JP2004071843A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】固体電解コンデンサのＥＳＲ、ＥＳＬを更に小さくする。
【解決手段】固体電解コンデンサ１は、陽極リード２２の一部を陽極体２０内に挿入したコンデンサ素子２を設け、陽極体２０の周面に絶縁膜を介して陰極層３を形成し、陽極リード２２に陽極側リードフレーム９０を、陰極層３に陰極側リードフレーム９を夫々取り付けて構成される。両リードフレーム９、９０は、コンデンサ素子２の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム９は、コンデンサ素子２の下面にて陰極層３に繋がっており、陽極リード２２は、陽極側リードフレーム９０に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム９０に接している。
【選択図】 図１
【解決手段】固体電解コンデンサ１は、陽極リード２２の一部を陽極体２０内に挿入したコンデンサ素子２を設け、陽極体２０の周面に絶縁膜を介して陰極層３を形成し、陽極リード２２に陽極側リードフレーム９０を、陰極層３に陰極側リードフレーム９を夫々取り付けて構成される。両リードフレーム９、９０は、コンデンサ素子２の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム９は、コンデンサ素子２の下面にて陰極層３に繋がっており、陽極リード２２は、陽極側リードフレーム９０に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム９０に接している。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
斯種固体電解コンデンサはチップ型に形成されて、ＬＳＩを保護するデカップリングコンデンサとして用いられることが多い。
図４は、固体電解コンデンサ（１）を、デカップリングコンデンサとして用いた回路のブロック図である。電源（８０）とＬＳＩ（８）を電路（８１）にて繋ぎ、該電路（８１）とアース間に、固体電解コンデンサ（１）を配備する。ＬＳＩ（８）には制御回路等の負荷（図示せず）が接続されている。
ＬＳＩ（８）が使用される機器の高速処理化に伴って、ＬＳＩ（８）の動作周波数であるクロックも高速になっている。ＬＳＩ（８）を高速化すると、消費電力が増えるから、消費電力を抑え発熱を最小にすべく、電源（８０）の電圧Ｖｃｃを下げ、低電圧駆動することが多い。
しかし、負荷の作動状態が変動して、ＬＳＩ（８）に急激な電力消費が発生することがある。この場合、ＬＳＩ（８）が低電圧駆動されたままであると、ＬＳＩ（８）に十分に給電できず、機器のシステムダウンを招来する。従って、ＬＳＩ（８）に急激な電力消費が発生したときに、固体電解コンデンサ（１）からＬＳＩ（８）に電流を供給して、負荷の値が大きくなってもＬＳＩ（８）への給電を安定に保つ。
ここで、固体電解コンデンサ（１）のＥＳＲ（等価直列抵抗）の値をＲ、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）の値をＬ、固体電解コンデンサ（１）からＬＳＩ（８）への給電電流をｉとすれば、固体電解コンデンサ（１）の内部で、
Ｖ＝Ｒ×ｉ＋Ｌ×ｄｉ／ｄｔ
で示されるＶだけ電圧降下が生じる。即ち、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなると、ＬＳＩ（８）への給電を十分に保証することはできない。従って、ＥＳＲ、ＥＳＬを極力小さくする必要がある。
【０００３】
出願人は、以前から図５に示す固体電解コンデンサを提案している（特開２０００−３４０４６０号参照）。図５は、従来の固体電解コンデンサの断面図、図６は、図５の固体電解コンデンサを形成する途中工程を示す断面図である。
固体電解コンデンサ（１）は、図５に示すように、コンデンサ素子（２）上に、誘電体酸化被膜（２１）、陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を順に施して、リードフレーム（９）（９０）を取り付けている。これを合成樹脂製のハウジング（７）にて被覆し、リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の外周面に沿って折曲して固体電解コンデンサ（１）が完成する。
コンデンサ素子（２）は、弁金属の焼結体である略直方体の陽極体（２０）に陽極リード（２２）の一部を挿入して形成され、該陽極体（２０）上に、リン酸等の誘電体酸化被膜（２１）を化成処理により形成する。該誘電体酸化被膜（２１）上に二酸化マンガン、導電性有機化合物の固体導電性材料からなる陰極層（３）を形成する。
ここで、弁金属とは、電解酸化処理により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化被膜が形成される金属を指し、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）等が該当する。また、導電性有機化合物には、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン等の導電性高分子、ＴＣＮＱ（７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン）錯塩等が挙げられる。陰極層（３）に抵抗値の低い導電体有機化合物を用いることにより、ＥＳＲを低くして、高周波特性に優れたコンデンサを形成している。
