JP2004095733A - 膜形成方法、膜、素子、アルコキシシリコン化合物、及び膜形成装置 - Google Patents
膜形成方法、膜、素子、アルコキシシリコン化合物、及び膜形成装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】SiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された熱フィラメント2a,2bを有する反応室1内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室1内に配置された基体上にSiとCとOとを含む組成の膜を設ける。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、SiとCとOとを含む組成の膜を形成する為の膜形成方法、膜形成装置、及びこれに用いられる材料、並びに得られた膜や素子に関する。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】
従来、CとSiとOとを含む膜は、SinRx(OR’)2n+2−x(但し、RはH又はアルキル基、R’はアルキル基、nは1〜8の整数、xは0から2n+1までの整数)で表されるアルコキシシリコン化合物を用い、プラズマ化学気相成長(P−CVD)方法により作成されている。尚、通常の熱化学気相成長(サーマルCVD)方法は、分解効率が悪く、現実に採用されることはなかった。
【0003】
ところで、近年、ULSIの配線間の層間絶縁膜で用いられるSi−C−O系薄膜の作成は、SiとCとOとの組成を如何に制御するかが大きな鍵となっている。
【0004】
しかし、プラズマCVDは、分解効率が高すぎるが故に、膜中に残したい有機基や炭素組成が、おおかた分解・酸化燃焼してしまうと言った欠点の有ることが判って来た。
【0005】
そこで、プラズマのパワーを下げる工夫がなされたものの、未だ、再現性が悪く、プラズマCVDでは、確実に狙った組成の膜の実現が困難である。
【0006】
従って、本発明が解決しようとする第1の課題は、SiとCとOとを含む組成の膜、特にSiとCとOとを任意の割合で含む膜を形成できる技術を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとする第2の課題は、SiとCとOとを含む組成の膜、特にSiとCとOとを任意の割合で含む膜をCVDで形成できる技術を提供することである。
【0008】
本発明が解決しようとする第3の課題は、SiとCとOとを含む組成の膜、特にSiとCとOを任意の割合で含む狙い通りの混合膜を再現性良く形成できる技術を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記の課題は、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、
加熱された加熱体を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとOとを含む組成の膜を設けることを特徴とする膜形成方法によって解決される。
【0010】
特に、原子数の比Si:C:OをX:Y:Zとした場合にXが0.0000001〜99.9999999、Yが0.0000001〜99.9999999、Zが0.0000001〜99.9999999(X+Y+Z=100)の範囲でSiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、
温度が800℃以上の加熱体を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上に前記SiとCとOとを含む組成の膜を設けるこを特徴とする膜形成方法によって解決される。
【0011】
又、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体と、
前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置によって解決される。
【0012】
又、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体と、
前記加熱体から1cm以上離れた位置に膜が形成される基体を保持する基体保持機構と、
前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置によって解決される。
【0013】
特に、上記装置に加熱体表面に付着した付着物を除去する除去機構を更に具備させたSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置によって解決される。
【0014】
又、上記装置において、アルコキシシリコン化合物蒸気導入機構で導入されたアルコキシシリコン化合物の蒸気が、前記二つ以上の加熱体に対して、同時または別個もしくは順番に接触するように構成されてなることを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置によって解決される。
【0015】
又、上記の膜形成方法によって形成されてなることを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜によって解決される。
【0016】
特に、上記の膜形成方法によって形成されてなり、絶縁膜として用いられることを特徴とする膜によって解決される。
【0017】
又、上記の膜が設けられてなることを特徴とする素子によって解決される。
【0018】
又、上記の膜形成方法に用いられることを特徴とするアルコキシシリコン化合物によって解決される。
【0019】
本発明においては、膜は、SiとCとOとを任意の割合で含む混合膜である。そして、特に、化学気相成長方法により形成される。
【0020】
本発明において、加熱体は重要な要素である。この加熱体は、特に、融点が1200℃以上の遷移金属の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなる。例えば、W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素から構成される。或いは、CやSiCから構成される。若しくは、遷移金属に炭素、炭化珪素、窒化ホウ素、又は金属の炭化物がコーティングされたものから構成される。尚、中でも、W及び/又はTa製のものが望ましい。
