JP2004095163A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】　信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】　非磁性基板Ｓ上に非磁性下地膜３１、磁性膜３２、カーボン保護膜３３、潤滑膜３４が形成され、カーボン保護膜３３が、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層からなるもの、あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層を有するものであり、このカーボン保護膜３３が、潤滑膜３４に接して設けられている。
【選択図】　図２

Description

　本発明は、磁気ディスク装置などに用いられる磁気ディスク等の磁気記録媒体に関するものである。

　近年、磁気記録、とりわけ磁気ディスクの分野においては記録密度の向上が著しく、特に最近では、記録密度が１０年で１００倍程度の驚異的な速度で伸び続けている。記録密度の向上を支えている技術は非常に多岐にわたるが、キーテクノロジーの一つとして、磁気ヘッドと磁気記録媒体の間の摺動特性制御技術を挙げることができる。
　俗にウインテェスター様式と呼ばれる、磁気ヘッド／磁気記録媒体間の接触摺動−ヘッド浮上−接触摺動を基本動作とするＣＳＳ（接触起動停止）方式がハードディスクドライブの主流となって以来、媒体上でのヘッドの摺動は、避けることのできないものとなり、ヘッド／媒体間のトライボロジーに関する問題は宿命的な技術課題となって現在に至っている。このため、磁気記録媒体表面の耐摩耗性、耐摺動性は信頼性の大きな柱となり、磁性膜上に積層される保護膜、潤滑膜などの開発、改善の努力が営々と続けられている。

　磁気記録媒体の保護膜としては、様々な材質からなるものが提案されているが、成膜性、耐久性等の総合的な見地から、カーボン膜が主に採用されている。
　カーボン膜は、通常、スパッタリング法により形成されており、成膜の際の条件は、カーボン膜の耐コロージョン性、あるいはＣＳＳ特性に如実に反映されるため非常に重要である。
　また、記録密度の向上を図るためには、ヘッドの飛行高さ（フライングハイト）の低減、媒体回転数の増加等を行うことが好ましいため、磁気記録媒体にはより高い摺動耐久性が要求されてきている。その一方、スペーシングロスを低減し記録密度を高めるため、保護膜の厚さを薄く、例えば１００Å以下にすることが要求されてきており、平滑性は無論のこと、薄くかつ強靭な保護膜が強く求められている。

　しかしながら、従来のスパッタリング成膜法によって形成されたカーボン保護膜では、この膜を薄く、例えば膜厚１００Å以下とした場合、その耐久性が不十分となることがあった。
　このため、スパッタリング法に比べて高強度のカーボン保護膜を形成することができる方法として、プラズマＣＶＤ法の採用が検討されている。プラズマＣＶＤ法は、例えば特公平７−２１８５８号公報、特開平７−７３４５４号公報等に開示されている。

　しかしながら、さらなる高記録密度化が要求されている現況下にあって、上記従来技術によって、出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化を達成できるレベルまで保護膜を薄膜化することは、摺動耐久性の点から困難であるのが現状である。また、従来技術では、成膜レートが低く生産効率が低くなる問題もあった。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは以下の通りである。
（１）信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を提供する。
（２）効率よく製造することができる磁気記録媒体を提供する。

（１）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスク上に、カーボン保護膜を、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成する磁気記録媒体の製造方法において、 カーボン保護膜の形成を高周波放電下で行い、この際、１０〜３００Ｗの高周波バイアスあるいは周波数１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ、パルス幅１ｎｓ〜５００μｓのパルス直流バイアスをディスクに印加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）　カーボン保護膜を、高周波放電下でディスク両面に同時に形成するに際し、ディスクの両側に配置された電極に供給する電力の位相を互いにずらせることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３）　ディスクに印加するパルス直流バイアスを、周波数が１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚ、パルス幅が１０ｎｓ〜５０μｓであるものとすることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）　ディスクに印加するパルス直流バイアスを、その平均電圧が−４００〜−１０Ｖであるものとすることを特徴とする（１）〜（３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５）　カーボン保護膜を形成するに際して用いる反応ガスとして、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いることを特徴とする（１）〜（４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６）　炭化水素として、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いることを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）　炭化水素として、トルエンを用いることを特徴とする（５）または（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）　反応ガスとして、トルエンと水素を体積比が１：１５〜１：２０となるように混合した混合ガスを用いることを特徴とする（７）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（９）　カーボン保護膜を形成するに際して用いる反応ガスとして、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスに、混合ガスに対して０．１〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを添加、混合したものを用いることを特徴とする（１）〜（４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１０）　炭化水素として、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いることを特徴とする（９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１１）　炭化水素として、トルエンを用いることを特徴とする（１０）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１２）　反応ガスとして、トルエンと水素を体積比が１：１５〜１：２０となるように混合した混合ガスを用いることを特徴とする（１１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１３）　カーボン保護膜を形成するに際して用いる反応ガスとして、ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスを用い、この反応ガスのブタジエン：水素の体積比を１００：０〜１：１００とすることを特徴とする（１）〜（４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１４）　反応ガスとして、ブタジエン：水素の体積比を１００：０〜１：２５としたものを用いることを特徴とする（１３）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１５）　反応ガスの圧力を０．１〜１０Ｐａとすることを特徴とする（１）〜（１４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１６）　反応ガスの圧力を２〜６Ｐａとすることを特徴とする（１）〜（１４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１７）　カーボン保護膜の形成に際し、予めディスクの温度を１００〜２５０℃とすることを特徴とする（１）〜（１６）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１８）　カーボン保護膜の厚さを３０〜１００Åとすることを特徴とする（１）〜（１７）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（１９）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスク上に、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりプラズマＣＶＤカーボン層を形成し、その上に、スパッタガスを用いてスパッタリング法によりスパッタカーボン層を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、プラズマＣＶＤカーボン層は（１）〜（１８）のうちいずれか１つに記載の方法により形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２０）　スパッタリング法によりスパッタカーボン層を形成するに際して用いるスパッタガスとして、アルゴンに、窒素、水素、およびメタンのうち１種以上を、アルゴンに対する添加率が０．１〜１００ｖｏｌ％となるように含有させたものを用いることを特徴とする（１９）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２１）　スパッタカーボン層の厚さが、５〜１００Åであることを特徴とする（１９）または（２０）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２２）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、その上に、カーボン保護膜を、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成し、次いでカーボン保護膜上に潤滑膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、カーボン保護膜は（１）〜（１８）のうちいずれか１つに記載の方法により形成し、潤滑膜の形成に先立ち、カーボン保護膜表面を水洗することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２３）　カーボン保護膜を水洗する際に、洗浄水として超純水を用いることを特徴とする（２２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２４）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、その上に、カーボン保護膜を、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりプラズマＣＶＤカーボン層を形成し、その上に、スパッタガスを用いてスパッタリング法によりスパッタカーボン層を形成し、次いでスパッタカーボン層上に潤滑膜を形成する磁気記録媒体の製造方法であって、スパッタカーボン層は（１９）〜（２１）のうちいずれか１つに記載の方法により形成し、潤滑膜の形成に先立ち、カーボン保護膜表面を水洗することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２５）　スパッタカーボン層を水洗する際に、洗浄水として超純水を用いることを特徴とする（２４）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２６）　テクスチャ加工を施した非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスク上に、カーボン保護膜を、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成する磁気記録媒体の製造方法において、カーボン保護膜は（１）〜（１８）のうちいずれか１つに記載の方法により形成し、かつ非磁性基板表面にテクスチャ加工を施すことによりこの非磁性基板の表面平均粗さＲａを１〜２０Åとすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２７）　非磁性基板表面にテクスチャ加工を施すに際し、その表面平均粗さＲａを３〜１０Åとすることを特徴とする（２６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２８）　テクスチャ加工方法として、砥粒を用いたメカニカルテクスチャ加工法を採用し、この砥粒として、平均粒径が０．１〜０．５μｍであるものを用いることを特徴とする（２６）または（２７）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（２９）　メカニカルテクスチャ加工法として、非磁性基板を回転させると同時に、研磨テープを非磁性基板表面に接触させつつ基板上を走行させるとともに、研磨テープと非磁性基板の間に砥粒を供給することによって非磁性基板表面にテクスチャ加工を施す方法を採用し、この際、研磨テープを走行方向に対し交差する方向に０．１〜５Ｈｚの周波数で揺動させることを特徴とする（２６）〜（２８）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３０）　テクスチャ加工を行う際の非磁性基板の回転数を、３００〜２０００ｒｐｍとすることを特徴とする（２６）〜（２９）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３１）　テクスチャ加工を施した非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスク上に、炭素原子を含む反応ガスを原料としてプラズマＣＶＤ法によりプラズマＣＶＤカーボン層を形成し、その上に、スパッタガスを用いてスパッタリング法によりスパッタカーボン層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、プラズマＣＶＤカーボン層は（１）〜（１８）のうちいずれか１つに記載の方法により形成し、スパッタカーボン層は（２０）または（２１）に記載の方法により形成し、非磁性基板の表面平均粗さＲａを１〜２０Åとすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（３２）　非磁性基板表面にテクスチャ加工を施すに際し、その表面平均粗さＲａを３〜１０Åとすることを特徴とする（３１）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３３）　テクスチャ加工方法として、砥粒を用いたメカニカルテクスチャ加工法を採用し、この砥粒として、平均粒径が０．１〜０．５μｍであるものを用いることを特徴とする（３１）または（３２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３４）　メカニカルテクスチャ加工法として、非磁性基板を回転させると同時に、研磨テープを非磁性基板表面に接触させつつ基板上を走行させるとともに、研磨テープと非磁性基板の間に砥粒を供給することによって非磁性基板表面にテクスチャ加工を施す方法を採用し、この際、研磨テープを走行方向に対し交差する方向に０．１〜５Ｈｚの周波数で揺動させることを特徴とする（３１）〜（３３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３５）　テクスチャ加工を行う際の非磁性基板の回転数を、３００〜２０００ｒｐｍとすることを特徴とする（３１）〜（３４）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
（３６）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜、カーボン保護膜、潤滑膜が形成された磁気記録媒体において、カーボン保護膜が、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層からなるもの、あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層を有するものであり、このカーボン保護膜が、潤滑膜に接して設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
（３７）　非磁性基板の表面平均粗さＲａが１〜２０Åであることを特徴とする（３６）に記載の磁気記録媒体。
（３８）　プラズマＣＶＤカーボン層の厚さが、３０〜１００Åであることを特徴とする（３６）または（３７）に記載の磁気記録媒体。
（３９）　スパッタカーボン層の厚さが、５〜１００Åであることを特徴とする（３６）〜（３８）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（４０）　潤滑膜が、下記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする（３６）〜（３９）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。

（４１）　潤滑膜が、下記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物に、下記式（６）で示される化合物を、含有率が０．１〜２０ｗｔ％となるように混合した混合物を主成分とするものであることを特徴とする（３６）〜（３９）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。

（４２）　潤滑膜が、下記式（１）で示され、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする（３６）〜（３９）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。

（４３）　潤滑膜が、下記式（５）で示され、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする（３６）〜（３９）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。

（４４）　非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜、カーボン保護膜、潤滑膜が形成された磁気記録媒体において、カーボン保護膜が、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層からなるもの、あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層を有するものであり、このカーボン保護膜が、潤滑膜に接して設けられており、かつＣｏ抽出量が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以下であることを特徴とする（３６）〜（４３）のうちいずれか１つに記載の磁気記録媒体。

　本発明にあっては、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。また、成膜レートを高め、効率よい製造が可能となる。
　本発明の磁気記録媒体は、磁気ディスク装置などに用いられる磁気ディスク等の磁気記録媒体として用いることができる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられる製造装置の主要部となるプラズマＣＶＤ装置を示すもので、ここに示すプラズマＣＶＤ装置は、カーボン保護膜を形成するためのもので、ディスクを収容するチャンバ１０と、チャンバ１０の両側壁内面に相対向するように設置された電極１１、１１と、これら電極１１、１１に高周波電力を供給する高周波電源１２、１２と、チャンバ１０内のディスクに接続可能なバイアス電源１３と、ディスク上に形成するべきカーボン保護膜の原料となる反応ガスの供給源１４を備えたものとされる。
　チャンバ１０には、供給源１４から供給された反応ガスをチャンバ１０内に導入する導入管１５、１５と、チャンバ１０内のガスを系外に排出する排気管１６が接続されている。排気管１６には排気量調節バルブ１７が設けられており、排気量を調節することによって、チャンバ１０の内圧を任意の値に設定することができるようになっている。
　高周波電源１２としては、カーボン保護膜形成時に電極１１に５０〜２０００Ｗの電力を供給することができるものを用いるのが好ましい。
　また、バイアス電源１３としては、高周波電源またはパルス直流電源を用いることができる。高周波電源としては、１０〜３００Ｗの高周波電力をディスクに印加できるものが好ましい。また、パルス直流電源としては、−４００〜−１０Ｖの電圧（平均電圧）をディスクに印加することが可能なものを用いるのが好ましい。

　次に、上記製造装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法等の方法を用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能であり、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。非磁性基板は、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。
　非磁性下地膜の材料としては、Ｃｒ、またはＣｒ／Ｔｉ系、Ｃｒ／Ｗ系、Ｃｒ／Ｖ系、Ｃｒ／Ｓｉ系の合金を用いるのが好適である。
　磁性膜の材料としては、Ｃｏ合金、例えばＣｏ／Ｃｒ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ系、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ系等の合金を用いるのが好適である。
　これら非磁性下地膜、磁性膜の厚さは、それぞれ５０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。

