KR101297231B1 - 리소그래피 장치, 캘리브레이션 방법, 디바이스 제조 방법및 컴퓨터 프로그램 제품 - Google Patents

Abstract

레벨 센서에 의해 얻어진 기판 위치 측정들의 공정 의존성들을 제거하기 위해, 레지스트 코팅된 기판 상에서 레벨 센서 내의 스폿 높이 오프셋들의 캘리브레이션이 수행된다.

Description

리소그래피 장치, 캘리브레이션 방법, 디바이스 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품{LITHOGRAPHIC APPARATUS, CALIBRATION METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD AND COMPUTER PROGRAM PRODUCT}

이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;

도 2 및 도 2a 내지 도 2g는 도 1의 리소그래피 장치 내에 포함된 레벨 센서를 도시하는 도면;

도 3은 레지스트 두께와 함께 높이 측정 변동을 감지하는 센서를 나타낸 그래프;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스 제조 방법을 도시하는 도면;

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 캘리브레이션 방법을 도시하는 도면이다.

본 발명은 리소그래피 장치, 리소그래피 장치에 대한 캘리브레이션 방 법(calibration method), 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.

거의 모든 리소그래피 장치에서 레벨 또는 높이 센서(height sensor)가 제공된다. 이는, 노광시 기판이 투영 시스템 밑에서 올바른 수직 위치(높이 또는 Z) 및 올바른 경사 각도(Rx 및 Ry)에 위치될 수 있도록 고정된 기준에 대한 기판의 최상 면의 위치를 측정하므로, 마스크 이미지가 이미지 필드를 가로질러 기판 상에 올바르게 포커스된다. 이 공정은 일반적으로 레벨링(leveling)이라고 언급되며, "온 더 플라이(on-the-fly)" 또는 "오프 액시스(off-axis)"로 수행될 수 있다. 온 더 플라이 레벨링에서, 레벨 센서는 노광시 또는 노광 바로 전에 투영 시스템 바로 밑에 있는 기판의 최상면의 위치를 측정하고, 필요에 따라 피드백 루프(feedback loop)가 기판의 높이 및 경사를 조정한다. 오프 액시스 레벨링에서는, 노광될 기판의 표면 윤곽이 사전에 맵핑(map)되고(통상적으로는 투영 시스템의 광학 축선으로부터 멀리 위치된 레벨 센서 아래에서 기판을 스캐닝함으로써 수행되지만, 이는 원칙적으로 축선 상에 장착된 레벨 센서를 이용하여 수행될 수 있다), 투영 시스템의 조정가능한 요소들 및/또는 기판 테이블 높이 및 경사에 대한 설정치(set point)가 사전에 계산된다.

광학 센서들 및 용량성 센서(capacitive sensor)들을 포함한 다양한 형태의 레벨 센서가 존재한다. 광학 센서에서는, 광 빔이 기판 상으로 지향되고 반사 광이 검출된다. 그 후 다양한 방식으로, 예를 들어 센서 상의 반사 빔의 위치를 결정함으로써 기판 표면의 수직 위치가 도출된다. 용량성 센서에서는, 두 표면들 간의 커패시턴스(capacitance)가 그들 사이의 거리에 의존한다는 사실을 이용하여 기판 표면의 높이가 검출된다. EP-A-1037117에는 오프 액시스 레벨링 개요 및 광학 레벨 센서에 대해 더 상세하게 설명되며, 이 문서는 그 전문이 본 명세서에 인용참조된다.

일반적으로, 온 더 플라이 레벨링이 사용되든지 오프 액시스 레벨링이 사용 되든지, 그리고 광학 센서가 사용되든지 용량성 센서가 사용되든지, 레벨 감지 시스템(level sensing system)들은 대부분의 경우 몇몇 별도의 감지 디바이스를 이용하여, 기판 표면 상의 몇몇 지점들의 높이 및/또는 경사를 동시에 측정하도록 구성된다. 온 더 플라이 레벨링에서 이는 경사 정보를 도출하는데 필요하며, 오프 액시스 레벨링에서는 높이 맵을 생성하는데 걸리는 시간을 줄인다. 그러므로, 서로 다른 감지 디바이스를 캘리브레이션할 필요가 있다. 종래적으로, 이는 평탄하거나 그 표면 프로파일이 정확히 알려져 있다고 가정되는 기준 웨이퍼(reference wafer)를 이용하여 수행된다.