【0021】
加熱体は、一つでも良いが、好ましくは複数個設けられる。この場合、各々の加熱体は、異なった組成のもので構成されていることが好ましい。
【0022】
本発明において、膜が形成される基体は加熱体から1cm以上離れて配置されていることが好ましい。特に、2cm以上、更には10cm以上離れて配置されていることが好ましい。尚、上限値は200cm、すなわち200cm以下であることが好ましい。特に、100cm以下、更には30cm以下しか離れていないことが好ましい。
【0023】
本発明において、膜が形成される基体は800℃以下、特に650℃以下の温度で保持されることが好ましい。下限値に格別な制約は無いが、必要以上に低くする必要は無い。この点から、室温以上であれば良い。
【0024】
これに対して、加熱される加熱体は、好ましくは800〜3000℃に加熱であるが、更に好ましくは1500℃以上である。又、2500℃以下であることが更に好ましい。この温度制御はフィラメントに通電する電流(電力)を制御することで簡単に実現できる。
【0025】
本発明の膜を成膜するには、アルコキシシリコン化合物の蒸気が用いられる。アルコキシシリコン化合物としては、特に、SinRx(OR’)2n+2−x(但し、RはH又はアルキル基、R’はアルキル基、xは0から2n+1までの整数、nは1〜8の整数)で表される化合物が挙げられる。中でも、テトラエトキシシラン(Si(OEt)4)、ジメチルジメトキシシラン(Me2Si(OMe)2)、及びジメチルヘキサメトキシトリシラン(Me2Si3(OMe)6)の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が挙げられる。アルコキシシリコン化合物としては、前記以外の他にも、−SiO−骨格からなる環状化合物が挙げられる。例えば、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
【0026】
本発明の膜を成膜するには、アルコキシシリコン化合物のみを用いるだけでも良い。しかし、好ましくは、アルコキシシリコン化合物の蒸気以外にも水素ガスが用いられる。特に、アルコキシシリコン化合物の蒸気と水素ガスとが、加熱された熱フィラメントを有する反応室内に導入、特に同時に導入されることが好ましい。
【0027】
【発明の実施の形態】
本発明になる膜形成方法は、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体(例えば、熱フィラメント。但し、フィラメント形状のものに限定されない。例えば、板状とか棒状のようなものでも良く、通電によって加熱(発熱)するものであれば良い。尚、一般的には、フィラメントタイプのものが用いられる。)を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとOとを含む組成の膜を設ける膜形成方法である。特に、原子数の比Si:C:OをX:Y:Zとした場合にXが0.0000001〜99.9999999、Yが0.0000001〜99.9999999、Zが0.0000001〜99.9999999(X+Y+Z=100)の範囲でSiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、800℃以上(好ましくは、3000℃以下)に加熱された加熱体(例えば、熱フィラメント)を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上に前記SiとCとOとを含む組成の膜を設ける膜形成方法である。特に、化学気相成長方法によりSiとCとOとを含む組成の膜を設ける膜形成方法である。
【0028】
本発明になる膜形成装置は、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、反応室と、前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体(例えば、熱フィラメント)と、前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構とを具備する。又、SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、反応室と、前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体(例えば、熱フィラメント)と、前記加熱体から1cm以上離れた位置に膜が形成される基体を保持する基体保持機構と、前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構とを具備する。加熱体(例えば、熱フィラメント)表面に付着した付着物を除去する除去機構、例えばドライエッチング機構を更に具備する。又、アルコキシシリコン化合物蒸気導入機構で導入されたアルコキシシリコン化合物の蒸気が、前記二つ以上の加熱体(例えば、熱フィラメント)に対して、同時または別個もしくは順番に接触するように構成されている。そして、化学気相成長方法によりSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置である。
【0029】
上記加熱体(例えば、熱フィラメント)は、特に、融点が1200℃以上の遷移金属の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなる。例えば、W,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Ptの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素から構成される。或いは、CやSiCから構成される。若しくは、遷移金属に炭素、炭化珪素、窒化ホウ素、又は金属の炭化物がコーティングされたものから構成される。中でも、W及び/又はTa製のものが望ましい。熱フィラメントは、一つでも良いが、好ましくは複数個設けられる。この場合、各々の熱フィラメントは、異なった組成のもので構成されていることが好ましい。