　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスが用いられる。

　炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　低級飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オクタン等を用いることができる。また低級不飽和炭化水素としては、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン等を用いることができる。また低級環式炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン等を用いることができる。
　上記炭化水素のなかでも特に、トルエンを用いるのが好ましく、トルエンと水素の混合比率は、体積比で１：１５〜１：２０とするのが好ましい。
　なお、ここでいう低級とは、炭素数が１〜１０であることを指す。また、環式炭化水素とは、ベンゼン環などの環状構造をもつ炭化水素をいう。
　炭化水素と水素の混合比率を上記範囲内とするのが好ましいとしたのは、炭化水素の水素に対する割合が上記範囲下限値未満であると、成膜レートが低くなり実用的な工業生産に適さなくなり、上記範囲上限値を越えると、カーボン保護膜内に残留する応力が高くなり、得られるカーボン保護膜の密着性、耐ＣＳＳ性が低下するためである。
　また炭化水素として低級炭化水素を用いるのが好ましいとしたのは、炭化水素の炭素数が上記範囲上限値を越えると、ガスとして供給するのが困難となることに加え、放電時の炭化水素の分解が進行しにくくなり、カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。

　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。また、排気量調節バルブ１７を用いてチャンバ１０内ガスの排出量を適宜調節することによって、チャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。カーボン保護膜は、ディスクＤの表裏両面に同時に形成することができる。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。

　カーボン保護膜形成時には、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。バイアス電源１３として高周波電源を用いる場合には、１０〜３００Ｗの高周波電力をディスクＤに印加するのが好ましい。また、バイアス電源１３としてパルス直流電源を用いる場合には、−４００〜−１０Ｖの電圧（平均電圧）をディスクＤに印加するのが好ましい。また、パルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚとするのが好ましい。
　バイアスをディスクＤに印加する際には、ディスクＤに直接印加してもよいし、図示せぬディスクキャリアを介してバイアス印加を行ってもよい。

　実用的な工業生産に対応するためには、カーボン保護膜の成膜レートは２００Å／ｍｉｎ以上が望ましく、さらには４００Å／ｍｉｎ以上とすることが望ましい。
　また、保護膜上には、ディッピング法などによってフォンブリン系潤滑剤、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例１〜１２）
　アルミナスラリーを用いて表面粗さＲａが２０Åとなるようにテクスチャリングを施したＮｉＰメッキアルミニウム基板を、ＤＣマグネトロンスパッタ装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内を到達真空度２×１０^−６Ｔｏｒｒまで排気した後、基板両面に、Ｃｒからなる厚さ４００Åの下地膜、およびＣｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３（ａｔ％）合金からなる磁性膜を順次形成しディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤを、上記プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入し、表１に示す炭化水素ガスと水素を表中に示す混合比率で混合したガスを反応ガスとしてチャンバ内に供給した。チャンバ１０の内圧は２Ｐａとした。
　同時に、表１に示す条件の高周波バイアス（５０Ｗ）をディスクＤに印加しつつ３００Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。成膜時のディスクＤの温度は１３０℃とした。（ただし、試験例９については、電極１１への供給電力を６００Ｗ、成膜時のディスク温度を１３６℃とした。また試験例３で用いたバイアスはＤＣバイアス（−２００Ｖ）とした）。なお、ディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。また表中、ＲＦ位相差とは、２つの電極１１、１１に供給する電力の位相差をいう。

　表１にカーボン膜の成膜レートを示す。試験例４〜７を比較すれば、トルエンの混合比率が高くなるにつれ、成膜レートが向上することが判る。しかし、試験例６、７が混合比率の割に成膜レートが向上しないのは、放電時のスパークによるプラズマの拡散が生じたためと推察される。また、試験例１〜５、１２を比較すれば、バイアス、特に高周波バイアスの印加、またはディスクの表側、裏側電極に供給する電力の位相を互いにずらせることにより、成膜レートが向上することがわかる。
　次に、カーボン保護膜上にフォンブリン系潤滑剤を１５Å塗布し、磁気記録媒体を得た。

　この磁気記録媒体を次に示すＣＳＳ試験に供した。試験にはＭＲヘッドを用い、常温常湿環境下で、回転数７２００ｒｐｍ、５秒立ち上げ、１秒高速、５秒立ち下げ、１秒パーキングのサイクルでＣＳＳ操作を２００００回行った。
　なお、試験例３〜５についてはスティクション値をモニターするとともに、４０℃、湿度８０％の環境下において同じサイクルでＣＳＳを５０００回行う試験も実施した。結果を表２に示す。ＣＳＳ試験（常温、常圧）の結果、クラッシュが発生したものについては、クラッシュ発生時のＣＳＳ回数を表中に示した。
　表２にラマン分光法（アルゴンイオンレーザー励起）によるｇバンドピーク値（νＧ−ｌｉｎｅ）と、ｄバンドピーク値との比（Ｉｄ／Ｉｇ）を参考までに併記する。一般にカーボン膜をラマン分光法で測定した場合には、１５３０ｃｍ^−１付近にｇバンド、１４００ｃｍ^−１付近にｄバンドの２つのピークを持つプロファイルが得られ、Ｉｄ／Ｉｇが小さいほど、また、ｇバンドピークが高波数側にシフトするほどカーボン膜のダイヤモンド性が大きい。

　次に、ＣＳＳ試験に用いたものと同様の磁気記録媒体を、次に示すコロージョン試験に供した。試験は、温度６０℃、湿度８０％のオーブン中に９６時間放置した後、５０ｃｃの純水中に３０分間浸漬し、この純水中に抽出されたＣｏ量を測定するものとした。また、上記磁気記録媒体を、常温、常湿（２５℃、５０％）下で９６時間放置した後に同様の測定を行う試験も行った。結果を表２に示す。
　なお、本明細書において、ＣｒａｓｈとはＣＳＳ試験中にヘッドクラッシュが起きたことを意味し、Ｎｏ Ｃｒａｓｈとはヘッドクラッシュが起こらなかったことを意味するものとする。

　表２より、試験例１〜６の方法によって作製された磁気記録媒体は、５０００回以上のＣＳＳ操作を行ってもクラッシュが発生せず、特に、試験例３〜５の磁気記録媒体は、２００００回のＣＳＳ操作、および温度４０℃、湿度８０％の環境下における５０００回のＣＳＳ操作を行ってもクラッシュが発生せず、良好な耐ＣＳＳ特性を示したことがわかる。
　これに対し、トルエンのＨ_２との混合比率が本発明で規定した範囲を外れる試験例７、バイアス印加を行わない試験例１２では、ある程度の成膜レートが得られるものの、磁気記録媒体が耐久性に劣るものとなったことがわかる。
　また、メタン、エタン、アセトンを用いた試験例８〜１１により得られた磁気記録媒体についても耐久性の点で劣る結果が得られた。
　また、コロージョン試験の結果より、いずれの磁気記録媒体についてもＣｏ抽出量は１枚当たり１〜２ｎｇ程度であり、実用上問題とならないことが確認された。
　また、ＣＳＳ試験の結果より、ディスク両側の電極に供給する電力の位相を互いにずらせることにより、得られる磁気記録媒体の耐久性を向上させることができたことがわかる。
　このように、試験例１〜６の製造方法では、工業生産に耐えうる成膜レートでカーボン保護膜を形成することができ、磁気記録媒体の耐ＣＳＳ特性、耐コロージョン特性が優れたものとなることが明らかになった。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を効率よく形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を効率よく得ることができる。

　次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法の他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法などを用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。

　次いで、上記操作により非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、カーボン保護膜形成の際、バイアス電源１３を用いて、周波数が１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ（周期１０ｎｓ〜１ｍｓ）であり、かつパルス幅が１ｎｓ〜５００μｓであるパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行う。
　このパルス直流バイアスの周波数が１ｋＨｚ未満である場合、または１００ＧＨｚを越える場合には、形成されるカーボン保護膜が耐久性に劣るものとなり易い。特に、周波数が１ｋＨｚ未満である場合には、成膜レートが低下しやすく生産効率の低下を招くため好ましくない。
　上記パルス直流バイアスの周波数およびパルス幅は、それぞれ１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚ、１０ｎｓ〜５０μｓとするのがさらに好ましい。
　またディスクＤに印加するパルス直流バイアスは、その平均電圧が−４００〜−１０Ｖであるものとするのが好ましい。
　これは、この平均電圧が−４００Ｖ未満であると、成膜時にスパークが起こりやすくカーボン保護膜表面に異常成長部ができやすくなり、−１０Ｖを越えると、カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。また保護膜上には、上述の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。
　上記製造方法によって製造された磁気記録媒体の例としては、例えば図２に示す構造のものを挙げることができる。

　この例の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号３１は非磁性下地膜、符号３２は磁性膜、符号３３はカーボン保護膜、符号３４は潤滑膜を示す。

　上記製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、周波数１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ、パルス幅１ｎｓ〜５００μｓのパルス直流バイアスをディスクに印加するので、耐久性に優れたカーボン保護膜を効率よく形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。また、成膜レートを高め、生産効率を高めることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を効率よく得ることができる。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例１３〜２６）
　まず、ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１２となるよう混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、バイアス電源１３を用いて表３に示す条件でパルス直流バイアスをディスクに印加しつつ、３００または５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。
　また、成膜時のディスクＤの温度は１３０℃とした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。
　次いで、カーボン保護膜上に、ディッピング法によってフォンブリン系潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚｄｏｌ２０００）を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。

　得られた磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験に供した。このＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件でこの磁気記録媒体に対し１００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。試験結果を表３に示す。
　なお、表中、プラズマＲＦ電力とはカーボン保護膜成膜時に電極１１に供給した電力を示すものである。

　表３に示すＣＳＳ試験の結果より、カーボン保護膜の形成に際し、周波数１ｋＨｚ〜１００ＧＨｚ、パルス幅１ｎｓ〜５００μｓのパルス直流バイアスをディスクに印加する方法によって得られた磁気記録媒体は、耐久性に優れ、しかも成膜レートが高くなったことがわかる。
　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を効率よく形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を効率よく得ることができる。

　図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を実施するために用いられる製造装置を示すもので、ここに示す製造装置は、スパッタ装置１と、温度調節装置２と、プラズマＣＶＤ装置３を備えたものとされている。
　スパッタ装置１は、非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜等を形成するためのもので、磁気記録媒体製造に用いられる汎用のものが使用可能である。
　温度調節装置２は、プラズマＣＶＤ装置３に送られるディスクの温度を所定の値とするためのもので、ディスクを収容するチャンバ４と、チャンバ４内のディスクの温度を調節する温度調節ガスの供給源５を備えたものとされ、チャンバ４には、供給源５から供給された温度調節ガスをチャンバ４内に導入する導入管７と、チャンバ４内のガスを系外に排出する排気管８が接続されている。
　チャンバ４は気密構造とされ、スパッタ装置１を経たディスクをチャンバ４内に搬入する搬入口４ａと、チャンバ４内のディスクをプラズマＣＶＤ装置３に向けて搬出する搬出口４ｂを有するものとされている。
　プラズマＣＶＤ装置３としては、図１に示すものと同様の構造のものを用いることができる。

　次に、上記製造装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタ装置１を用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　これら非磁性下地膜、磁性膜を形成する際には、通常、非磁性基板の温度は、２５０〜３５０℃程度とされる。

　次いで、上記操作により非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、搬入口４ａを通して温度調節装置２のチャンバ４内に搬入するとともに、供給源５から供給された温度調節ガスを導入管７を通してチャンバ４内に導入しつつチャンバ４内のガスを排気管８から排出し、温度調節ガスをチャンバ４内で流通させ、チャンバ４内のディスクＤを温度調節ガスに曝す。
　この温度調節ガスとしては、ディスクＤに影響を与えないものであれば特に限定されないが、水素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等を用いることができる。
　温度調節ガスの温度は、目的とするディスクＤの温度や温度調節ガスの流量等の条件に応じて適宜設定されるが、０〜２５０℃とするのが好ましい。
　この操作を行う際には、温度調節ガスの流量を５０〜１５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。また、チャンバ４内ガスの排出量を適宜調節することによって、チャンバ４内圧を所定の値、例えば１〜３０Ｐａとするのが好ましい。
　このように、ディスクＤを温度調節ガスに曝すことによって、温度調節ガスとディスクＤの間で熱交換が行われる。この操作は、ディスクＤの温度が１００〜２５０℃（好ましくは１５０〜２５０℃、さらに好ましくは１５０〜２００℃）となるまで行う。
　ディスクＤの温度が１００℃未満であると、後述する操作によってディスクＤ上に形成されるカーボン保護膜が低密度となり耐久性が低下する。
　またこの温度が２５０℃を越えると、後述の操作によってカーボン保護膜を形成する際に、反応ガス分子の運動エネルギーが高くなりすぎ、この分子がディスクＤ上に吸着しにくくなり、成膜レートが低下する。またこれに加えて、カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなりその耐久性が低下する。

　次いで、ディスクＤを、搬出口４ｂを通して温度調節装置２から搬出し、直ちにプラズマＣＶＤ装置３のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、上記温度調節装置２を用いて温度を上記の値に調節したディスクＤの表面を、この反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。また、排気量調節バルブ１７を用いてチャンバ１０内ガスの排出量を適宜調節することによって、チャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　また、保護膜上には、ディッピング法などによってフォンブリン系潤滑剤、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　上記製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、予めディスクの温度を１００〜２５０℃とするので、カーボン保護膜が高密度で耐久性に優れたものとなる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、記録再生時のスペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　また、反応ガスに由来するカーボン保護膜構成材料のディスクＤへの吸着を促し、成膜レートを高くし、生産効率を高めることが可能となる。

