JP2004072778A - 薄膜バルク音響共鳴器フィルタの製造方法および薄膜バルク音響共鳴器フィルタを用いた回路 - Google Patents

薄膜バルク音響共鳴器フィルタの製造方法および薄膜バルク音響共鳴器フィルタを用いた回路 Download PDF

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キン・マー
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クワン・トラン
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Abstract

【課題】薄膜バルク音響共鳴器フィルタを形成するより良い方法である。
【解決手段】
 薄膜バルク音響共鳴器フィルタ10は、同一の膜35上に形成されている複数の相互接続された直列及び分岐薄膜バルク音響共鳴器38により形成されている。薄膜バルク音響共鳴器38のそれぞれは、各薄膜バルク音響共鳴器38の底部電極32を形成するように定められている1つの共通の下部導電層から形成されている。1つの共通の導電層は、各薄膜バルク音響共鳴器38の各上部電極36を形成するように定められている。パターン化されていることもされていないこともある1つの共通の圧電薄膜層34は、1つの連続する又は連続しない薄膜を形成する方法。
【選択図】 図1

Description

 本発明は、薄膜バルク音響共鳴器フィルタの製造方法および薄膜バルク音響共鳴器フィルタを用いた回路に関する。
 従来の薄膜バルク音響共鳴器フィルタ(film bulk acoustic resonator filters)は、所望のフィルタ応答を達成するために、それぞれ薄膜バルク音響共鳴器から成る2つの集合を含む。直列の薄膜バルク音響共鳴器はすべて、同一の周波数を有し、分岐を構成する薄膜バルク音響共鳴器は別の1つの周波数を有する。各薄膜バルク音響共鳴器の作用デバイス領域は、上面電極及び底面電極と、圧電薄膜と、裏面キャビティとが重畳する領域により制御されている。
 薄膜バルク音響共鳴器の裏面キャビティは、通常、例えば水酸化カリウム(KOH)或いはエチレンジアミンピロカテコール(EDP)などの結晶軸方向依存性エッチング(crystal orientation-dependent etching)によりエッチングされる。その結果、側壁勾配の角度は、各側で約54.7゜である。 フィルタが複数の直列及び分岐を構成する薄膜バルク音響共鳴器から成り、各薄膜バルク音響共鳴器は、傾斜側壁を有する裏面キャビティを有する場合、フィルタのサイズがかなりなものとなることもある。
このようにして、薄膜バルク音響共鳴器フィルタを形成するより良い方法が必要である。
本発明は、上記課題を解決するため、薄膜バルク音響共鳴器を形成する方法であって、
同一の基板上に複数の薄膜バルク音響共鳴器を形成することと、単一の導電層から、各薄膜バルク音響共鳴器の上に配置される上部電極を形成することとを含んで成る方法にある。
 また、本発明は、基板と、前記基板上に形成されている複数の薄膜バルク音響共鳴器と、分岐薄膜バルク音響共鳴器により結合されている複数の直列に接続されている薄膜バルク音響共鳴器とを備えている集積回路にある。
 図1において、薄膜バルク音響共鳴器(FBAR)フィルタ10は、上部電極36を有する複数の薄膜バルク音響共鳴器38を含む。FBAR38c及び38aは分岐を構成する(shunt,シャント)FBARであり、FBAR38c及び38aの間にあるFBAR38bは、上部電極36b及び36eの延長部36fを介してFBAR38aに結合されている直列(series)FBARである。
 各FBAR38内の中間層は、圧電薄膜である。1つの実施形態では、圧電薄膜の同一の層が、FBAR38の上部電極36のそれぞれの下に配置されている。このようにして、1つの実施形態では、材料35は圧電薄膜である。別の1つの実施形態では、材料35は、FBAR38とFBAR38との間の領域を充填する層間誘電体(ILD)を含み、各上部電極36の下の領域は圧電薄膜である。
 1つの実施形態では、各FBAR38の作用面積は、上部電極36とこれに下重ねに位置する圧電薄膜との間及び上部電極36と最下位置即ち底部電極との間の重畳領域の広さにより制御される。いくつかの実施形態では、FBAR38はすべて、連続する圧電薄膜であれ、層間絶縁膜により分離されている複数の圧電薄膜領域を含む層であれ、単一の膜により実際上結合されている。
 いくつかの実施形態では、強化ストリップ(strengthening strips)が、全体的フィルタ10の機械的強度を改善するのに使用されている。強化ストリップは、様々な形状のうちの任意のもので設計されることが可能である。
