KR101533016B1 - 리소그래피 장치, 대상물을 레벨링하는 방법, 및 리소그래피 투영 방법 - Google Patents

리소그래피 장치, 대상물을 레벨링하는 방법, 및 리소그래피 투영 방법 Download PDF

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Abstract

기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성된 리소그래피 장치가 개시되며, 이는: 패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지체; 및 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 유저 영역 구조체들의 방위들 및/또는 밀도들을 검출하도록 구성된 측정 시스템을 포함한다. 앞선 청구항들 중 어느 하나에 따른 장치는 유저 영역 구조체들의 검출된 방위들 및/또는 밀도들을 이용함으로써 레벨링 정보를 발생시키도록 구성된 레벨링 정보 시스템; 및 레벨링 정보에 기초하여 패터닝된 대상물의 레벨을 위치시키도록 구성된 레벨링 시스템을 더 포함한다.

Description

리소그래피 장치, 대상물을 레벨링하는 방법, 및 리소그래피 투영 방법{LITHOGRAPHIC APPARATUS, METHOD FOR LEVELLING AN OBJECT, AND LITHOGRAPHIC PROJECTION METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치, 대상물을 레벨링하는 방법, 및 리소그래피 투영 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 [예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이, 즉 기판 유저 영역(substrate user area)의 부분을 포함하는] 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 장치의 투영 시스템에 대해 레티클을 포커스하는 것이 알려져 있다. 현재, 이를 위해 레티클 레벨 센서가 사용된다. 알려진 센서는 2 개의 렌즈를 이용하여 광학적으로 레티클 높이를 측정하며, 이 렌즈는 레티클의 커스터머 영역(customer area) 부분 외부에 위치된다. 비-텔레센트릭(non-telecentric) 투영 시스템을 갖는 리소그래피 시스템에서는, 오버레이 오차들을 방지하기 위해 Z-방향(패터닝되는 레티클 표면에 수직인 방향)으로 레티클의 정밀한 위치설정이 요구된다.
개선된 리소그래피 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직하다. 특히, 패터닝되는 대상물의 매우 정확한 위치설정을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 장치는 패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지체, 및 패터닝된 대상물의 유저 영역 상에 존재하는 유저 영역 구조체들의 방위 및/또는 밀도를 검출하도록 구성된 측정 시스템을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치가 제공된다. 상기 장치는 패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지체- 상기 패터닝된 대상물은 패터닝된 유저 영역을 가짐 -, 및 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 유저 영역 구조체들의 방위 및/또는 밀도에 기초한 레벨링 정보를 제공하도록 구성된 레벨링 정보 시스템을 포함한다. 또한, 상기 장치는 레벨링 정보 시스템으로부터 레벨링 정보를 수신하고, 패터닝된 대상물을 레벨링하기 위해 수신된 레벨링 정보를 이용하도록 구성된 레벨링 시스템을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 패터닝된 대상물을 레벨링하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 대상물의 유저 영역에 존재하는 1 이상의 유저 영역 구조체들의 방위 및/또는 밀도를 검출하는 단계, 구조체들의 검출된 방위 및/또는 밀도에 기초한 레벨링 정보를 발생시키는 단계, 및 레벨링 정보를 이용함으로써 패터닝된 대상물을 레벨링하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 제 1 파장을 갖는 방사선의 방사선 빔을 제공하는 단계 및 구조체들의 패턴을 갖는 유저 영역을 포함한 패터닝 디바이스를 제공하는 단계를 포함하는 리소그래피 투영 방법이 제공된다. 구조체들은 방사선에 대해 제 1 반사율을 가지며, 구조체들 외부로 연장되는 유저 영역 부분들은 방사선에 대해 제 2 반사율을 갖는다. 제 2 반사율은 제 1 반사율과 상이하다. 또한, 상기 방법은 방사선 빔에 유저 영역의 패턴을 부여하는 패터닝 디바이스의 유저 영역 상으로 방사선 빔을 지향하는 단계, 투영 시스템을 이용하여 기판의 타겟부 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계, 및 투영 시스템에 대해 패터닝 디바이스와 기판 중 적어도 1 이상을 레벨링하여 패터닝 디바이스에 의해 제공된 대상물 평면이 투영 시스템에 의해 기판 상의 포커스 내에 투영되게 하는 단계를 포함한다. 레벨링하는 단계는 표면 구조체들의 방위 및 국부 밀도 중 하나 또는 둘 모두와 입사하는 방사선의 상이한 편광 부분들의 반사에 대한 상기 표면 구조체 방위 및/또는 밀도의 영향 간의 사전설정된 관계를 이용하는 단계를 포함한다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 도 1의 장치의 일부분을 더 상세히 도시하는 도면;
도 3은 도 1 및 도 2의 장치의 패터닝 디바이스의 평면도;
도 4는 도 1 및 도 2의 장치의 측정 시스템의 작동 시 도 3의 상세도를 개략적으로 도시하는 도면;
도 5는 도 4의 라인 V-V를 따른 단면도; 및
도 6은 센서 신호의 일부를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 비-텔레센트릭 타입으로 구성된다.
상기 장치는 방사선 빔(PB)[예를 들어, UV 방사선, 및 특히 원자외(Deep Ultra Violet) 또는 DUV 방사선]을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL), 및 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)를 포함한다. 또한, 상기 장치는 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT), 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(PB)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크를 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)를 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-s 및 내측-s라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(PB)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(PB)은 투영 시스템(PL)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다.
이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다.
일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다.
도 4 및 도 5는 마스크(MA)의 일부분을 세부적으로 나타낸다. 도 1, 도 2, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 마스크(MA)는 마스크 유저 영역(UA)을 포함할 수 있으며, 이 영역에는 유저 정의 패턴(user defined pattern: Q1 및 Q2)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 패턴(Q1 및 Q2)은 상기 장치에 의해 기판(W) 상에 형성될 원하는 회로 패턴과 연계될 수 있다. 특히, 패턴은 입사하는 방사선 빔(PB)과 상이하게 상호작용하도록 구성된 제 1 유저 영역 부분들('패턴 피처'라고도 함)(Q1) 및 제 2 유저 영역 부분들(Q2)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제 1 부분들(Q1)은 방사선 빔(PB)의 입사하는 방사선을 반사시키도록 구성되고, 제 2 부분들(Q2)은 방사선 빔(PB)의 입사하는 방사선을 전체 또는 부분적으로 흡수하도록 구성될 수 있으며, 또는 역으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 부분들(Q1)(또는 대안적으로 제 2 부분들)은 1 이상의 거울 형성층(mirror forming layer)을 포함한 거울 부분들일 수 있으며, 각각의 거울 부분이 사전설정된 파장의 방사선 빔(예를 들어, EUV 광)의 입사하는 방사선을 반사시킬 수 있다. 이와 유사하게, 예를 들어 제 2 부분들(Q2)(또는 대안적으로 제 1 부분들)은 1 이상의 흡수체 형성층(absorber forming layer)을 포함한 방사선 흡수 부분들일 수 있으며, 각각의 제 2 부분이 상기 사전설정된 파장의 방사선 빔의 입사하는 방사선을 흡수하거나 차단할 수 있다.
