JP2004088047A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置の製造方法は、(X)半導体基板上方に第1疎水性絶縁層21を形成する工程と、(Y)前記第1疎水性絶縁層の表面を親水化する工程と、(Z)前記親水化された表面を有する第1疎水性絶縁層上に比誘電率が酸化シリコンの比誘電率より低い低誘電率絶縁層LKを形成する工程と、を有する。
【選択図】 図5
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
大規模集積回路は、益々集積度、動作速度が向上している。集積度向上と共に、集積回路を構成するトランジスタ等の半導体素子は小型化されている。小型化により、半導体素子の動作速度は向上する。
【0003】
半導体素子の微細化、集積度の向上と共に、大規模集積回路の配線は微細化されると共に多層化される。配線における信号の伝播速度は、配線抵抗と配線の寄生容量によりほぼ決定される。
【0004】
配線抵抗の低抵抗化は、配線の主材料をAlから、さらに低抵抗率のCuへ変更することで達成されている。配線材料をさらに低抵抗化することは、現実的には困難である。配線として銅配線を用いると、配線中のCuが層間絶縁膜中に拡散することを防止することが必要となる。銅拡散防止層として、主にSiN、SiC、SiCOが用いられる。銅拡散防止層は、一般的に撥水性が高い。
【0005】
半導体装置の高集積化により、配線間隔が狭くなると、同じ配線厚では配線間の寄生容量が増大してしまう。配線厚を薄くして、寄生容量を低減しようとすると、配線抵抗が上昇してしまう。配線容量を低減するためには、絶縁層として、いわゆるlow k 材料等の、より低誘電率の材料を用いることが最も有効である。
【0006】
半導体の高速動作を実現するために、酸化シリコンよりも低い比誘電率を有する低誘電率材料で層間絶縁層を形成する方法が数多く報告されている。微細配線を有する下層配線層は、特に配線容量の問題が大きいため、低誘電率材料で層間絶縁膜を形成することが検討されている。
【0007】
疎水性表面を有する銅拡散防止層の上に、低誘電率絶縁材料層を形成すると、密着性が低くなり易い。特に、塗布法で低誘電率絶縁層を銅拡散防止層の上に形成すると、密着性が低くなり易い。多層配線を形成すると、低誘電率絶縁層と疎水性下地層との間で界面剥がれが生じる。配線層数が増加すると、低誘電率絶縁層の剥がれの問題はさらに大きくなる。
【0008】
【特許文献】
特開2001−345317
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の1つの目的は、低誘電率絶縁層を形成しても、疎水性下地層との間の剥がれを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0010】
本発明の他の目的は、高性能で信頼性の高い、高集積度の半導体装置の製造方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の1観点によれば、(X)半導体基板上方に第1疎水性絶縁層を形成する工程と、(Y)前記第1疎水性絶縁層の表面を親水化する工程と、(Z)前記親水化された表面を有する第1疎水性絶縁層上に比誘電率が酸化シリコンの比誘電率より低い低誘電率絶縁層を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図1(A)に示すように、シリコン基板10の表面に素子分離用トレンチを形成し、酸化シリコン等の絶縁物を埋め込んでシャロートレンチアイソレーション(STI)11を形成する。なお、必要に応じてSTIの形成の前又は前後にイオン注入を行ない、シリコン基板10表面に所望のウエル領域を形成する。STI11に囲まれた多数の活性領域が画定される。
【0013】
シリコン基板10の活性領域表面に、ゲート絶縁層14、多結晶シリコンゲート電極15、シリサイド電極16の積層からなる絶縁ゲート電極を作成する。絶縁ゲート電極の両側壁上には、酸化シリコン等のサイドウォールスペーサ17が形成される。なお、この絶縁ゲート電極構造をまとめてGで示す。ゲート電極Gの両側には、サイドウォールスペーサ17の作成前後に所望のイオン注入が行われ、エクステンション付のソース/ドレイン領域が形成される。nチャネルトランジスタとpチャネルトランジスタとを作り分けることにより、CMOSトランジスタ構造が形成される。
【0014】