【0030】
膜が形成される基体は加熱体から1cm以上(特に、2cm以上、更には10cm以上。そして、200cm以下、特に100cm以下、更には30cm以下。)離れて配置されている。
【0031】
膜が形成される基体は800℃以下、特に650℃以下の温度で保持される。これに対して、加熱される加熱体、例えば熱フィラメントは、好ましくは800〜3000℃(特に、1500℃以上、2500℃以下。)に加熱される。
【0032】
本発明の膜を成膜するには、アルコキシシリコン化合物のみを用いるだけでも良いが、アルコキシシリコン化合物の蒸気以外にも水素ガスが用いられる。特に、アルコキシシリコン化合物の蒸気と水素ガスとが、加熱された加熱体を有する反応室内に導入、特に同時に導入される。
【0033】
図1は本発明になる装置の要部(CVDチャンバー)概略図である。
【0034】
図1中、1は反応室、2(2a,2b)は反応室1内に設けられた遷移金属製のフィラメントである。このフィラメント2a,2bには所定の電流が通電され、所定の温度に加熱されるよう構成されている。3は反応室1内に設けられた基板ホルダであり、この基板ホルダ3によって基板4は所定の温度に加熱されるよう構成されている。この基板ホルダ3の設置位置は、保持された基板4とフィラメント2との最近接間距離が2〜100cm、特に10〜30cmとなるような位置である。5(5a,5b)は原料(アルコキシシリコン化合物)容器、6は原料容器5から反応室1内に原料(アルコキシシリコン化合物)ガスを導く原料ガス導入機構である。すなわち、原料ガス導入機構6で導入されたアルコキシシリコン化合物の蒸気はフィラメント2(2a,2b)の中央部を通って基板4側に到達できるように構成されている。尚、7は流量制御器、8は配管、9は水素ガスボンベである。
【0035】
本発明になる膜は、上記の膜形成方法によって形成されてなる膜である。或いは、上記装置を用いて形成されてなる膜である。この膜は、SiとCとOとを任意の割合で含む混合膜である。そして、前記の膜は絶縁膜として用いられる膜である。
【0036】
本発明になる素子(半導体素子)は、上記の膜が設けられたものである。特に、絶縁膜として設けられたものである。
【0037】
本発明になるアルコキシシリコン化合物は、上記の膜形成方法に用いられるアルコキシシリコン化合物である。アルコキシシリコン化合物としては、特に、SinRx(OR’)2n+2−x(但し、RはH又はアルキル基、R’はアルキル基、xは0から2n+1までの整数、nは1〜8の整数)で表される化合物が挙げられる。中でも、テトラエトキシシラン(Si(OEt)4)、ジメチルジメトキシシラン(Me2Si(OMe)2)、及びジメチルヘキサメトキシトリシラン(Me2Si3(OMe)6)の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物が挙げられる。前記以外の他にも、−SiO−骨格からなる環状化合物が挙げられる。例えば、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン等である。
【0038】
そして、上記方法(装置)を用いて、シリコン、炭素及び酸素の混合膜を作成したので、その具体例を以下に示す。
【0039】
【実施例1】
図1のCVD装置を用いた。
【0040】
すなわち、先ず、原料ガス導入機構6によりSi(OEt)4を20sccmの流量で反応室1内に送り込んだ。
【0041】
この時、W製のフィラメント2aは1800℃となるように通電されている。又、Si製の基板4は400℃となるように加熱されている。そして、フィラメント2aと基板4との最短距離は20cmに設定されている。
【0042】
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
【0043】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=16:49:35であった。
【0044】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0045】
【実施例2】
実施例1において、W製のフィラメント2aへの通電は止めて、Ta製フィラメント2bが1800℃となるように通電した以外は同様にして行った。
【0046】
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
【0047】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=16:60:24であった。
【0048】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0049】
【実施例3】
実施例1において、W製のフィラメント2a及びTa製フィラメント2bが1800℃となるように通電した以外は同様にして行った。
【0050】
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
【0051】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=16:55:29であった。
【0052】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0053】
【比較例1〜3】
実施例1〜実施例3において、フィラメント2a,2bに電流を流さなかった以外は実施例1〜実施例3に準じて行った。
【0054】
しかし、基板4上に膜は出来なかった。
【0055】
【実施例4】
図1のCVD装置を用いた。
【0056】
すなわち、先ず、原料ガス導入機構6によりMe2Si(OMe)2を20sccmの流量で反応室1内に送り込んだ。
【0057】
この時、W製のフィラメント2aは1800℃となるように通電されている。又、Si製の基板4は400℃となるように加熱されている。そして、フィラメント2aと基板4との最短距離は20cmに設定されている。
【0058】
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
【0059】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=32:23:45であった。