　上記カーボン保護膜を形成する際のディスクＤの温度を上記範囲内に設定することによって、カーボン保護膜の耐久性が向上する理由は明らかでないが、この理由は、次のようなものであると推察することができる。
　すなわち、この温度が上記範囲下限値未満であると、カーボン保護膜を形成する際に、カーボン保護膜の構成材料分子のもつ運動エネルギーが低いものとなり、カーボン保護膜中におけるこの分子の配列が不規則なものとなり緻密化が十分になされず、これによってカーボン保護膜が低密度となり、その結果、カーボン保護膜の耐久性が低下すると考えられる。
　またこの温度が上記範囲上限値を越えると、重合、縮合等の高分子化反応が起こりやすくなり、供給された反応ガスに由来する炭素化合物がディスクＤの表面で高分子化しやすくなり、これによってカーボン保護膜中に、強度に劣る高分子成分が増加し、その結果、カーボン保護膜の耐久性が低下すると考えられる。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例２７〜３２）
　図１および図３に示す装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を作製した。
　まず、ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２３Åとした後、この基板両面に、スパッタ装置１（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。上記非磁性下地膜および磁性膜を形成する操作の際には、基板の温度を２５０℃とした。
　次いで、ディスクＤを、温度調節装置２のチャンバ４内に搬入するとともに、チャンバ４に、その温度を予め２０℃とした温度調節用の水素ガスを表４に示すとおりの流量となるように供給し、ディスクＤをこの水素ガスに曝す操作を表４に示す時間行うことによって、ディスクＤの温度を表４に示す値とした。なお、ディスクＤの温度の測定は、チャンバ４に取り付けた放射温度計によって行った。またチャンバ４の内圧は１０Ｐａとした。
　次いで、ディスクＤを直ちにプラズマＣＶＤ装置３のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１０となるよう混合した混合ガスを用いた。またチャンバ１０の内圧は、６Ｐａとした。
　同時に、５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記温度調節装置２によって温度を表４に示す値としたディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。この際、バイアス電源１３を用いて、５０Ｗの高周波電力をディスクＤに印加した。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。
　次いで、フォンブリン系潤滑剤をカーボン保護膜上に塗布し、厚さ１５Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。

　この磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験に供した。このＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件でこの磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。試験結果を表４に示す。

（試験例３３〜３６）
　温度調節装置２に導入する際のディスクＤの温度や、温度調節装置２を用いた温度調節操作における温度調節ガスの流量または温度を変化させることによって、カーボン保護膜を形成する際のディスクＤの温度を変えること以外は上記試験例と同様にして磁気記録媒体を作製した。試験結果を表４に併せて示す。

　表４に示すように、カーボン保護膜を形成する際のディスクＤの温度を１００〜２５０℃の範囲内に設定する方法によって作製された磁気記録媒体は、ディスクＤの温度を上記範囲以外に設定する方法によって作製されたものに比べ、ＣＳＳ試験後のスティクション値が低く耐久性に優れたものとなったことがわかる。また、成膜レートを高くすることができたことがわかる。
　以上説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法にあっては、高密度で耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、記録再生時のスペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。また、生産効率を高めることが可能となる。

　次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法等の方法を用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　次いで、このディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。

　本実施形態の方法では、排気管１６に設けられた排気量調節バルブ１７を用いて、チャンバ１０内ガスの排出量を適宜調節し、チャンバ１０内の反応ガスの圧力を０．１〜１０Ｐａ、好ましくは２〜６Ｐａ、さらに好ましくは４．５〜６Ｐａとする。
　この圧力を上記範囲内の値とするのは、この圧力を０．１Ｐａ未満とすると成膜レートが低下し、１０Ｐａを越える値とするとカーボン保護膜の耐久性が低下するためである。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　また保護膜上には、上述の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　上記製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、反応ガスの圧力を０．１〜１０Ｐａとするので、カーボン保護膜が耐久性に優れたものとなる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、記録再生時のスペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　また、成膜レートを高くすることができ、効率のよい製造が可能となる。

　上記カーボン保護膜を形成する際の反応ガスの圧力を上記範囲内に設定することによって、耐久性に優れたカーボン保護膜を効率よく形成することができる理由は次のようなものであると推察することができる。
　すなわち、反応ガスの圧力を上記範囲に設定すると、反応ガス中の炭化水素の一部がプラズマにより励起活性種となり、その一部が分解した後、ディスクＤ上で再構築され、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣという）となり、形成されるカーボン保護膜が強度的に優れたものとなる。
　また、チャンバ１０内に供給される反応ガスの量が十分なものとなり、成膜レートが高まる。
　これに対し、反応ガスの圧力が上記範囲下限値未満であると、チャンバ１０内に存在する反応ガス中炭化水素の分子数が不足し、成膜レートが不十分となる。　また、圧力を上記範囲上限値を越えた値とすると、チャンバ１０内に存在する反応ガス中炭化水素の分子数が多くなりすぎ、プラズマの存在下においてもこの炭化水素が分解しにくくなる。このため、反応ガス中炭化水素の一部が分解されることなくディスクＤに吸着し、得られるカーボン保護膜中のＤＬＣ含有量が低下し、カーボン保護膜が強度に劣るものとなる。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例３７〜４３）
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２３Åとした後、この基板両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１０となるよう混合した混合ガスを用いた。
　この際、排気量調節バルブ１７を調節することによって、チャンバ１０の内圧を表５に示す値とした。
　同時に、５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。この際、バイアス電源１３を用いて、５０Ｗの高周波電力をディスクＤに印加した。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。
　次いで、フォンブリン系潤滑剤をカーボン保護膜上に塗布し、厚さ１５Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。

　この磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験に供した。このＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件でこの磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。試験結果を表５に示す。
　また、上記磁気記録媒体には、ラマン分光分析装置（ＪＥＯＬ社製）を用いて、ラマン分光法（アルゴンイオンレーザー励起）による分析を試みた。結果を表５に併せて示す。
　なお、一般に、カーボン膜をラマン分光法で分析した場合、１５３０ｃｍ^−１付近にＧバンド、１４００ｃｍ^−１付近にＤバンドの２つのピークを持つプロファイルが得られる。このプロファイルにおいて、Ｉｄ／Ｉｇが小さいほど、また、Ｇバンドピーク（Ｇ−ｌｉｎｅ）が高波数側にシフトするほど、カーボン膜はダイヤモンド性が大きくＤＬＣ化されているということができる。

（試験例４４、４５）
　排気量調節バルブ１７を調節することによってチャンバ１０内の反応ガスの圧力を変えること以外は上記試験例と同様にして磁気記録媒体を作製した。試験結果を表５に併せて示す。
　また、これら磁気記録媒体については、ラマン分光分析を試みた。結果を表５に併せて示す。

　表５に示すように、カーボン保護膜を形成する際の反応ガス圧力を０．１〜１０Ｐａとする方法によって作製された磁気記録媒体は、圧力を上記範囲外に設定する方法によって作製されたものに比べ、耐久性に優れたものとなったことがわかる。
　なかでも特に、反応ガスの圧力を２〜６Ｐａとする方法によって作製されたものは、より耐久性に優れたものとなったことがわかる。
　また、反応ガス圧力を上記範囲内に設定する方法により作製された磁気記録媒体のカーボン保護膜は、上記範囲外に設定する方法により作製されたものに比べ、Ｇバンドピークが高周波側に現れており、しかもＩｄ／Ｉｇが低く、ＤＬＣ化されていることがわかる。

　以上説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、反応ガスの圧力を０．１〜１０Ｐａとするので、カーボン保護膜が耐久性に優れたものとなる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、記録再生時のスペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　また、成膜レートを高くすることができ、効率のよい製造が可能となる。

　次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法などを用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　次いで、上記操作により非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。

　本実施形態の製造方法では、この反応ガスとして、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスに、混合ガスに対して０．１〜１００ｖｏｌ％、好ましくは５０〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを添加、混合したものを用いる。
　この炭化水素としては、上述したとおり、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　上記混合ガスに対する窒素ガスの添加量を、混合ガスに対して０．１〜１００ｖｏｌ％とするのは、窒素ガスの混合ガスに対する割合が０．１ｖｏｌ％未満の場合、または１００ｖｏｌ％を越える場合には、カーボン保護膜の硬度が低下し、その耐久性が不十分となるためである。
　また、上記混合ガスの炭化水素と水素の混合比率を上記範囲内とするのが好ましいとしたのは、混合ガス中の炭化水素の水素に対する割合が上記範囲下限値未満であると、成膜レートが低くなり実用的な工業生産に適さなくなり、上記範囲上限値を越えると、カーボン保護膜内に残留する応力が高くなり、得られるカーボン保護膜の密着性、耐ＣＳＳ性が低下するためである。
　また炭化水素として低級炭化水素を用いるのが好ましいとしたのは、炭化水素の炭素数が上記範囲上限値を越えると、ガスとして供給するのが困難となることに加え、放電時の炭化水素の分解が進行しにくくなり、カーボン保護膜が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　また保護膜上には、上述の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　上記製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、反応ガスとして、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスに、混合ガスに対して０．１〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを添加、混合したものを用いるので、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　上記カーボン保護膜を形成する際の反応ガスとして、混合ガスに、混合ガスに対して０．１〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを添加、混合したものを用いることによって、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる理由は明らかでないが、この理由は次のようなものであると推察することができる。
　すなわち、反応ガスとして窒素ガスを含むものを用いることによって、カーボン保護膜中に存在するダングリングボンドに窒素が結合し、カーボン保護膜が化学的に安定化され、機械的強度が高まったと考えられる。
　また、特にカーボン保護膜上に潤滑膜を設ける場合には、窒素ガスを含む反応ガスを用いることによって、窒素極性基の導入によりカーボン保護膜表面のぬれ性が向上し、これによりカーボン保護膜の潤滑膜に対する親和性が高まり、磁気記録媒体の耐久性が向上すると考えられる。
　窒素ガスの混合ガスに対する混合比率を上記の値とするのは、この混合比率を上記範囲下限値未満とすると、上記のような効果が不十分となり、上記範囲上限値を越える値とすると、カーボン保護膜中の窒素含有率が大きくなりすぎ、カーボン保護膜の強度が低下し、その耐久性が低下するためである。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例４６、４７）
　まず、ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１０となるよう混合した混合ガスに、窒素ガスを混合ガスに対して表６に示す比率で混合させたものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。この際、バイアス電源１３を用いて、５０Ｗの高周波電力をディスクＤに印加した。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。
　次いで、フォンブリン系潤滑剤をカーボン保護膜上に塗布し、厚さ１５Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。

　これら磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験、およびコロージョン試験に供した。
　ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。
　コロージョン試験は、磁気記録媒体を、高温高湿（温度６０℃、湿度８０％）条件下に９６時間放置した後、５０ｃｃの超純水中に２５℃の条件下で３０分間浸漬し、この超純水中に抽出されたＣｏ量（基板面積当たり）を測定するものとした。また同様に、磁気記録媒体を常温常湿（温度２５℃、湿度５０％）条件下に９６時間放置した後、同様にしてＣｏ抽出量を測定した。試験結果を表６に示す。

（試験例４８、４９）
　反応ガスとして、窒素ガスを混合ガスに対し表６に示す比率で混合したものを用いて磁気記録媒体を作製し、これら磁気記録媒体を、ＣＳＳ試験およびコロージョン試験に供した。試験結果を表６に併せて示す。

　表６より、反応ガスとして、混合ガスに、混合ガスに対し０．１〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを混合させたものを用いる方法によって作製された磁気記録媒体は、スティクションの値が低く、耐久性に優れたものとなったことがわかる。また、コロージョン試験の結果より、これらの磁気記録媒体は、コロージョン量が非常に少なく、実用上問題のないレベルの耐食性を備えたものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明の磁気記録媒体の製造方法にあっては、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　次に、本発明の磁気記録媒体の一実施形態について説明する。図４は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板Ｓ上に非磁性下地膜４１、磁性膜４２、カーボン保護膜４３、および潤滑膜４４を順次形成したものである。
　非磁性基板Ｓとしては、上述したとおり、ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。
　また、基板Ｓは、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。
　非磁性下地膜４１、磁性膜４２の材料としては、上述したものを採用することができる。
　非磁性下地膜４１、磁性膜４２の厚さは、５０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体において、カーボン保護膜４３は、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層４３ａ上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層４３ｂを設けた２層構造を有するものとされている。
　プラズマＣＶＤカーボン層４３ａの厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　これは、この厚さが３０Å未満であると、保護膜全体の強度が不足し、１００Åを越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時においてスペーシングロスが大きく、高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。
　スパッタカーボン層４３ｂは、カーボン保護膜４３の表面側に位置するものとされ、その厚さは、５〜１００Å、好ましくは３０〜１００Åとするのが望ましい。
　これは、この厚さが５Å未満であると、スパッタカーボン層４３ｂと潤滑膜４４の間の接合力が低下し磁気記録媒体の摺動耐久性が低下しやすく、１００Åを越えると、高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。
　潤滑膜４４の材料としては、パーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤などを用いるのが好ましい。潤滑膜４４の厚さは、５〜４０Åとするのが好ましい。

　次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　図５は、上記磁気記録媒体を製造するために用いられるスパッタ装置を示すもので、ここに示すスパッタ装置は、チャンバ５０と、チャンバ５０の両側壁内面に設けられたターゲット５１と、ターゲット５１に電力を供給する電源５２と、チャンバ５０内にスパッタガスを供給するスパッタガス供給源５３を備えて構成されている。
　チャンバ５０には、供給源５３から供給されたスパッタガスをチャンバ５０内に導入する導入管５４と、チャンバ７内のガスを系外に排出する排気管５５が接続されている。
　ターゲット５１としては、炭素を主成分とするものを用いることができる。
　電源５２としては、直流電源または高周波電源を用いることができる。

　上記スパッタ装置および図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて上記磁気記録媒体を製造するには、まず、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金などからなる基板Ｓの両面に、スパッタリング法等の方法を用いて、Ｃｒ合金などからなる非磁性下地膜４１、およびＣｏ合金などからなる磁性膜４２を順次形成し、ディスクＤを得る。
　次いで、このディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により、厚さが好ましくは３０〜１００ÅであるプラズマＣＶＤカーボン層４３ａをディスクＤの両面に形成する。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。バイアス電源１３として高周波電源を用いる場合には、１０〜３００Ｗの高周波電力をディスクＤに印加するのが好ましい。また、バイアス電源１３としてパルス直流電源を用いる場合には、−４００〜−１０Ｖの電圧をディスクＤに印加するのが好ましい。また、パルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚとするのが好ましい。
　形成されたプラズマＣＶＤカーボン層４３ａは、従来公知のスパッタリング法によって形成されたカーボン膜に比べ、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含み、強度的に優れたものとなる。