MOSトランジスタ等の半導体素子形成後、化学気相堆積(CVD)によりホスホシリケートガラス(PSG、燐ガラス)層18を例えば基板温度600℃で厚さ約1.5μm成膜する。成膜されたPSG層18は、ゲート電極などの下地構造を反映した凹凸を有する。PSG層18の表面を化学機械研磨(CMP)により平坦化する。平坦化した表面上に、パッシベーション膜としてSiC膜19を、例えばNoveluss社より入手可能な登録商標ESL3を用い、厚さ約50nm、プラズマCVDにより成膜する。得られるSiC層は疎水性である。このSiC層19は、この上に形成される銅配線に対し、Cuの下方への拡散を防止する銅拡散防止機能も有する。
【0015】
SiC膜19の表面上に、レジストパターンPR1を形成する。レジストパターンPR1は、半導体素子の電極取り出し領域に開口を形成するための開口部を有する。レジストパターンPR1をエッチングマスクとし、SiC層19、PSG層18をエッチングして、接続孔を形成する。
【0016】
図1(B)に示すように、接続孔内壁を覆うように、バリアメタルとしてTiN、Ta等の金属層をスパッタリングにより堆積した後、CVDによりタングステン(W)層を成膜する。SiC膜19の上に堆積した不要の金属層をCMPにより除去する。このようにして、接続孔を埋め、SiC膜19の表面とほぼ面一の表面を有する導電性(コンタクト)プラグPが形成される。
【0017】
図1(C)に示すように、PSG層18、SiC膜19で構成され、Wの導電性プラグPを埋め込んだ絶縁層の表面にアルカリ性の弗化アンモニウム(NH4F)5%水溶液LQ1を滴下し、室温で約2分間接触させ、表面処理を施す。表面処理を施した後、半導体基板表面を水洗し、スピナー乾燥する。表面処理により、SiC層19表面は親水化する。
【0018】
図1(D)に示すように、SiC膜19表面上に、厚さ約150nmのいわゆるlow k materialである低誘電率膜LK1を例えばダウケミカル社より入手可能な登録商標SiLK−J150を用い、塗付によって形成する。低誘電率膜LK1は、塗布後ベーキングによって溶媒を蒸発させ、熱処理によって硬化処理を行なう。このようにして形成された低誘電率絶縁層LK1の上に、例えば酸化シリコン(SiO)のキャップ層20を、例えばCVDにより厚さ約100nm成膜する。
【0019】
キャップ層20表面上に、レジストパターンPR2を作成する。レジストパターンPR2は、第1配線層の配線パターンに相当する開口部を有する。レジストパターンPR2をエッチングマスクとし、キャップ層20、低誘電率絶縁層LK1をエッチングして、配線溝を形成する。その後、レジストパターンPR2は除去する。
【0020】
図2(E)に示すように、導電性プラグPの頭部を露出した配線用溝に、例えば厚さ約30nmのTaNで形成されたバリアメタル層BM及び厚さ約30nmのCu層で形成されたシードメタル層SMをスパッタリングにより形成する。
【0021】
図2(F)に示すように、シードメタル層SMの上に、銅配線層PMをメッキにより成膜する。その後、CMPを行い、キャップ層20表面上の不要の金属層を除去する。
【0022】
図2(G)に示すように、第1配線パターンW1を埋め込んだキャップ層20の表面上に例えば厚さ50nmのSiC層で形成された胴拡散防止層21を前述同様のプラズマCVDで形成する。銅拡散防止層21を成膜した後、銅拡散防止層21表面上に弗化アンモニウム5%水溶液LQ2を滴下し、室温で約2分間接触させ、表面処理を施す。その後、純水洗浄を行なって処理液を除去し、スピナ乾燥を行なう。疎水性SiC層表面が親水化される。
【0023】
図3(H)に示すように、表面処理を施したSiC膜21の表面上に、例えば厚さ約400nmの低誘電率絶縁層LK2を例えばダウケミカル社より入手可能な登録商標SiLK‐J350を用い、塗布法により成膜する。液体材料を塗布した後、ベーキング、加熱キュア処理を行うことにより低誘電率絶縁層LK2が形成される。低誘電率絶縁層LK2の表面上に、例えば厚さ約100nmのSiO層で形成されたキャップ層23、厚さ約50nmの窒化シリコン(SiN)層で形成されたハードマスク層24をCVDで成膜する。
【0024】
図3(I)に示すように、ハードマスク層24、キャプ層23、低誘電率絶縁層LK2、銅拡散防止層21内にデュアルダマシン配線29を埋め込む。例えば、レジストマスクを用いてハードマスク24に配線用トレンチを画定する開口を形成した後、レジストマスクを用いて銅拡散防止層21に達するビア孔を形成する。その後、ハードマスク層24をエッチングマスクとし、キャップ層23、低誘電率絶縁層LK2に配線用トレンチをエッチングする。さらに、ビア孔底に露出している銅拡散防止層21をエッチングすることにより、デュアルダマシン配線用凹部を完成する。
【0025】
次に、図2(F)を参照して説明した工程と同様に、バリアメタル層、シードメタル層、メッキ層を積層し、ハードマスク層24上の不要部をCMPにより除去することにより、第2配線層29を完成する。ハードマスク層24は、CMPにより消滅してもよい。