리소그래피 장치에서의 레벨 또는 높이 센서들의 캘리브레이션에 대해 개선된 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 제공되고, 상기 방법은: 상기 복수의 레벨 센서 디바이스의 하나하나 간의 차이를 보상하고 기판의 특성에 대응하는, 레벨 센서에 대한 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계; 레벨 센서 디바이스들을 이용하고 캘리브레이션 값과 관련하여, 상기 특성을 갖는 기판의 표면의 위치를 측정하는 단계; 및 기판 표면의 측정된 위치와 관련하여 기판을 노광하는 단계를 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치에서의 캘리브레이션 방법이 제공되고, 상기 방법은: 상기 센서 디바이스들 각각을 이용하여, 사전설정된 방향으로 기판의 표면 상에 있는 복수의 지점의 위치를 측정하는 단계를 포함하며, 상기 기판은 그 위에 사전설정된 특성을 갖는 개선된(modified) 표면층을 갖는다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치가 제공되고, 상기 레벨 센서 시스템은 레벨 센서 디바이스들의 실측정들과 위치 값들을 연관시키는 모델 및 캘리브레이션 값을 측정될 기판의 표면층의 특성에 의존하는 수학적 모델에 적용시키도록 구성된 캘리브레이션 유닛을 포함한다.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 디바이스 제조 방법을 수행하기 위해 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 제어하는 프로그램 코드를 포함한 컴퓨터 프로그램 제품이 제공되고, 상기 디바이스 제조 방법은: 상기 복수의 레벨 센서 디바이스의 하나하나 간의 차이를 보상하고 기판의 특성에 대응하는, 레벨 센서에 대한 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계; 레벨 센서 디바이스들을 이용하고 캘리브레이션 값과 관련하여, 상기 특성을 갖는 기판의 표면의 위치를 측정하는 단계; 및 기판 표면의 측정된 위치와 관련하여 기판을 노광하는 단계를 포함한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에서 사용될 수 있는 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.

조명 시스템은 방사선을 지향, 성형, 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.

지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들 어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.

패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.

본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수 있다.

리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.

도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.

상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.

상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지 되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA)) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마커들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마커들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마커들이 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마커(scribe-lane alignment marker)들로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마커들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

도시된 장치는 아래에 설명된 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:

스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 본질적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.

또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 본질적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.

리소그래피 장치는 에칭, 증착(deposition), 이온 주입(ion implantation) 등과 같은 단계들을 수행하는 공정 장치를 포함하는 리소클러스터(lithocluster), 또는 이러한 장치 및 장치 사이에서 기판들을 자동으로 전달하는 시스템들을 포함하는 제작 설비(fabrication plant) 또는 팹(fab) 내에 포함될 수 있다. 클러스터 또는 팹은 컴퓨터 제어를 받을 수 있다.

또한, 리소그래피 장치는 레벨 센서(10)를 포함하고, 이는 도 2에 예시되며 센서의 작동에 대한 실시형태들을 나타내는 도 2a 내지 도 2g와 관련하여 아래에서 추가적으로 설명될 것이다.

레벨 센서(10)는 웨이퍼(W) (또는 그 수직 위치가 측정되고 있는 경우의 물리적인 기준 평면, 또는 여하한의 반사 표면) 상으로 측정 빔(b_LS)을 지향시키는 빔 발생 브랜치(beam generation branch: 11) 및 반사 빔의 위치를 측정하는 검출 브랜치(detection branch: 12)를 포함하며, 이는 웨이퍼 표면의 수직 위치에 의존한 다.