固体電解コンデンサ（１）は、以下のように形成される。先ず、コンデンサ素子（２）上に、後記の化成処理にて誘電体酸化被膜（２１）（２１）を形成する。該誘電体酸化被膜（２１）上にＭｎＯ２（二酸化マンガン）、導電体有機化合物の固体導電性材料からなる陰極層（３）を形成する。
【０００４】
次に、陰極層（３）上にカーボン層（６）を形成し、該カーボン層（６）上に銀ペースト層（６０）を形成する。
次に、図６に示すように、陽極リード（２２）に一方のリードフレーム（９０）を抵抗溶接等によって取り付け、前記銀ペースト層（６０）に他方のリードフレーム（９）を銀接着剤によって取り付ける。この後、図５に示すように、周囲をエポキシ樹脂にて被覆してハウジング（７）を形成する。リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の周面に沿って下向きに曲げて、先端部をハウジング（７）の下面に対向させる。リードフレーム（９）（９０）に通電して、エージングを行ない、固体電解コンデンサ（１）が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＬＳＩ（８）の一層の高速処理が求められ、デカップリングコンデンサにも一層ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることが求められている。
出願人は、陽極リード（２２）及びリードフレーム（９）（９０）を従来よりも短くすれば、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができることに着目し、陽極リード（２２）及びリードフレーム（９）（９０）を極力短くすることを考えた。特に、従来の構成では、両リードフレーム（９）（９０）がハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲されており、リードフレーム（９）（９０）の長さ分だけ、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなっていた。
本発明の目的は、固体電解コンデンサのＥＳＲ、ＥＳＬを更に小さくすることにある。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
固体電解コンデンサ（１）は、陽極リード（２２）の一部を陽極体（２０）内に挿入したコンデンサ素子（２）を設け、陽極体（２０）の周面に絶縁膜を介して陰極層（３）を形成し、陽極リード（２２）に陽極側リードフレーム（９０）を、陰極層（３）に陰極側リードフレーム（９）を夫々取り付けて構成される。
両リードフレーム（９）（９０）は、コンデンサ素子（２）の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面にて陰極層（３）に繋がっており、陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム（９０）に接している。両リードフレーム（９）（９０）は同一の略水平面内に配備されている。
【０００７】
【作用及び効果】
陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて、陽極体（２０）の下端部を通って陽極側リードフレーム（９０）に接する。これにより、従来の構成に比して、陽極体（２０）から、陽極側リードフレーム（９０）が接する回路基板までに電流が流れる距離は短くなり、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
また、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面にて陰極層（３）に繋がっている。陽極側リードフレーム（９０）は、陰極側リードフレーム（９）と同一の水平面内に位置している。従来は、両リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲していたから、本発明の固体電解コンデンサ（１）は従来の構成に比して両リードフレーム（９）（９０）の電流が流れる距離を短くでき、この点でもＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一例を図を用いて詳述する。
図１は、本例の固体電解コンデンサ（１）の断面図である。本例にあっては、両リードフレーム（９）（９０）がコンデンサ素子（２）の下方に配備され、且つ陽極リード（２２）がリードフレーム（９）（９０）に対して斜めに延びている点に特徴がある。陽極リード（２２）が挿入される陽極体（２０）は、以下の記載に於いては、Ｔａ（タンタル）から形成されるが、Ｎｂ（ニオブ）等から形成されてもよい。
図１に示すように、固体電解コンデンサ（１）はコンデンサ素子（２）上に、誘電体酸化被膜（２１）、陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を順に施しており、リードフレーム（９）（９０）をコンデンサ素子（２）の下方に配備している。これを合成樹脂製のハウジング（７）にて被覆している。コンデンサ素子（２）は従来と同様に、弁金属の焼結体である略直方体の陽極体（２０）に陽極リード（２２）の一部を挿入して形成される。
