーム（たとえばＲＳＺ１およびＲＳＺ２）に基づいてレチクル焦点面が検出される。ステップ４０６ではレチクルステージ位置のマップが、レチクルステージのスキャン中に第２セットの干渉測定ビーム（たとえばＲＳＺ３およびＲＳＺ４）に基づいて検出される。ステップ４０８では、測定されたレチクル焦点面がレチクルステージのマップに相関付けされる。ステップ４１０ではレチクルステージが前記相関付けに基づき、レチクル上のパターンをウェーハ上に露光する間に制御される。この露光は、この技術において公知のプロセスによって実施される。

　図５は、本発明の実施形態によるステップ４０６中に実施される方法５００のフローチャートを示している。ステップ５０２では第１のビーム（たとえばＲＳＺ１）が、レチクルパターン（たとえばパターン２０６）の第１の側に隣接した位置（たとえばポイント２１２）から反射される。ステップ５０４では第２のビーム（たとえばＲＳＺ２）が、レチクルパターンの第２の側に隣接した位置（たとえばポイント２１４）から反射される。ステップ５０６では、反射された前記２つのビームが干渉計（たとえば干渉計２０８または２０８'）で検出される。ステップ５０８では、受信された信号に基づいて干渉演算が（たとえばコントローラ２２０で）実行され、レチクルパターンの位置ひいてはレチクル焦点面の位置が求められる。ステップ５１０では、位置情報が（たとえば記憶装置２１８に）記憶される。ステップ５１２では位置情報が（たとえばステージコントローラ２２８によって）使用され、露光プロセス中にレチクルステージ（たとえばステージ２０２）が制御される。このステップ５１２は、ステップ４１０の一部とすることができる。

　図６には、本発明の実施形態によるステップ４０８中に実施される方法６００のフローチャートが示されている。ステップ６０２では、レチクルステージ（たとえばステージ２０２）がＹ方向にスキャンされる。ステップ６０４では、第１の測定ビーム（たとえばＲＳＺ３）がレチクルステージ上のポイント（たとえばポイント２２２）から反射される。このレチクルステージは、Ｘ-Ｙ面に対して平行であるか、またはＸ-Ｙ面内に配向されている。ステップ６０６では第２の測定ビーム（たとえばＲＳＺ４）が、レチクルステージ上のポイント（たとえばポイント２２４）から反射される。このレチクルステージは、Ｘ-Ｙ面またはＹ-Ｚ面に対して平行であるか、またはＸ-Ｙ面内またはＹ-Ｚ面内に配向されている。ステップ６０８では、第１測定ビームおよび第２測定ビームが干渉計（たとえば干渉計２０８または２０８'）によって検出される。ステップ６１０では、干渉計によって得られた干渉値に基づいてステージ位置情報が（たとえばプロセッサ２２０によって）検出される。ステップ６１２では、マップがステージ位置からスキャン中に、前記干渉値に基づいて（たとえばコントローラ２２０によって）形成される。ステップ６１４では、前記マップが（たとえば記憶装置２１８に）記憶される。ステップ６１６では、記憶されたマップからのデータが（たとえばステージコントローラ２２８によって）使用され、レチクルステージが露光プロセス中に制御される。このステップ６１０は、ステップ４１０の一部とすることができる。