【0026】
図3(J)に示すように、第2配線層29を埋め込んだ第2層間絶縁膜上に、例えば厚さ50nmのSiC層で形成される銅拡散防止層31をプラズマCVDにより成膜する。SiC層31の表面に弗化アンモニウム5%水溶液を滴下し、室温で2分間接触させ、表面処理を行なう。疎水性SiC層表面が親水化される。
【0027】
図4(K)に示すように、表面処理を行ったSiC層31の上に、登録商標SiLK−J350を用い、前述同様の工程により厚さ約450nmの低誘電率絶縁層LK3を塗布法により成膜する。さらに、低誘電率絶縁層LK3の表面上に、厚さ約100nmのSiO層で形成されたキャップ層33、厚さ約50nmのSiN層で形成されたハードマスク層34を成膜する。前述同様の工程により、第3配線層をハードマスク層34、キャップ層33、低誘電率絶縁層LK3、銅拡散防止層31を貫通して形成する。
【0028】
同様の工程を繰り返すことにより、例えば5層の配線層を形成する。
図4(L)は、5層配線層の構成例を示す。第3層間絶縁膜に第3配線層39が埋め込まれ、その上に銅拡散防止層41、低誘電率絶縁層LK4、キャップ層43、ハードマスク層44が積層され、第4配線層49が埋め込まれる。第4配線層の上に、さらに銅拡散防止層51、低誘電率絶縁層LK5、キャップ層53、ハードマスク層54が成膜され、第5配線層59が埋め込まれる。第5配線層59を覆って、例えばSiC層で形成されるキャップ層60が成膜される。さらに、SiO2膜を形成して層間膜とし、アルミニウムパッドを形成した。
【0029】
このような構成を有する多層配線において、2層目配線層の容量測定を行った。ピッチ0.24μmの櫛歯状配線を用い、配線全長30cmのサンプルを用いた。得られた配線容量は、約180fF/mmであった。又、400℃、30分間の熱処理を5回繰り返した結果、膜剥がれは全く見られなかった。
【0030】
SiC層表面の表面処理を行わないで形成した同様の多層配線を有する半導体装置においては、同様の熱サイクル試験を行なった結果、SiC銅拡散防止層と、SiLK低誘電率絶縁層との界面において剥がれが生じた。この結果から、銅拡散防止層表面を表面処理する効果が明らかとなった。
【0031】
上述の表面処理により、SiC層に対する水の接触角がどのように変化するかを測定した。処理前のSiC層に対する水の接触角は48度であった。弗化アンモニウム5%水溶液で、室温、2分間の表面処理を行なうと、接触角は33度になった。
【0032】
上記実施例においては、処理液として弗化アンモニウム5%水溶液を用いた。処理液はこれに限らない。上述の実施例において、処理液として弗化アンモニウムに代え、第1リン酸アンモニウム30%水溶液を用いた。処理は室温で2分間と前述の実施例同様とした。この場合も、400℃30分間の熱処理を5回繰り返しても膜剥がれは生じなかった。
【0033】
SiC層に対する水の接触角の変化を測定した。処理前の接触角は上述のように48度である。第1リン酸アンモニウム30%水溶液で、室温2分間の表面処理を行なうと、接触角は36度となった。親水化が明らかである。
【0034】
なお、これらの結果は以下のように考えることができるであろう。
図5(A)に示すように、SiC層21(31、41、51)表面は、SiHで終端していると考えられる。このため、SiC層表面は疎水性となっている。SiC層21表面に形成する低誘電率絶縁層の濡れ性が阻害され、密着性が低下すると考えられる。
【0035】
図5(B)に示すように、SiC層21表面を水分を含むアルカリ溶液で表面処理すると、SiH基がSiOH基に変換される。HがOHに置換されたSiC層表面は、親水性となる。
【0036】
図5(C)に示すように、このように表面処理されたSiC層21の表面に有機系低誘電率絶縁層を形成すると、OH基と、絶縁層中のアリルエーテルR−O−C−C=CのC、シロキサン結合Si−O−SiのO、フェニルエーテルR‐O‐R’のO、R‐Hの水素等とが、水素結合又は脱水縮合反応を起こし、低誘電率絶縁層LKとSiC層21とは密着性を向上して成膜される。
【0037】
アルカリ性水溶液として、リン酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硫酸アンモニウム、1.4‐ナフトハイドロキノン−2−スルホン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、硝酸カルシウムアンモニウム、クエン酸鉄アンモニウム等と純水との混合の水溶液が挙げられる。
【0038】
表面のSiH基をSiOH基に変換するには、アンモニウム水溶液に限らず、OH基を有するアルカリ溶液の処理を行なえば有効であろう。その後に水洗を行い処理液は完全に除去するとすれば、種々のアルカリ溶液を用いることができる。Na等のアルカリ金属を含むアルカリ溶液を用いてもよいであろう。