빔 발생 브랜치에서, 측정 빔은 발광 다이오드(light emitting diode) 또는 레이저 다이오드의 어레이일 수 있는 광 소스(111)에 의해 발생되거나, 다른 곳에서 발생되고 광섬유에 의해 "일루미네이터(111)"로 통과된다. 특히 몇몇 공정 단계들이 완료된 이후에 웨이퍼 표면으로부터 간섭 효과(interference effect)들의 여하한의 파장 의존성(wavelength dependence)을 평균화(average out)하기 위해, 광 소스(111)에 의해 방출된 빔은 예를 들어 약 600 내지 1050 nm의 광대역의 파장을 포함하는 것이 바람직하다. 렌즈들 및 거울들의 여하한의 적절한 조합을 포함할 수 있는 조명 광학기(112)는 광 소스(111)에 의해 방출된 광을 모아서 투영 격자(projection grating: 113)를 고르게 조명한다. 투영 격자(113)는 도 2a에서 더 상세하게 도시되며, 분리된/불연속적인 스폿(spot)들의 어레이를 발생시키도록 나누어질 수 있고 그 축선에 평행한 격자 라인들을 갖는 가늘고 긴(elongate) 격자(113a), 및 웨이퍼 상에 주 검출 스폿 어레이에 앞서 캡처 스폿(capture spot)을 형성하는 추가 어퍼처(aperture: 113b)로 구성된다. 격자의 주기는 웨이퍼 표면 위치가 측정되는 정확성에 의해 부분적으로 결정되며, 예를 들어 약 30 ㎛일 수 있다. 투영 격자는, 웨이퍼 상에 투영된 격자 라인들이 여하한의 웨이퍼 좌표 축선(coordinate axis)에 평행하지 않도록 그 광학 축선을 중심으로 작게 회전하여 위치되므로, x 또는 y 방향을 따르는 웨이퍼 상의 구조체들과의 간섭을 회피한다.

투영 렌즈(114)는 웨이퍼(W) 상으로 투영 격자(113)의 이미지를 투영시키는 텔레센트릭 시스템(telecentric system)이다. 투영 렌즈(114)는 투영된 이미지 내의 색수차(chromatic aberration)를 최소화하거나 회피하도록, 본질적으로 반사 광학 요소들로 또는 이것만으로 구성되는 것이 바람직하다; 투영 빔이 광대역이기 때문에 이는 굴절 광학 시스템에서 쉽게 제거되거나 보상될 수 없다. 투영 빔(b_LS)을 투영 렌즈(114) 안팎으로 유도하고 빔 발생 브랜치의 구성요소들을 편리하게 구성하기 위해, 폴딩 거울(folding mirror: 115 및 116)이 사용된다.

도 2b에 나타낸 바와 같이, 투영 빔(b_LS)은 법선(normal)에 대해 상당히 큰 각도(α), 예를 들어 60°내지 80°의 범위로 웨이퍼 상에 입사하며, 검출 브랜치(12) 내로 반사된다. 웨이퍼 표면(WS)이 거리 Dh만큼 위치 WS'로 시프트하는 경우, 반사 빔(r')은 상기 빔(r)에 비해 거리 2Dhsin(α)만큼 시프트한다. 또한, 도 2b는 웨이퍼 표면 상의 이미지의 모양을 나타낸다; 큰 각도로 입사하기 때문에, 이미지는 격자 라인들에 수직으로 펼쳐진다(spread out).