다시 말하면, 제 1 유저 영역 부분들 또는 구조체들(Q1)은 방사선 빔(PB)의 방사선에 대해 제 1 반사율을 가질 수 있으며, 제 1 구조체들(Q1) 외부로 연장되는 제 2 유저 영역 부분들 또는 구조체들(Q2)은 상기 방사선에 대해 제 2 반사율을 가질 수 있고, 상기 제 2 반사율은 제 1 반사율과 상이하다(예를 들어, 훨씬 더 낮다).
또 다른 실시예에 따르면, 제 1 유저 영역 부분들(Q1)은 제 2 유저 영역 부분들(Q2)에 의해 정의되는 잔여 마스크 유저 영역 부분 외부로 연장되거나 도달한다. 따라서, 마스크 유저 영역(UA)이 소정 부조(relief)를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 5에서 양방향 화살표(H1)에 의해 밖으로(전반적인 마스크 표면에 수직인 Z-방향으로) 돌출한 제 1 패턴 부분들(Q1)의 높이(H1)가 도시된다. 이 높이(H1)는 약 1 내지 1000 nm의 범위, 또는 약 10 내지 100 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 (돌출한) 유저 영역 부분들(Q1)은 모두 (실질적으로) 동일한 높이를 가질 수 있다. 예를 들어, 적어도 99 % 이상의 제 1 유저 영역 부분들(Q1)이 사전설정된 높이(H1), 또는 사전설정된 높이(H1)+/-0.5 nm의 범위 내에 있는 높이를 가질 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 마스크 피처들 또는 부분들(Q1)의 높이(H1)[즉, 제 2 유저 영역 부분들(Q2)의 표면에 대한 제 1 부분들(Q1)의 상부면의 레벨]가 알려져 있을 수 있다. 예를 들어, 높이(H1)는 [예를 들어, 외부에서(ex-situ)] 적절한 측정 디바이스를 이용하여 앞서 측정될 수 있으며, 및/또는 높이는 각각의 마스크(MA)를 제조하는 각각의 마스크 제조 공정에서 사용된 파라미터들로부터 얻어질 수 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 평면도에서 보면 제 1 및 제 2 부분들(Q1 및 Q2)은 상이한 형상, 방위 및 치수를 가질 수 있다[본 명세서에서는, 특히 제 2 부분들(Q2)의 형상, 치수 및 방위가 제 1 부분들(Q1)의 형상, 치수 및 방위에 의존하는데, 이는 제 1 부분들(Q1)이 제 2 부분들(Q2)을 정의하기 때문이며, 또는 역으로 생각할 수도 있다].
제 1 부분들(및 제 2 부분들)의 표면 밀도는 국부적으로, 즉 유저 영역(UA)의 상이한 구역들에 대해 다양할 수 있다. 예를 들어, 패턴 구조체들의 국부 표면 밀도는 국부 유저 영역 일부의 전체 표면적당 제 1 부분들(Q1)[또는 제 2 부분들(Q2)]의 표면적일 수 있다. 예를 들어, 언급된 유저 영역(UA)의 일부는 1 mm x 1 mm, 또는 0.1 mm x 0.1 mm 이하의 표면적을 갖는 일부일 수 있으며, 또는 유저 영역(UA)의 상이한 일부일 수 있다. 일 실시예에서, 유저 영역 일부는 유저 영역(UA)의 표면적의 1/10 이하의 표면적, 예를 들어 유저 영역(UA)의 표면적의 1/100 이하의 표면적을 가질 수 있다.
비-제한적인 예시로서, 도 4 및 도 5에 세부적으로 나타낸 마스크는 비교적 큰 직사각형 부분(Q1a), 더 작은 직사각형 부분(Q1b), 제 1 마스크 방향(X1)과 평행하게 연장되는 평행한 세장형 피처들을 갖는 어레이(Q1c), 및 제 1 마스크 방향(X1)[이 방향은 마스크(MA)의 에지들 중 하나에 평행임]에 대해 수직으로 연장되는 평행한 세장형 피처들의 어레이(Q1d)를 포함한다. 하지만, 마스크 피처들(Q1 및 Q2)은 많은 다른 형상 또는 형태, 예를 들어 곡선형, 세장형 및 복합 형상과 같은 다른 형상들을 가질 수 있다. 마스크 부분들 또는 피처들(Q1 및 Q2)은 다양한 방향들, 예를 들어 도 4에 도시된 것과 다른 방향들을 따라 연장될 수 있다. 또한, 제 1 마스크 부분은 (평면도에서 보면) 다양한 길이 및 폭을 가질 수 있다.
마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(또는 마커들)(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 일 실시예에서, 마크들(M1 및 M2)은 유저 영역(UA) 외부에 위치되는 마커 영역(EA) 내에 위치되거나, 이에 의해 제공된다. 본 실시예에서, 마커 영역(EA) 및 유저 영역(UA)은 마스크(MA)의 동일한 측면에 위치된다(이 측면은 리소그래피 작동 시 방사선 빔(PB)을 수용하고, 도 1에서와 같이 마스크 지지체(MT)의 반대쪽을 향한다). 일 실시예에서, 평면도에서 보면 마커 영역(EA)은 유저 영역을 둘러싼다(도 3 참조). 다시 말하면, (도 3에서와 같이) 마커 영역(EA)은 마스크(MA)의 주변부를 따라 연장될 수 있으며, 패턴 포함 유저 영역(UA)은 마스크(MA)의 주변부로부터 이격될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 마커 영역(EA)에는 레벨링 패턴(LL), 예를 들어 2 개의 평행하고 평탄한 방사선 반사 스트립 또는 라인(LL)을 포함한 패턴(예를 들어, 세장형의 직사각형)도 제공되며, 이는 유저 영역(UA)의 양쪽을 따라 연장된다(도 1 및 도 3 참조).