【0039】
低誘電率絶縁層を形成するための液体材料には、密着性促進剤を含むものがある。密着性促進剤としては、(RO)3SiCH=CH2,(RO)3SiCCH,SiCH2CH=CH2,Si−CH2CCHなど不飽和結合を有するSi化合物が用いられる。これらの材料を用いることにより密着性を高めることが可能である。さらに、これらの密着性促進剤を下地上に塗布した後、低融点絶縁層を塗布してもよい。
【0040】
銅拡散防止層としてSiC層を用いる場合を説明したが、銅拡散防止層としてSiN層、SiOC層を用いた場合にも密着性の向上が期待できる。SiOC層に前述の表面処理を行った時の接触角の変化を測定した。表面処理前のSiOC層に対する水の接触角は98度であった。弗化アンモニウム5%水溶液で、室温、2分間の表面処理を行うと接触角は65度となった。第1リン酸アンモニウム30%水溶液で、室温、2分間の表面処理を行うと接触角は80度となった。親水化したことが明らかである。
【0041】
親水化により低誘電率絶縁材料中のワニス中に含まれるL−ブチロラクトン等との漏れ性も向上する。結果、低誘電率絶縁層の密着性向上に有利となる。
親水化をOH基を有する酸性水溶液で行なうこともできる。酸性水溶液として、酢酸、シュウ酸、クエン酸、オキサロ酸、コハク酸、フマル酸、酒石酸、ギ酸、乳酸等を用いることができよう。SiC層のSiH基を直接酸化してSiOHにすることで親水化がなされる。酢酸3%水溶液で、室温、2分間、SiC層の表面処理を行なうと、接触角は33度となった。
【0042】
薬液処理の際、必要に応じて液を加温してもよい。加温によりOH化を短時間で行なうことができる。温度は、30〜95℃、望ましくは35〜50℃である。フッ化アンモニウム水溶液の場合、室温5分の処理と、40℃に加温し、2分の処理とで同等の密着力向上が得られる。
【0043】
SiH基を有する疎水性表面を親水性表面に変換することにより、膜剥がれが防止され、密着性が向上するものと考えられる。親水性表面を形成するためには、疎水性表面に酸化層を形成してもよいと考えられる。上述の溶液による処理に変え、酸素を含むプラズマ中に疎水性表面を曝し、表面に酸化層を形成しても同様の効果を期待できよう。この場合、図5(B)におけるLQを酸素を含む酸化性ガスのプラズマとすればよいであろう。
【0044】
なお、低誘電率絶縁層として登録商標SiLKの有機絶縁層を用いる場合を説明したが、同様の有機系絶縁層である登録商標FLARを用いても同様の結果が得られるであろう。又、水素シルセスキオキサン、メチルシルセスキオキサン等を用いたポーラスシリカを用いることもできる。無機メチル基等を有するポーラスシリカ塗布材料を用いた絶縁層も疎水性である。この場合にも、同様の表面処理により密着性の向上が期待できる。
【0045】
CVDで形成するシリコンオキシカーバイド(SiOC)も酸化シリコンの比誘電率約4.1より低い、例えば3前後の比誘電率を実現できる。Novellus 社の登録商標CORAL,AMAT社の登録商標Black Diamond、Novellus社の登録商標CORALの製造条件を変更し、ソースガスのテトラメチルシクロテトラシロキサン(TOMCOTS)の流量を1/5、酸素流量を1/5以下、電力を1/2等として形成したTORAL(特願平2002−315900の発明の実施の形態の欄、及び図面参照)などを用い、CVDで形成した層間絶縁膜を形成することができる。
【0046】
例えば、10層以上の多層配線構造において、第4層以下の下層配線層の層間絶縁膜にはSiLK,FLAR等を用い、第5〜8層の中層配線の層間絶縁層としてシリコンオキシカーバイドを用いて良好な特性を得ることができる。
【0047】
CVDで堆積するシリコンオキシカーバイドも疎水性となりやすく、SiN層、SiC層などの(銅拡散防止用)下地層との密着性が低くなり易い。下地層表面を親水化し、その上にシリコンオキシカーバイド層を形成することにより、SiC層、SiN層等の表面の水酸基と低誘電率膜のSiH基等が反応して密着性が向上する。
【0048】
以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々の変更、改良、組合わせが可能なことは、当業者にとって自明であろう。
【0049】
以下、本発明の特徴を付記する。
(付記1)(1) (X)半導体基板上方に第1疎水性絶縁層を形成する工程と、
(Y)前記第1疎水性絶縁層の表面を親水化する工程と、
(Z)前記親水化された表面を有する第1疎水性絶縁層上に比誘電率が酸化シリコンの比誘電率より低い低誘電率絶縁層を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【0050】