반사 빔은 검출 광학기(121)에 의해 모아져서 검출 격자(126)로 포커스되며, 이는 투영 격자(113)와 실질적으로 동일한 것이 바람직하고 스폿-어레이 패턴에 대응하도록 세분할(sub-divide)된다. 검출 광학기(121)는 투영 광학기(114)를 직접적으로 보충하며, 또한 색수차를 최소화하도록 본질적으로 반사 요소들로 또는 이것들만으로 구성되는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 구성요소들을 편리하게 구성할 수 있도록 폴딩 거울들(122 및 123)이 사용될 수 있다. 광을 45°로 편광시키는 선형 편광기(linear polarizer: 124) 및 격자 라인들에 수직한 전단(shear)이 광의 수평 및 수직 편광 성분들 사이의 격자 주기에 대한 매그니튜드(magnitude)와 동일하게 하는 복굴절 크리스탈(birefringent crystal: 125)은 검출 광학기(121)와 검출 격자(126) 사이에 위치된다. 도 2c는 복굴절 크리스탈을 갖지 않는 검출 격자(126)에서 나타날 빔을 도시한다; 일련의 밝고 어두운 밴드들이 교대로 나타나며, 밝은 밴드들은 45°로 편광되는 광을 나타낸다. 복굴절 크리스탈(125)은 수평 편광 성분의 밝은 밴드들이 수직 편광 성분의 어두운 밴드들을 채우도록, 수평 및 수직 편광 상태에서의 시프트를 유도한다. 그러므로, 도 2d에 나타낸 바와 같이 검출 격자(126)에서의 조명은 세기가 균일하지만, 실제로 격자(126) 상에 입사하는 광은 교번하는 수평 및 수직 편광 상태들의 줄무늬들로 구성된다. 도 2e는 이 패턴 상에 겹쳐진 검출 격자(126)를 나타내며, 이는 웨이퍼 표면의 수직 위치에 의존한다; 웨이퍼가 공칭(nominal)에서 0인 수직 위치에 있는 경우, 검출 격자(126)는 오버레이하여 한 편광 상태의 밝은 밴드들의 절반 및 다른 상태의 절반을 차단한다.

검출 격자(126)에 의해 통과된 광은 변조 광학기(127)에 의해 모아져서 검출기(128) 상에 포커스된다. 변조 광학기는 두 편광 상태를 교대로 통과하기 위해, 예를 들어 약 50 kHz의 주파수로 교번하는 신호에 의해 구동되는 편광 변조 디바이스를 포함한다. 그러므로, 검출기(128)에 의해 나타낸 이미지는 도 2f에 나타낸 2 가지 상태 사이에서 교대로 일어난다. 검출기(128)는 그 높이가 측정될 스폿들의 어레이에 대응하는 다수의 구역들로 분할된다. 검출기(128)의 일 구역의 출력이 도 2g에 도시되어 있다. 이는 변조 광학기의 주기와 동일하게 교번하는 신호이며, 발진의 진폭은 검출 격자 상의 투영 격자의 반사 이미지의 정렬 정도를 나타내므로 웨이퍼 표면의 수직 위치를 나타낸다. 앞서 언급된 바와 같이, 웨이퍼 표면이 공칭 0 위치에 있는 경우, 검출 격자(126)는 수직 편광 상태의 절반 및 수평 편광 상태의 절반을 차단한다. 이러한 경우에, 변조 광학기(127)는 검출기(128) 상에 입사하는 광의 세기에 영향을 주지 않으며, 이는 격자(126)에서 나가는 수직 및 수평 편광 성분이 모두 동일하기 때문이다. 따라서, 검출기 구역들에 의해 출력된 발진하는 신호들의 측정된 진폭은 0이다. 웨이퍼 표면의 수직 위치가 0 위치로부터 멀리 이동함에 따라, 검출 격자(126)는 한가지 성분 예를 들어 수평으로 편광된 밴드들을 더 많이 통과시키고 수직으로 편광된 밴드들을 더 많이 차단한다. 따라서, 발진들의 진폭이 증가한다. 웨이퍼 표면의 수직 위치의 척도(measure)인 발진들의 진폭은 나노미터의 웨이퍼 표면의 수직 위치와 선형적으로 직접 관련되지는 않는다. 하지만, 측정된 진폭과 수직 웨이퍼 위치 간의 관계를 확립하도록 보정 테이블 또는 공식이 장치의 초기 셋업에서 쉽게 결정될 수 있다(그리고, 필요에 따라 주기적으로 다시 캘리브레이션된다). 과거에는, 캘리브레이션된 Z-간섭계 및 캘리브레이션되지 않은 레벨 센서(10)를 이용하여, 기판 테이블의 여러 상이한 수직 위치에서 베어 실리콘 웨이퍼(bare silicon wafer)의 표면의 일정 높이를 측정함으로써 캘리브레이션이 수행되었다. 또한, 이 캘리브레이션은 상이한 검출기 구역들 간의 차이들을 결정하는 단계를 수반하며, 이는 상대적인 스폿 오프셋 높이(spot offset height)들로서 알려져 있다. 이 오프셋들은, 동일한 높이가 2 가지 상이한 검출기 스폿들을 이용하여 측정되는 경우 상이한 결과들이 얻어지는데 영향을 미치는 레벨 센서의 광학기, 기준 및 검출 격자들의 정렬, 검출기 구역 등에서의 보정할 수 없는 변동들로부터 도출된다.