또한, 상기 장치는 투영 시스템에 대해 마스크를 레벨링하도록 구성된 레벨링 시스템을 포함할 수 있다. 레벨링 시스템은 마스크(MA)의 Z-위치, 즉 마스크 유저 영역(UA)에 수직인 방향으로의 위치를 설정하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 레벨링 시스템은 2 개의 스트립(LL)을 이용하여 마스크 Z-위치를 광학적으로 측정하도록 구성될 수 있다. 레벨링 시스템이 마스크 지지 구조체(MT)에 의해 유지된 마스크를 하류의 투영 시스템(PL)에 대해 포커스하도록 설계되어, 유저 패턴이 기판 지지 구조체(WT) 상에 유지된 기판(W) 상의 포커스 내에 투영될 수 있다(도 1 참조). 예를 들어, 레벨링 시스템은 제 1 위치설정기(PM)의 일부분일 수 있으며, 및/또는 이는 [예를 들어, 상기 장치의 초기화 단계 시, 예를 들어 상기 장치가 기판(W)의 1 이상의 타겟부(C) 상으로 패터닝된 빔(PB)을 투영하는 리소그래피 방법을 실제로 수행하기 전에] 마스크(MA)의 원하는 Z-위치설정을 제공하기 위해 제 1 위치설정기(PM)와 상호작동할 수 있다. 매우 정확한 레벨링 시스템의 실시예들이 아래에서 설명되고, 도 2 내지 도 6에 도시된다.
비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 각각의 마스크 유저 영역들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 리소그래피 장치, 예를 들어 앞서 설명된 장치의 일부분을 도시한다. 상기 장치는 패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지 구조체를 포함한다. 본 실시예에서, 지지 구조체는 마스크 지지 구조체(MT)이고, 패터닝된 대상물은 마스크(MA)이다. 일 실시예에서, 지지 구조체는 기판, 예를 들어 이미 부분적으로 패터닝되어 있는 기판[이 경우, 기판 유저 영역은 예를 들어 앞서 설명된 도 4 및 도 5에 나타낸 마스크 실시예와 유사하게 돌출한 기판 부분들을 갖는 소정 부조(relief)를 가질 수 있음]을 지지하거나 유지하도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 장치는 지지 구조체에 의해 유지되어 있는 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역에 존재하는 구조체들(Q1 및 Q2)의 앞서 언급된 국부 밀도들 및/또는 방위들을 검출하도록 구성된 측정 시스템을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 측정 시스템은 구조체들(Q1 및 Q2)의 국부 밀도들 및 방위들을 모두 검출할 수 있다. 측정 시스템은 구조체들(Q1 및 Q2)의 국부 밀도들 또는 방위들만 검출하도록 구성될 수 있다. 측정 시스템은 앞서 언급된 레벨링 시스템의 일부분일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 측정 시스템은: (소정 측정 라인(45) 또는 스트립 또는 필드를 따른) 2-차원 평면에서의 유저 영역 구조체들의 공간 방위들; (소정 측정 라인 또는 스트립 또는 필드를 따른) 2-차원 평면에서의 유저 영역 구조체들의 각도 방위들; 및 2-차원 평면에서의 유저 영역 구조체들의 전반적인 형상들 중 1 이상을 알아내거나 결정하도록 구성될 수 있다.
측정 시스템은 구조체 밀도들의 국부적인 차이들을 알아내도록 구성될 수 있다. 바람직하게는, 측정 시스템은 유저 영역(UA)의 복수의 상이한 일부들에 대해 제 1 부분들(Q1)[및/또는 제 2 부분들(Q2)]의 표면적 일부(표면 밀도)를 결정하도록 구성되어야 한다.
일 실시예에서, 측정 시스템은 2 개의 직교 방향(X1 및 Y1)에 대해 유저 영역 구조체들의 방위를 결정하도록 구성될 수 있으며, 이 2 개의 직교 방향(X1 및 Y1)은 모두 패터닝된 대상물의 방사선 수용 표면에 평행하다. 도 3은 화살표들(X1 및 Y1)로 직교 방향들의 예시들을 나타낸다. 예를 들어, 언급된 직교 방향(X1 및 Y1)은 수직 방향, 수평 방향 또는 다른 방향일 수 있다.
일 실시예에서, 측정 시스템은 도면들에 나타낸 바와 같이 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역(UA)에 걸쳐 적어도 1 이상의 스캐닝 라인을 따라 측정 빔(MB)을 스캐닝하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 측정 빔(MB)은 레이저 빔, 비편광 빔, 예를 들어 선형, 원형 또는 타원형 편광과 같은 사전설정된 편광을 갖는 편광 빔, 또는 상이한 형태의 방사선 빔일 수 있다. 일 실시예에서, 앞서 언급된 방사선 빔(PB)의 전체 또는 일부분이 측정 빔으로서 사용될 수 있다.
도 2에 예시된 바와 같이, 측정 시스템에는 측정 빔(MB)을 제공/방출하도록 구성된 빔 발생기(20)(예를 들어, 레이저 또는 다른 형태의 방사선 소스)가 제공될 수 있다. 유저 영역에 대한 스캐닝 방향은 도 3에서 화살표 S로 도시된다; 이 경우, 스캐닝 방향은 제 1 마스크 방향(X1)과 평행하다. 예를 들어, 상기 빔(MB)은 유저 영역(UA)에 걸쳐 (사전설정된) 직선 방향(도 3에서 라인 45)으로 스캐닝될 수 있다. 스캐닝은 수많은 방식으로, 예를 들어 입사하는 빔(MB)에 대해 마스크 테이블(MT)을 이동시킴으로써, 및/또는 예를 들어 빔 편향기를 이용하여 빔(MB)의 전파 방향을 변화시킴으로써 달성될 수 있다. 측정 빔(MB)은 패터닝된 대상물의 표면에 수직으로 지향될 수 있으며(입사각이 90 °임), 또는 이는 90 °보다 작은 각도로 패터닝된 대상물(MA)의 표면과 교차할 수 있다.
일 실시예에서, 특히 패터닝된 대상물 상의 빔 스폿(MBS)[상기 빔 스폿은 도 4에서 검은 점(MBS)으로 나타냄]이 비교적 좁도록 측정 빔(MB)의 단면이 비교적 좁을 수 있다. 빔 스폿(MBS)은 상이한 형상의 원형(도 4 참조) 또는 타원형 단면을 가질 수 있다. 작동 시, 빔 스폿(MBS)의 최대 치수(K)는 약 1 cm, 또는 약 1 mm일 수 있다.
측정 시스템은 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역(UA)뿐 아니라, 마커 영역(EA)의 적어도 1 이상의 마커(M1 및 M2)도 걸친 적어도 1 이상의 직선 스캐닝 라인(45)에 걸쳐 측정 빔(MB)을 스캐닝하도록 구성될 수 있다. 도 3에서, 상기 시스템은 제 1 마커(M1)로부터 유저 영역(UA)을 통해 맞은편의 제 2 마커(M1, M2)까지, 예를 들어 레벨링 라인 또는 스트립(LL)에 평행하게 측정 빔을 스캐닝하도록 구성된다. 예를 들어, 마커들(M1 및 M2)은 측정 시스템에 의해 사전설정된 스캐닝 라인(45)을 따라 측정 빔(MB)을 정확하게 지향하도록 사용될 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 장치는 패터닝된 대상물과 상호작용된 이후에 측정 빔(MB)을 수용하도록 구성되고 배치되는 (방사선) 검출기(30)를 포함할 수 있다. 검출기(30)는 다양한 방식으로 구성될 수 있으며, 광검출기, 편광계, 또는 상이한 형태의 검출기를 포함할 수 있다.