(付記2)(2) 前記工程(X)の前に、
(a)多数の半導体素子を形成した半導体基板の上方に第1層間絶縁膜を形成する工程と;
(b)前記第1層間絶縁膜に第1銅配線を埋め込む工程と;
を有し、
前記工程(X)が、前記第1銅配線を埋め込んだ第1層間絶縁膜上に、第1疎水性絶縁層を形成し、
前記工程(Z)が、前記第1疎水性絶縁層上に、第2層間絶縁膜を形成する、付記1記載の半導体装置の製造方法。
【0051】
(付記3)(3) さらに、前記工程(Z)の後に、
(c)前記第2層間絶縁膜に第2銅配線を埋め込む工程と;
(d)前記第2銅配線を埋め込んだ第2層間絶縁膜上に、第2疎水性絶縁層を形成する工程と;
(e)前記第2疎水性絶縁層表面を水分を含むアルカリ性溶液で処理し、表面を親水性にする工程と;
を含む付記2記載の半導体装置の製造方法。
【0052】
(付記4) 前記第1、第2層間絶縁膜が、さらに、低誘電率絶縁層の上に酸化物ハードマスク層を有する付記2または3記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)(4) 前記第1疎水性絶縁層が、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシカーバイド、又はこれらの組合せのいずれかで形成される付記1〜3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0053】
(付記6)(5) 前記工程(Y)が、前記第1疎水性絶縁層表面をOH基を含む、アルカリ性溶液又は酸性溶液で処理し、表面を親水化する付記1〜5のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0054】
(付記7) 前記工程(Y)が、前記第1疎水性絶縁層表面をOH基を含むアルカリ性溶液で処理する工程であり、アルカリ性溶液がリン酸アンモニウム、弗化アンモニウム、硫酸アンモニウム、1.4‐ナフトハイドロキノン−2−スルホン酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、硝酸カルシウムアンモニウム、クエン酸鉄アンモニウムの少なくとも1種水溶液である付記6記載の半導体装置の製造方法。
【0055】
(付記8) 前記工程(Y)が、前記第1疎水性絶縁層表面をOH基を含む酸性溶液で処理する工程であり、酸性溶液が酢酸、シュウ酸、クエン酸、オキサロ酸、コハク酸、フマル酸、酒石酸、ギ酸、乳酸の少なくとも1種の水溶液である付記6記載の半導体装置の製造方法。
【0056】
(付記9) 前記工程(Y)が、処理液を加温して行なう付記6〜8のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
(付記10) 前記工程(Y)が、前記疎水性絶縁層表面上に処理液を滴下して行う付記6〜9のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0057】
(付記11) 前記工程(Y)が、前記第1疎水性絶縁層を酸化性ガスのプラズマに曝すことを含む付記1〜5のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0058】
(付記12) 前記工程(X)がプラズマCVDで第1疎水性絶縁層を形成する付記1〜11のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)(6) 前記工程(Z)が、密着性促進剤を含む塗布材料を塗布することを含む付記1〜12のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0059】
(付記14)(7) 前記工程(Z)が、密着性促進剤を塗布し、その上に低誘電率絶縁層塗布材料を塗布することを含む付記1〜12のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0060】
(付記15)(8) 前記低誘電率絶縁層が、ポーラスシリカ層である付記1〜14のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)(9) 前記工程(Z)が、低誘電率絶縁層をCVDで成膜する付記1〜12のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0061】
(付記17) 前記低誘電率絶縁層がシリコンオキシカーバイド層である付記16記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)(10) 前記低誘電率絶縁層が、有機材料層である付記1〜17のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