【０００９】
陰極側リードフレーム（９）はコンデンサ素子（２）の下面に対向し、両リードフレーム（９）（９０）は、同一の略水平面内に配備される。両リードフレーム（９）（９０）が略同一面内に配備されているから、リードフレーム（９）（９０）を下向きにして固体電解コンデンサ（１）を回路基板（図示せず）上に置いたときに、リードフレーム（９）（９０）はともに回路基板の半田面に接し、半田付けがし易い。両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部の間隔Ｌ１は、極力短く形成されており、この両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部を接近させている理由は後記する。
陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対して斜め下向きに延びており、先端部が陽極側リードフレーム（９０）に半田付け又は溶接により取り付けられる。
【００１０】
固体電解コンデンサ（１）は、以下のように形成される。
先ず、粒子径が約数ミクロンのＴａ粉末を溶媒、バインダとともに混合してスラリー（４）を形成する。図２に示すように、該スラリー（４）を陽極体（２０）の成形用型（４０）に流し込む。このとき、タンタルのワイヤー又は薄板である陽極リード（２２）を成形用型（４０）の長手方向に対して斜めからスラリー（４）に挿入する。
スラリー（４）を１３００〜１６００℃に焼成して固め、コンデンサ素子（２）を得る。このコンデンサ素子（２）の陽極体（２０）を、０．０５重量パーセント程度のリン酸水溶液である化成液に浸して化成処理し、周面に誘電体酸化被膜（２１）を形成する。この化成工程は、図３に示すように、導電性のバー（５）に陽極リード（２２）を取り付けて、陽極体（２０）を化成液（５０）に漬ける。バー（５）に通電して化成液（５０）を電気分解し、陽極体（２０）の周面に誘電体酸化被膜（２１）を形成する。この化成工程は、特許２９２５４１１号に示す周知技術である。
この後は従来と同じ方法により、誘電体酸化被膜（２１）上に陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を形成する。コンデンサ素子（２）の下面に、平板状のリードフレーム（９）（９０）を取り付けるとともに、陽極リード（２２）の先端部を陽極側リードフレーム（９０）に取り付けて、ハウジング（７）にて被覆し、固体電解コンデンサ（１）を得る。
【００１１】
本例の固体電解コンデンサ（１）にあっては、陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて、陽極体（２０）の下端部を通って陽極側リードフレーム（９０）に接する。これにより、図５に示す従来の構成に比して、陽極体（２０）から、陽極側リードフレーム（９０）が接する回路基板までに電流が流れる距離は短くなり、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
また、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面に亘って陰極層（３）に繋がっている。陽極側リードフレーム（９０）は、陰極側リードフレーム（９）と同一の水平面内に位置している。
従来は、両リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲していたから、本例の固体電解コンデンサ（１）は図５に示す従来の構成に比して両リードフレーム（９）（９０）の電流が流れる距離を短くでき、この点でもＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
【００１２】
両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部を、接近させている理由を以下に示す。固体電解コンデンサ（１）への通電時には、陽極側リードフレーム（９０）から陰極側リードフレーム（９）に向けて磁力線Ｇ（図１参照）の束である漏れ磁束が発生する。
磁束の単位時間当たりの変化量が、周知の如く、誘導起電力となるが、特に磁束が小さくなる際に誘導起電力が生じると、固体電解コンデンサ（１）内で消費される電圧が大きくなり、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなるのと同じ効果をもたらす。
図１に於いて、陽極側リードフレーム（９０）と陰極側リードフレーム（９）の間隔Ｌ１が大きいと、陽極側リードフレーム（９０）から陰極側リードフレーム（９）に向けた磁力線Ｇの本数が多くなり、磁束が増える。従って、誘導起電力も大きくなることが予想される。従って、陽極側リードフレーム（９０）と陰極側リードフレーム（９）の間隔Ｌを小さくして、発生する漏れ磁束を小さくし、これによってＥＳＲ、ＥＳＬを小さくするのと同じ効果を得ている。