 図2の本発明の1つの実施形態では、最初の製造段階は、イオン植えつけされた領域を形成することから始まる。本発明の1つの実施形態では、イオン植えつけ領域(ion implanted regions)18は、最終的に強化ストリップ(strengthening strips)になる。イオン植えつけは、例えば、重いホウ素エッチング停止法(heavy boron etch-stop method)を使用して酸素及び重いホウ素(oxygen or heavy boron)である。次いで、ドーピングを活性化するために急速熱焼きなましが利用されることもある。いくつかの実施形態では、カスケード植えつけが、均一なプロフィルを達成するために使用される。いくつかの実施形態では、植えつけされ焼きなましされた領域の厚さは、約6マイクロメートルである。
 次いで、絶縁層20が、基板16の上面及び底面に装荷(deposited,置かれる。)される。1つの実施形態では、層20は、エッチング停止層及び裏面エッチングマスクとして機能する窒化珪素(silicon nitride,シリコン窒化物)から成る。
 次に図4の本発明の1つの実施形態では、底面電極32は、装荷(deposited,沈殿)及びパターン化により成されている。次いで、図5の本発明の1つの実施形態では、圧電層34は、底面電極32上に装荷及びパターン化される。別の1つの実施形態では、連続する圧電薄膜(圧電フィルム)が利用されている。
 図6において、層間誘電体35は、セクション34a及び34bなどの圧電層34セクションと圧電層34セクションとの間に装荷されている。層間誘電体35が、各圧電層34セクションの上面と同一平面内に位置するようにするのに、化学機械的研磨が、使用されることもある。
 図7において、分岐(シャント)FBAR38a及び38cのための上部電極36a及び36cが装荷されている。このようにして、図1に示す1つの実施形態では、電極38のそれぞれは、略方形セクションである。この時点で、いかなる穴(vias)もエッチングされている。
 図8において、裏面エッチングは、傾斜側壁41を有する裏面キャビティ40を形成するのに利用されている。1つの実施形態では、初期エッチングは、最下位置絶縁体薄膜20を貫通して延びてはいない。次いで、バルクシリコンエッチングが、基板16を貫通するキャビティ40を形成するのに利用される。植えつけられた領域18は、このエッチングの後に残る。何故ならば腐食剤は、ドーピングされたシリコンに比してバルクシリコンに対して選択的であるからである。
 同一の膜上にすべてのFBAR38を有することにより、フィルタ10の全体的サイズは小さくなる。例えば、ただ1つの裏面キャビティ40が、多数のFBAR38のために使用され、これにより、互いに密接して位置する複数のFBARから成るよりコンパクトなレイアウトが得られる。いくつかの実施形態では、フィルタ10の外縁に近い層間絶縁膜35の一部分が、図1に示す構造を達成するために除去される。
 電極36b、36f、36d及び36eが装荷されていることもある。この例では、電極36bは、直列FBAR38bの上部電極として機能する。電極36d及び36eは、直列FBAR38bの周波数から分岐(シャント)FBAR38a及び38cの周波数を異ならせるために付加される。電極36fは、FBAR38bと38aとの上部電極を結合するように機能する。しかしながら、1つの実施形態では、電極36d、36b、36f及び36eは、同一のステップで付加される。
 図9に示すように、層20は、裏面キャビティ40内の強化ストリップの形成を完成させるためにエッチングされる。いくつかの実施形態では、強化ストリップは、#形に配置され、2つの互いに平行な強化ストリップが、別の2つの互いに平行な強化ストリップに対して略横断方向に配置されている。しかしながら、様々な形態の強化ストリップが、様々な実施形態で使用される。
 図1のフィルタ10は、1つのキャビティ40内にすべての直列及び分岐FBARを有し、各FBARの能動領域は、重畳領域により制御されている。植えつけられた領域18のストリップは、構造全体の機械的強度を改善するために強化ストリップとして機能する。
 本発明の別の実施形態では、強化ストリップは、基板16内に溝(トレンチ)をエッチングし、低圧化学的蒸着窒化珪素などの絶縁材をこれらの溝に充填することにより形成される。溝は充填されると強化ストリップを形成する。
 電極36f、36h、36gなどのトレースを短くして、よりコンパクトな設計を作成することにより、挿入損失及びパスバンドから停止バンドに移行する際のロールオフが改善される。
 本発明は、限定された数の実施形態に対して説明されたが、当業者は、これらから多数の変更及び変形を思い付くことができる。添付図面は、本発明の真の精神及び範囲内に入るすべてのこのような変更及び変形をカバーするものとする。
本発明の1つの実施形態による薄膜バルク音響共鳴器フィルタの上面図である。 本発明の1つの実施形態による図1の実施形態の製造の初期段階における2−2切断線に略々沿って切断して示す断面図である。 本発明の1つの実施形態による製造の1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。 本発明の1つの実施形態による1つの後続の段階を示す図である。