본 발명자들은 높이 측정들의 알려진 공정 의존성(process dependency) 외에, 높이 또는 레벨 센서 시스템이 명목상 동일한 것들일지라도 다중 센서 디바이스를 포함한다면, 측정되는 표면의 기초가 되는 구조 또는 재료들의 변화에 따라 레벨 센서 디바이스들 간의 오프셋들이 변할 수 있다는 것을 발견하였다. 예를 들어, 앞서 설명된 광학 센서들에 대해, 웨이퍼의 위치적인 시프트 외에도 최상면 밑의 층 경계들로부터의 반사들이 오차들을 초래하는 센서 출력의 변화를 유도할 수 있다 - 이 오차들은 아래놓인 층들의 두께 및 재료에 따라 변한다. 이는 도 3에 도시되어 있으며, 레벨 센서 출력에서의 평균 및 극치(extreme) 오차가 측정될 웨이퍼에 적용된 레지스트 코팅의 두께에 따라 어떻게 변동하는지를 나타내고 있다. 이 형태의 현상(phenomenon)은, 높이 측정이 기판에 적용된 이전 공정들에 의존하므로, 일반적으로 공정 의존성이라 칭한다.

도 3에서, 각각의 좁게 꺾인 곡선(broken curve)은 앞서 설명된 형태의 레벨 센서에서의 상이한 스폿들을 이용하여, 단일 레지스트 두께에서 각각 수행된 약 8 개의 일련의 공칭(nominal) 높이 차이 측정들을 나타낸다. 각각의 꺾인 곡선이 대응하는 실제 높이 차이는 대응하는 꺾인 곡선 위에 또는 아래에 놓인 2 개의 더 긴 곡선들의 정사각형 부호들에 의해 나타내어진다. 레지스트 두께가 변함에 따라 스폿들 사이의 오프셋들이 부호(sign) 및 매그니튜드 모두에서 실질적으로 변화하고, 이 변화들은 명백하게 규칙적이지(systematic) 않다는 것을 알 수 있다. 다시 말하면, (예를 들어, 200 au까지의 레지스트 두께에서의 제 5 및 제 8 데이터 지점을 비교하면) 하나의 레지스트 두께에서 제 1 스폿 위치는 제 2 스폿 위치보다 더 큰 높이 차이를 생성할 수 있는 한편, (예를 들어, 450 au까지의 레지스트 두께에서의 제 5 및 제 8 데이터 지점을 비교하면) 또 다른 레지스트 두께에서는 제 1 스폿 위치가 제 2 스폿 위치보다 더 작은 높이 차이를 생성한다. 또한, 발명자들은 레지스트 형태에 따라, 그리고 레지스트 아래 놓인 층들, 유기 난반사 방지막(both anti-reflection coating: BARC) 및 공정 층들의 변화들에 따라, 스폿 오프셋들이 변동될 수 있다고 결정하였다.

도 3에 나타낸 데이터는 광학 센서 측정들에 기초하지만, 용량성 센서들과 같은 다른 센서들도 기판의 표면 구역에 민감하다. 따라서, 레지스트 두께의 변화들과 같은 기판 표면 층들의 변화들, 또는 금속층들의 추가는 고정된 위치에 유지된 기판의 외관상의 위치(apparent position)를 변하게 할 수 있고, 그러므로 광학 또는 용량성 방법들에 의해 측정들이 수행되는지에 따라, 기판 높이와 같은 특성들의 측정에서 실질적인 오차들을 유도할 수 있다.