　続いて、上記操作によって表面にプラズマＣＶＤカーボン層４３ａを形成したディスクＤを、スパッタ装置のチャンバ５０内に搬入するとともに、供給源５３から供給されたスパッタガスを導入管５４を通してチャンバ５０内に導入しつつチャンバ５０内のガスを排気管５５を通して排出し、上記ディスクＤ上に形成されたプラズマＣＶＤカーボン層４３ａの表面をこのスパッタガスに曝す。
　このスパッタガスとしては、通常、スパッタリング法で用いられるアルゴンを用いることができる。特にアルゴンに、窒素、水素、およびメタンのうち１種以上を、アルゴンに対する添加率が０．１〜１００ｖｏｌ％となるように含有させたものを用いるのが好ましい。
　同時に、電源５２を用いてターゲット５１に電力供給し、スパッタリングによりターゲット５１の材料をプラズマＣＶＤカーボン層４３ａ上に供給し、スパッタカーボン層４３ｂをディスクＤの両面に形成する。
　この操作を行う際には、スパッタガスの流量を２０〜３００ｓｃｃｍとするのが好ましい。
　次いで、スパッタカーボン層４３ｂ上に、ディッピング法などの方法を用いてパーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤等の潤滑剤を塗布し潤滑膜４４を形成する。
　このようにして、基板Ｓ上に、非磁性下地膜４１、磁性膜４２、プラズマＣＶＤカーボン層４３ａとスパッタカーボン層４３ｂからなるカーボン保護膜４３、および潤滑膜４４を順次形成した磁気記録媒体を得る。

　上記磁気記録媒体にあっては、カーボン保護膜４３を、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層４３ａと、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層４３ｂを有するものとするので、潤滑膜４４のカーボン保護膜４３に対する密着性が高く、耐久性に優れたものとなる。

　上記磁気記録媒体が耐久性に優れたものとなるのは、スパッタリングによって形成されたスパッタカーボン層４３ｂが、プラズマＣＶＤ法によって形成されたカーボン膜に比べダングリングボンドの数が多く、このダングリングボンドが関与する結合によって潤滑膜４４に対して強固に接合することによるものであると考えられる。
　またこれに加えて、カーボン保護膜４３が、強度的に優れたプラズマＣＶＤカーボン層４３ａを有するものであるため、カーボン保護膜４３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。また、ＣＳＳ時にスピンオフなどの問題が生じるのを防ぐことができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となるという効果を得ることができる。
　なお、上記実施形態では、カーボン保護膜４３を、プラズマＣＶＤカーボン層４３ａとスパッタカーボン層４３ｂからなる２層構造を有するものとしたが、本発明の磁気記録媒体はこれに限らず、３層以上の構造を有するものであってもよい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例５０〜５２）
　図１および図５に示すプラズマＣＶＤ装置およびスパッタ装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を製造した。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜４１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３）からなる磁性膜４２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１０となるよう混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ４０ÅのプラズマＣＶＤカーボン層４３ａを形成した。この際、バイアス電源１３を用いて−１２０Ｖのパルス直流バイアス（周波数２００ｋＨｚ、パルス幅５００ｎｓ）をディスクＤに印加した。また、成膜時のディスクＤの温度は１５０℃とした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。

　続いて、上記操作によって表面にプラズマＣＶＤカーボン層４３ａを形成したディスクＤを、スパッタ装置のチャンバ５０内に搬入するとともに、供給源５３から供給されたスパッタガスを導入管５４を通してチャンバ５０内に導入した。　このスパッタガスとしては、表７に示す各成分を含有するものを用いた。
　同時に、電源５２を用いて、ターゲット５１に電力供給し、スパッタリングによりスパッタカーボン層４３ｂをディスクＤの両面に形成した。
　次いで、スパッタカーボン層４３ｂ上に、ディッピング法によってフォンブリン系潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚｄｏｌ２０００）を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜４４を形成し、磁気記録媒体を得た。
　得られた磁気記録媒体を、次に示すＢｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験、スピンオ フ試験、およびＣＳＳ試験に供した。

（１）Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験
　上記磁気記録媒体を溶剤（旭硝子社製ＡＫ２２５）中に１５分間浸漬した後に取り出す操作を行い、この操作前の潤滑膜４４の膜厚に対する操作後の潤滑膜４４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜４４の膜厚は、半径２０ｍｍの位置においてＥＳＣＡを用いて測定した。

（２）スピンオフ試験
　上記磁気記録媒体を、１００℃の温度条件下で、回転速度１００００ｒｐｍで１６８時間にわたって回転させる操作を行い、この操作前の潤滑膜４４の膜厚に対する操作後の潤滑膜４４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜４４の膜厚は、磁気記録媒体の半径２０ｍｍの位置（内周）、および半径４２ｍｍの位置（外周）においてＦＴ−ＩＲを用いて測定した。

（３）ＣＳＳ試験
　ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し８００００回のＣＳＳ操作を行うものとした。
　試験結果を表７に示す。

（試験例５３、５４）
　カーボン保護膜を、試験例５０〜５２の方法に準じてプラズマＣＶＤ法のみによって形成し、単層構造のカーボン保護膜を有するものとした磁気記録媒体を作製した（試験例５３）。
　また、カーボン保護膜を、従来公知のスパッタリング法により形成し、単層構造のカーボン保護膜を有するものとした磁気記録媒体も作製した（試験例５４）。
　これら磁気記録媒体を、上記３種の試験に供した。試験結果を表８に示す。
　なお、表中には、プラズマＣＶＤカーボン層をｐＣＶＤ層、スパッタカーボン層をスパッタ層と表記した。

　表７および表８に示すＣＳＳ試験の結果より、カーボン保護膜４３を、プラズマＣＶＤカーボン層４３ａおよびスパッタカーボン層４３ｂを有する２層構造とした磁気記録媒体が、８００００回に及ぶＣＳＳ操作に対して十分な耐久性を示したのに対し、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法のみ、またはスパッタリング法のみによって形成した単層構造の磁気記録媒体はヘッドクラッシュを引き起こしたことがわかる。
　また、Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験およびスピンオフ試験の結果より、カーボン保護膜４３を２層構造とした磁気記録媒体は、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法のみによって形成したものに比べ、潤滑膜厚の減少率が低いものとなったことがわかる。
　従って、カーボン保護膜４３を２層構造とした磁気記録媒体は、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法のみ、またはスパッタリング法のみによって形成した単層構造のものと比べ、耐久性に優れたものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、既知のスパッタリング法などを用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、続いて、次に示す２工程からなるカーボン保護膜成膜工程を行う。
　まず第１の工程として、次の操作を行う。
　上記非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、上述したとおり、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。
　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により好ましくは３０〜４５Åの第１カーボン層をディスクＤの両面に形成する。

この第１の工程では、この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行う。
　バイアスとして高周波バイアスを用いる場合には、バイアス電源１３として高周波電源を用い、１０〜３００Ｗの高周波電力をディスクＤに印加するのが好ましい。
　これは、成膜時にディスクＤに印加するバイアスが１０Ｗ未満であると、第１カーボン層が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなりその耐久性が低下し、３００Ｗを越えると、成膜時にスパークが起こりやすく第１カーボン層表面に異常成長部ができやすくなるためである。
　また、バイアスとしてパルス直流バイアスを用いる場合には、バイアス電源１３としてパルス直流電源を用いる場合には、−４００〜−１０Ｖの電圧をディスクＤに印加するのが好ましい。
　これは、成膜時にディスクＤに印加するバイアスが−４００Ｖ未満であると、成膜時にスパークが起こりやすく第１カーボン層表面に異常成長部ができやすくなり、−１０Ｖを越えると、第１カーボン層が、強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。
　また、パルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚとするのが好ましい。
　形成された第１カーボン層は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含むものとなる。
　第１カーボン層の厚さを３０〜４５Åとするのが好ましいとしたのは、この厚さが３０Å未満であるとカーボン保護膜の強度が低下し磁気記録媒体の耐久性が低下し、４５Åを越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時にスペーシングロスが大きくなり高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。

　続いて、以下に示す第２の工程を行う。
　第２の工程では、バイアス電源１３によるディスクＤへのバイアスの印加を停止し、バイアスの印加を行わないこと以外は上記第１の工程と同様の操作によって好ましくは５〜２０Åの第２カーボン層を第１カーボン層上に形成する。
　第２カーボン層の厚さを５〜２０Åとするのが好ましいとしたのは、この厚さが５Å未満であると、第２カーボン層と潤滑膜の間の接合力が低下し磁気記録媒体の摺動耐久性が低下しやすく、２０Åを越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時にスペーシングロスが大きくなり高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。
　なお、上記第１および第２の工程において電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　上記第１および第２の工程により、第１および第２カーボン層からなるカーボン保護膜がディスクＤ上に形成される。
　次いで、第２カーボン層上に、ディッピング法などの方法を用いてパーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤等の潤滑剤を塗布し好ましくは厚さ５〜４０Åの潤滑膜を形成する。
　このようにして、基板上に、非磁性下地膜、磁性膜、第１および第２カーボン層からなるカーボン保護膜、および潤滑膜を順次形成した磁気記録媒体を得る。
　上記製造方法によって製造された磁気記録媒体の例としては、例えば図４に示すものと同様の構造のものを挙げることができる。
　この例の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号４１は非磁性下地膜、符号４２は磁性膜、符号４３はカーボン保護膜、符号４３ａは第１カーボン層、符号４３ｂは第２カーボン層、符号４４は潤滑膜を示す。

　上記磁気記録媒体の製造方法にあっては、カーボン保護膜４３を、バイアスをディスクＤに印加しつつプラズマＣＶＤ法によって形成された第１カーボン層４３ａ上に、バイアスをディスクＤに印加しない状態でプラズマＣＶＤ法によって形成された第２カーボン層４３ｂを形成したものとするので、得られる磁気記録媒体が、第２カーボン層４３ｂに接する潤滑膜４４のカーボン保護膜４３に対する接合力が高く、耐久性に優れたものとなる。

　上記磁気記録媒体が耐久性に優れたものとなるのは、次の理由によるものであると考えられる。すなわち、バイアスをディスクＤに印加しない状態で形成した第２カーボン層４３ｂは、バイアスをディスクＤに印加しつつ形成した第１カーボン層４３ａに比べ、ダングリングボンドの数が多く、このダングリングボンドが関与する結合によって潤滑膜４４に対して強固に接合する。
　またこれに加えて、バイアスをディスクＤに印加しつつ形成した第１カーボン層４３ａは、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）をより多く含み、強度的に優れたものとなる。
　このため、カーボン保護膜４３が強度が高く、しかも潤滑膜４４に対し強固に接合したものとなり、カーボン保護膜４３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。また、ＣＳＳ時にスピンオフなどの問題が生じることがない。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　なお、上記実施形態では、カーボン保護膜４３を、第１カーボン層４３ａと第２カーボン層４３ｂからなる２層構造を有するものとしたが、本発明の磁気記録媒体はこれに限らず、３層以上の構造を有するものであってもよい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例５５〜５９）
　図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を製造した。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜４１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３） からなる磁性膜４２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１２となるよう混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、バイアス電源１３を用いて−１２０Ｖのパルス直流バイアス（周波数２００ｋＨｚ、パルス幅５００ｎｓ）をディスクＤに印加しつつ４５０Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、表９に示す厚さの第１カーボン層４３ａを形成した。また、成膜時のディスクＤの温度、成膜レートは、それぞれ１３０℃、４５０Å／ｍｉｎとした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。
　続いて、上記操作によって表面に第１カーボン層４３ａを形成したディスクＤ上に、バイアスをディスクＤに印加しないこと以外は第１カーボン層４３ａ形成操作と同様にして表９に示す厚さの第２カーボン層４３ｂを形成した。
　次いで、第２カーボン層４３ｂ上に、ディッピング法によってフォンブリン系潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚｄｏｌ２０００）を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜４４を形成し、磁気記録媒体を得た。
　得られた磁気記録媒体を、次に示すＢｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験、スピンオ フ試験、およびＣＳＳ試験に供した。

（１）Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験
　上記磁気記録媒体を溶剤（旭硝子社製ＡＫ２２５）中に１５分間浸漬した後に取り出す操作を行い、この操作前の潤滑膜４４の膜厚に対する操作後の潤滑膜４４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜４４の膜厚は、半径２０ｍｍの位置においてＥＳＣＡを用いて測定した。

（２）スピンオフ試験
　上記磁気記録媒体を、１００℃の温度条件下で、回転速度１００００ｒｐｍで１６８時間にわたって回転させる操作を行い、この操作前の潤滑膜４４の膜厚に対する操作後の潤滑膜４４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜４４の膜厚は、磁気記録媒体の半径２０ｍｍの位置（内周）、および半径４２ｍｍの位置（外周）においてＦＴ−ＩＲを用いて測定した。

（３）ＣＳＳ試験
　ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し４００００回のＣＳＳ操作を行うものとした。試験結果を表９に示す。

（試験例６０）
　第２カーボン層４３ｂを形成しないこと以外は上記試験例と同様にして磁気記録媒体を作製した。
　この磁気記録媒体を、上記３種の試験に供した。試験結果を表９に示す。

（試験例６１）
　カーボン保護膜を、従来方法と同様のスパッタリング法によって形成した磁気記録媒体を作製した。
　この磁気記録媒体を、上記３種の試験に供した。試験結果を表９に示す。

　表９に示すＣＳＳ試験の結果より、カーボン保護膜４３を、第１および第２カーボン層４３ａ、４３ｂからなるものとした磁気記録媒体は、カーボン保護膜を単層構造としたものに比べ、高い摺動耐久性を有するものとなったことがわかる。
　特に、第２カーボン層４３ｂの厚さを５〜２０Åとした磁気記録媒体はＣＳＳ操作に対して十分な耐久性を示したことがわかる。
　また、Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験およびスピンオフ試験の結果より、カーボン保護膜４３を２層構造とした磁気記録媒体は、カーボン保護膜を単層構造としたものに比べ、潤滑膜厚の減少率が低いものとなったことがわかる。
　従って、カーボン保護膜を２層構造とした磁気記録媒体は、耐久性に優れたものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　次に、本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態について説明する。
　本実施形態の磁気記録媒体は、図４に示すものと同様の構造とすることができる。本実施形態の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号４１は非磁性下地膜、符号４２は磁性膜、符号４３は保護膜、符号４４は潤滑膜を示す。
　非磁性基板Ｓとしては、ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。
　また、基板Ｓは、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。非磁性下地膜４１、磁性膜４２の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。