Claims (17)

  1.  薄膜バルク音響共鳴器を形成する方法であって、
    同一の基板上に複数の薄膜バルク音響共鳴器を形成することと、
    単一の導電層から、各薄膜バルク音響共鳴器の上に配置される上部電極を形成することと
    を含んで成る方法。
  2.  複数の薄膜バルク音響共鳴器を形成することは、少なくとも1つの分岐薄膜バルク音響共鳴器により結合された複数の直列に接続された薄膜バルク音響共鳴器を同一の基板上に形成することを含む請求項1に記載の方法。
  3.  前記基板を強化するために前記基板の端から端まで強化ストリップを形成することを含む請求項1に記載の方法。
  4.  少なくとも2つの互いに平行な強化ストリップを形成することを含む請求項3に記載の方法。
  5.  前記基板の端から端まで1つの領域を植えつけることにより強化ストリップを形成することを含む請求項3に記載の方法。
  6.  ホウ素及び酸素から成る群から選択された種を使用してストリップを植えつけることを含む請求項5に記載の方法。
  7.  前記基板の裏面をエッチングにより除去し、裏面キャビティを形成するために裏面エッチングを使用することにより薄膜バルク音響共鳴器を形成することを含む請求項1に記載の方法。
  8.  前記基板内に形成された強化ストリップをエッチングにより除去しない腐食剤を使用することを含む請求項7に記載の方法。
  9.  同一の裏面キャビティ上に少なくとも2つの共鳴器を形成することを含む請求項7に記載の方法。
  10.  圧電材料から成る単一の薄膜を使用して、同一の基板上に複数の薄膜バルク音響共鳴器のための1つの圧電層を形成することを含む請求項1に記載の方法。
  11.  前記圧電薄膜をパターン化し、前記圧電薄膜の一部を除去し、除去された部分に誘電材料を代わりに設けることを含む請求項10に記載の方法。
  12.  基板と、
    前記基板上に形成されている複数の薄膜バルク音響共鳴器と、
    分岐薄膜バルク音響共鳴器により結合されている複数の直列に接続されている薄膜バルク音響共鳴器と
    を備えている集積回路。
  13.  前記共鳴器の下に単一の裏面キャビティを含む請求項12に記載の回路。
  14.  前記キャビティの端から端まで延びている複数の強化ストリップを含む請求項13に記載の回路。
  15.  前記強化ストリップはイオン植えつけされた基板材料から成る請求項14に記載の回路。
  16.  一対の互いに平行な強化ストリップを含む請求項14に記載の回路。
  17.  前記共鳴器のそれぞれは、それぞれ1つの上部電極を含み、前記共鳴器の前記上部電極は同一平面内に位置する請求項12に記載の回路。

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3944161B2 (ja) * 2003-12-25 2007-07-11 株式会社東芝 薄膜バルク波音響共振器及び薄膜バルク波音響共振器の製造方法
US20050248420A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-10 Qing Ma Forming integrated plural frequency band film bulk acoustic resonators
JP4535841B2 (ja) * 2004-10-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振子及びこれを用いたフィルタ
KR100615711B1 (ko) * 2005-01-25 2006-08-25 삼성전자주식회사 필름 벌크 어쿠스틱 공진기를 이용한 대역 필터 및 그제조방법.
DE602007006335D1 (en) * 2006-10-09 2010-06-17 Nxp Bv Resonator
US7851333B2 (en) * 2007-03-15 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Apparatus comprising a device and method for producing it
JP5279068B2 (ja) * 2008-02-15 2013-09-04 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置
US9520856B2 (en) 2009-06-24 2016-12-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9099983B2 (en) 2011-02-28 2015-08-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator device comprising a bridge in an acoustic reflector
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9525397B2 (en) 2011-03-29 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator comprising acoustic reflector, frame and collar
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8330325B1 (en) * 2011-06-16 2012-12-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US9608592B2 (en) 2014-01-21 2017-03-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic wave resonator (FBAR) having stress-relief
US9331666B2 (en) 2012-10-22 2016-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Composite dilation mode resonators
US9385022B2 (en) 2014-05-21 2016-07-05 Globalfoundries Inc. Silicon waveguide on bulk silicon substrate and methods of forming
KR101598294B1 (ko) * 2014-09-15 2016-02-26 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 그 제조 방법
KR101730335B1 (ko) * 2015-01-27 2017-04-27 주하이 어드밴스드 칩 캐리어스 앤드 일렉트로닉 서브스트레이트 솔루션즈 테크놀러지즈 컴퍼니 리미티드 필름 벌크 음향 공진기 필터 제조 방법
US10432167B2 (en) * 2016-04-01 2019-10-01 Intel Corporation Piezoelectric package-integrated crystal devices
TWI632772B (zh) * 2016-10-17 2018-08-11 穩懋半導體股份有限公司 具有質量調整結構之體聲波共振器及其應用於體聲波濾波器
KR20190067706A (ko) 2017-12-07 2019-06-17 인피니언 테크놀로지스 아게 무선 주파수 필터를 위한 시스템 및 방법
CN110931922A (zh) * 2019-11-25 2020-03-27 武汉大学 一种基于压电双模态谐振器的双通带滤波器