이 문제에 대처하기 위해, 본 발명의 일 실시예에서는 베어 실리콘 기준 웨이퍼를 이용하여 수행되는 레벨 센서 스폿들의 초기 또는 주기적으로 반복된 캘리브레이션에 의지하기보다는, 아래놓인 층들 및/또는 레지스트의 두께들 및/또는 상이한 형태들에 대해 오프셋(캘리브레이션) 값들이 결정된다. 생산에서의 높이 측정들에 대해, 측정될 기판 상의 실제 층 구조에 적절한 오프셋 값들이 채택된다. 발명자들은 과거에 사용된 부정확한 오프셋 값들이 에지 다이(edge die)들 - 즉, 기판 상에 완전히 적합하지 않지만, 그럼에도 불구하고 부분적인 다이가 완전한 디바이스들을 포함하기 때문에, 또는 에지 다이에 인접한 다이들에서의 변동들 및 기판 뒤틀림 현상(warpage)을 처리하는 단계를 회피하기 위해서 이미징되는 다이에서, 7 내지 15 nm의 치수(order), 또한 몇몇 경우에는 45 nm까지의 포커스 오차들을 발생시켰다고 결정하였다. 이와 같은 포커스 오차들은 본 발명을 이용하여 회피될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 디바이스 제조 방법의 흐름도가 도 4에 도시되어 있다. 제 1 단계(S1)에서, 레지스트 코팅된 기판에 적절한 레벨 센서(LS)(10)에 대한 캘리브레이션 값들(예를 들어, 스폿 오프셋들)이 얻어진다. 이는, 예를 들어 먼저 뱃치(batch) 또는 로트(lot)에서 노출되려고 하는 기판 상의 캘리브레이션 절차(아래에 더 설명됨)를 수행함으로서, 미리 수행된 다중 캘리브레이션들로부터 도출된 테이블 또는 데이터베이스에서 값들을 찾음으로써, 저장된 값들로부터 삽입(interpolate) 및/또는 추정(extrapolate)함으로써, 또는 이 접근법들을 조합함으로써 수행될 수 있다. 이전에 저장된 캘리브레이션 값들은, 사용될 특정 장치에 대한 다중 캘리브세이션을 수행함으로써 얻어질 수 있거나, 특정 장치에 대한 캘리브레이션들 및 동등한 장치에서 취해진 측정들을 조합함으로써 계산될 수 있다.

일반적으로, 캘리브레이션 값들은 기판의 표면 내의 층 또는 표면 상의 층의 여하한의 적절한 특성에 관련하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 특성은 상기 층의 두께와 관계있을 수 있으며, 캘리브레이션 값들은 상기 층의 공칭 두께에 기초하여 또는 상기 층의 두께 값들의 범위에 대해 선택될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 특성은 그 토폴로지(topology)(3 차원 구조)의 층의 재료와 관계있을 수 있다. 상기 층은 레지스트, 반사 방지막 또는 공정막(product layer)일 수 있 다.