　本実施形態の磁気記録媒体においては、保護膜４３が、タンタル窒素層４３ａ上にカーボン層４３ｂを形成した２層構造を有するものとされる。
　タンタル窒素層４３ａは、タンタルおよび窒素からなり、窒素含有量が１〜３０ａｔ％である材料を主成分とするものとされる。
　この材料の窒素含有量が１ａｔ％未満であると、保護膜４３の強度が低下し、得られる磁気記録媒体の耐久性が低下する。また窒素含有量が３０ａｔ％を越えると、保護膜４３の強度が低下し、得られる磁気記録媒体の耐久性が低下する。
　タンタル窒素層４３ａ中のタンタルおよび窒素は、ＴａＮ、Ｔａ_２Ｎ、Ｔａ_３Ｎ_５ 、単体、これらの混合物などの形態で存在する。
　タンタル窒素層４３ａの厚さは、１〜９５Åとするのが好ましい。
　これは、この厚さが１Å未満であると、保護膜４３の強度が不足し、９５Åを越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時においてスペーシングロスが大きくなり、高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。　カーボン層４３ｂは、プラズマＣＶＤ法によって形成されたものとされる。
　カーボン層４３ｂの厚さは、５〜１００Åとするのが好ましい。
　これは、この厚さが５Å未満であると、カーボン層４３ｂと潤滑膜４４の間の接合力が低下し磁気記録媒体の摺動耐久性が低下しやすく、１００Åを越えると、保護膜４３の強度が低下するためである。
　潤滑膜４４は、パーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤などからなるものとするのが好ましい。潤滑膜４４の厚さは、５〜４０Åとするのが好適である。

　次に、上記磁気記録媒体を製造する場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　本実施形態の製造方法では、ターゲット５１として、タンタル、またはタンタルと窒素の混合物を主成分とする材料からなるものが用いられること以外は図５に示すものと同様の構造のスパッタ装置が用いられる。
　電源５２としては、直流電源または高周波電源を用いることができる。直流電源としては、５０〜６０００Ｗの電力をターゲット５１に供給することが可能なものを用いるのが好ましい。
　上記スパッタ装置、および図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて上記磁気記録媒体を製造するには、まず、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金などからなる基板Ｓの両面に、スパッタリング法等の方法を用いて、Ｃｒ合金などからなる非磁性下地膜４１、およびＣｏ合金などからなる磁性膜４２を順次形成し、ディスクＤを得る。
　続いて、このディスクＤを、スパッタ装置のチャンバ５０内に搬入するとともに、供給源５３から供給されたスパッタガスを導入管５４を通してチャンバ５０内に導入しつつチャンバ５０内のガスを排気管５５を通して排出し、上記ディスクＤの表面をこのスパッタガスに曝す。
　このスパッタガスとしては、次に示すものを用いることができる。
　ターゲット５１として、タンタルを主成分とするものを用いる場合には、通常、スパッタリング法で用いられるＡｒなどのガスに、このガスに対し例えば０．１〜１００ｖｏｌ％の窒素ガスを添加したものを用いることができる。
　また、ターゲット５１として、タンタルおよび窒素の混合物を主成分とするものを用いる場合には、Ａｒなどのガス、またはこのガスに窒素を適当量含有させたものを用いることができる。
　同時に、電源５２を用いて、ターゲット５１に電力供給しスパッタリングによりターゲット５１の材料をディスクＤ上に供給し、タンタルおよび窒素からなる材料を主成分とするタンタル窒素層４３ａをディスクＤの両面に形成する。
　この操作を行う際には、スパッタガスの流量を１０〜２００ｓｃｃｍとするのが好ましい。

　次いで、タンタル窒素層４３ａを形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。
　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により好ましくは５〜１００Åのカーボン層４３ｂをディスクＤの両面に形成する。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　形成されたカーボン層４３ｂは、従来公知のスパッタリング法によって形成されたカーボン膜に比べ、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含み、強度的に優れたものとなる。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。

　次いで、カーボン層４３ｂ上に、ディッピング法などの方法を用いてパーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤等の潤滑剤を塗布し潤滑膜４４を形成する。このようにして、基板Ｓ上に、非磁性下地膜４１、磁性膜４２を形成し、その上にタンタル窒素層４３ａとカーボン層４３ｂからなる保護膜４３、および潤滑膜４４を順次形成した磁気記録媒体を得る。

　上記磁気記録媒体にあっては、保護膜４３を、タンタルおよび窒素からなる材料を主成分とするタンタル窒素層４３ａ上に、プラズマＣＶＤ法により形成されたカーボン層４３ｂを有するものとしたので、耐久性に優れたものとなる。
　上記磁気記録媒体が耐久性に優れたものとなるのは、保護膜４３が、硬度の高いタンタル窒素層４３ａ上に、十分な強度を有ししかも潤滑膜４４に対する接合力が比較的高いカーボン層４３ｂを形成したものであるためであると考えられる。
　このため、保護膜４３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　なお、上記実施形態では、保護膜４３を、タンタル窒素層４３ａとカーボン層４３ｂからなる２層構造を有するものとしたが、本発明の磁気記録媒体はこれに限らず、３層以上の構造を有するものであってもよい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例６２〜６４）
　上記プラズマＣＶＤ装置、およびスパッタ装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を製造した。スパッタ装置としては、ターゲット５１がタンタルからなるものを用いた。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜４１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３） からなる磁性膜４２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　続いて、上記ディスクＤを、スパッタ装置のチャンバ５０内に搬入するとともに、供給源５３から供給されたスパッタガスを導入管５４を通してチャンバ５０内に導入した。
　このスパッタガスとしては、窒素を表１０に示す割合でＡｒに含有させたものを用いた。チャンバ５０の内圧は０．７Ｐａとした。
　同時に、電源５２を用いて、ターゲット５１に６００Ｗの直流電力を供給し、スパッタリングにより窒素およびタンタルからなるタンタル窒素層４３ａをディスクＤの両面に形成した。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスをチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を表１０に示す割合で混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、バイアス電源１３を用いて５０Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）をディスクＤに印加しつつ３００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、カーボン層４３ｂを形成した。
　また、カーボン層４３ｂ形成時のディスクＤの温度は１３０℃とした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。
　次いで、カーボン層４３ｂ上に、ディッピング法によってフォンブリン系潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚｄｏｌ２０００）を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜４４を形成し、磁気記録媒体を得た。

　得られた磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験に供した。このＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件でこの磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。試験結果を表１０に示す。

（試験例６５）
　タンタル窒素層を形成せず、保護膜をカーボン層のみからなる単層構造として磁気記録媒体を作製した。

（試験例６６）
　カーボン層を形成せず、保護膜をタンタル窒素層のみからなる単層構造として磁気記録媒体を作製した。

（試験例６７）
　保護膜をタンタル窒素層とカーボン層からなる２層構造とし、タンタル窒素層を形成する際に用いるスパッタガスとして、表１０に示す割合の窒素を含むものを用いる方法によって磁気記録媒体を作製した。
　この磁気記録媒体を上記ＣＳＳ試験に供した。試験結果を表１０に示す。
　上記試験例６２、６３、６４、６６の磁気記録媒体のタンタル窒素層中の窒素含有率はいずれも５ａｔ％となり、試験例６７の磁気記録媒体のタンタル窒素層中の窒素含有率は４０ａｔ％となった。

　表１０に示すＣＳＳ試験の結果より、保護膜４３を、タンタル窒素層４３ａ上にカーボン層４３ｂを形成したものとし、タンタル窒素層４３ａ中の窒素含有率を、１〜３０ａｔ％とした磁気記録媒体は、２００００回に及ぶＣＳＳ操作に対して十分な耐久性を示したのに対し、保護膜を単層構造、またはタンタル窒素層内の窒素含有率を上記範囲外とした磁気記録媒体は、耐久性に劣るものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れた保護膜を形成することができる。このため、保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　図６および図７は、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を実施するために用いられる製造装置の要部を示すもので、図６は紫外線光照射装置を示し、図７は洗浄装置を示す。
　紫外線光照射装置は、カーボン保護膜表面に紫外線光を照射するためのもので、カーボン保護膜を形成したディスクを収容するチャンバ７４と、チャンバ７４内に収容されたディスクの表面に紫外線光を照射する紫外線光源７５を備えたものとされる。この紫外線光源７５としては、波長１００〜４００ｎｍの紫外線光を発することができるものを用いるのが好ましい。
　紫外線光源７５の好適な具体例としては、エキシマ発光ランプを挙げることができる。
　洗浄装置は、紫外線光照射装置を経たディスクのカーボン保護膜表面を水洗するためのもので、ディスクを収容するチャンバ８６と、チャンバ８６内に収容されたディスクを洗浄する洗浄水の供給源８７と、供給源８７から供給された洗浄水を上記ディスクに向けて噴射するノズル８８を備えたものとされる。

　次に、上記紫外線光照射装置、洗浄装置に加え、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法などを用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　次いで、上記非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により好ましくは３０〜１００Åのカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　形成されたカーボン保護膜は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含むものとなる。

　本実施形態の磁気記録媒体の製造方法では、続いて、上記カーボン保護膜を形成したディスクＤを紫外線光照射装置のチャンバ７４内に搬入するとともに、紫外線光源７５を用いて好ましくは波長１００〜４００ｎｍの紫外線光を上記ディスクＤのカーボン保護膜の表面に照射する。
　この紫外線光として、波長が１００ｎｍ未満であるものを用いると、エネルギーロスが大きくなり、４００ｎｍを越えるものを用いると、カーボン保護膜２３の改質効果が不十分となるため好ましくない。
　紫外線照射条件は、照度５〜５０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間２〜６００秒間とするのが好ましい。
　次いで、紫外線光照射装置を経たディスクＤを、洗浄装置内に搬入するとともに、ノズル８８を用いて、供給源８７から供給された洗浄水を上記ディスクＤに向けて噴射し、カーボン保護膜表面を洗浄する。ここで用いる洗浄水としては、不純物含有量の少ない超純水を用いると、カーボン保護膜表面をより清浄化できるため好ましい。
　次いで、洗浄装置を経たディスクＤ表面のカーボン保護膜上に、ディッピング法などの方法を用いてパーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤等の潤滑剤を塗布し潤滑膜を形成する。このようにして、基板上に、非磁性下地膜、磁性膜、カーボン保護膜、および潤滑膜を順次形成した磁気記録媒体を得る。

　上記製造方法によって製造された磁気記録媒体の例としては、例えば図２に示すものと同様の構造のものを挙げることができる。
　この例の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号３１は非磁性下地膜、符号３２は磁性膜、符号３３はカーボン保護膜、符号３４は潤滑膜を示す。

　上記磁気記録媒体の製造方法にあっては、潤滑膜３４の形成に先立ち、カーボン保護膜３３の表面に紫外線光を照射するので、その表面の膜質が改質され、カーボン保護膜３３の潤滑膜３４に対する密着性が高くなり、耐久性に優れたものとなる。

　上記磁気記録媒体が耐久性に優れたものとなるのは、次の理由によるものであると考えられる。すなわち、紫外線光照射装置による紫外線光照射処理によって、カーボン保護膜３３の表面付近のごく浅い領域は、ダングリングボンドを多く有するものとなり、カーボン保護膜３３は、このダングリングボンドが関与する結合によって潤滑膜３４に対して強固に接合する。
　このため、カーボン保護膜３３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。また、ＣＳＳ時にスピンオフなどの問題が生じるのを防ぐことができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　また、紫外線光源７５としてエキシマ発光ランプを用いることによって、短いパルス幅で高い出力が得られ、効率のよいカーボン保護膜３３の表面改質を行うことができる。
　また、カーボン保護膜３３の表面を水洗することによって、カーボン保護膜３３の表面に不純物が付着している場合でもこの不純物を除去し、これを清浄化することができる。
　このため、カーボン保護膜３３と潤滑膜３４との間の不純物を原因としてこれらの間の接合力が低下し、磁気記録媒体の耐久性が低下するのを防ぐことができる。

　また、上記実施形態の製造方法では、カーボン保護膜の形成後、その表面に紫外線光を照射し、次いで水洗を行ったが、本発明の磁気記録媒体の製造方法はこれに限らず、カーボン保護膜の形成後、紫外線光照射工程に先だって、水洗工程を行ってもよい。
　また紫外線光照射を行わずに、カーボン保護膜表面の水洗を行うものであってもよい。また水洗を行わず、紫外線光照射のみを行うものであってもよい。
　また、本発明の磁気記録媒体の製造方法では、カーボン保護膜形成後、カーボン保護膜表面微小突起を削り取るテープバニッシュ工程を行ってもよい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例６８）
　図１、図６および図７に示すプラズマＣＶＤ装置、紫外線光照射装置、および洗浄装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を製造した。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜３１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３ ）からなる磁性膜３２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１２となるよう混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、バイアス電源１３を用いて−１２０Ｖのパルス直流バイアス（周波数２００ｋＨｚ、パルス幅５００ｎｓ）をディスクＤに印加しつつ４５０Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜３３を形成した。また、成膜時のディスクＤの温度、成膜レートは、それぞれ１３０℃、４５０Å／ｍｉｎとした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。
　続いて、上記操作によってカーボン保護膜３３を形成したディスクＤを、洗浄装置内に搬入し、超純水を用いてその表面を洗浄した。
　続いて、ディスクＤを紫外線光照射装置のチャンバ７４内に搬入し、紫外線光源７５を用いて紫外線光をこのディスクＤに照射した。
　この際、紫外線光源７５としては、波長１７２ｎｍ（半値幅１４ｎｍ）の紫外線光を照射できるエキシマランプ（ウシオ電機製）を用い、窒素ガス雰囲気下で照度１０ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間３０秒の条件で紫外線光照射を行った。
　続いて、ディスクＤを再び洗浄装置を用いて水洗し、次いで、洗浄後のカーボン保護膜３３上に、ディッピング法によってフォンブリン系潤滑剤（Ｆｏｍｂｌｉｎ Ｚｄｏｌ２０００）を塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜３４を形成し、磁気記録媒体を得た。