【0060】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0061】
【実施例5】
実施例4において、W製のフィラメント2aへの通電は止めて、Ta製フィラメント2bが1800℃となるように通電した以外は同様にして行った。
【0062】
このようにして、CVDにより、基板4の上に膜が形成された。
【0063】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=16:71:13であった。
【0064】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0065】
【実施例6】
実施例1において、反応室1内に20sccmの流量でH2を更に送り込んだ以外は実施例1に準じて行い、CVDにより基板4の上に膜を形成した。
【0066】
この膜の組成を調べると、SiとCとOとからなっており、その原子数の割合はSi:C:O=40:35:25であった。
【0067】
そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0068】
【実施例7】
実施例1において、フィラメント2aをTi,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt製のものとし、そして各々のフィラメントの融点に応じて制御された電流を流した以外は同様に行った。
【0069】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、SiとCとOとの組成比はフィラメントの種類によって異なっていた。そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0070】
【実施例8】
実施例1において、フィラメント2aと基板4との最短距離を10cmに設定した以外は同様に行った。
【0071】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、SiとCとOとの組成比はフィラメントの種類によって異なっていた。そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0072】
【実施例9】
実施例1〜実施例5において、フィラメント2と基板4との最短距離を30cmに設定した以外は同様に行った。
【0073】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、SiとCとOとの組成比は異なっていた。そして、この膜は、同じ膜厚のSiO2膜より高い抵抗値を示し、ULSIの配線間の層間絶縁膜として好適なものであった。
【0074】
【実施例10】
実施例1において、フィラメント2aと基板4との最短距離を5cmに設定した以外は同様に行った。
【0075】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1による膜の方が膜厚の面内均一性や組成均一性において優れていた。
【0076】
【実施例11】
実施例1において、フィラメント2aと基板4との最短距離を100cmに設定した以外は同様に行った。
【0077】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が高速成膜性において優れていた。
【0078】
【実施例12】
実施例1〜実施例5において、フィラメント2の温度を1500℃に設定した以外は同様に行った。
【0079】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、SiとCとOとの組成比は実施例1のものとは異なっていた。
【0080】
【実施例13】
実施例1〜実施例5において、フィラメント2の温度を2500℃に設定した以外は同様に行った。
【0081】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、SiとCとOとの組成比は実施例1のものとは異なっていた。
【0082】
【実施例14】
実施例1において、フィラメント2aの温度を800℃に設定した以外は同様に行った。
【0083】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が高速成膜性において優れていた。
【0084】
【実施例15】
実施例1において、フィラメント2aの温度を3000℃に設定した以外は同様に行った。
【0085】
その結果、実施例1と同様なSiとCとOとからなる膜が基板4の上に形成された。但し、実施例1の膜と比べると、実施例1の方が表面平坦性において優れていた。
【0086】
【実施例16】
実施例1の操作を繰り返して行った。その結果、膜の堆積速度が徐々に落ちて行った。
【0087】
この原因についての究明がなされた結果、フィラメント2aに分解物が付着しており、この分解付着物に起因することが判った。
【0088】
そこで、反応室1内に希釈されたClF3ガスを流し、ドライエッチングにより付着物を除去した。
【0089】
この後、実施例1と同様に行った。その結果、実施例1と同様な膜が形成された。
【0090】
【発明の効果】
半導体素子の配線間の層間絶縁膜として好適なSiとCとOを任意の割合で含む狙い通りの混合膜を再現性良く形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明になる膜形成装置(CVD)全体の概略図
【符号の説明】
1 反応室
2a,2b フィラメント
3 基板ホルダ
4 基板
5a,5b 原料容器
6 原料ガス導入機構
7 流量制御器
8 配管
9 水素ガスボンベ
Claims (22)
- SiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、
加熱された加熱体を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にSiとCとOとを含む組成の膜を設けることを特徴とする膜形成方法。 - 原子数の比Si:C:OをX:Y:Zとした場合にXが0.0000001〜99.9999999、Yが0.0000001〜99.9999999、Zが0.0000001〜99.9999999(X+Y+Z=100)の範囲でSiとCとOとを含む組成の膜を設ける方法であって、
