KR20130024859A - 리소그래피 장치용 레벨 센서 배열체, 리소그래피 장치, 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
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Abstract
리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법, 및 그와 연관된 레벨 센서와 리소그래피 장치가 개시된다. 상기 방법은 광대역 광 소스를 이용하는 적어도 2 개의 간섭 측정을 수행하는 단계를 포함한다. 각각의 측정 사이에, 광대역 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들이 변화되어, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화는 빔의 구성 파장들 중 일부에 대해 상이하도록 이루어진다. 대안적으로, 상이한 측정 데이터를 얻기 위해 단일 측정과 후속하는 측정의 처리를 통해 측정 데이터가 얻어지며, 이에 의해 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들이 위치를 얻는 데에도 적용될 수 있다.
Description
본 발명은 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 레벨 센서 배열체 및 기판의 레벨 센싱을 위한 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 이용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 언급되는 패터닝 디바이스는 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는 데 이용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나의 다이, 또는 수 개의 다이를 포함함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공되는 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함한다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
유럽특허출원 EP-A-1 037 117은 리소그래피 투영장치에서의 오프-액시스 레벨링 배열체(off-axis leveling arrangement)에 대해 개시하고 있다. 이 배열체를 이용하면, 600 내지 1050 nm 파방 범위의 다색 방사선 및 격자 광학기(grating optics)를 이용하는 레벨 센서를 채용함으로써, 리소그래피 장치에서의 기판의 높이 맵이 결정된다.
유럽특허출원 EP-A-2 228 685는, 광 소스가 리소그래피 장치에서 기판을 처리하는 데 이용될 레지스트가 감응성인 파장 범위의 투영 방사선, 예를 들어 200 내지 400 nm 파장 범위의 방사선을 방출하도록 배열되는 추가 레벨 센서링 배열체에 대해 개시하고 있다.
개선된 레벨 센서 배열체 및 그것의 작동을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법이 제공되며, 상기 방법은,
a) 방사선의 광대역 소스 빔을 제 1 경로를 따라 지향되는 측정 빔과, 제 2 경로를 따라 지향되는 기준 빔으로 쪼개는 단계;
b) 반사된 측정 빔을 얻기 위하여 기판으로부터 측정 빔을 반사시키고 반사된 기준 빔을 얻기 위하여 반사면으로부터 기준 빔을 반사시키는 단계;
c) 상기 반사된 측정 빔과 상기 반사된 기준 빔을 조합하는 단계; 및
d) 상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 단계;들을 수행하며,
상기 a) 내지 d)단계는 적어도 2 회 수행되며, 상기 광대역 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들은 각각 수행 사이에서 변화되고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 한다.
본 발명의 추가 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하기 위한 레벨 센서 배열체가 제공되며,
방사선 소스 빔을 방출하는 가변적 광대역 방사선 소스;
상기 방사선 소스 빔을 상기 기판의 제 1 경로를 따라 지향되는 측정 빔과, 반사면에 대한 제 2 경로를 따라 지향되는 기준 빔으로 쪼개도록 작동가능한 빔스플리터;
상기 기판과 상기 반사면으로부터 각각 반사된 후의 상기 측정 빔 및 상기 기준 빔을 조합하도록 작동가능한 빔 조합기;
상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 검출기; 및
간섭 패턴들을 얻어서 그들로부터 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치(들)이 결정될 수 있게, 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 광대역 소스 빔들 - 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 함 - 을 이용하여 동일한 기판에서 측정을 수행하도록 작동가능한 제어기를 포함한다.
이하, 대응되는 참조 부호들이 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들이 예시의 방법으로 설명될 것이다.
- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
- 도 2는 투영 격자를 이용하는 레벨 센서 배열체의 개략도;
- 도 3은 레벨 센서 배열체의 측정 빔들을 포함하는 층들의 스택을 갖는 기판의 개략적인 단면도;
- 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 개략도;
- 도 5는 도 4의 레벨 센서 배열체에서의 변화의 개략도;
- 도 6a는 웨이퍼의 통상적인 스택의 단면도이고, 도 6b는 도 6a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 7a는 웨이퍼의 통상적인 전방 단부 스택의 단면도이고, 도 7b는 도 7a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 8은 도 7a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른, 그리고 사용되는 조명 소스가 도 7b의 그래프를 얻는 데 사용되는 것과는 상이한 파장 범위의 광들을 방출하는 경우의 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 개략도이다.
도면들에서, 같은 참조 부호들은 같은 부분들을 나타낸다.
- 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸 도;
- 도 2는 투영 격자를 이용하는 레벨 센서 배열체의 개략도;
- 도 3은 레벨 센서 배열체의 측정 빔들을 포함하는 층들의 스택을 갖는 기판의 개략적인 단면도;
- 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 개략도;
- 도 5는 도 4의 레벨 센서 배열체에서의 변화의 개략도;
- 도 6a는 웨이퍼의 통상적인 스택의 단면도이고, 도 6b는 도 6a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 7a는 웨이퍼의 통상적인 전방 단부 스택의 단면도이고, 도 7b는 도 7a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 8은 도 7a의 스택에 대한 기준 거울의 변위의 함수로서 검출기에서의 세기를 표시한 그래프 - 상기 검출기 및 기준 거울은 본 발명의 일 실시예에 따른, 그리고 사용되는 조명 소스가 도 7b의 그래프를 얻는 데 사용되는 것과는 상이한 파장 범위의 광들을 방출하는 경우의 레벨 센서 배열체의 일부를 형성함 - ;
- 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레벨 센서 배열체의 개략도이다.
도면들에서, 같은 참조 부호들은 같은 부분들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타내고 있다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성되는 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 그들의 여하한 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지시킨다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있도록 보장할 수 있다. 본 명세서에서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어들의 사용은 "패터닝 디바이스"라는 보다 일반적인 용어와 동의어로서 간주될 수 있다.