방사선 검출기(30)를 향해, 패터닝된 대상물(MA)로부터 나오는 (반사되거나 투과된) 측정 빔의 하류부를 재지향하도록 구성되는 빔 스플리터(25)가 제공될 수 있다. 빔 스플리터(25)는 [소스(20)로부터] 패터닝된 대상물(MA)을 향해 전파되는 빔 부분의 경로 내에 위치된다. 따라서, 측정 빔(MB)이 패터닝된 대상물(MA)의 표면을 향해 실질적으로 수직으로 지향될 수 있는 콤팩트(compact)한 배치가 얻어질 수 있다.
일 실시예에서, 패터닝된 대상물(MA)로부터 나오는 (투과되거나 반사된) 측정 빔 부분의 사전설정된 편광 부분(모드)을 필터링하도록 구성된 편광 필터(편광기)(15)가 제공된다. 방사선 검출기(30)는 편광 필터에 의해 필터링된 방사선을 검출하도록 필터(15)와 연계된다. 필터(15)는 빔 스플리터(25)와 검출기(30) 사이의 빔 경로 내에 위치될 수 있다. 필터 및 광검출기(30) 대신에, 예를 들어 편광계에 의해 시스템이 제공될 수 있다[또는 필터 및 검출기가 이러한 편광계(15 및 30)를 제공할 수 있다].
일 실시예에서, 방사선 검출기에 의해 얻어진 데이터를 처리하도록 구성된 데이터 프로세서(40)가 제공될 수 있다. 데이터 프로세서는 당업자라면 이해하는 바와 같이 하드웨어 및/또는 소프트웨어 내에 구현될 수 있으며, 제어기, 컴퓨터, 메모리, 인터페이스, 통신 수단 및/또는 다른 데이터 처리 수단 중 1 이상을 포함할 수 있다. 데이터 프로세서(40)는 리소그래피 장치의 전체 작동을 제어하도록(예를 들어, 리소그래피 공정을 수행하도록) 구성된 리소그래피 장치 제어기이거나 그 일부분일 수 있으며, 또는 데이터 프로세서(40)는 리소그래피 장치 제어기와 상호작동하도록 구성될 수 있다. 또한, 데이터 프로세서(40)는 패터닝된 대상물(MA)의 레벨링을 제어하도록 구성된 제어기이거나, 그 일부분일 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 프로세서(40)는 사전설정된 정보(예를 들어, 공식, 데이터베이스, 사전설정된 경험적으로 얻어진 정보)를 이용하여 패터닝된 대상물(MA)의 구조체(즉, Q1 및 Q2 부분들의) 방위들을 결정하거나, 계산하거나, 또는 추정하도록 구성될 수 있으며, 이 정보는 적어도 2 이상의 사전설정된 구조체 방위들과 반사된 측정 빔 부분의 적어도 2 이상의 상이한 편광 모드들 간의 관계를 포함한다.
일 실시예에서, 데이터 프로세서(40)는 사전설정된 정보(예를 들어, 공식, 데이터베이스, 사전설정된 경험적으로 얻어진 정보)를 이용하여 패터닝된 대상물(MA)의 (Q1 및 Q2 부분들의) 국부 밀도들을 결정하거나, 계산하거나, 또는 추정하도록 구성될 수 있으며, 이 정보는 적어도 2 이상의 사전설정된 구조체 밀도들과 반사된 측정 빔 부분의 세기 또는 반사 비율 간의 관계를 포함한다.
일 실시예에서, 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 구조체들의 검출된 방위들 및/또는 국부 밀도들을 이용하여 레벨링 정보를 발생시키도록 구성된 레벨링 정보 제공기(또는 '정보 발생기')가 제공될 수 있다. 이러한 실시예에서, 레벨링 시스템은 (레벨링 정보 제공기에 의해 제공된) 레벨링 정보에 기초하여 패터닝된 대상물의 레벨을 위치시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 비-제한적인 실시예에 따르면 앞서 언급된 데이터 프로세서(40)에 레벨링 정보 제공기가 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 시스템은 패터닝된 대상물 식별 정보와 조합하여, 측정 시스템에 의해 검출된 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역(UA)에 존재하는 구조체들의 방위들 및/또는 국부 밀도들을 처리하고 저장하도록 구성된 데이터 저장 시스템을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비-제한적인 실시예에서 데이터 저장 시스템은 데이터 프로세서(40)의 일부분일 수 있다.
도 1 내지 도 6에 나타낸 시스템의 작동은 패터닝된 대상물(MA)을 레벨링하는 방법을 포함한다. 일 실시예에서, 레벨링 정보를 발생시키기 위해, 대상물의 유저 영역에 존재하는 복수의 구조체들(Q1 및 Q2)의 방위들 및 국부 밀도들이 모두 결정될 수 있다. 또한, 상기 방법은 얻어진 레벨링 정보를 이용함으로써 패터닝된 대상물(MA)을 레벨링하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 방법은 제 1 파장을 갖는 방사선의 방사선 빔(PB)을 제공하는 단계(도 1 참조), 및 제 1 구조체들(Q1)의 패턴을 갖는 유저 영역(UA)을 포함한 패터닝 디바이스(MA)를 제공하는 단계의 리소그래피 투영 방법을 포함하거나, 그 일부분일 수 있으며, 상기 제 1 구조체들(Q1)은 방사선에 대해 제 1 반사율을 갖는다. 제 1 구조체들(Q1) 외부로 연장되는 유저 영역 부분들(Q2)은 방사선에 대해 제 2 반사율을 가지며, 상기 제 2 반사율은 (앞서 언급된) 제 1 반사율과 상이하다. 리소그래피 시, 방사선 빔(PB)은 방사선 빔(PB)에 유저 영역(UA)의 패턴을 부여하기 위해 패터닝 디바이스(MA)의 유저 영역(UA) 상으로 지향된다. 패터닝된 방사선 빔(PB)은 투영 시스템을 이용하여 기판(W)의 타겟부 상에 투영된다.
또한, 리소그래피 방법은 투영 시스템에 대해 패터닝 디바이스 및 기판 중 적어도 1 이상의 레벨링 단계를 포함하여, 패터닝 디바이스에 의해 제공된 대상물 평면이 투영 시스템에 의해 기판 상의 포커스 내에 투영되게 할 수 있다. 아래에서, 패터닝 디바이스(MA)의 레벨링 단계가 설명될 것이다. 일 실시예에서, 레벨링 단계는 표면 구조체 방위 및/또는 국부 밀도와 입사하는 방사선의 반사에 대한 그 표면 구조체 방위 및/또는 밀도의 영향 간의 사전설정된 관계를 이용하여 달성될 수 있다.