그 다음, 단계 S2에서 레지스트-코팅된 생산 기판의 높이-맵이 취해지고, 단계 S3에서는, 예를 들어 앞서 참조된 EP-A-1037117에서 설명된 절차들을 이용하여, 기판 테이블(WT)에 대한 설정치들 및/또는 투영 시스템(PS)의 여하한의 적절한 조정가능한 파라미터들이 계산된다. 그 후, 단계 S4에서 생산 노광이 처리될 수 있다. 하나의 기판 상의 노광들을 완료한 이후에, 대부분의 경우 추가 기판들이 노광된다. 단계 S5에서 그러한 경우인지가 결정되고, 그러한 경우 단계 S6에서 다음 기판이 상이한 뱃치로 구성되는지 및/또는 상이한 레지스트 타입 및/또는 두께를 갖는지가 결정된다. 다음 기판이 동일한 뱃치로 구성되어 이로부터 일반적으로 동일한 레지스트 타입 및 두께를 갖게 되거나, 또는 상이한 뱃치로 구성되지만 동일한 레지스트 타입 및 두께를 갖는 경우, 높이 맵핑, 계산 및 노광 단계들(S2 내지 S5)은 레벨 센서에 대해 동일한 캘리브레이션 값들을 이용하여 지속할 수 있다. 하지만, 뱃치 레지스트 타입 또는 레지스트 두께가 변화하는 경우 공정은 단계 S1로 돌아가며, 이때 높이 맵핑, 계산 및 노광 단계들(S2 내지 S5)이 새로운 기판에 대해 수행되기 이전에 새로운 레지스트 타입 및/또는 두께에 대한 캘리브레이션 값들의 새로운 세트가 얻어진다. 캘리브레이션 값들의 새로운 세트의 결정이 스루풋(throughput)의 손실없이 수행될 수 있는 경우, 또는 스루풋의 손실이 얻어진 산출 이득(yield gain)에 대해 허용가능한 경우, 뱃치, 레지스트 타입 또는 두께의 변화가 존재하는지에 관련없이 각각의 생산 기판 상에서 레벨 센서를 다시 캘리브레이션할 수 있다는 것을 유의한다. 몇몇 이유로 레지스트 타입 또는 두께 또는 아 래놓인 구조체가 레벨 센서 캘리브레이션에 영향을 미치도록 단일 기판에 걸쳐 충분히 변하는 경우, 상이한 레벨 센서 캘리브레이션 값들이 기판의 상이한 부분들의 높이를 측정하는 경우에 사용될 수 있다.

캘리브레이션 값들을 결정하는 방법은 도 5에 도시되어 있다. 도 5에 간추린(outline) 절차는, 베어 기준 기판보다는 레지스트 코팅된 기판이 사용된다는 점에서 종래의 절차들과 다르다. 도 5에 나타낸 방법은 3 가지 단계를 갖는다: 첫째로 단계 S11에서, 기판이 적절한 형태 및 두께의 레지스트 층으로 코팅된다; 둘째로 단계 S12에서, 복수의 지점들의 높이가 측정되고, 각각의 지점은 캘리브레이션되는 센서 시스템 내의 각각의 센서 디바이스 또는 스폿에 의해 측정된다; 그리고 셋째로 단계 S13에서, 캘리브레이션 값들이 측정 데이터로부터 계산된다.

캘리브레이션에 대해 사용된 기판은, 캘리브레이션 데이터의 라이브러리(library)가 얻어지는 경우에 레지스트가 벗겨지고 새로운 레지스트 타입 또는 두께로 다시 코팅되는 기준 기판일 수 있다. 대안적으로, 각각의 기판, 기판들의 뱃치 또는 일련의 유사한 뱃치들에 대해 캘리브레이션 값들이 결정되는 경우에 노광되려고 하는 생산 기판이 사용될 수 있다. 측정되는 복수의 지점은 통계적으로 유효한 결과를 보장하기에 충분히 큰 것이 바람직하며 전체 다이에 미칠 수 있다(span). 또한, 센서 디바이스 각각의 측정 범위에 걸쳐 여하한의 변동을 결정하기 위해, 센서에 대한 상이한 수직 위치에서의 기판 테이블과 함께, 몇몇 또는 모든 센서 디바이스들 또는 스폿들을 이용하여 각각의 지점을 여러번 측정하는 것이 바람직할 수 있다. 캘리브레이션 값들을 계산하는 방식은 레벨 센서 모델들에서 사 용되는 방식에 의존하지만, 상대적인 스폿 높이 오프셋들은 하나의 센서 디바이스를 기준으로 지정하고 각각의 다른 디바이스가 각각의 지점에 대해 그 센서 디바이스 및 기준 디바이스에 의해 측정된 높이 차이의 평균을 계산함으로써 결정될 수 있다. 대안예로서, 기압계(air gauge)와 같은 아마도 상이한 형태의 추가 센서가 기준으로 사용될 수 있다.

본 발명의 방법들을 구현하는 소프트웨어가 새로 구성된 리소그래피 장치의 제어 시스템 내에 포함될 수 있으며, 또는 기존 장치에 적용되도록 업그레이드로서 코딩, 즉 개선(retrofit)될 수 있다.