본 명세서에서 이용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-시프팅 피처들(phase-shifting features) 또는 소위 어시스트 피처들(assist features)을 포함하는 경우 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 데 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 그들의 여하한의 조합을 포함하는 어떠한 타입의 투영 시스템도 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 상술된 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채용하거나, 또는 반사 마스크를 채용하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블들[및/또는 2 개 이상의 마스크 테이블들]을 갖는 형태로 이루어질 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용되거나, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 상에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위하여 기판의 적어도 일 부분이 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물로 덮이는 타입으로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 당업계에서 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 이용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 잠겨야만 함을 의미하는 것이라기 보다는, 노광시 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 배치되기만 하면 됨을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 전달된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외부 반경 및/또는 내부 반경 크기(통상적으로, 각각 값 σouter 및 σinner라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면이 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖도록, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로지른 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PL)을 통과하며, 상기 투영 시스템은 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PL)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
본 발명의 실시예들은 리소그래피 장치에서 기판과 관련된 레벨 센서 측정을 수행하는 방법들 및 배열체들에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 레벨 센서에서, 레벨 센서는 기판(W)의 표면 높이 또느느 표면 높이의 프로파일을 결정한다. 도 2에는 레벨 센서의 일반화된 개략도가 도시되어 있다. 레벨 센서 측정들은, 예를 들어 기판(W)이 이미 층들, 예컨대 옥사이드, 폴리-실리콘(poly-silicon), Barc(Bottom anti-reflective coating), 금속 층들(예를 들어, 구리 층들) 및 레지스트 층들의 스택을 가진 경우를 포함하는 기판 처리의 모든 스테이지들에서 수행된다.
(예를 들어, 광 소스 형태의) 이미터(6)는 패턴 또는 투영 격자(7)[예를 들어, 30 ㎛ 피치(P)를 갖는 격자]의 방사선을 방출하고, 그에 따라 형성된 방사선 빔이 (예를 들어, 렌즈 형태의) 투영 광학기를 이용하여 기판(W)[또는 기판(W)의 층들의 스택(4)의 최상부 표면]에 입사각 θ로 투영된다. 리소그래피 장치에서 레벨 센서 측정들에 사용되는 방사선은 통상적으로 600 내지 1050 nm의 파장 범위, 즉 기판(W)의 처리에 이용되는 레지스트가 감응하지 않는 파장 범위를 갖는다. 반사된 방사선은 다른 렌즈(9)를 이용하여 다시 기준 격자(8)에 포커스된다. 그 다음, 검출기(5)는 기준 격자(8)에 의하여 전달되는 방사선을 처리하는 데 이용되며, 층들의 스택(4)의 높이를 얻기 위해 측정 신호가 처리된다. 이 레벨 센서 배열체는 광학 삼각측량 기술(optical triangulation technique)을 토대로 한다. 검출된 높이는 검출기(5)에 의하여 측정된 신호 세기와 직접적인 관련이 있으며, 입사각(P/2sinθ)에 종속적인 주기성을 갖는다.
실제에 있어, 기판(W)의 스택(4)의 기반 처리 층(underlying process layer) 및 레지스트는 (부분적으로) 투과적이다. 기반 처리 층으로부터 반사된 특정 파장을 갖는 광은 레지스트 층으로부터 반사되는 광에 간섭하는 방식으로(coherently) 더해지며, 이는 정밀한 층 두께에 따른 큰 측정 오차들을 야기할 수 있는 스택 간섭 효과(stack interference effect)를 발생시킨다. 이들 간섭 효과들을 평균화하기 위하여, 대략 1 옥타브의 대역 파장 범위가 이용될 수 있다. 이것이 도 3에 개략적으로 도시되어 있다. 입사 빔(11)은 (레지스트 층만을 포함하는 특정 예시에서) 스택(4)의 표면에서 부분적으로 반사되어 반사된 빔(12)을 생성한다. 하지만, 입사 빔(11)의 일부는 스택(4) 내로 굴절되며, 기판(W)과 스택(4) 간의 경계부에서 반사된다. 스택(4)의 표면에서, 이 빔은 다시 굴절되며 반사된 빔(12)과 평행한 제 2 빔(13)을 형성한다. 결과적으로, 그것은 고려된 스택(4)의 정확한 높이(h)가 아니라 굴절 값이다.
측정된 높이와 실제 스택 높이(이 특정 예시에서는 실제 레지스트 높이) 간의 차는 소위 "ASD"(Apparent Surface Depression)라 불린다. 이 ASD는, 예를 들어 스택 간섭 효과들의 악영향을 평균한 600 내지 1050 nm의 파장 범위를 갖는 광대역 광을 이용함으로써 어느 정도 저감된다. ASD의 효과는 웨이퍼 표면과 노즐(공기 게이지) 간의 압력 또는 유동 측정들을 토대로 하는 보조 센서를 이용하여 더욱 보정될 수 있다. 하지만, 일반적으로 이 센서는 상대적으로 느리며, 따라서 통상적으로 웨이퍼 상의 수 개의 필드에서의 부수적인 캘리브레이션들을 이행하는 데에만 이용된다. 또한, ASD의 효과를 더 보정할 수 있도록 하기 위해, 센서는 기판 표면에 매우 근접해(
200㎛) 있을 필요가 있고, 이는 고가의 안전 조치들(costly safety measures)을 이용해서만 해결될 수 있는 잠재적인 기계적 안전 문제를 일으킨다. 이 센서가 상대적으로 느리다는 문제를 극복하기 위하여, 이들 센서들 중 2 개를 이용하는 방법이 고려될 수 있다. 하지만, 이는 전체 제조 비용을 크게 증가시킨다.
이에 대처하기 위하여, 기판의 최상부 표면의 위치를 검출하기 위한 백색광 간섭계(white light interferometry)를 이용함으로써 ASD의 효과를 대안적인 방식으로 보정하는 방법이 제안된다. 도 4는 이를 이행하기에 적합한, 본 발명의 일 실시예에 따른 장치를 도시하고 있다. (200 nm에서 600 nm까지의 구성 파장들을 포함하며; 예를 들어 필터들을 이용해 조정가능한 통상적으로 200 내지 600 nm 파장 범위 내의) 조정가능한 광대역 소스(420)로부터의 조명 빔은 빔스플리터(460)에 의해 2 개의 빔으로 쪼개진다. 쪼개진 빔 중 제 1 빔은 경로 p1을 따라 웨이퍼(440)로 지향되고, 쪼개진 빔들 중 제 2 빔은 경로 p2를 따라 기준 거울(450)로 지향된다. 거울(450) 및 웨이퍼(440)로부터 반사된 광은 그것이 간섭하는 경로 p3를 따라 다시 조합되어, 검출기(430), 예를 들어 CCD 또는 CCD 어레이나 포토 다이오드 또는 포토 다이어드 어레이에 간섭 패턴을 유도한다. 검출기(430)에서의 입사 광의 세기는 경로 p2의 길이가 스캐닝됨에 따라 변한다. 입사 광의 광대역 특성으로 인해, 간섭 무늬들(interference fringes)은 경로 p1과 경로 p2가 실질적으로 같은, 즉 경로 p1의 길이와 경로 p2의 길이 간의 차는 소스의 간섭성 길이 내에 있는 영역에서만 볼 수 있으며, 이 위치는 기준 거울(450)을 변위시키거나 또는 기울임으로서 찾을 수 있다. 도 5는 웨이퍼(440)의 지정된 위치로 광을 안내하기 위한 섬유들(fibers; 500)을 포함할 수 있다. 이와 유사하게, 경로 p2는 거울(450)로 광을 안내하기 위한 섬유 연결부(510)를 포함할 수 있다.