温度が800℃以上の加熱体を有する反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上に前記SiとCとOとを含む組成の膜を設けるこを特徴とする膜形成方法。 - SiとCとOとを任意の割合で含む混合膜を設ける方法であることを特徴とする請求項1又は請求項2の膜形成方法。
- 化学気相成長方法により膜が形成されることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜形成方法。
- 加熱体は融点が1200℃以上の遷移金属の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の金属元素からなることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成方法。
- 加熱体がW,Ta,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Cr,Mo,Mn,Tc,Re,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,C,SiC、及び遷移金属に炭素、炭化珪素、窒化ホウ素、又は金属の炭化物がコーティングされたものの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上のものからなることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成方法。
- 反応室内に置かれた加熱体が二つ以上あることを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかの膜形成方法。
- 膜が形成される基体は加熱体から1cm以上離れて配置されることを特徴とする請求項1〜請求項7いずれかの膜形成方法。
- 膜が形成される基体は800℃以下の温度で保持されることを特徴とする請求項1〜請求項8いずれかの膜形成方法。
- アルコキシシリコン化合物はSinRx(OR’)2n+2−x(但し、RはH又はアルキル基、R’はアルキル基、xは0から2n+1までの整数、nは1〜8の整数)で表される化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項9いずれかの膜形成方法。
- アルコキシシリコン化合物が、テトラエトキシシラン(Si(OEt)4)、ジメチルジメトキシシラン(Me2Si(OMe)2)、及びジメチルヘキサメトキシトリシラン(Me2Si3(OMe)6)の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項10いずれかの膜形成方法。
- アルコキシシリコン化合物は−SiO−骨格からなる環状化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項9いずれかの膜形成方法。
- アルコキシシリコン化合物の蒸気以外にも水素ガスが、加熱された加熱体を有する反応室内に導入されることを特徴とする請求項1〜請求項12いずれかの膜形成方法。
- 請求項1〜請求項13いずれかの膜形成方法によって形成されてなることを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜。
- 請求項14の膜であって、絶縁膜として用いられることを特徴とする膜。
- 請求項14〜請求項15いずれかの膜が設けられてなることを特徴とする素子。
- 請求項1〜請求項13いずれかの膜形成方法に用いられることを特徴とするアルコキシシリコン化合物。
- SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体と、
前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置。 - SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられた一つ又は二つ以上の加熱体と、
前記加熱体から1cm以上離れた位置に膜が形成される基体を保持する基体保持機構と、
前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構
とを具備することを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置。 - SiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であって、
反応室と、
前記反応室内に設けられた組成が異なる二つ以上の加熱体と、
前記加熱体から1cm以上離れた位置に膜が形成される基体を保持する基体保持機構と、
前記反応室内にアルコキシシリコン化合物の蒸気を導入するアルコキシシリコン化合物蒸気導入機構とを具備し、
前記アルコキシシリコン化合物蒸気導入機構で導入されたアルコキシシリコン化合物の蒸気が、前記二つ以上の加熱体に対して、同時または別個もしくは順番に接触するように構成されてなることを特徴とするSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置。 - 加熱体表面に付着した付着物を除去する除去機構を更に具備することを特徴とする請求項18〜請求項20いずれかのSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置。
- 化学気相成長方法によりSiとCとOとを含む組成の膜を設ける為の装置であることを特徴とする請求項18〜請求項21いずれかのSiとCとOとを含む組成の膜を設ける装置。
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WO2016024361A1 (ja) * | 2014-08-14 | 2016-02-18 | 株式会社ユーテック | フィラメント電極、プラズマcvd装置及び磁気記録媒体の製造方法 |
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