（試験例６９）
　紫外線光源７５として、波長２２２ｎｍの紫外線光（半値幅２ｎｍ）を照射できるエキシマランプ（ウシオ電機製）を用い、窒素ガス雰囲気下で照度７ｍＷ／ｃｍ^２、照射時間３０秒の条件でディスクＤに紫外線光照射を行うこと以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７０）
　ディスクＤへの紫外線光照射を空気中で行うこと以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７１）
　紫外線光源７５として、試験例６８で用いたものと同様のものを用い、上記水洗工程を行わないこと以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７２）
　紫外線光照射を行わないこと以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。
　上記各試験例によって得られた磁気記録媒体を、次に示すＢｏｎｄｅｄ Ｒａ ｔｉｏ試験、スピンオフ試験、およびＣＳＳ試験に供した。

（１）Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験
　上記磁気記録媒体を溶剤（旭硝子社製ＡＫ２２５）中に１５分間浸漬した後に取り出す操作を行い、この操作前の潤滑膜３４の膜厚に対する操作後の潤滑膜３４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜３４の膜厚は、半径２０ｍｍの位置においてＥＳＣＡを用いて測定した。

（２）スピンオフ試験
　上記磁気記録媒体を、１００℃の温度条件下で、回転速度１００００ｒｐｍで１６８時間にわたって回転させる操作を行い、この操作前の潤滑膜３４の膜厚に対する操作後の潤滑膜３４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜３４の膜厚は、磁気記録媒体の半径２０ｍｍの位置（内周）、および半径４２ｍｍの位置（外周）においてＦＴ−ＩＲを用いて測定した。

（３）ＣＳＳ試験
　ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、低温低湿環境（５℃、１５％）下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し５０００回のＣＳＳ操作を行うものとした。
　このＣＳＳ試験としては、上記磁気記録媒体を、上記ＣＳＳ操作を行うに先だって１８０℃の温度環境下で３時間ベーク処理するベーク処理試験と、ベーク処理を行わない試験の２種の試験を実施した。試験結果を表１１に示す。

（試験例７３）
　紫外線光照射、および水洗を行わないこと以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７４）
　カーボン保護膜（厚さ１００Å）を、従来方法と同様のスパッタリング法によって形成すること以外は試験例６８と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７５）
　水洗を行わないこと以外は試験例７４と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７６）
　紫外線光照射を行わないこと以外は試験例７４と同様にして磁気記録媒体を作製した。

（試験例７７）
　紫外線光照射および水洗を行わないこと以外は試験例７４と同様にして磁気記録媒体を作製した。
　これら磁気記録媒体を、上記３種の試験に供した。試験結果を表１１に示す。
　なお、表中、プラズマＣＶＤ法はｐＣＶＤ法と表記した。また紫外線光照射はＵＶ照射と表記した。

　表１１に示すＣＳＳ試験の結果より、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、しかも潤滑膜の形成に先だって、紫外線光照射および／または超純水洗浄を行う方法により作製された磁気記録媒体は、５０００回に及ぶＣＳＳ操作に対して十分な耐久性を示したことがわかる。
　また、Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験およびスピンオフ試験の結果より、紫外 線照射を行う方法によって作製された磁気記録媒体は、紫外線照射を行わない方法により作製されたものに比べ、潤滑膜厚の減少率が低いものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　次に、本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態を説明する。
　本実施形態の磁気記録媒体は、図２に示すものと同様の構造とすることができる。本実施形態の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号３１は非磁性下地膜、符号３２は磁性膜、符号３３はカーボン保護膜、符号３４は潤滑膜を示す。
　非磁性基板Ｓとしては、ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。
　また、基板Ｓは、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。
　非磁性下地膜３１、磁性膜３２の材料としては、上述したものを採用することができる。非磁性下地膜３１、磁性膜３２の厚さは、５０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。
　カーボン保護膜３３は、プラズマＣＶＤ法によって形成されたものとされる。
　カーボン保護膜３３の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体において、潤滑膜３４は、下記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものとされる。潤滑膜３４の厚さは、５〜４０Åとするのが好適である。
　なお本明細書において主成分とは当該成分を７０ｗｔ％を越えて含むことを指す。

　上記式（１）ないし式（５）で示される化合物の分子量は、５００未満であるとスピンオフ性が悪化し、６０００を越えると、得られる磁気記録媒体の表面潤滑性が悪化し、ＣＳＳ特性が劣化するため好ましくない。
　上記化合物の中でも特に、潤滑膜３４を、式（１）または式（５）で示され、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものとすると、スピンオフ性、ＣＳＳ特性をより高めることができるため好ましい。
　また、潤滑膜３４は、上記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物に、下記式（６）で示される化合物を含有率が０．１〜２０ｗｔ％となるよう混合した混合物を主成分とするものとすることも可能である。

　なお、式（６）で示す化合物は、６員環構造をなす窒素およびリンのうち１または２以上に、（Ｆ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ）および／または（Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＦ_３） で表される構造が合計６個結合したものである。
　式（６）で示される化合物を用いる場合には、この化合物の含有率が０．１ｗｔ％未満であると、得られる磁気記録媒体の表面潤滑性が低下しＣＳＳ特性が低くなり、２０ｗｔ％を越えると、ヘッドにこの化合物由来のスメアが付着しやすくなるため好ましくない。

　次に、上記磁気記録媒体を製造する方法を説明する。
　上記磁気記録媒体を製造するには、まず、スパッタリング法などを用いて、非磁性基板Ｓの両面に非磁性下地膜３１、磁性膜３２を形成し、ディスクＤを得る。
　次いで、上記ディスクＤを、図１に示すプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるように混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。
　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により好ましくは３０〜１００Åのカーボン保護膜３３をディスクＤの両面に形成する。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　形成されたカーボン保護膜３３は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含むものとなる。

　続いて、ディッピング法などを用いて、上記化学式で示される化合物からなる潤滑剤をカーボン保護膜３３上に塗布し、好ましくは厚さ５〜４０Åの潤滑膜３４を形成する。このようにして、基板Ｓ上に、非磁性下地膜３１、磁性膜３２、カーボン保護膜３３、および潤滑膜３４を順次形成した磁気記録媒体を得る。
　上記磁気記録媒体にあっては、潤滑膜３４を、式（１）ないし式（５）のうち１種または２種以上で示される化合物を主成分とするもの、または該化合物に、式（６）で示される化合物を含有率が０．１〜２０ｗｔ％となるよう混合した混合物を主成分とするものとしたので、潤滑膜３４が、カーボン保護膜３３に対して密着性が高く、耐久性に優れたものとなる。

　上記磁気記録媒体が耐久性に優れたものとなるのは、上記材料からなる潤滑膜３４が、プラズマＣＶＤ法により形成されたカーボン保護膜３３に対して強固に接合するためであると考えられる。
　このため、カーボン保護膜３３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。また、ＣＳＳ時にスピンオフなどの問題が生じることがない。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例７８〜８４）
　図２に示すものと同様の磁気記録媒体を次のようにして作製した。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜３１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３） からなる磁性膜３２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。
　この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１２となるよう混合したものを用いた。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、バイアス電源１３を用いて−１２０Ｖのパルス直流バイアス（周波数２００ｋＨｚ、パルス幅５００ｎｓ）をディスクＤに印加しつつ４５０Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜３３を形成した。また、成膜時のディスクＤの温度、成膜レートは、それぞれ１３０℃、４５０Å／ｍｉｎとした。また、電極１１、１１にそれぞれ供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。
　続いて、カーボン保護膜３３上に、ディッピング法によって表１２に示す材料からなる厚さ２０Åの潤滑膜３４を形成し、磁気記録媒体を得た。
　表中、カッコ内の数字は、上記式の番号に対応するものである。すなわち、例えば試験例７８で用いたＦｏｍｂｌｉｎ　ＺＴＥＴＲＡＯＬ２０００（１）は、上記式（１）に示す化合物を示す。
　また、試験例８３の磁気記録媒体では、潤滑膜３４を、Ｆｏｍｂｌｉｎ　ＺＴＥＴＲＡＯＬ２０００（１）と、Ｆｏｍｂｌｉｎ　Ｚｄｏｌ２０００（４）との混合物（混合比率は重量比で１：１）からなるものとした。
　また、試験例８４の磁気記録媒体では、潤滑膜３４を、Ｄｅｍｎｕｍ ＳＰ（２） に、Ｘ１Ｐ（６）を３ｗｔ％となるよう添加し混合した材料からなるものとした。
　得られた磁気記録媒体を、次に示すＢｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験、およびＣＳＳ試験に供した。

（１）Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験
　上記磁気記録媒体を溶剤（旭硝子社製ＡＫ２２５）中に１５分間浸漬した後に取り出す操作を行い、この操作前の潤滑膜３４の膜厚に対する操作後の潤滑膜３４の膜厚の比（％）を算出した。なお、潤滑膜３４の膜厚は、半径２０ｍｍの位置においてＥＳＣＡを用いて測定した。
　また、上記Ｂｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験終了後の磁気記録媒体を、１２０℃ の温度環境下に３時間おいた後、同様にしてＢｏｎｄｅｄ Ｒａｔｉｏ試験に供 した。試験結果を表１２に示す。
　なお、表１２には、１２０℃の加熱処理を行った後の試験結果をベーク有の欄に記載し、加熱処理前の試験結果をベーク無の欄に記載した。

（２）ＣＳＳ試験
　上記磁気記録媒体を１２０℃の温度環境下で３時間ベーク処理した後、ＭＲヘッドを用い、低温低湿環境（５℃、１５％）下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し１００００回のＣＳＳ操作を行った後、この磁気記録媒体表面の動摩擦係数を測定した。さらに、上記磁気記録媒体を６時間静置した後、静摩擦係数を測定した。

（試験例８５〜８８）
　カーボン保護膜をスパッタリング法により形成し、潤滑膜を表１２に示す材料からなるものとして磁気記録媒体を作製した。
　これら磁気記録媒体を、上記２種の試験に供した。試験結果を表１２に示す。
　なお、表中、プラズマＣＶＤ法はｐＣＶＤ法と表記した。

　表１２に示すＣＳＳ試験の結果より、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、しかも潤滑膜を、式（１）ないし式（５）のうち１種または２種以上で示される化合物を主成分とするもの、または該化合物に、式（６）で示される化合物を０．１〜２０ｗｔ％含有させたものを主成分とするものとした磁気記録媒体は、摩擦係数が低く保たれ、良好な摺動耐久性を示したことがわかる。
　従って、上記磁気記録媒体は、耐久性に優れたものとなったことがわかる。
　また、カーボン保護膜をスパッタリング法によって形成した磁気記録媒体では、高温下でのベーク処理によってヘッドクラッシュまたは静摩擦係数の増加が起きたのに対し、カーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法により形成し、かつ潤滑膜を上記化合物を主成分とするものとした磁気記録媒体は、高温処理によっても摩擦係数が低く保たれたことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　図８は、本発明の磁気記録媒体のさらに他の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板Ｓ上に非磁性下地膜６１、磁性膜６２、カーボン保護膜６３を順次形成したものである。
　非磁性基板Ｓとしては、ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。
　また、基板Ｓは、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。
　非磁性下地膜６１、磁性膜６２の材料としては、上述したものを採用することができる。
　非磁性下地膜６１、磁性膜６２の厚さは、それぞれ５０〜１０００Å、５０〜８００Åとするのが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体において、カーボン保護膜６３は、プラズマＣＶＤ法により形成されたものとされ、Ｃｏ抽出量が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以 下、好ましくは２ｎｇ／ｃｍ^２以下、さらに好ましくは１．５ｎｇ／ｃｍ^２以下であるものとされている。
　ここでいうＣｏ抽出量とは、５０ａｔ％以上のＣｏを含む磁性膜上に保護膜を形成した磁気記録媒体を、温度６０℃、湿度８０％の条件下に９６時間置いた後、２５℃の条件下で水中に３０分間浸漬した際に、この水中に浸出したＣｏ量を指すものである。
　このＣｏ抽出量が３ｎｇ／ｃｍ^２を越えると、磁気記録媒体の耐久性が低下す るため好ましくない。
　カーボン保護膜６３の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　これは、この厚さが３０Å未満であると、カーボン保護膜６３の強度が不足し、１００Åを越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時においてスペーシングロスが大きくなり、高記録密度化した際に出力特性が低下しやすいものとなるためである。
　また、カーボン保護膜６３上には、パーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤などからなる厚さ５〜４０Åの潤滑膜を設けることも可能である。

　次に、上記磁気記録媒体を製造する方法について説明する。
　上記磁気記録媒体を製造するには、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いることができる。
　この装置を用いて上記磁気記録媒体を製造するには、まず、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金などからなる基板Ｓの両面に、スパッタリング法等の方法を用いて、Ｃｒ合金などからなる非磁性下地膜６１、およびＣｏ合金などからなる磁性膜６２を順次形成し、ディスクＤを得る。
　次いで、このディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。またチャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。

　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長により好ましくは３０〜１００Åのカーボン保護膜６３をディスクＤの両面に形成する。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、上述したとおり、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　形成されたカーボン保護膜６３は、従来公知のスパッタリング法によって形成されたカーボン膜に比べ、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含み、密度、強度が高く、Ｃｏ抽出量が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以下であるものとなる。
　次いで、カーボン保護膜６３上に、ディッピング法などの方法を用いてパーフルオロポリエーテル、フォンブリン系潤滑剤等の潤滑剤を塗布し潤滑膜を形成するのが好ましい。