소스(20)는 빔 스플리터(25)를 통해 패터닝된 대상물(MA)을 향하여 측정 빔(MB)을 방출할 수 있다. 빔 스플리터(25)를 향하여 대상물(MA)에 의해 반사되고 있는 빔의 부분은 빔 스플리터에 의해 [선택적인 필터(15)를 통해] 검출기(30)로 재지향될 수 있다. 당업자라면, 개략적으로 도시된 시스템이 상이한 방식으로 수정될 수 있고, 검출기를 향하여 빔 소스로부터 패터닝된 대상물을 통해 원하는 경로를 따라 측정 빔(MB)의 전체 또는 일부분을 지향하도록 다양한 (다른) 광학 요소들(예를 들어, 거울, 렌즈, 필터)을 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
상기 방법은, 측정 빔(MB)이 구조체들(Q1 및 Q2)과 광학적으로 상호작용하도록 대상물(MA)의 전체 또는 일부분을 상기 빔으로 조명하는 단계를 포함할 수 있다. 대상물(MA)로부터 나오는 측정 빔(MB)의 부분(즉, 반사된 부분)은: 유저 영역 구조체들의 공간 방위들, 유저 영역 구조체들의 각도 방위들, 유저 영역 구조체들의 전반적인 형상들, 광학 특성들, 및/또는 구조체들의 국부 표면 밀도 중 1 이상을 알아내거나 결정하는데 이용될 수 있다. 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 측정 빔(MB)은 패터닝된 대상물의 유저 영역의 측정 필드를 조명하기 위해 대상물(MA)에 걸쳐 사전설정된 스캐닝 라인(45)을 따라 스캐닝될 수 있다. 측정 필드는 스캐닝 라인(45)에 대해 각각 소정 공간 방위, 각도 방위, 전반적인 형상, 밀도를 갖는 구조체들(Q1 및 Q2)의 패턴을 포함한다(도 4 및 도 5 참조).
본 실시예의 작동 시, 측정 빔(MB)은 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역(UA)뿐 아니라, 대상물(MA)의 유저 영역(UA) 외부에 위치된 마커 영역(EA)의 마커들(M1 및 M2)에 걸쳐서도 적어도 1 이상의 스캐닝 라인(45)을 따라 스캐닝되고 있다. 마커들(M1 및 M2)은 패터닝된 대상물(MA)에 걸친 사전설정된 경로에 걸쳐 스캐닝 측정 빔(MB)을 정확하게, 또한 재현가능하게 위치시키고 지향하도록 경유-지점(way-point)들을 제공할 수 있다. 또한, 마커들(M1 및 M2)은 앞서 언급된 바와 같이 더 전형적인 역할로, 예를 들어 대상물(MA)을 위치시키는데 사용될 수 있다.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 라인(45)을 따라 스캐닝하는 동안 측정 빔(MB)은 상이한 구조체들(Q1)(도 4에서 Q1a, Q1b, Q1c, Q1d로 일부 나타냄)에 부딪힐 것이다. 상이한 구조체들(Q1)은 상이한 국부 밀도들 및 상이한 방위들을 가지므로, 입사하는 측정 빔(MB)과 상이하게 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 반사되는 제 1 부분들(Q1)에 있어서 낮은 밀도를 갖는 유저 영역의 구역들은 낮은 반사율 및 이에 따른 측정 빔(MB)의 반사된 부분의 낮은 세기를 제공할 것이며, 반사 부분들(Q1)에 있어서 높은 밀도를 갖는 구역들은 높은 반사율을 제공하여 측정 빔(MB)의 반사된 부분의 높은 세기를 유도할 것이다.
도 6은 방사선 센서(30)의 센서 신호[특히, 스캐닝 위치(pos)에 대한 지시 센서 신호 세기(Int)]의 일 예시를 나타내며, 이는 도 4 및 도 5에 나타낸 구역의 스캐닝 이후 반사된 측정 빔 부분의 측정으로부터 발생할 수 있다. 비교적 큰 제 1 구조체들(Q1a 및 Q1b)은 [뚜렷한 측정 신호 부분들(s1 및 s2)을 유도하는] 측정 빔(MB)의 뚜렷한 반사를 제공할 수 있지만, 비교적 작은 피처들(즉, 빔 K 스폿 크기보다 상당히 작음)을 갖는 구조체들(Q1c 및 Q1d)은 흐릿한 측정 신호들(s3 및 s4)을 제공할 수 있다.
스캐닝 라인(45)을 따라 측정 빔(MB)을 스캐닝하는데 관련된 결과적인 측정 신호는 데이터 프로세서(40)에 의해 저장되고 처리될 수 있다. 일 실시예에서, 측정 빔(MB)은 복수의 상이한 스캐닝 라인들(예를 들어, 다른 평행한 스캐닝 라인들)을 따라 패터닝된 대상물(MA)에 걸쳐 스캐닝되어, 복수의 스캔 데이터를 발생시킬 수 있다.
그 후, 데이터 프로세서(40)는 사전설정된 정보(예를 들어, 공식, 데이터베이스, 사전설정된 경험적으로 얻어진 정보)를 이용하여 실제 패터닝된 대상물(MA)의 (Q1 및 Q2 부분들의) 국부 밀도들을 결정(예를 들어, 계산 또는 추정)할 수 있으며, 이 정보는 (존재할 수 있는 것과) 상이한 사전설정된 구조체 밀도들과 반사된 측정 빔의 각각의 세기들(또는 반사 비율) 간의 관계 또는 상관(correlation)을 포함한다. 사전설정된 정보와 센서 데이터의 실제 비교는, 당업자라면 이해하는 바와 같이 상이한 방식들로 달성될 수 있다. 본 명세서에서, 특히 Q1 구조체들의 패턴의 상부면이 사전설정된 레벨(즉 높이 H1)만큼 유저 영역의 잔여 표면 부분 Q2 위로 연장되기 때문에, 사전설정된 레벨(H1)은 표면 구조체의 결정된 국부 밀도들로부터 정확한 패턴 높이 맵을 제공하는데 사용될 수도 있다.
패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역에 존재하고 측정 시스템에 의해 검출된 구조체들의 검출된 국부 밀도들은, 예를 들어 패터닝된 대상물 식별 정보와 조합하여 저장될 수 있다. 예를 들어, 식별 정보는 이름, 번호, 주소, 코드, 소유자 관련 정보, 데이터, 및/또는 다른 정보 중 1 이상일 수 있다.