도 6a는 (단순히 예시 목적의) 90 nm의 레지스트 층(R), 45 nm의 Barc(Bottom Anti-Refective Coating) 층 및 구리 층(Cu)으로 이루어진 스택(650)을 도시하고 있다. 도 6b는 200 내지 600 nm 범위의 스펙트럼을 갖는 조명 소스 및 RCWA(rigorous coupled wave analysis)를 토대로 한 시뮬레이션을 이용하는 스택(650)에 대한 기준 거울(450)의 변위(d)의 함수로서 검출기(430)에서의 세기(I)[임의의 단위(in arbitrary units)]를 표시한 그래프이다. 스택의 최상부 표면은 시뮬레이션에서 정의에 따라(per definition) d=0 nm에 배치된다. 2 개의 주요 피크들(600, 610)이 쉽게 분해된다(resolve). 제 1 피크(600)는 레지스트 층의 최상부, 즉 스택의 최상부 표면으로부터 나온다. 시뮬레이션에서, 피크(600)는 0 ㎛(또는 보다 정확하게는 4 nm)에 있다. 그러므로, 시뮬레이션에서 결정된 최상부 표면의 위치는 그것의 정확한 위치로부터 4 nm에 배치된다. 제 2 피크(610)는 구리 표면으로부터 비롯되며 0.2 ㎛에 있다.
기반 스택이, 기준 거울(450)의 특정 변위(d)에서, 스택의 상이한 반사면들에 속한 피크들이 적어도 부분적으로 오버랩되도록 하는 특성을 갖는 경우 잠재적인 문제가 발생한다. 도 7a 및 도 7b는 이 문제를 예시하고 있다. 도 7a는 도 6a의 스택(650)과 유사하지만 구리(Cu)와 Barc 층 사이에 추가로 70 nm의 실리콘 다이옥사이드(Silicon Dioxide)(SiO2) 층을 포함하는 스택(660)을 도시하고 있다.
도 7b는 200 내지 600 nm 범위의 스펙트럼을 갖는 소스로 조명되는 스택(660)에 대한, 도 6b와 유사한 그래프이다. 이하, 0 nm 주위에 2 개의 부분적으로 오버래핑된 피크들이 존재하며, 하나의 피크(600')는 레지스트의 최상부로부터 비롯되고, 다른 하나의 피크(620')는 SiO2 층으로부터 비롯된다. 이들 피크들은 유사한 위치를 갖기 때문에 레지스트의 최상부 표면의 정확한 위치에서 모호함(ambiguity)이 생길 수 있다. 또한, 구리 표면으로부터 비롯된 피크(610)는 이 스택에 대해 0.34 ㎛에 있음을 알 수 있다.
오버래핑 피크들(overlapping peaks)을 분해하기 위하여, 도 7b의 그래프를 얻는 데 이용된 것과는 상이한 파장의 스펙트럼을 갖는 소스를 이용하여, 즉 조명 소스의 스펙트럼을 변화시켜 스택(660)을 조명하는 방법이 제안된다. 예를 들면, 스택(660)은 200 내지 400 nm 범위의 소스 스펙트럼으로 2 차례 모의실험된다. 도 8은 그에 따른 그래프를 도시하고 있다. 소스의 스펙트럼이 변할 때, 반사면의 층 최상부 위치에 대응되는 피크의 위치는 변위 축에서의 그것의 위치를 변화시키지 않는 한편, 모든 다른 피크들의 변위 축에서의 위치들은 이동된다. 도 8과 도 7b를 비교하면, 구리 층 최상부로부터 비롯된 피크(610')는 같은 위치에 있음을 알 수 있다. 또한, 레지스트 층 최상부로부터 비롯된 피크(600")는 피크(600')와 같은 위치에 있다. 이들 피크들은 상이한 소스 스펙트럼들을 이용하는 시뮬레이션들 사이에서 이동되지 않았다. 하지만, 또한 모든 다른 최대치들은 이동되었으며, 따라서 피크(600")는 이후 쉽게 분해될 수 있음을 알 수 있다.