　図７には、ステージ２０２およびレチクル２０４の位置を測定するために使用される、本発明の実施形態によるリソグラフィツールの一部７００が示されている。この実施形態では、ここには示されていないが、ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ３およびＲＳＸ１〜ＲＳＸ２が干渉計によって形成され、検出される。この干渉計は上記の２０８または２０８' と同様であるか、または別の任意の干渉計である。前記のように、ＲＳＺ１およびＲＳＺ２はレチクル２０４に関する特性を検出するために使用され、ＲＳＺ３はステージ２０２のＺを検出するために使用される。ＲＳＸ１およびＲＳＸ２は、ステージ２０２のＸ位置およびＲｙの両方を検出するために使用される。Ｒｙは以下の数式によって求められる：
　Ｒｙ＝（Ｘ２−Ｘ１）／Ｌ
　図８には、ステージ２０２およびレチクル２０４の位置を測定するために使用される、本発明の実施形態によるリソグラフィツールの一部８００が示されている。この実施形態でも、ここには示されていないが、ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ５，ＲＳＹ１〜ＲＳＹ３およびＲＳＸ１が干渉計によって形成され、検出される。この干渉計もまた、上記の２０８または２０８' と同様であるか、または別の任意の干渉計である。この実施形態には、ステージ２０２および／またはレチクル２０４に対する６つのすべてのステージ２０２を検出するためのビームが示されている。ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ２によって、レチクル２０４のＺおよびＲｙが検出される。ビームＲＳＺ１およびＲＳＺ５によって、レチクルのＲｘが検出される。ビームＲＳＺ３およびＲＳＺ４によって、ステージ２０２のＺおよびＲｙが検出される。ビームＲＳＸ１によってステージ２０２のＸが検出される。ビームＲＳＹ１，ＲＳＹ２および／またはＲＳＹ３によって、ステージ２０２のＹが検出される。ビームＲＳＹ２およびＲＳＹ３によって、ステージ２０２のＲｚが検出される。ビームＲＳＹ１およびＲＳＹ３によって、ステージ２０２のＲｘが検出される。これらの検出は、上記の数式、上記の数式と同様の数式、または公知である別の任意の干渉計の数式に基づいて実行される。

　図９Ａには本発明の実施形態によるリソグラフィツールの一部９００が示されている。この一部９００は、面でステージ９０２に取り付けられたレチクル２０４を有している。幾つかの実施形態では、レチクル２０４上のねじれ力を中和するため、レチクル２０４が支持装置（たとえば固定装置）９０４に結合される。ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ４は上記のように、ステージ９０２および／またはレチクル２０４のＺおよびＲｙを検出するために使用される。

　図９Ｂには本発明の実施形態によるリソグラフィツールの一部９２０が示されている。この一部９２０は、ステージ９２２に前面取り付けされたレチクル２０４を有する。幾つかの実施形態では、レチクル２０４上のねじれ力を中和するため、レチクル２０４が支持装置９０４に結合される。ビームＲＳＺ１〜ＲＳＺ４は上記のように、ステージ９２２および／またはレチクル２０４のＺおよびＲｙを検出するために使用される。

　終わりに
　本発明の種々の実施形態を上記で説明したが、これらの実施形態は例として挙げられたものであり、制限するものではないことを理解されたい。当業者であれば、本発明の精神および領域から逸脱することなく、構成および詳細を種々に変更できることを理解できるであろう。したがって、本発明の範囲は上記のどの実施例によっても制限されるべきではなく、請求項および同等のものにしたがってのみ定義されるべきである。

本発明の実施形態による、レチクルの配向の一例である。二重干渉計を使用する、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムまたはリソグラフィツールの一部である。２つの干渉計を使用する、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの一部である。本発明の種々の実施形態によって測定されるレチクルおよびステージの種々の構成である。リソグラフィツールのための、本発明の実施形態による測定制御方法のすべてを示すフローチャートである。レチクルのための、本発明の実施形態による測定制御方法のフローチャートである。レチクルステージのための、本発明の実施形態による測定制御方法のフローチャートである。レチクル位置およびステージ位置を測定するための、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの一部である。レチクル位置およびステージ位置を測定するための、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの一部である。片面保持されたレチクルを有する、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの一部である。前面保持されたレチクルを有する、本発明の実施形態によるリソグラフィシステムの一部である。