데이터 프로세서(40)는 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역에 존재하는 구조체들의 검출된 밀도에 기초하여 정확한 레벨링 정보를 제공할 수 있다. 바람직하게는, 레벨링 정보는 예를 들어 앞서 언급된 패터닝된 대상물 식별 정보와 조합하여 저장된다.
특히, 레벨링 정보는 레벨링 시스템 높이 측정들의 소정 오차들을 보정하는 정보일 수 있으며, 특히 이는 레벨링 시스템이 유저 영역(UA)의 전체 또는 일부분의 레벨(예를 들어, Z-위치)을 결정하도록 구성되는 경우이다. 예를 들어, 레벨링 정보는 측정 시스템에 의해 앞선 방식으로 검출된 피처들(Q1 및 Q2)의 결정되거나 추정된, 비교적 정확한 높이 맵(즉, 높이 프로파일)을 포함할 수 있다. 게다가, 레벨링 정보는 이러한 높이 맵/프로파일에 기초할 수 있으며, 및/또는 레벨링 정보는 제 1 부분들(Q1)의 상부면들의 평균 표면 레벨을 포함할 수 있다.
예를 들어, 일 실시예에서 패터닝된 대상물(MA)은 그 지지체(MT) 상에 위치되는 경우에 변형(예를 들어, 뒤틀리거나 만곡)되어, 제 1 패턴 부분들(Q1)이 평탄한 평면(straight plane)을 따라 연장되지 않게 될 수 있다. 그 경우, 레벨링 정보는 패터닝된 대상물(MA)의 변형에 관련될 수 있다. 예를 들어, 레벨링 정보는 패터닝된 대상물 변형 정보[예를 들어, 대상물(MA)의 형태 또는 뒤틀림 또는 만곡], 및/또는 제 1 부분들(Q1)의 상부면들의 검출된 높이 위치들[이 높이 위치들은 대상물(MA)의 변형을 나타냄]을 포함한 데이터를 포함할 수 있다.
종래의 리소그래피 시스템에서, 레벨링 시스템은 단지 유저 영역 외부의 뚜렷한(통상적으로 표준화된) 레인들(LL)만을 측정하였다. 종래의 시스템에서, 리소그래피 장치의 제어기는 유저 영역 패턴의 정밀한 패턴 구성을 몰랐다. 본 발명의 일 실시예에 따른 시스템에서는, 유저 영역(UA)에 관한 정확한 레벨링 정보도 이용가능하여, 유저 영역(UA) 상에서 바로 레벨링이 달성되게 할 수 있다. 예를 들어, 앞서 언급된 레벨링 정보에 기초하여, 레벨링 시스템은 패터닝된 대상물(MA)을 매우 정확하게 레벨링할 수 있다. 예를 들어, 레벨링 시스템은 이제 측정 시스템에 의해 제공된 레벨링 정보를 이용하여 유저 영역(UA)의 여하한의 변형 또는 뒤틀림을 고려할 수 있다. 본 명세서에서, 레벨링은 패터닝된 대상물의 레벨(예를 들어, Z-위치)을 조정하는 다양한 방식들, 예를 들어 대상물(MA)의 지지체(MT)를 조정하는 방식, 리소그래피 장치의 투영 시스템의 1 이상의 부분들을 조정하는 방식, 시스템의 다른 구성요소들의 레벨 및/또는 위치를 조정하는 방식, 및/또는 원하는 레벨링을 제공하는 상이한 방식들을 포함할 수 있다. 레벨링은 패터닝된 대상물의 Z-위치를 패턴 Q1의 평균 높이로 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 앞서 언급된 바와 같이, 레벨링은 특히 패터닝 디바이스(MA)로부터 나오는 리소그래피 투영 빔(PB)을 기판(W) 상의 포커스 내에 투영하는 투영 시스템을 목표로 한다.
더 정확한 레벨링 정보를 제공하기 위하여, 구조체들(Q1 및 Q2)의 방위들이 측정 시스템에 의해 검출되거나 추정될 수 있다. 이를 위해, 예를 들어 필터(15)가 패터닝된 대상물(MA)로부터 나오는 (투과되거나 반사된) 측정 빔 부분의 사전설정된 편광 부분(모드)을 필터링할 수 있으며, 이후 검출기(30)가 필터링된 방사선을 검출한다. 이는 도 2에 도시되며, 필터(15)에 앞서 2 개의 직교 편광 모드들(t1 및 t2)이 십자원[즉, 도면의 평면에 대해 수직인 모드(t1)] 및 상향 화살표[즉 도면의 평면 내에서의 편광 모드(t2)]로 도시되고, 이때 제 2 모드(t2)만이 필터(15)에 의해 투과되고 있다[다시 말하면, 도시된 구성에서 필터(15)는 반사된 측정 빔 부분의 제 1 편광 모드(t1)를 차단한다].
상이한 구조체 방위들은 상이한 방식으로 상이한 편광 모드들과 상호작용할 수 있다. 예를 들어, 스캐닝 라인(45)에 대해 평행하게 연장되는 평행한 구조체들(Q1c)은 상이한 반사 비율로 2 개의 편광 모드들을 반사시킬 수 있다. 이와 유사하게, 스캐닝 라인(45)에 대해 수직으로 연장되는 평행한 구조체들(Q1d)은 상이한 방식으로 2 개의 편광 모드들을 반사시킬 수 있다. 소정 편광 모드들의 반사와 구조체 방위들의 소정 형태들 간의 관계들은, 예를 들어 계산, 추정을 통해 경험적으로 이미 사전정의되어 있을 수 있으며, [예를 들어, 데이터 프로세서(40)에 의해 사용되기 위해] 저장될 수 있다. 필터(15) 또는 앞서 언급된 편광계는 조정가능하여, 빔 편광의 측정이 다양한 편광 모드들(t1 및 t2)에 대해 수행되게 할 수 있다. 일 예시로서, 필터(15)는 제 1 모드(t1)에 대해서도 측정이 수행되도록 조정되거나 교체될 수 있다.
데이터 프로세서(40)는 방사선 검출기(30)에 의해 얻어진 데이터를 처리하도록 구성될 수 있으며, 이때 데이터 프로세서는 사전설정된 정보를 이용하여 대상물의 구조체 방위들을 결정하거나 계산하거나 추정하도록 구성되고, 이 정보는 (패터닝된 대상물들 상에서 이용가능할 것으로 예상된) 복수의 사전설정된 구조체 방위들과 측정 빔의 상이한 편광 모드들 간의 관계를 포함한다.
