JP2004072033A5 - - Google Patents
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- 絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成し、
酸素を含む雰囲気において、前記非晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射して結晶質半導体膜とし、
前記結晶質半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去し、
前記結晶質半導体膜に第2条件の面状のレーザ光を照射して前記結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
平坦化された前記結晶質半導体膜をエッチングすることにより島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
ドーピング処理を行い前記半導体膜にn型又はp型の導電型を有する不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜上にソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にその非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を添加した後、加熱処理して第1の結晶質半導体膜とし、
酸素を含む雰囲気において、前記第1の結晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射して第2の結晶質半導体膜とし、
前記第2の結晶質半導体膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に希ガスを含む半導体膜を形成した後、加熱処理を行い前記第2の結晶質半導体膜から前記希ガスを含む半導体膜に触媒元素を移動させ、
前記希ガスを含む半導体膜及び前記酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中において、前記第2の結晶質半導体膜に第2条件の面状のレーザ光を照射して前記第2の結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
平坦化された前記第2の結晶質半導体膜をエッチングすることにより島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
ドーピング処理を行い前記半導体膜にn型又はp型の導電型を有する不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜上にソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にその非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を添加した後、加熱処理して第1の結晶質半導体膜とし、
酸素を含む雰囲気において、前記第1の結晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射して第2の結晶質半導体膜とし、
前記第2の結晶質半導体膜表面に形成された酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中において、前記第2の結晶質半導体膜に第2条件の面状のレーザ光を照射して前記第2の結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
平坦化された前記第2の結晶質半導体膜の表面に酸化膜からなるバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガスを含む半導体膜を形成した後、加熱処理を行い前記第3の結晶質半導体膜から前記半導体膜に触媒元素を移動させ、
前記バリア層及び前記半導体膜を除去し、
前記第3の結晶質半導体膜をエッチングすることにより島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
ドーピング処理を行い前記半導体膜にn型又はp型の導電型を有する不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜上にソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、前記第1条件のレーザ光のエネルギー密度は、前記第2条件のエネルギー密度と同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成し、
酸素を含む雰囲気において、前記非晶質半導体膜に第1条件の線状のレーザ光を照射して第1の結晶質半導体膜とし、
酸素を含む雰囲気において、前記第1の結晶質半導体膜に前記第1の条件のレーザ光よりもエネルギー密度の小さな第2条件の線状のレーザ光を照射して第2の結晶質半導体膜とし、
前記第2の結晶質半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、不活性雰囲気または真空雰囲気において、前記第2の結晶質半導体膜に第3条件のレーザ光を照射して前記第2の結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
平坦化された前記第2の結晶質半導体膜をエッチングすることにより島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
ドーピング処理を行い島状の前記半導体膜にn型又はp型の導電型を有する不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜上にソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、前記第1の結晶質半導体膜の結晶粒径は、前記第2の結晶質半導体膜の結晶粒径より小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にその非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を添加し、加熱処理して第1の結晶質半導体膜とし、
酸素を含む雰囲気において、前記第1の結晶質半導体膜に第1条件のレーザ光を照射して第2の結晶質半導体膜とし、
酸素を含む雰囲気において、前記第2の結晶質半導体膜に前記第1の条件のレーザ光よりもエネルギー密度の小さな第2条件のレーザ光を照射して第3の結晶質半導体膜とし、
前記第3の結晶質半導体膜上に形成された酸化膜を除去し、不活性雰囲気または真空雰囲気において、前記第3の結晶質半導体膜に第3条件のレーザ光を照射して前記第3の結晶質半導体の表面を平坦化し、
平坦化された前記第3の結晶質半導体膜上に酸化膜からなるバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガスを含む半導体膜を形成した後、加熱処理して前記第3の結晶質半導体膜中に含まれる触媒元素を前記希ガスを含む半導体膜に移動させ、
前記バリア層及び前記希ガスを含む半導体膜を除去し、
平坦化した前記第3の結晶質半導体膜をエッチングすることにより島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
ドーピング処理を行い前記半導体膜にn型又はp型の導電型を有する不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜上にソース配線またはドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項7において、前記第2の結晶質半導体膜の結晶粒径は、前記第3の結晶質半導体膜の結晶粒径より小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
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JP5005881B2 (ja) * | 2004-05-13 | 2012-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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