Claims

　レチクルのパターン面の位置を、干渉計測定ビームの第１のセットに基づいて測定するステップと、
　レチクルステージのマップデータを、該レチクルステージのスキャン中に干渉計測定ビームの第２のセットに基づいて測定するステップと、
　レチクルのパターン面上のパターンによってウェーハを露光する間に、レチクルステージを前記位置データおよび前記マップデータに基づいて制御するステップとを有することを特徴とする方法。
　前記位置データ測定ステップは、
　ビームの第１のセットの第１のビームを、レチクル上のパターンの第１の側に隣接したポイントから反射させるステップと、
　ビームの第１のセットの第２のビームを、レチクル上のパターンの第２の側に隣接したポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　前記マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＹ-Ｚ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＹ-Ｚ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＹ-Ｚ面に対して平行な平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　マップデータ測定ステップは、
　ビームの第２のセットの第１のビームを、レチクルステージのＸ-Ｙ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップと、
　ビームの第２のセットの第２のビームを、レチクルステージのＹ-Ｚ面内に配向された平面内のポイントから反射させるステップとを有する、請求項１記載の方法。
　位置データ測定ステップは、レチクルのパターン面のＺ方向における自由度を検出するステップと、該レチクルのパターン面のＲｙ回転に対する自由度を検出するステップとを有し、
　Ｚ方向はレチクルのパターン面に対して垂直であり、
　Ｒｙ回転はレチクルステージのスキャン軸を中心としている、請求項１記載の方法。
　レチクル焦点面を位置データ測定ステップに基づいて検出するステップを有する、請求項１記載の方法。
　前記レチクル焦点面を、測定されたレチクルステージの前記マップデータと相関付けるステップと、
　レチクルのパターン面の位置を前記相関ステップに基づいて、ウェーハの露光中にトラッキングするステップとを有する、請求項１２記載の方法。
　所定のレチクル平面を位置データ測定ステップに基づいて検出するステップを有する、請求項１記載の方法。
　前記所定のレチクル平面を、レチクルステージの前記測定されたマップデータと相関付けするステップと、
　レチクルのパターン面の位置を前記相関ステップに基づいて、ウェーハの露光中にトラッキングするステップとを有する、請求項１４記載の方法。
　位置データ測定ステップは、較正の合間に１回実行される、請求項１記載の方法。
　位置データ測定ステップは、周期的に較正の合間に実行される、請求項１記載の方法。
　位置データ測定ステップは連続的に実行される、請求項１記載の方法。
　第１の干渉計を使用して、レチクルステージ上に取り付けられたレチクルの平面を検出するステップと、
　レチクルステージのスキャン中に、第２の干渉計を使用してレチクルステージの位置を検出するステップと、
　前記平面をレチクルステージの位置と相関付けるステップと、
　レチクルステージを露光プロセス中に前記相関ステップに基づいて制御するステップとを有することを特徴とする方法。
　レチクルを保持する可動のレチクルステージと、二重干渉計装置と、記憶装置とが設けられており、
　前記レチクルはパターン面を有し、
　前記二重干渉計装置は、干渉計ビームの第１のセットを投射して、前記レチクルのパターン面から前記第１のセットを検出し、干渉計ビームの第２のセットを投射して、前記レチクルステージから前記第２のセットを検出し、
　前記記憶装置は、干渉計ビームの第１のセットによって測定されたレチクルの位置データと、干渉計ビームの第２のセットによって測定されたレチクルステージのマップデータとを記憶することを特徴とするシステム。
　コントローラが設けられており、
　前記コントローラは、ウェーハ上にレチクルパターンが露光される間、記憶された前記マップデータおよび記憶された前記位置データに基づいてレチクルステージを制御する、請求項２０記載のシステム。
　レチクルはレチクルステージに裏面取り付けされている、請求項２０記載のシステム。
　レチクルはレチクルステージに片面取り付けされている、請求項２０記載のシステム。
　レチクルはレチクルステージに前面取り付けされている、請求項２０記載のシステム。
　前記二重干渉計装置は、２つの干渉計部を備えた単一の構造を有する、請求項２０記載のシステム。
　二重干渉計装置は２つの干渉計を有する、請求項２０記載のシステム。