　上記磁気記録媒体にあっては、カーボン保護膜６３を、プラズマＣＶＤ法により形成され、かつＣｏ抽出量が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以下であるものと したので、カーボン保護膜６３が、硬度、密度が高く、強度、耐コロージョン性に優れたものとなる。
　このため、カーボン保護膜６３の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能となる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例８９〜９２）
　図８に示す磁気記録媒体を次のようにして作製した。
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板Ｓ両面に、スパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒからなる非磁性下地膜６１（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金（Ｃｏ_８２Ｃｒ_１５Ｔａ_３） からなる磁性膜６２を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、チャンバ１０内に供給した。この反応ガスとしては、トルエンと水素を混合したものを用いた。それぞれの流量は表１３に示すとおりとした。また、チャンバ１０の内圧は６Ｐａとした。
　同時に、表１３に示す条件の高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜６３を形成し磁気記録媒体を得た。
　この際、バイアス電源１３を用いて表１３に示す条件のパルス直流バイアス（ＤＣ）または高周波バイアス（ＲＦ）をディスクＤに印加した。また、成膜時のディスクＤの温度は、１３０℃とした。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。またディスクＤと電極１１の距離は３０ｍｍとした。なお、表中、プラズマＲＦ電力とは電極１１に供給する高周波電力を示す。

　上記カーボン保護膜６３を形成した磁気記録媒体のＣｏ抽出量を、次に示すコロージョン試験によって測定した。
　コロージョン試験は、上記磁気記録媒体を、高温高湿（温度６０℃、湿度８０％）条件下に９６時間放置した後、５０ｃｃの超純水中に３０分間浸漬し、この超純水中に抽出されたＣｏ量を測定するものとした。また同様に、この磁気記録媒体を常温常湿（温度２５℃、湿度５０％）条件下に９６時間置いた後、同様にＣｏ抽出量を測定する試験も行った。試験結果を表１４に示す。
　この磁気記録媒体に、ラマン分光分析装置（ＪＥＯＬ社製）を用いて、ラマン分光法（アルゴンイオンレーザー励起）による分析を試みた結果を表１４に併せて示す。
　また、上記磁気記録媒体のカーボン保護膜６３の硬度を、ピコインデンタ（Ｈｙｓｉｔｒｏｎ社製）を用いて測定した。結果を表１４に併せて示す。

（試験例９３）
　カーボン保護膜を、カーボンからなるターゲットを用いて従来公知のスパッタリング法により形成し、保護膜をカーボンからなるものとした磁気記録媒体を作製した。
　この際、スパッタガスとしてはＡｒを用い、その流量は９０ｓｃｃｍとした。　　　

（試験例９４）
　カーボン保護膜を、カーボンからなるターゲットを用いて従来公知のスパッタリング法により形成した。この際、スパッタガスとしてはＡｒと窒素の混合ガスを用い、その流量はそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５０ｓｃｃｍとし、保護膜を、窒素およびカーボンからなるものとした。
　これら磁気記録媒体を、上記コロージョン試験、ラマン分光分析、硬度測定に供した。結果を表１４に併せて示す。

　表１３および表１４より、カーボン保護膜を、プラズマＣＶＤ法により形成され、かつＣｏ抽出量（６０℃、８０％）が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以下であるものとした磁気記録媒体は、他のものに比べ、Ｇバンドピークが高周波側に現れ、しかもＩｄ／Ｉｇが低いものとなり、ＤＬＣ化され硬度が高いものとなったことがわかる。

　以上説明したように、本発明によれば、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　図９は、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を実施するために用いられるテクスチャ加工装置を示すものである。
　ここに示すテクスチャ加工装置は、テクスチャ加工を施すべき非磁性基板Ｓを回転可能に支持する基板支持部２４と、非磁性基板Ｓを機械的に研磨する研磨テープＡを走行させる研磨テープ供給部２５、２５と、研磨テープＡを基板Ｓ表面の一領域に押し当てるコンタクトローラ２６、２６と、研磨テープＡと基板Ｓの接触部分に砥粒を供給する砥粒供給ノズル２７、２７を有するものである。
　研磨テープ供給部２５は、研磨テープＡを送り出す送出ロール２５ａと、研磨テープＡを引き取る引取ロール２５ｂを備えたもので、送出ロール２５ａに巻き付けられた研磨テープＡを、引取ロール２５ｂによって、研磨テープＡが接触する部分の基板Ｓの半径方向に対して垂直な方向に任意の速度で引き取ることができるように構成されている。研磨テープ供給部２５は、基板Ｓの両面側に各々設けられている。
　また、研磨テープ供給部２５は、図示せぬ揺動機構によって、研磨テープＡを、テープ走行方向に対しほぼ垂直な方向に揺動させることができるように構成するのが好ましい。
　また、基板支持部２４をテープ走行方向に対しほぼ垂直な方向に揺動させることができるように構成し、基板Ｓを研磨テープＡに対し揺動させることができるようにすることも可能である。

　コンタクトローラ２６は、合成樹脂、ゴム、金属などからなるものとされ、基板Ｓの両面側にそれぞれ設けられ、テープ走行方向に対してほぼ垂直な方向に沿い、かつ研磨テープＡを介して基板Ｓに接するように配設されている。
　コンタクトローラ２６の外径は、２０〜１００ｍｍとするのが好ましく、軸方向長さは、テクスチャ加工時に、基板Ｓの研磨処理を施すべき面の最内周側から最外周側に至る長さに設定するのが好ましい。
　コンタクトローラ２６は、基板Ｓ方向に付勢され、上記研磨テープＡを所定の押付圧力、例えば０．３〜４ｋｇ／ｃｍ^２で基板Ｓに押し当てることができるよう に構成するのが好ましい。

　研磨テープＡとしては、汎用のポリッシングテープ、テクスチャテープ、ワイピングテープを用いることができ、特に、厚さ０．１〜１．０ｍｍ、幅２０〜６０ｍｍのものを用いるのが好ましい。

　砥粒供給ノズル２７は、コンタクトローラ２６の上方位置に設けられ、図示せぬ砥粒スラリー貯留槽内の砥粒スラリーを流下し、研磨テープＡと基板Ｓの接触部分に供給することができるように構成されている。

　次に、上記テクスチャ加工装置と、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、非磁性基板Ｓをテクスチャ加工装置の基板支持部２４に保持させる。
　この非磁性基板Ｓとしては、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能であり、ＮｉＰメッキ膜が形成されたアルミニウム合金基板に加え、ガラス、シリコンなどからなるものを用いることができる。
　この基板Ｓを所定の速度で図中矢印方向に回転させる。
　基板Ｓの回転数は、３００〜２０００ｒｐｍとするのが好ましい。これは、この回転数が３００ｒｐｍ未満であるとテクスチャ加工効率が低下し、２０００ｒｐｍを越えると、基板加工表面形状が不均一となり易いためである。
　この際、研磨テープ供給部２５にセットされた研磨テープＡを、引取ロール２５ｂにより引き取る。この際、研磨テープＡの引き取り速度は、０．１〜２ｃｍ／ｓｅｃとするのが好ましい。
　研磨テープＡは、コンタクトローラ２６と基板Ｓの間を通過する際に、基板Ｓの両面に接触しつつ基板Ｓ上を走行する。
　同時に、砥粒供給ノズル２７を通して、図示せぬ砥粒スラリー貯留槽内の砥粒スラリーを研磨テープＡ上に流下する。
　上記砥粒スラリーとしては、水中に砥粒を懸濁させたものが用いられる。
　この砥粒としては、既知のテクスチャ加工法に用いられる汎用のものを用いることができ、例えば、ダイヤモンド系、アルミナ系、炭化珪素系のもの等が使用可能である。中でも特に、ダイヤモンド系のものを用いるのが好ましい。砥粒は、平均粒径が０．１〜０．５μｍであるものを用いるのが好適である。
　この平均粒径は０．１μｍ未満であると研磨が不十分となりやすく、０．５μｍを越えると基板表面の粗さが大きくなりすぎるおそれがある。
　この砥粒スラリーは、水に対し上記砥粒を５〜３０％添加したものとするのが好ましい。また砥粒スラリーを流下する際の流量は、１０〜１００ｍｌ／分とするのが好ましい。
　砥粒供給ノズル２７から流下した砥粒スラリーは、研磨テープＡと基板Ｓの接触部分に達し、砥粒スラリー中の砥粒は、基板Ｓの半径方向に対し垂直な方向に走行する研磨テープＡによって基板Ｓに擦り付けられ、基板Ｓの表面を削り取る。回転する基板Ｓの表面を砥粒が削り取ることにより基板Ｓ表面に形成される溝状の研磨痕は、研磨テープＡの走行方向に沿うもの、すなわちほぼ基板Ｓの円周方向に沿うものとなる。

　本実施形態の磁気記録媒体の製造方法において、上記操作は、基板Ｓの表面平均粗さＲａが１〜２０Åとなるまで行う。これは、基板Ｓの表面平均粗さＲａが１Å未満であると、得られる磁気記録媒体表面が過度に平坦化しＣＳＳ特性が悪化し、２０Åを越えると、得られる磁気記録媒体の表面凹凸が大きくなりすぎグライドアバランチ特性が悪化するためである。
　また、このテクスチャ加工操作を行う際には、上記揺動機構によって、研磨テープＡをテープ走行方向に対し垂直な方向に揺動させ、基板Ｓの加工面形状を基板半径方向に均一化するのが好ましい。この際、揺動周波数は、０．１〜５Ｈｚとするのが好ましい。
　また、揺動の際の研磨テープＡの振幅は０．１〜３０ｍｍとするのが好ましい。
　なお、研磨テープＡの揺動方向は、テープ走行方向に対し垂直な方向に限らず、テープ走行方向に対し交差する方向であればよい。
　次いで、汎用のスパッタ装置等を用いて、テクスチャ加工済みの基板Ｓ上に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　なお、上記非磁性下地膜、磁性膜は、スパッタリングに限らず、真空蒸着、イオンプレーティング、メッキなどの手法により形成することも可能である。

　次いで、ディスクＤを、図１に示すプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。
　この反応ガスとしては、上述したとおり、炭化水素と水素を体積比が２：１〜１：１００となるよう混合した混合ガスを用いるのが好ましく、この炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、および低級環式炭化水素のうち１種または２種以上を用いるのが好ましい。
　この操作を行う際には、反応ガスの流量を５０〜５００ｓｃｃｍとするのが好ましい。また、チャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。
　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Åとするのが好ましい。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　この際、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加しつつ成膜を行うのが好ましい。
　バイアスの電圧等の条件は、上述したとおりとするのが好ましい。
　形成されたカーボン保護膜は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含むものとなる。
　また保護膜上には、上述の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　上記製造方法によって製造された磁気記録媒体の例としては、例えば図２に示す構造のものを挙げることができる。
　この例の磁気記録媒体において、図中符号Ｓは非磁性基板、符号３１は非磁性下地膜、符号３２は磁性膜、符号３３はカーボン保護膜、符号３４は潤滑膜を示す。

　上記製造方法にあっては、テクスチャ加工を施した基板Ｓ上に非磁性下地膜、磁性膜を形成した後、プラズマＣＶＤ法によってカーボン保護膜を形成するので、カーボン保護膜をＤＬＣを多く含むものとし、その耐久性を高めることができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができる。
　従って、得られる磁気記録媒体の表面形状を、表面平均粗さＲａが１〜２０Åである基板Ｓの形状がそのまま反映されたものとし、均一かつ十分な高低差を有するものとすることができる。
　よって、ＣＳＳ特性およびグライドアバランチ特性がいずれも優れ、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　これに対し、カーボン保護膜を、従来より用いられているスパッタリング等によって形成する場合には、摺動耐久性の点からカーボン保護膜をある程度厚く形成せざるを得ず、このため基板Ｓの表面凹凸形状が均一であったとしても磁気記録媒体の表面微小凹凸形状が不均一となりやすく、グライドアバランチ特性を高めるために基板Ｓの表面平均粗さＲａを低く、例えば１〜２０Åとすると、磁気記録媒体表面の局部的な平坦化を原因としてＣＳＳ時の磁気ヘッド吸着が起こりやすくなりＣＳＳ特性が悪化しやすい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例９５）
　図１および図３に示すプラズマＣＶＤ装置およびテクスチャ加工装置を用いて次のようにして磁気記録媒体を製造した。このテクスチャ加工装置（日立製作所社製）は、外径が４２ｍｍ、軸方向長さが４２ｍｍであるゴム製のコンタクトローラ２６を備えたものとした。また、研磨テープＡとしては、千代田社製２５０１−２（厚さ０．２ｍｍ、幅３８ｍｍ）を用いた。
　表面ＮｉＰメッキ膜を有するアルミニウム合金基板Ｓ（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）をテクスチャ加工装置の基板支持部２４に保持させ、回転数３８０ｒｐｍで定速回転させるとともに、研磨テープＡを２ｋｇ／ｃｍ^２の押付圧力で基板Ｓに押し当てつつ基板Ｓ上を走行させるとともに、砥粒供給ノズル２７より砥粒スラリーを流下し、研磨テープＡと基板Ｓの間に砥粒を供給した。
　この際、研磨テープＡの引き取り速度は、０．２ｃｍ／ｓｅｃとした。また砥粒スラリーとしては、粒度０．３μｍのダイヤモンド系砥粒の２０％懸濁液を用いた。また、このテクスチャ加工を行うにあたり、図示せぬ揺動機構によって、研磨テープＡをテープ走行方向に対し垂直な方向に周波数２Ｈｚ、振幅２０ｍｍの条件で揺動させた。
　このテクスチャ加工操作によって、基板Ｓの表面平均粗さＲａを表１５に示す値とした。
　得られた基板Ｓ上に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを、流量が１３０ｓｃｃｍとなるようチャンバ１０内に供給した。この反応ガスとしては、トルエンと水素を体積比が１：１０となるよう混合した混合ガスを用いた。またチャンバ１０の内圧は、６Ｐａとした。
　同時に、５００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。この際、バイアス電源１３を用いて、５０Ｗの高周波電力をディスクＤに印加した。また、電極１１、１１のそれぞれに供給する高周波電力の位相差は１８０゜とした。
　次いで、フォンブリン系潤滑剤をカーボン保護膜上に塗布し、厚さ１５Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。
　この磁気記録媒体を、次に示すグライドアバランチ試験、およびＣＳＳ試験に供した。
　グライドアバランチ試験は、グライドテスタ（ソニーテクトロニクス社製ＤＳ４２００）を用いて磁気記録媒体のグライドアバランチを測定するものとした。　また、ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。これら試験の結果を表１５に示す。