【0062】
(付記19) 前記工程(b)が第1銅配線をダマシンプロセスで形成する付記2記載の半導体装置の製造方法。
(付記20) 前記工程(c)が第2銅配線をダマシンプロセスで形成する付記3記載の半導体装置の製造方法。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多層配線構造における密着性が向上し、剥がれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための半導体基板の断面図である。
【図2】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための半導体基板の断面図である。
【図3】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための半導体基板の断面図である。
【図4】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための半導体基板の断面図である。
【図5】実施例の効果を類推する原理図である。
【符号の説明】
10 シリコン基板
11 STI(シャロートレンチアイソレーション)
G ゲート電極
PR ホトレジストパターン
18 PSG層
19 SiCパッシベーション層
21、31、41、51 銅拡散防止(SiC)層
23、33、43、53 キャップ層
24、34、44、54 ハードマスク(SiN)層
29、39、49、59 配線層
P 導電性プラグ
BM バリアメタル層
SM シードメタル層
PM メッキメタル層
LQ アルカリ溶液(酸素を含むプラズマ)
LK 低誘電率絶縁層
Claims (10)
- (X)半導体基板上方に第1疎水性絶縁層を形成する工程と、
(Y)前記第1疎水性絶縁層の表面を親水化する工程と、
(Z)前記親水化された表面を有する第1疎水性絶縁層上に比誘電率が酸化シリコンの比誘電率より低い低誘電率絶縁層を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記工程(X)の前に、
(a)多数の半導体素子を形成した半導体基板の上方に第1層間絶縁膜を形成する工程と;
(b)前記第1層間絶縁膜に第1銅配線を埋め込む工程と;
を有し、
前記工程(X)が、前記第1銅配線を埋め込んだ第1層間絶縁膜上に、第1疎水性絶縁層を形成し、
前記工程(Z)が、前記第1疎水性絶縁層上に、第2層間絶縁膜を形成する、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - さらに、前記工程(Z)の後に、
(c)前記第2層間絶縁膜に第2銅配線を埋め込む工程と;
(d)前記第2銅配線を埋め込んだ第2層間絶縁膜上に、第2疎水性絶縁層を形成する工程と;
(e)前記第2疎水性絶縁層表面を、OH基を含む、アルカリ性溶液又は酸性溶液で処理し、表面を親水性にする工程と;
を含む請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1疎水性絶縁層が、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシカーバイド、又はこれらの組合せのいずれかで形成される請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Y)が、前記第1疎水性絶縁層表面をOH基を含む、アルカリ性溶液又は酸性溶液で処理し、表面を親水化する請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Z)が、密着性促進剤を含む塗布材料を塗布することを含む請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Z)が、密着性促進剤を塗布し、その上に低誘電率絶縁層塗布材料を塗布することを含む請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記低誘電率絶縁層が、ポーラスシリカ層である請求項1〜7のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(Z)が、低誘電率絶縁層をCVDで成膜する請求項1〜5のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記低誘電率絶縁層が、有機材料層である請求項1〜9のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
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