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US141946A (en) * 1873-08-19 Improvement in steam-traps
US98761A (en) * 1870-01-11 Improvement in bee-hives
US4081769A (en) * 1976-09-13 1978-03-28 Texas Instruments Incorporated Acoustic surface wave resonator with suppressed direct coupled response
US4531267A (en) * 1982-03-30 1985-07-30 Honeywell Inc. Method for forming a pressure sensor
US4502932A (en) * 1983-10-13 1985-03-05 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Acoustic resonator and method of making same
JPS63187714A (ja) * 1987-01-29 1988-08-03 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
US5160870A (en) * 1990-06-25 1992-11-03 Carson Paul L Ultrasonic image sensing array and method
US5231327A (en) * 1990-12-14 1993-07-27 Tfr Technologies, Inc. Optimized piezoelectric resonator-based networks
US5192925A (en) * 1991-05-02 1993-03-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator and method of fabricating the same
US5692279A (en) * 1995-08-17 1997-12-02 Motorola Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter
JPH09130199A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 圧電薄膜素子およびその製法
US5801476A (en) * 1996-08-09 1998-09-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thickness mode acoustic wave resonator
US5872493A (en) * 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
US6028389A (en) * 1998-05-26 2000-02-22 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Micromachined piezoelectric transducer
US5942958A (en) * 1998-07-27 1999-08-24 Tfr Technologies, Inc. Symmetrical piezoelectric resonator filter
FI113211B (fi) * 1998-12-30 2004-03-15 Nokia Corp Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite
US6262637B1 (en) * 1999-06-02 2001-07-17 Agilent Technologies, Inc. Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs)
US6349454B1 (en) * 1999-07-29 2002-02-26 Agere Systems Guardian Corp. Method of making thin film resonator apparatus
FI107661B (fi) * 1999-11-29 2001-09-14 Nokia Mobile Phones Ltd Menetelmä balansoidun suotimen keskitaajuuden säätämiseksi ja joukko balansoituja suotimia
KR100348270B1 (ko) * 2000-04-25 2002-08-09 엘지전자 주식회사 고주파용 fbar 공진기 및 그 제조방법
US6384697B1 (en) * 2000-05-08 2002-05-07 Agilent Technologies, Inc. Cavity spanning bottom electrode of a substrate-mounted bulk wave acoustic resonator
US6486751B1 (en) * 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
KR20020036547A (ko) * 2000-11-10 2002-05-16 송재인 박막 벌크 오코스틱 공진기의 제조방법
JP2002223145A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子とそれを用いたフィルタおよび電子機器
GB0029090D0 (en) * 2000-11-29 2001-01-10 Univ Cranfield Improvements in or relating to filters
KR100372692B1 (ko) * 2000-12-19 2003-02-15 삼성전기주식회사 로딩 스터브를 이용한 적층형 필터의 감쇄극 조정방법
JP2003229743A (ja) * 2001-11-29 2003-08-15 Murata Mfg Co Ltd 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法
JP3969224B2 (ja) * 2002-01-08 2007-09-05 株式会社村田製作所 圧電共振子及びそれを用いた圧電フィルタ・デュプレクサ・通信装置
US20030141946A1 (en) * 2002-01-31 2003-07-31 Ruby Richard C. Film bulk acoustic resonator (FBAR) and the method of making the same
AU2003230088A1 (en) * 2002-05-20 2003-12-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Filter structure

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