도 9에는, 본 발명에 따른 레벨 센서 배열체의 다른 실시예가 개략적으로 도시되어 있다. 배열에 있어, 기준 빔이 따르는 경로는 실질적으로 측정 빔이 따르는 경로와 같은 루트를 따르도록 배열된다. 이는 다음과 같이 이행된다: 예를 들어 도 4에 도시된 것 같은 기준 거울(450) 대신, 반 은도금 거울(half silvered mirror)과 같은 부분적으로 투과적인 광학 요소(600)가 빔 스플리터(460)와 기판(440) 사이에서 기판(440)으로부터 d1의 거리에 제공된다. 따라서, 빔스플리터(460)를 떠나 기판(440)을 향하는 광대역 소스(420)의 조명 빔은 (경로 p1을 따라) 기판에 도달하는 제 1 빔과, 요소(600)의 표면에서 반사되어, 경로 p2로 나타낸 경로를 따르는 제 2 빔으로 쪼개진다. 두 빔[즉, 기판 표면으로부터 반사된 빔과 광학 요소(600)로부터 반사된 빔] 모두는 빔스플리터(460)를 거쳐 제 2 빔스플리터(465)를 향하여 순차적으로 전파된다. 제 2 빔스플리터를 떠나는 조명 빔들은 제 2 부분 투과성 광학 요소(610)(예를 들어, 반 은도금 거울) 또는 요소(610)로부터 d2의 거리에 배치되는 기준 거울과 같은 거울(450)에 의하여 순차적으로 반사된다. 이 배열을 이용하면, 광학 요소(610) 및 기준 거울(450)에 의하여 반사되는 기준 빔, 및 기판(440) 및 광학 요소(610)에 의하여 반사되는 측정 빔이 구성된다. 두 빔 모두는 빔스플리터(또는 빔 조합기)(465)를 통해 검출기(430)로 순차적으로 제공된다. d1과 d2 간의 차가 이용되는 소스의 간섭성 길이 내에 있는 경우에, 간섭 패턴은 가시적이 된다. 이 위치는, 예를 들어 기준 거울(450) 또는 기판(440)을 변위시키거나 경사지게 함으로써 찾을 수 있다. 이와 같이, 검출기에서의 간섭 패턴의 관찰은 기준 거울(450)과 광학 요소(610) 간의 거리에 대한 기판(440)과 광학 요소(600) 간의 거리와 관련된 정보를 제공한다. 완성도를 위해(for completeness), 빔 조합기(465), 제 2 부분 투과성 광학 요소(610), 및 반사면(450)이 없는 배열체가 실행될 수도 있음을 이해해야 한다. 하지만, 그 경우, 거리 d1은 간섭 패턴을 얻기 위해 소스의 간섭성 길이보다 짧아야 한다. 도 9에 도시된 배열체를 이용하면, 기판(440)과 부분 투과성 광학 요소 간의 거리는 그에 따라 더 길어질 수 있다. 기판(440)이 순차적으로 스캐닝되는 경우, 즉 기판 상에 투영되는 조명 빔에 수직하게 변위되는 경우, 높이 맵을 생성하기 위한 정보는 간섭 패턴이 유지되도록 스캐닝 동안 d1이나 d2를 조정함으로써 얻어질 수 있다. 이러한 조정은, 예를 들어 광학 요소(610)에 대한 기준 거울(450)의 위치를 조정함으로써[압전 액추에이터(piezo-electrical actuator)와 같은 액추에이터나 다른 타입의 액추에이터를 이용하여 기준 거울(450) 또는 광학 요소(610)를 변위시킴으로써], 또는 광학 요소(600)에 대한 기판의 위치를 조정함으로써[액추에이터를 이용하여 광학 요소(600)를 변위시키거나 또는 도 1에 도시된 위치설정기(PW)와 같은 기판 위치설정기를 이용하여 기판을 변위시킴으로써] 실현될 수 있다.
상술된 바와 같이, (최상부 표면의 정확한 위치와 관련된 불확실성 및 모호성을 발생시킬 수 있는) 세기 스펙트럼에서의 오버래핑된 피크들의 문제를 해결하기 위하여, 세기 스펙트럼은 상이한 파장의 스펙트럼들을 이용하여 평가된다. 도 6a 내지 도 8에서 기술된 배열들에서, 이러한 평가는 상이한 2 개의 측정들, 예를 들어 (가령, 도 7b에 도시된 바와 같이) 200 내지 600 nm의 스펙트럼을 이용하는 제 1 측정과, (가령, 도 8에 도시된 바와 같이) 200 내지 400 nm의 스펙트럼을 이용하는 제 2 측정을 토대로 한다. (상이한 스펙트럼에서의) 2 개의 측정들을 수행하는 데 대한 대안으로서, (예를 들어, 200 내지 600 nm의 스펙트럼을 이용하는) 단일 측정이 수행되는 한편, 2 개 이상의 상이한 세기 스펙트럼들에서 측정 신호의 후속적인 처리가 제공된다.
일 실시예에서, 측정 신호(즉, 즉정 빔과 기준 빔의 조합된 빔)의 이러한 처리를 위해 스펙트로미터가 이용될 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 도 4, 도 5, 및 도 9에 도시된 바와 같은 검출기(430)가 스펙트로미터를 포함할 수 있다. 이러한 스펙트로미터는, 예를 들어 세기 스펙트럼들, 가령 200 내지 600 nm의 제 1 스펙트럼과 200 내지 400 nm의 제 2 스펙트럼에서 제공되는, 상이한 파장들이나 파장 범위들에서의 측정 신호를 평가할 수 있다.
측정 신호를 처리하기 위해 스펙트로미터를 제공하는 데 대한 대안으로서, 도 4 및 도 5에서 빔스플리터(460) 또는 도 9의 빔스플리터(465)에 의해 검출기(430)를 향하여 출력되는 신호는 (예를 들어, 빔스플리터를 이용하여) 2 개의 실질적으로 동일한 신호들로 쪼개질 수 있다. 후속해서, 상기 신호들 중 하나는 검출기(430)(예를 들어, CCD나 CCD 어레이 또는 포토 다이오드나 포토 다이오드 어레이)에 직접적으로 제공되는 한편, 다른 하나의 신호는 나아가 검출기(430)(예를 들어, CCD나 CCD 어레이 또는 포토 다이오드나 포토 다이오드 어레이)에 제공되기 전에 필터링될 수 있다. 상술된 스펙트럼 범위들을 참조하면, 측정 신호는, 예를 들어 200 내지 600 nm 범위의 스펙트럼을 포함하는 한편 - 상기 신호는 CCD 어레이와 같은 검출기까지 신호들 중 하나로서 제공됨 - , 다른 검출기는 200 내지 400 nm의 파장들이 통과할 수 있는 필터에 의해 필터링된 후에 상기 측정 신호를 수용할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상이한 파장 범위들이나 성분들에서 (측정 빔과 기준 빔을 포함하는) 조합된 빔의 간섭 패턴이 평가된다. 상술된 바와 같이, 이는 상이한 파장 범위들[예를 들어 초기의 상대적으로 큰 범위 및 (예를 들어, 필터링에 의해 축소된) 축소된 범위]에서의 측정 결과들을 얻기 위하여, 2 가지 상이한 측정들을 수행함으로써[예를 들어, 광대역 소스 - 예를 들어, 소스(420) - 에 대한 2 개의 상이한 파장 범위들를 이용하거나 또는 (예를 들어, 상대적으로 큰 범위에서 취해지는) 신호 측정을 처리함으로써] 달성될 수 있다.