구조체들(Q1)의 패턴의 상부면이 사전설정된 레벨(즉, 높이 H1)만큼 유저 영역의 잔여 표면 부분(Q2) 위로 연장되기 때문에, 사전설정된 레벨(H1)은 결정된 표면 구조체 방위들로부터 정확한 패턴 높이 맵을 제공하는데 사용될 수도 있다. [스캐닝 라인(45)을 따른 패턴 높이에 관한] 패턴 높이 맵은 국부 구조체 밀도들과 조합한 개별적인 구조체 부분들(Q1)의 사전설정된 높이(H1) 및 (각각의, 국부) 구조체 방위들과 조합한 개별적인 구조체 부분들(Q1)의 사전설정된 높이(H1) 모두에 기초하여, 매우 정확한 높이 맵을 초래할 수 있다.
데이터 저장 시스템은, 예를 들어 검출된 국부 패턴 밀도들 및/또는 패터닝된 대상물 식별 정보 외에도 검출된 패턴 방위들을 저장하도록 구성될 수 있다.
레벨링 정보 발생기[즉, 프로세서(40)]는 패터닝된 대상물(MA)의 유저 영역(UA)에 존재하는 구조체들의 검출된 방위들을 이용하여 레벨링 정보를 발생시킬 수 있으며, 레벨링 시스템은 이와 같이 제공된 레벨링 정보에 기초하여 패터닝된 대상물의 레벨을 위치시킨다.
본 명세서에 설명된 실시예들은, 바람직하게는 원위치에서[대상물이 각각의 지지체(MT)에 의해 유지되어 있는 리소그래피 장치에서] 패터닝된 대상물(MA)의 정확한 묘사(accurate characterization)를 위한 시스템 및 방법을 제공할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예들은 적어도 (통상적으로 리소그래피 장치 내로 패터닝된 대상물을 로딩하기 전, 알려지지 않은 밀도 및 방위를 갖는 '알려지지 않은 구조체들'을 포함한) 유저 영역(UA)과 상호작용하는 측정 레인들(45)에 대해 측정 레인들의 수를 증가시키기 위해 제공되어, 패터닝된 대상물 높이 맵의 정확성이 상당히 증가하게 할 수 있다.
예를 들어, 앞서 언급된 바와 같이, 반사 계수만을 결정하는 데에는 방사선 검출기(30)로서 광검출기만 적용해도 충분할 수 있다. 일 실시예에서, 반사된 측정 빔 부분의 위상 관련 편광 특성들 및 반사 세기는, 예를 들어 편광계 또는 검출기/필터 조립체(15 및 30)에 의해 검출될 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 패터닝된 대상물(MA)의 평탄도의 정확한 측정을 제공하고, 대상물이 변형된 경우 평탄도를 보정할 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트를 벗어나 이동되고, 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴이 남는다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 것이다.
예를 들어, 비-제한적인 실시예들에 따르면, 측정 시스템은 단지 하나의 구조체만의 방위를 검출하거나, 또는 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 복수의 구조체들 각각의 방위를 검출하도록 구성될 수 있다.

Claims (23)

  1. 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서:
    패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지체;
    상기 패터닝된 대상물의 유저 영역(user area)에 존재하는 유저 영역 구조체들의 방위들 및/또는 밀도들을 검출하도록 구성된 측정 시스템;
    상기 유저 영역 구조체들의 검출된 방위들 및/또는 밀도들을 이용함으로써 레벨링 정보를 발생시키도록 구성된 레벨링 정보 시스템; 및
    상기 레벨링 정보에 기초하여 상기 패터닝된 대상물의 레벨을 위치시키도록 구성된 레벨링 시스템
    을 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 시스템은 2-차원 평면에서의 상기 유저 영역 구조체들의 공간 방위들, 2-차원 평면에서의 상기 유저 영역 구조체들의 각도 방위들, 또는 2-차원 평면에서의 상기 유저 영역 구조체들의 전반적인 형상들, 또는 이들의 여하한의 조합을 알아내거나 결정하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 시스템은 2 개의 직교 방향에 대해 상기 유저 영역 구조체들의 방위들을 결정하도록 구성되고, 상기 2 개의 직교 방향은 모두 상기 패터닝된 대상물의 방사선 수용 표면에 평행한 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 시스템은 상기 패터닝된 대상물의 유저 영역에 걸쳐 적어도 1 이상의 스캐닝 라인을 따라 측정 빔을 스캐닝하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 패터닝된 대상물은 상기 유저 영역 외부에 위치된 마커 영역(marker area)을 포함하고, 상기 마커 영역은 마커를 포함하며, 상기 측정 시스템은 상기 패터닝된 대상물의 유저 영역뿐 아니라, 상기 마커 영역의 마커에 걸쳐서도 상기 측정 빔을 스캐닝하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 측정 시스템은 상기 패터닝된 대상물로부터 나오는 측정 빔의 일부분을 방사선 검출기를 향하여 재지향하도록 구성된 빔 스플리터(beam splitter)를 포함하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝된 대상물로부터 나오는 측정 빔 부분의 사전설정된 편광 모드를 필터링하도록 구성된 편광 필터; 및
    상기 편광 필터에 의해 필터링된 방사선을 검출하도록 구성된 방사선 검출기
    를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 방사선 검출기에 의해 얻어진 데이터를 처리하도록 구성된 데이터 프로세서를 더 포함하고, 상기 데이터 프로세서는 적어도 2 이상의 사전설정된 구조체 방위들과 상기 측정 빔의 적어도 2 이상의 상이한 편광 모드들 간의 관계를 포함하는 사전설정된 정보를 이용함으로써 상기 대상물의 구조체 방위들을 결정하거나 계산하거나 추정하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    패터닝된 대상물 식별 정보와 조합하여, 상기 측정 시스템에 의해 검출된 상기 유저 영역 구조체들의 방위들 및/또는 밀도들을 처리하고 저장하도록 구성된 데이터 저장 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치.