이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.

본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm 또는 그 부근의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.

본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.

이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.

상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.

본 발명에 따르면, 레벨 센서에 의해 얻어진 기판 위치 측정들의 공정 의존성들을 제거하기 위해 캘리브레이션 방법을 이용하는 리소그래피 장치가 제공된다.

Claims (23)

1. 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법에 있어서:

   상기 복수의 레벨 센서 디바이스 사이에서 측정된 값들의 차이를 보상하고 상기 기판의 특성에 대응하는, 상기 레벨 센서 시스템에 대한 1 이상의 캘리브레이션 값(calibration value)을 얻는 단계;

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값에 기초하고 상기 복수의 레벨 센서 디바이스를 이용하여, 상기 기판 표면의 위치를 측정하는 단계; 및

   상기 기판 표면의 측정된 위치에 기초하여 상기 기판을 노광하는 단계를 포함하여 이루어지고,

   상기 특성은:

   (a) 상기 표면 내에 또는 상기 표면 위에 배치된 층의 두께에 관한 것;

   (b) 상기 표면 내에 또는 상기 표면 위에 배치된 층의 재료 특성들에 관한 것; 및

   (c) 상기 표면 내에 또는 상기 표면 위에 배치된 층의 토폴로지(topology)에 관한 것들 중 적어도 하나이고,

   상기 기판이 추가 기판으로서 이전 기판의 뱃치와 상이한 뱃치로 구성되고, 상기 추가 기판의 특성이 이전의 기판의 특성과는 상이한 경우,

   상기 추가 기판의 특성에 대응하는, 상기 레벨 센서 시스템에 대한 1 이상의 캘리브레이션 값을 새로이 얻는 디바이스 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 특성은 상기 층의 공칭(nominal) 두께 값인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 특성은 상기 층의 두께 값들의 범위인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 층은 레지스트, 반사 방지막(anti-reflective coating) 및 공정막(product layer)들로 구성되는 그룹으로부터 선택된 층인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계는 상기 특성을 갖는 레지스트 층이 상기 기판 상에 배치되는 경우 캘리브레이션 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 캘리브레이션 공정은, 상기 레벨 센서 디바이스들 각각을 이용하여 상기 기판의 공칭면(nominal plane)에 수직인 방향으로 상기 기판 표면 상의 복수의 지점들의 위치를 측정하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계는 상이한 특성들에 대응하는 캘리브레이션 값들의 테이블에서 캘리브레이션 값을 찾는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계는 상기 특성이 파라미터인 수학적 모델을 이용하여 상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 계산하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계는:

   상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계가 스루풋(throughput)의 손실 없이 수행될 수 있는 경우이거나, 상기 스루풋의 손실이 미리 설정된 산출 이득(yield gain)에 대해 허용가능한 경우에, 매 기판마다 수행되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
10. 제 7 항에 있어서,

    상기 캘리브레이션 값들의 테이블에 저장된 값은:

    상기 리소그래피 장치에 대한 다중 캘리브레이션을 수행함으로써 얻는 값; 및

    상기 리소그래피 장치와 동등한 리소그래피 장치에서 측정된 값 중 적어도 하나를 조합하여 계산되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
11. 제 7 항에 있어서,

    상기 1 이상의 캘리브레이션 값을 얻는 단계는:

    상기 캘리브레이션 값들의 테이블에서 캘리브레이션 값을 찾을 수 없는 경우, 상기 캘리브레이션 값들의 테이블에 저장된 값들로부터 보간법(interpolation) 및 보외법(extrapolation)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
12. 디바이스 제조 방법을 수행하기 위해 각각의 지점들에서 기판 표면의 위치를 측정하도록 구성된 복수의 레벨 센서 디바이스들을 포함하는 레벨 센서 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 제어하는 프로그램 코드를 포함한 컴퓨터 판독가능한 저장 매체에 있어서, 상기 디바이스 제조 방법은 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 디바이스 제조방법인 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
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