높은 반사성 금속들을 갖는 스택들은 측정될 때 상술된 ASD를 초래하여 현재의 레벨 센서 기술들에 대한 해결과제가 되고 있다. 예를 들면, 상이한 옥사이드 두께들을 갖는 수 개의 스택들이 본 명세서에 개시된 방법들을 이용하여 모의실험되었으며, 레지스트 피크에 대응되는 최대치가 관측되었다. 각각의 옥사이드 두께에 대해, ASD는 항상 10 nm보다 작았다. 이는 현재의 레벨 센서들을 이용했을 때보다 정확성이 높았다. 이러한 논의는 최대치 찾기에 대한 것으로 제한되었으나, 주기 함수들을 갖는 변위 함수로서 세기를 피팅하거나, 또는 조명 스펙트럼의 함수로서 평균 피크 위치들을 측정하는 것과 같은 보다 정교한 방법들을 이용하는 것 또한 가능하며, 이 역시 본 출원의 범위 내에 속한다.
현재 레벨 센서들과는 대조적으로, 입사 스펙트럼의 함수로서 피크들의 최대치들을 추적함으로써, 레지스트 최상부 표면을 정확하게 결정하는 것뿐만 아니라 완전한 스택에 관한 정보를 얻는 것도 가능하다. 프로세스 플로우의 초기 단계에서 처리 오차들을 검출할 수 있는 조기 경고 시스템들(early warning systems)에 대한 요구가 존재한다. 모든 웨이퍼는 레벨 센서를 이용해 다수의 x-y 위치들에서 측정되어야 하기 때문에, 이 방법은 프로세스 오차들(예를 들어, 두께 변화, 재료 상수들의 변화 등) 을 검출하는 데 이용될 수 있다.
조명 소스의 파장 스펙트럼은 상술된 효과를 달성하기 위해 본 발명의 범위 내의 여러 상이한 방법들에서 변화될 수 있다. 다수의 이러한 예시들에 대해서는 후술되며, 여기서 "제 1 빔" 및 "제 2 빔"이라는 용어는 제 1 및 제 2 측정의 소스 빔들을 각각 기술하는 데 이용된다(물론, 각각 상이한 빔들을 이용하는 2 개 이상의 측정들이 존재할 수도 있다).
제 2 빔은 제 1 빔과 비교해 상이한 구성 파장들의 수를 포함할 수 있다. 그러므로, 제 2 빔은 (상술된 바와 같이) 상이한 스펙트럼 폭을 가질 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 그것은 상이한 중심 파장을 가질 수도 있다. 다른 대안예들에서는, 제 1 빔이나 제 2 빔 또는 상기 두 빔 모두는 비-연속적일 수 있으며, 따라서, 예를 들어 제 2 빔은 제 1 빔과 비교해 그것의 스펙트럼 일부가 차단됨으로써 상기 제 1 빔과 상이할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 개시된 예시들 모두에 대해, 측정들 사이에 스펙트럼을 가로지르는 빔 세기는 변화될 수 있다. 여기서, 다른 것들은 변화시키지 않고 단순히 모든 파장들에 대해 동등하게 세기를 증가시키는 것은 원하는 효과를 유도하지 않으므로, 변화는 상이한 파장들에 대해 상이하도록 이행되어야 한다. 예를 들면, 일 실시예는 측정들 사이의 빔의 스펙트럼의 1/2(또는 다른 일부분)의 세기를 증가시키는 것을 포함하여 이루어진다.
본 명세서에 개시된 개념들의 추가적인 매우 뛰어난 장점은 수직방향 조명 모드가 이용되며, 따라서 평행한 웨이퍼 측정이 가능하다는 점이다. 이는 전체 웨이퍼가 단 1 회의 측정으로 측정될 수 있어, 측정 시간을 단축하고 스루풋을 증가시킬 수 있음을 의미한다. 또한, 이러한 빠른 측정 속도는 웨이퍼 표면으로부터의 상대적인 긴 작동 거리에서 얻어질 수 있어, 웨이퍼 표면에 대한 센서의 근접성으로 인한 잠재적인 기계 안전상의 문제들은 본 발명을 이용할 때의 문제가 되지 않는다. 비교하면, 종래의 레벨 센서는 조명 스폿들의 작은 어레이를 이용하며, 전체 웨이퍼를 커버하도록 스캔되어야 한다. 측정의 이러한 일련의 방법은 스루풋을 제한한다.
상술한 제안되는 조명 소스 스펙트럼들은 측정 광으로 웨이퍼를 노광할 수 있는 자외 방사선을 포함하는 것이 바람직하다는 데 유의해야 한다. 하지만, 그것이 조명되는 완전한 웨이퍼인 경우, 측정 광의 광자 에너지가 균질하게(homogeneously) 분포된다. 그러므로, 측정 광을 이용한 노광은 웨이퍼를 가로질러 예측가능한 CD 오프셋을 유도한다. 측정 에너지의 실제 분포가 알려져 있을 경우, 레벨 센서 측정 동안의 에너지의 분포에 따라, 보상을 위해 기판의 실제 노광 동안 매우 간단한 도즈 저감을 적용하는 것이 가능하다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로만 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 레지스트를 벗어나며 그 안에 패턴을 남긴다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그들의 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
본 발명은 다음의 항들로 요약될 수 있다:
1. 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
a) 방사선의 광대역 소스 빔을 제공하는 단계;
b) 각각 상기 광대역 소스 빔의 일부는 부분 투과성 광학 요소로부터 반사시키고, 상기 광대역 소스 빔의 일부는 상기 부분 투과성 광학 요소를 통과시킴으로써, 상기 방사선의 광대역 소스 빔을 기준 빔과 측정 빔으로 분할하는 단계;
c) 반사된 측정 빔을 얻기 위하여 상기 측정 빔을 기판으로부터 반사시키고, 반사된 기준 빔을 얻기 위하여 상기 기준 빔을 반사면으로부터 반사시키는 단계;
d) 상기 반사된 측정 빔과 상기 반사된 기준 빔을 조합하는 단계; 및
e) 상기 조합된 빔들의 적어도 2 개의 상이한 간섭 패턴을 검출하는 단계;
를 적어도 2 회 수행하는 단계를 포함하며,
상기 조합된 빔들의 적어도 2 개의 상이한 간섭 패턴들은 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 조합된 빔들을 토대로 하고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우, 상기 세기 변화는 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하게 이루어진다.