  10. 삭제
  11. 기판 상에 패터닝된 방사선 빔을 투영하도록 구성되는 리소그래피 장치에 있어서:
    패터닝된 대상물을 유지하도록 구성된 지지체- 상기 패터닝된 대상물은 패터닝된 유저 영역을 가짐 -;
    상기 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 유저 영역 구조체들의 방위들 및/또는 밀도들에 기초한 레벨링 정보를 제공하도록 구성된 레벨링 정보 시스템; 및
    상기 레벨링 정보 시스템으로부터 상기 레벨링 정보를 수신하고, 상기 패터닝된 대상물을 레벨링하기 위해 상기 수신된 레벨링 정보를 이용하도록 구성된 레벨링 시스템
    을 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 패터닝된 대상물을 레벨링하는 방법에 있어서:
    상기 대상물의 유저 영역에 존재하는 1 이상의 유저 영역 구조체들의 방위 및/또는 밀도를 검출하는 단계;
    상기 구조체들의 검출된 방위 및/또는 밀도에 기초한 레벨링 정보를 발생시키는 단계; 및
    상기 레벨링 정보를 이용함으로써 상기 패터닝된 대상물을 레벨링하는 단계
    를 포함하는 레벨링 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유저 영역 구조체와 광학적으로 상호작용하는 측정 빔으로 상기 대상물의 전체 또는 일부분을 조명하는 단계; 및
    상기 유저 영역 구조체의 공간 방위, 또는 상기 유저 영역 구조체의 각도 방위, 또는 상기 유저 영역 구조체의 전반적인 형상, 또는 이들의 여하한의 조합을 알아내거나 결정하기 위해 상기 대상물로부터 나오는 상기 측정 빔의 일부분을 이용하는 단계, 및/또는 상기 유저 영역 구조체의 밀도를 알아내거나 결정하기 위해 상기 대상물로부터 나오는 상기 측정 빔의 일부분을 이용하는 단계
    를 더 포함하는 레벨링 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 측정 빔은 상기 패터닝된 대상물의 유저 영역의 측정 필드를 조명하기 위해 상기 대상물에 걸쳐 사전설정된 스캐닝 라인을 따라 스캐닝되고, 상기 측정 필드는 상기 스캐닝 라인에 대해 각각 공간 방위들, 각도 방위들, 전반적인 형상들, 및 밀도들을 갖는 구조체들의 패턴을 포함하는 레벨링 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 패터닝된 대상물로부터 나오는 측정 빔 부분의 사전설정된 편광 부분을 필터링하는 단계; 및
    상기 필터링된 측정 빔 부분을 검출하는 단계
    를 더 포함하는 레벨링 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    적어도 2 이상의 사전설정된 구조체 방위들과 상기 측정 빔의 적어도 2 이상의 상이한 편광 모드들 간의 관계를 포함하는 사전설정된 정보를 제공하는 단계;
    상기 필터링된 측정 빔 부분의 검출로부터 얻어진 데이터를 처리하는 단계; 및
    상기 사전설정된 정보를 이용함으로써 상기 대상물의 구조체 방위들을 결정하는 단계
    를 더 포함하는 레벨링 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 결정하는 단계는 상기 구조체 방위들을 계산하는 단계를 포함하는 레벨링 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 결정하는 단계는 상기 구조체 방위들을 추정하는 단계를 포함하는 레벨링 방법.
  19. 제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝된 대상물의 유저 영역뿐 아니라, 상기 대상물의 유저 영역 외부에 위치된 마커 영역의 적어도 1 이상의 마커에 걸쳐서도 적어도 1 이상의 스캐닝 라인을 따라 상기 측정 빔을 스캐닝하는 단계를 더 포함하는 레벨링 방법.
  20. 제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패터닝된 대상물로부터 나오는 측정 빔 부분을 방사선 검출기를 향해 분할하는 단계를 더 포함하는 레벨링 방법.
  21. 제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    패터닝된 대상물 식별 정보와 조합하여, 상기 측정 시스템에 의해 검출된 상기 패터닝된 대상물의 유저 영역에 존재하는 구조체들의 검출된 방위들 및/또는 밀도들을 저장하는 단계를 더 포함하는 레벨링 방법.
  22. 제 12 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조체들 중 적어도 1 이상은 레벨링 방향에 수직인 방향으로 측정된 100 nm보다 더 작은 폭을 갖는 레벨링 방법.
  23. 리소그래피 투영 방법에 있어서:
    제 1 파장을 갖는 방사선의 방사선 빔을 제공하는 단계;
    구조체들의 패턴을 갖는 유저 영역을 포함한 패터닝 디바이스를 제공하는 단계- 상기 구조체들은 상기 방사선에 대해 제 1 반사율을 갖고, 상기 구조체들 외부로 연장되는 유저 영역 부분들은 상기 방사선에 대해 제 2 반사율을 가지며, 상기 제 2 반사율은 상기 제 1 반사율과 상이함 -;
    상기 방사선 빔에 상기 유저 영역의 패턴을 부여하기 위해, 상기 패터닝 디바이스의 유저 영역 상으로 상기 방사선 빔을 지향하는 단계;
    투영 시스템을 이용하여 기판의 타겟부 상에 상기 패터닝된 방사선 빔을 투영하는 단계; 및
    상기 패터닝 디바이스에 의해 제공된 대상물 평면이 상기 투영 시스템에 의해 상기 기판 상의 포커스 내에 투영되도록, 상기 투영 시스템에 대해 상기 패터닝 디바이스와 상기 기판 중 적어도 1 이상을 레벨링하는 단계
    를 포함하고, 상기 레벨링하는 단계는 표면 구조체들의 방위들 및 국부 밀도들 중 하나 또는 둘 모두와 입사하는 방사선의 상이한 편광 부분들의 반사에 대한 상기 표면 구조체 방위들 및/또는 밀도들의 영향 간의 사전설정된 관계를 이용하는 단계를 포함하는 리소그래피 투영 방법.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150016508A (ko) * 2012-04-19 2015-02-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판 홀더, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6282069B2 (ja) 2013-09-13 2018-02-21 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法
CN108885414B (zh) * 2016-02-18 2021-07-06 Asml荷兰有限公司 光刻装置、器件制造方法以及相关的数据处理装置和计算机程序产品

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004221253A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
US20060076488A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Hideki Ina Surface shape measuring apparatus, surface measuring method, and exposure apparatus
JP2006261419A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Canon Inc 投影露光装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3158446B2 (ja) * 1990-12-13 2001-04-23 株式会社ニコン 表面位置検出装置及び表面位置検出方法、並びに露光装置、露光方法及び半導体製造方法
US5502311A (en) * 1992-01-17 1996-03-26 Nikon Corporation Method of and apparatus for detecting plane position
US6549271B2 (en) * 1997-01-28 2003-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method
JP4235392B2 (ja) 2002-03-08 2009-03-11 キヤノン株式会社 位置検出装置、面形状推測装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
EP1371939A1 (en) * 2002-05-15 2003-12-17 Icos Vision Systems N.V. A device for measuring in three dimensions a topographical shape of an object
US7160654B2 (en) * 2003-12-02 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of the adjustable matching map system in lithography
KR101193432B1 (ko) * 2005-01-24 2012-10-24 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 계측 시스템, 검사 방법, 검사 시스템, 노광방법 및 노광 시스템
JP4724470B2 (ja) * 2005-06-02 2011-07-13 キヤノン株式会社 露光方法
JP2007095767A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nikon Corp 露光装置
US7239371B2 (en) 2005-10-18 2007-07-03 International Business Machines Corporation Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004221253A (ja) * 2003-01-14 2004-08-05 Nikon Corp 露光装置
US20060076488A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Hideki Ina Surface shape measuring apparatus, surface measuring method, and exposure apparatus
JP2006261419A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Canon Inc 投影露光装置およびデバイス製造方法

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Publication number Publication date
NL1036307A1 (nl) 2009-06-23
KR20100110334A (ko) 2010-10-12
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