（試験例９６〜９９）
　テクスチャ加工操作を行う時間などを調節することによって、基板Ｓの表面平均粗さＲａを変えて磁気記録媒体を作製した。
　これら磁気記録媒体をグライドアバランチ試験、およびＣＳＳ試験に供した。結果を表１５に併せて示す。

（試験例１００、１０１）
　テクスチャ加工時に用いる砥粒の粒度を変え、基板Ｓの表面平均粗さＲａを変化させて磁気記録媒体を作製した。
　これら磁気記録媒体をグライドアバランチ試験、およびＣＳＳ試験に供した。結果を表１５に併せて示す。

（試験例１０２）
　カーボン保護膜をスパッタリングによって形成すること以外は試験例９６と同様にして磁気記録媒体を作製した。
　この磁気記録媒体をグライドアバランチ試験、およびＣＳＳ試験に供した。結果を表１５に併せて示す。

　表１５に示すように、基板Ｓの表面平均粗さＲａを１〜２０Åとし、プラズマＣＶＤ法によりカーボン保護膜を形成する方法によって作製された磁気記録媒体は、グライドアバランチ、スティクションとも十分に低い値となり、ＣＳＳ特性およびグライドアバランチ特性がいずれも優れたものとなったことがわかる。
　以上説明したように、本発明によれば、ＣＳＳ特性およびグライドアバランチ特性がいずれも優れ、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。

　次に、図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた場合を例として、本発明の磁気記録媒体の製造方法のさらに他の実施形態を説明する。
　まず、スパッタリング法などを用いて、非磁性基板の両面に非磁性下地膜、磁性膜を形成し、ディスクＤを得る。
　この非磁性基板としては、上述したとおり、磁気記録媒体用基板として一般に用いられるものが使用可能である。
　非磁性基板は、その表面にメカニカルテクスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとするのが好ましく、特に、表面平均粗さＲａを１〜２０Åとしたものを用いるのが好ましい。このＲａが２０Åを越えると、得られる磁気記録媒体のグライドハイト特性が低下するため好ましくない。非磁性下地膜、磁性膜の材料、厚さは、上述したとおりとすることができる。
　次いで、上記操作により非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜を形成したディスクＤを、プラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスを導入管１５を通してチャンバ１０内に導入しつつチャンバ１０内のガスを排気管１６を通して排出し、チャンバ１０内でガスを流通させ、ディスクＤの表面をこの反応ガスに曝す。

　本実施形態の製造方法では、この反応ガスとして、ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスが用いられる。この反応ガスのブタジエン：水素の体積比は１００：０〜１：１００、好ましくは１００：０〜１：２５とされる。
　上記ガス中のブタジエン体積比が上記範囲下限値より低い場合には、成膜レートが低くなり実用的な工業生産に適さなくなるため好ましくない。
　また、反応ガスとして、上記ブタジエンと水素の混合ガスを用いる場合には、この反応ガスのブタジエン：水素の体積比を１００：６０〜１：１００、好ましくは１００：６０〜１：２５とするのが望ましい。
　カーボン保護膜形成の際には、チャンバ１０の内圧を所定の値、例えば０．１〜１０Ｐａとするのが好ましい。
　同時に、高周波電源１２を用いて、好ましくは５０〜２０００Ｗの高周波電力を電極１１に供給しプラズマを発生させ、上記反応ガスを原料とするプラズマ化学気相成長によりカーボン保護膜をディスクＤの両面に形成する。この際、上記ブタジエンガスは、カーボン保護膜の炭素源となる。
　電極１１、１１に電力供給する際には、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせるのが好ましい。これは、これら電極１１、１１に供給する電力の位相を互いにずらせることによって、成膜レートの向上、保護膜の耐久性の向上を図ることができるためである。両電極に供給する電力の位相差は９０〜２７０゜とするのが好ましく、特に、逆相（１８０゜）とするのが好ましい。
　カーボン保護膜の厚さは、３０〜１００Å、好ましくは３０〜７５Åとするのが望ましい。この厚さが上記範囲下限値未満であると、得られるカーボン保護膜の耐コロージョン性が低下し、上記範囲上限値を越えると、得られる磁気記録媒体が、記録再生時におけるスペーシングロスが大きいものとなるため好ましくない。

　カーボン保護膜形成の際には、バイアス電源１３を用いて、バイアス、例えば高周波バイアスまたはパルス直流バイアスをディスクＤに印加する。
　バイアスとして高周波バイアスを用いる場合には、バイアス電源１３として高周波電源を用い、１０〜３００Ｗ、好ましくは１０〜１５０Ｗの高周波電力をディスクＤに印加する。
　この電力が上記範囲下限値未満であると、得られるカーボン保護膜の耐摺動特性が低下し、上記範囲上限値を越えると、成膜時にチャンバ１０で異常放電が起こりやすくなり、カーボン保護膜に異常成長部分ができやすくなるため好ましくない。
　バイアスとしてパルス直流バイアスを用いる場合には、バイアス電源１３としてパルス直流電源を用い、−４００〜−１０Ｖ、好ましくは−３００〜−５０Ｖの電圧をディスクＤに印加する。
　この電圧が上記範囲下限値未満であると、得られるカーボン保護膜の耐摺動特性が低下し、上記範囲上限値を越えると、成膜時にチャンバ１０で異常放電が起こりやすくなり、カーボン保護膜に異常成長部分ができやすくなるため好ましくない。
　また、上記パルス直流バイアスのパルス幅は１０〜５００００ｎｓ、周波数は１０ｋＨｚ〜１ＧＨｚとするのが好ましい。
　上記バイアスの印加によって、カーボン保護膜は、硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を多く含み、強度に優れたものとなる。
　また保護膜上には、上述の潤滑剤を塗布し潤滑膜を設けることも可能である。

　上記製造方法にあっては、カーボン保護膜の形成に際し、反応ガスとして、ブタジエンガスまたはブタジエンと水素の混合ガスを用い、この反応ガスのブタジエン：水素の体積比を１００：０〜１：１００とするので、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる。このため、カーボン保護膜の耐久性を十分なものとしつつ薄膜化することができ、スペーシングロスを低減することが可能な磁気記録媒体を得ることができる。
　従って、信頼性が高く、しかも出力特性を低下させることなく十分な高記録密度化が可能となる磁気記録媒体を得ることができる。
　また、カーボン保護膜の形成に際し、ディスクＤにバイアスを印加することによって、カーボン保護膜を、ＤＬＣを多く含み強度に優れたものとするとともに、成膜レートを高め、効率よい製造を可能とすることができる。

　上記カーボン保護膜を形成する際の反応ガスとして、ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスを用い、この反応ガスのブタジエン：水素の体積比を１００：０〜１：１００とすることによって、耐久性に優れたカーボン保護膜を形成することができる理由は明らかでないが、これは、反応ガスとして上記ガスを用いることによって、形成されたカーボン保護膜が、硬度の高いＤＬＣを多く含み、強度的に優れたものとなるためであると考えることができる。
　なお、反応ガスとしては、上記ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスに、他のガス成分、例えば、窒素、アルゴン、酸素、フッ素などを、上記ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスに対し例えば１〜１００ｖｏｌ％に相当する量添加したものを使用することもできる。
　また上記ブタジエンガスに代えて、ブタジエンガスに、他の炭素源ガス、例えばメタン、エタン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタン、ベンゼン、トルエン等を、ブタジエンガスに対し例えば１〜１００ｖｏｌ％に相当する量添加したものを使用することも可能である。
　また、上記実施形態の製造方法ではカーボン保護膜をプラズマＣＶＤ法のみにより形成したが、本発明の磁気記録媒体の製造方法はこれに限らず、保護膜を、プラズマＣＶＤ法により形成したプラズマカーボン層と、他の方法により形成した層、例えばスパッタリングにより形成されたスパッタカーボン層や窒化タンタル層を有する多層構造となるように形成してもよい。

　以下、具体例を示して本発明の効果を明確化する。
（試験例１０３〜１１７）
　ＮｉＰメッキを施したアルミニウム合金基板（直径９５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ）に、メカニカルテクスチャ加工を施し表面平均粗さＲａを２０Åとした後、この基板両面に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製３０１０）を用いて、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜（厚さ６００Å）、およびＣｏ合金からなる磁性膜を順次形成し、ディスクＤを得た。
　次いで、ディスクＤをプラズマＣＶＤ装置のチャンバ１０内に搬入するとともに、供給源１４から供給された反応ガスをチャンバ１０内に供給した。
　同時に、７００Ｗの高周波電力（周波数１３．５６ＭＨｚ）を電極１１に供給しプラズマを発生させ、ディスクＤ両面に、厚さ５０Åのカーボン保護膜を形成した。
　カーボン保護膜形成時のディスクＤの温度は１６０℃とした。また電極１１、１１とディスクＤの間の距離は３０ｍｍとした。また、チャンバ１０の内圧は２Ｐａとした。
　カーボン保護膜形成時における反応ガスの種類、流量、バイアス電源１３によりディスクＤに加えるバイアスの種類、パワー、電極１１、１１に加えた高周波電力の位相差、形成したカーボン保護膜の厚さ、および成膜レートを表１６に示す。
　次いで、フォンブリン系潤滑剤をカーボン保護膜上に塗布し、厚さ２０Åの潤滑膜を形成し、磁気記録媒体を得た。
　得られた磁気記録媒体を、次に示すＣＳＳ試験、コロージョン試験、およびラマン分光分析試験に供した。

　ＣＳＳ試験は、ＭＲヘッドを用い、４０℃、湿度８０％の環境下で、回転数７２００ｒｐｍの条件で上記磁気記録媒体に対し２００００回のＣＳＳ操作を行い、磁気記録媒体を１時間静置した後、ダイナミックスティクション値をモニターするものとした。
　コロージョン試験は、磁気記録媒体を、高温高湿（温度６０℃、湿度８０％）条件下に９６時間放置した後、５０ｃｃの超純水中に２５℃の条件下で３０分間浸漬し、この超純水中に抽出されたＣｏ量（基板面積当たり）を測定するものとした。また同様に、磁気記録媒体を常温常湿（温度２５℃、湿度５０％）条件下に９６時間放置した後、同様にしてＣｏ抽出量を測定した。
　ラマン分光分析試験は、ラマン分光分析装置（ＪＥＯＬ社製）を用いて、ラマン分光法（アルゴンイオンレーザー励起）による分析を行うものとした。結果を表１７に示す。
　なお、表中、ＲＦは高周波を意味するものである。またＲＦ位相差とは、２つの電極１１、１１に供給する電力の位相差をいう。

　表１６、１７に示すように、成膜時にバイアスをディスクＤに印加し、かつ反応ガスとして、ブタジエンガス、またはブタジエンと水素の混合ガスを用い、この反応ガスのブタジエン：水素の体積比を１００：０〜１：１００とする方法によって作製された磁気記録媒体は、スティクションの値が低く、耐ＣＳＳ性に優れたものとなったことがわかる。また成膜レートを高くすることができたことがわかる。
　また、コロージョン試験の結果より、上記磁気記録媒体は、コロージョン量が非常に少なく、実用上問題のないレベルの耐食性を備えたものとなったことがわかる。
　またラマン分光分析の結果より、上記磁気記録媒体は、Ｇバンドピークが比較的高周波側に現れており、しかもＩｄ／Ｉｇが低く、ＤＬＣ化されたものとなったことがわかる。
　また、電極１１、１１に加える高周波電力の位相差を１８０゜とする方法で作製された磁気記録媒体は、位相差なしとしたものに比べ、成膜レートを高めることができたことがわかる。

本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられるプラズマＣＶＤ装置を示す概略構成図である。 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。 図１に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体製造装置の要部を示す概略構成図である。 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられるスパッタ装置を示す概略構成図である。 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられる紫外線光照射装置を示す概略構成図である。 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられる洗浄装置を示す概略構成図である。 本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。 本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられるテクスチャ加工装置を示す概略構成図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。

符号の説明

１１・・・電極、１２・・・高周波電源、１３・・・バイアス電極、２４・・・基板支持部、２５・・・研磨テープ供給部、２６・・・コンタクトローラ、２７・・・砥粒供給ノズル、３１、４１、６１・・・非磁性下地膜、３２、４２、６２・・・磁性膜、３３、４３、６３・・・カーボン保護膜、４３ａ・・・プラズマＣＶＤカーボン層、４３ｂ・・・スパッタカーボン層、５１・・・ターゲット、７５・・・紫外線光源、８７・・・洗浄水供給源、８８・・・ノズル、Ｄ・・・ディスク、Ｓ・・・非磁性基板

Claims (9)

1. 非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜、カーボン保護膜、潤滑膜が形成された磁気記録媒体において、カーボン保護膜が、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層からなるもの、あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層を有するものであり、このカーボン保護膜が、潤滑膜に接して設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 非磁性基板の表面平均粗さＲａが１〜２０Åであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. プラズマＣＶＤカーボン層の厚さが、３０〜１００Åであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. スパッタカーボン層の厚さが、５〜１００Åであることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 潤滑膜が、下記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
   

   
6. 潤滑膜が、下記式（１）ないし式（５）で示されるもののうち１種または２種以上であり、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物に、下記式（６）で示される化合物を、含有率が０．１〜２０ｗｔ％となるように混合した混合物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
   

   
7. 潤滑膜が、下記式（１）で示され、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
   

   
8. 潤滑膜が、下記式（５）で示され、かつ数平均分子量が５００〜６０００である化合物を主成分とするものであることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
   

   
9. 非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜、カーボン保護膜、潤滑膜が形成された磁気記録媒体において、カーボン保護膜が、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層からなるもの、あるいは、プラズマＣＶＤ法により形成されたプラズマＣＶＤカーボン層上に、スパッタリング法によって形成されたスパッタカーボン層を有するものであり、このカーボン保護膜が、潤滑膜に接して設けられており、かつＣｏ抽出量が基板面積に対して３ｎｇ／ｃｍ^２以下であることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。

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