2. 상기 1에 있어서,
상기 d) 단계는 상기 반사된 기준 빔을 추가 부분 투과성 광학 요소를 통과시키고, 상기 반사된 기준 빔을 반사면으로부터 더 반사시키며, 상기 반사된 측정 빔을 상기 추가 부분 투과성 광학 요소로부터 더 반사시킨 뒤에 이행된다.
3. 상기 2에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소는 상기 기판의 거리 d1에 위치되고, 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 상기 반사면의 거리 d2에 위치되며,
상기 d1과 상기 d2 간의 차는 상기 e) 단계를 수행하기 위해 상기 방사선의 광대역 소스의 간섭성 길이(coherence length) 아래로 유지된다.
4. 상기 2 또는 상기 3에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소 및/또는 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 반 은도금 거울(half silvered mirror)을 포함한다.
5. 상기 1 내지 상기 4 중 어느 하나에 있어서,
상기 상이한 간섭 패턴들은 스펙트로미터(spectrometer)를 이용하여 단일의 조합된 빔을 처리함으로써 얻어진다.
6. 상기 1 내지 상기 5 중 어느 하나에 있어서,
상기 적어도 2 개의 상이한 간섭 패턴들은, 상기 조합된 빔들을 적어도 2 개의 실질적으로 동일한 빔들로 쪼개고, 상기 실질적으로 동일한 빔들의 간섭 패턴들의 검출 이전에 상기 실질적으로 동일한 빔들 중 적어도 하나를 필터링함으로써 얻어진다.
7. 상기 1 내지 상기 6 중 어느 하나에 있어서,
검출된 상이한 간섭 패턴들을 비교하는 단계 및 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들에 강하게 좌우되는 상이한 간섭 패턴들의 특성을 관찰하는 단계를 더 포함하지만, 상기 간섭 패턴 특성의 피크 값들의 위치가, 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과 실질적으로 독립적인 경우, 상기 피크 값들의 위치들은 대응되는 실질적 반사 층 표면들의 위치를 나타낸다.
8. 상기 7에 있어서,
상기 상이한 간섭 패턴들의 상기 특성은 그것의 세기와 관련되어 있다.
9. 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하기 위한 리소그래피 장치의 레벨 센서 배열체에 있어서,
방사선 소스 빔을 방출하는 가변적 광대역 방사선 소스;
각각 상기 광대역 소스 빔의 일부는 부분 투과성 광학 요소로부터 반사시키고, 상기 광대역 소스 빔의 일부는 상기 부분 투과성 광학 요소를 통과시킴으로써, 상기 방사선의 광대역 소스 빔을 기준 빔과 측정 빔으로 분할하는 부분 투과성 광학 요소;
상기 기판 및 상기 부분 투과성 광학 요소로부터 각각 반사된 후에 상기 측정 빔 및 상기 기준 빔을 조합하고 상기 조합된 빔들을 검출기로 지향시키도록 작동가능한 빔 스플리터 또는 빔 조합기;
상기 조합된 빔들의 적어도 2 개의 간섭 패턴들을 검출하는 검출기 - 상기 상이한 간섭 패턴들은 상이한 구성 파장들 및/또는 상기 상이한 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 조합된 빔들을 토대로 하고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우, 상기 세기 변화는 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하게 이루어짐 - ; 및
간섭 패턴들을 얻어서 그들로부터 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치(들)이 결정될 수 있도록 동일한 기판 상에서 측정들을 수행하도록 작동가능한 제어기를 포함한다.
10. 상기 9에 있어서,
상기 반사된 기준 빔을 통과시키고 상기 반사된 측정 빔을 반사시키는 추가 부분 투과성 광학 요소, 및 상기 추가 부분 투과성 광학 요소를 통과한 후의 상기 반사된 기준 빔을 반사시키는 반사면을 더 포함한다.
11. 상기 10에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소는 상기 기판의 거리 d1에 위치되고, 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 상기 반사면의 거리 d2에 위치되며,
상기 d1과 상기 d2 간의 차는 간섭 패턴들을 얻기 위하여 상기 방사선의 광대역 소스의 간섭성 길이 아래로 유지된다.
12. 상기 9 내지 상기 11 중 어느 하나에 있어서,
상기 검출기는 상기 적어도 2 개의 간섭 패턴들을 검출하는 스펙트로미터를 포함한다.
13. 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
a) 방사선의 광대역 소스 빔을 제 1 경로를 따라 지향되는 측정 빔과, 제 2 경로를 따라 지향되는 기준 빔으로 쪼개는 단계;
b) 반사된 측정 빔을 얻기 위하여 기판으로부터 측정 빔을 반사시키고, 반사된 기준 빔을 얻기 위하여 반사면으로부터 기준 빔을 반사시키는 단계;
c) 상기 반사된 측정 빔과 상기 반사된 기준 빔을 조합하는 단계; 및
d) 상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 단계;
를 수행하며,
상기 a) 내지 d)단계는 적어도 2 회 수행되며, 상기 광대역 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들은 각각의 수행 사이에 변화되고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 한다.
14. 상기 13에 있어서,
각각의 수행 동안 검출된 간섭 패턴들을 비교하는 단계 및 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들에 강하게 좌우되는 상기 간섭 패턴들의 특성을 관찰하는 단계를 더 포함하지만, 상기 간섭 패턴 특성의 피크 값들의 위치가 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과 실질적으로 독립적인 경우, 상기 피크 값들의 위치들은 대응되는 실질적 반사 층 표면들의 위치를 나타낸다.
15. 상기 13에 있어서,
상기 제 1 경로에 대한 상기 제 2 경로의 길이의 함수로서 상기 간섭 패턴의 상기 특정을 측정하는 단계,
사용되는 상기 소스 빔의 상기 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과는 실질적으로 독립적인 위치를 갖는 상기 피크 값들을 관찰하는 단계, 및
이러한 각각의 피크 값에 대해, 상기 피크 값의 위치로부터 대응되는 실질적 반사 층 표면의 위치를 결정하는 단계를 포함한다.
16. 상기 14 또는 상기 15에 있어서,
상기 간섭 패턴의 상기 특성은 그것의 세기와 관련되어 있다.
17. 상기 13 내지 상기 16 중 어느 하나에 있어서,
상기 측정 빔은 상기 기판 표면에 실질적으로 수직인 각도로 상기 기판으로부터 반사되며,
상기 방법은 실질적으로 전체 기판 표면에 걸쳐 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치의 평행 측정을 수행하는 단계를 포함한다.
18. 상기 17에 있어서,
상기 방법은, 제조 공정의 결함들을 판정하기 위하여 상기 기판 표면의 상이한 부분들로부터의 측정된 위치들을 비교하는 단계를 더 포함한다.
19. 상기 13 내지 상기 18 중 어느 하나에 있어서,
상기 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면은 광감응성(photosensitive)이고, 상기 수행들 중 적어도 하나 동안 사용되는 상기 소스 빔(들)은 상기 광감응성 층의 재료가 감응하는 파장들 범위 내의 파장을 포함하며,
상기 방법은 상기 기판의 실제 노광 동안 상기 광감응성 층에서의 상기 소스 빔의 효과들을 보상하는 단계를 포함한다.
20. 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하기 위한 리소그래피 장치의 레벨 센서 배열체에 있어서,
방사선 소스 빔을 방출하는 가변적 광대역 방사선 소스;
상기 방사선 소스 빔을 제 1 경로를 따라 상기 기판으로 지향되는 측정 빔과, 제 2 경로를 따라 반사면으로 지향되는 기준 빔으로 쪼개도록 작동가능한 빔스플리터;
상기 기판과 상기 반사면으로부터 각각 반사된 후의 상기 측정 빔 및 상기 기준 빔을 조합하도록 작동가능한 빔 조합기;
상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 검출기; 및
간섭 패턴들을 얻어서 그들로부터 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치(들)이 결정될 수 있게, 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 광대역 소스 빔들 - 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 함 - 을 이용하여 동일한 기판에서 측정을 수행하도록 작동가능한 제어기를 포함한다.
21. 상기 20에 있어서,
상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 상기 소스 빔들을 이용하여 검출되는 상기 간섭 패턴들을 비교하고;
사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들에 강하게 좌우되는 상기 간섭 패턴들의 특성을 관찰하도록 작동가능하며,
상기 간섭 패턴 특성의 피크 값들의 위치와 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과 실질적으로 독립적인 경우, 상기 피크 값들의 위치들은 대응되는 실질적 반사 층 표면들의 위치를 나타낸다.
22. 상기 20에 있어서,
상기 제 1 경로에 대한 상기 제 2 경로의 길이의 함수로서 상기 간섭 패턴의 상기 특정을 측정하고,
사용되는 상기 소스 빔의 상기 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과는 실질적으로 독립적인 위치를 갖는 상기 피크 값들을 관찰하며,
이러한 각각의 피크 값에 대해, 상기 피크 값의 위치로부터 대응되는 실질적 반사 층 표면의 위치를 결정하도록 작동가능하다.
23. 상기 21 또는 상기 22에 있어서,
상기 간섭 패턴의 상기 특성은 그것의 세기와 관련되어 있다.
24. 상기 20 내지 상기 23 중 어느 하나에 있어서,
상기 측정 빔을 상기 기판 표면에 실질적으로 수직인 각도로 상기 기판으로부터 반사되게 하며,
실질적으로 전체 기판 표면에 걸쳐 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치의 평행 측정을 수행하도록 작동가능하다.
25. 상기 24에 있어서,
제조 공정의 결함들을 판정하기 위하여 상기 기판 표면의 상이한 부분들로부터의 측정된 위치들을 비교하도록 작동가능하다.
26. 리소그래피 장치에 있어서,
상기 20 내지 상기 25 중 어느 하나에 따른 레벨 센서 배열체를 포함한다.
27. 상기 26에 있어서,
상기 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면은 광감응성이고, 상기 간섭 패턴들을 얻기 위해 상기 수행들 중 적어도 하나 동안 사용되는 상기 소스 빔(들)은 상기 광감응성 층의 재료가 감응하는 파장들 범위 내의 파장을 포함하며,
상기 리소그래피 장치는 또한 상기 기판의 실제 노광 동안 상기 광감응성 층에서의 상기 소스 빔(들)의 효과들을 보상하도록 작동가능하게 이루어진다.
28. 컴퓨터 프로그램 제품에 있어서,
적합한 장치에서 운영될 경우 상기 1 내지 상기 6 및 상기 13 내지 상기 19 중 어느 하나의 방법을 수행하도록 작동가능한 프로그램 명령어들을 포함한다.
상술된 설명들은 예시에 지나지 않으며 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 후술되는 청구범위를 벗어나지 않는, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정들이 가해질 수도 있음을 이해할 것이다.
Claims (15)
- 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
a) 방사선의 광대역 소스 빔을 제공하는 단계;
b) 각각 상기 광대역 소스 빔의 일부는 부분 투과성 광학 요소로부터 반사시키고, 상기 광대역 소스 빔의 일부는 상기 부분 투과성 광학 요소를 통과시킴으로써, 상기 방사선의 광대역 소스 빔을 기준 빔과 측정 빔으로 분할하는 단계;
c) 반사된 측정 빔을 얻기 위하여 상기 측정 빔을 기판으로부터 반사시키고, 반사된 기준 빔을 얻기 위하여 상기 기준 빔을 반사면으로부터 반사시키는 단계;
d) 상기 반사된 측정 빔과 상기 반사된 기준 빔을 조합하는 단계; 및
e) 상기 조합된 빔들의 적어도 2 개의 상이한 간섭 패턴을 검출하는 단계;
를 적어도 2 회 수행하는 단계를 포함하며,
상기 상이한 간섭 패턴들은 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 조합된 빔들을 토대로 하고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우, 상기 세기 변화는 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하게 이루어지는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 d) 단계는 상기 반사된 기준 빔을 추가 부분 투과성 광학 요소를 통과시키고, 상기 반사된 기준 빔을 반사면으로부터 더 반사시키며, 상기 반사된 측정 빔을 상기 추가 부분 투과성 광학 요소로부터 더 반사시키는 단계 이후에 이행되는 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소는 상기 기판의 거리 d1에 위치되고, 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 상기 반사면의 거리 d2에 위치되며,
상기 d1과 상기 d2 간의 차는 상기 e) 단계를 수행하기 위해 상기 방사선의 광대역 소스의 간섭성 길이(coherence length) 아래로 유지되는 방법. - 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소 및/또는 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 반 은도금 거울(half silvered mirror)을 포함하는 방법. - 제 1 항 내지 상기 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상이한 간섭 패턴들은 스펙트로미터(spectrometer)를 이용하여 단일의 조합된 빔을 처리함으로써 얻어지는 방법. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 2 개의 상이한 간섭 패턴들은, 상기 조합된 빔들을 적어도 2 개의 실질적으로 동일한 빔들로 쪼개고, 상기 실질적으로 동일한 빔들의 간섭 패턴들의 검출 이전에 상기 실질적으로 동일한 빔들 중 적어도 하나를 필터링함으로써 얻어지는 방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
검출된 상이한 간섭 패턴들을 비교하는 단계 및 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들에 강하게 좌우되는 상이한 간섭 패턴들의 특성을 관찰하는 단계를 더 포함하지만, 상기 간섭 패턴 특성의 피크 값들의 위치가, 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과 실질적으로 독립적인 경우, 상기 피크 값들의 위치들은 대응되는 실질적 반사 층 표면들의 위치를 나타내는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 상이한 간섭 패턴들의 상기 특성은 그것의 세기와 관련되어 있는 방법. - 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하기 위한 리소그래피 장치의 레벨 센서 배열체(level sensor arrangement)에 있어서,
방사선 소스 빔을 방출하는 가변적 광대역 방사선 소스;
각각 상기 광대역 소스 빔의 일부는 부분 투과성 광학 요소로부터 반사시키고, 상기 광대역 소스 빔의 일부는 상기 부분 투과성 광학 요소를 통과시킴으로써, 상기 방사선의 광대역 소스 빔을 기준 빔과 측정 빔으로 분할하는 부분 투과성 광학 요소;
상기 기판 및 상기 부분 투과성 광학 요소로부터 각각 반사된 후에 상기 측정 빔 및 상기 기준 빔을 조합하고 상기 조합된 빔들을 검출기로 지향시키도록 작동가능한 빔 스플리터 또는 빔 조합기;
상기 조합된 빔들의 적어도 2 개의 간섭 패턴들을 검출하는 검출기 - 상기 상이한 간섭 패턴들은 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 조합된 빔들을 토대로 하고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우, 상기 세기 변화는 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하게 이루어짐 - ; 및
간섭 패턴들을 얻어서 그들로부터 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치(들)이 결정될 수 있도록 동일한 기판 상에서 측정들을 수행하도록 작동가능한 제어기를 포함하는 레벨 센서 배열체. - 제 9 항에 있어서,
상기 반사된 기준 빔을 통과시키고 상기 반사된 측정 빔을 반사시키는 추가 부분 투과성 광학 요소, 및 상기 추가 부분 투과성 광학 요소를 통과한 후의 상기 반사된 기준 빔을 반사시키는 반사면을 더 포함하는 레벨 센서 배열체. - 제 10 항에 있어서,
상기 부분 투과성 광학 요소는 상기 기판의 거리 d1에 위치되고, 상기 추가 부분 투과성 광학 요소는 상기 반사면의 거리 d2에 위치되며,
상기 d1과 상기 d2 간의 차는 간섭 패턴들을 얻기 위하여 상기 방사선의 광대역 소스의 간섭성 길이 아래로 유지되는 레벨 센서 배열체. - 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 검출기는 상기 적어도 2 개의 간섭 패턴들을 검출하는 스펙트로미터를 포함하는 레벨 센서 배열체. - 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
a) 방사선의 광대역 소스 빔을 제 1 경로를 따라 지향되는 측정 빔과, 제 2 경로를 따라 지향되는 기준 빔으로 쪼개는 단계;
b) 반사된 측정 빔을 얻기 위하여 상기 기판으로부터 상기 측정 빔을 반사시키고, 반사된 기준 빔을 얻기 위하여 반사면으로부터 기준 빔을 반사시키는 단계;
c) 상기 반사된 측정 빔과 상기 반사된 기준 빔을 조합하는 단계; 및
d) 상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 단계;
를 수행하며,
상기 a) 내지 d)단계는 적어도 2 회 수행되며, 상기 광대역 소스 빔의 구성 파장 및/또는 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들은 각각의 수행 사이에서 변화되고, 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 상기 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 하는 방법. - 제 13 항에 있어서,
각각의 수행 동안 검출된 간섭 패턴들을 비교하는 단계 및 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들에 강하게 좌우되는 상기 간섭 패턴들의 특성을 관찰하는 단계를 더 포함하지만, 상기 간섭 패턴 특성의 피크 값들의 위치가 사용되는 상기 소스 빔의 구성 파장들 및/또는 상기 구성 파장들에 걸친 세기 레벨들과 실질적으로 독립적인 경우, 상기 피크 값들의 위치들은 대응되는 실질적 반사 층 표면들의 위치를 나타내는 방법. - 리소그래피 장치에서 기판 상의 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 위치를 측정하기 위한 리소그래피 장치의 레벨 센서 배열체에 있어서,
방사선 소스 빔을 방출하는 가변적 광대역 방사선 소스;
상기 방사선 소스 빔을 제 1 경로를 따라 상기 기판으로 지향되는 측정 빔과, 제 2 경로를 따라 반사면으로 지향되는 기준 빔으로 쪼개도록 작동가능한 빔스플리터;
상기 기판과 상기 반사면으로부터 각각 반사된 후의 상기 측정 빔 및 상기 기준 빔을 조합하도록 작동가능한 빔 조합기;
상기 조합된 빔들의 간섭 패턴을 검출하는 검출기; 및
간섭 패턴들을 얻어서 그들로부터 적어도 하나의 실질적 반사 층 표면의 상기 위치(들)이 결정될 수 있게, 상이한 구성 파장들 및/또는 구성 파장들에 걸친 상이한 세기 레벨들을 갖는 광대역 소스 빔들 - 변화되는 것이 세기 레벨들뿐일 경우 상기 세기 변화가 빔의 구성 파장들 중 적어도 일부에 대해 상이하도록 함 - 을 이용하여 동일한 기판에서 측정을 수행하도록 작동가능한 제어기를 포함하는 레벨 센서 배열체.
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