尚、かかる効果を得る為には、図１に示すように、陰極側リードフレーム（９）がコンデンサ素子（２）の下面に亘って陰極層（３）と繋がっているのが好ましく、少なくとも陽極リード（２２）に近い陰極層（３）部分が陰極側リードフレーム（９）に繋がっていることが望ましい。
【００１３】
尚、固体電解コンデンサ（１）の応用例として、図７に示すように、コンデンサ素子（２）の陽極リード（２２）を下向きに折曲して、陽極側リードフレーム（９０）に取り付けることも考えられる。しかし、陽極リード（２２）はワイヤ−又は薄板であるから、折曲すると折れやすくなり、コンデンサ素子（２）の歩留まりが悪くなることが考えられる。従って、図１に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）に斜めに挿入している。
【００１４】
また、図８（ａ）、（ｂ）は図１の平面図であり、ハウジング（７）を省いている。出願人は、図８（ａ）に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）の長手方向に沿って設けることを考えているが、図８（ｂ）に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）の長手方向に対して傾けてもよい。但し、陽極体（２０）の長手方向に対する陽極リード（２２）の傾き角度θのバラ付きが大きいと、陽極リード（２２）が陽極側リードフレーム（９０）に接する位置がバラつき、陽極リード（２２）を陽極側リードフレーム（９０）に半田付け等する際の作業性が悪くなることが予想される。
【００１５】
上記実施例の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本例に係わる固体電解コンデンサの断面図である。
【図２】成形用型の断面図である。
【図３】化成処理を示す図である。
【図４】固体電解コンデンサを、デカップリングコンデンサとして用いた回路のブロック図である。
【図５】従来の固体電解コンデンサの断面図である。
【図６】図５の固体電解コンデンサを形成する途中の工程を示す断面図である。
【図７】好ましくない固体電解コンデンサを示す断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は図１の平面図であり、ハウジングを省いている。
【符号の説明】
（１） 固体電解コンデンサ
（２） コンデンサ素子
（３） 陰極層
（９） 陰極側リードフレーム
（２０） 陽極体
（２２） 陽極リード
（９０） 陽極側リードフレーム
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
斯種固体電解コンデンサはチップ型に形成されて、ＬＳＩを保護するデカップリングコンデンサとして用いられることが多い。
図４は、固体電解コンデンサ（１）を、デカップリングコンデンサとして用いた回路のブロック図である。電源（８０）とＬＳＩ（８）を電路（８１）にて繋ぎ、該電路（８１）とアース間に、固体電解コンデンサ（１）を配備する。ＬＳＩ（８）には制御回路等の負荷（図示せず）が接続されている。
ＬＳＩ（８）が使用される機器の高速処理化に伴って、ＬＳＩ（８）の動作周波数であるクロックも高速になっている。ＬＳＩ（８）を高速化すると、消費電力が増えるから、消費電力を抑え発熱を最小にすべく、電源（８０）の電圧Ｖｃｃを下げ、低電圧駆動することが多い。
しかし、負荷の作動状態が変動して、ＬＳＩ（８）に急激な電力消費が発生することがある。この場合、ＬＳＩ（８）が低電圧駆動されたままであると、ＬＳＩ（８）に十分に給電できず、機器のシステムダウンを招来する。従って、ＬＳＩ（８）に急激な電力消費が発生したときに、固体電解コンデンサ（１）からＬＳＩ（８）に電流を供給して、負荷の値が大きくなってもＬＳＩ（８）への給電を安定に保つ。
ここで、固体電解コンデンサ（１）のＥＳＲ（等価直列抵抗）の値をＲ、ＥＳＬ（等価直列インダクタンス）の値をＬ、固体電解コンデンサ（１）からＬＳＩ（８）への給電電流をｉとすれば、固体電解コンデンサ（１）の内部で、
Ｖ＝Ｒ×ｉ＋Ｌ×ｄｉ／ｄｔ
で示されるＶだけ電圧降下が生じる。即ち、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなると、ＬＳＩ（８）への給電を十分に保証することはできない。従って、ＥＳＲ、ＥＳＬを極力小さくする必要がある。
【０００３】
出願人は、以前から図５に示す固体電解コンデンサを提案している（特開２０００−３４０４６０号参照）。図５は、従来の固体電解コンデンサの断面図、図６は、図５の固体電解コンデンサを形成する途中工程を示す断面図である。
固体電解コンデンサ（１）は、図５に示すように、コンデンサ素子（２）上に、誘電体酸化被膜（２１）、陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を順に施して、リードフレーム（９）（９０）を取り付けている。これを合成樹脂製のハウジング（７）にて被覆し、リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の外周面に沿って折曲して固体電解コンデンサ（１）が完成する。
コンデンサ素子（２）は、弁金属の焼結体である略直方体の陽極体（２０）に陽極リード（２２）の一部を挿入して形成され、該陽極体（２０）上に、リン酸等の誘電体酸化被膜（２１）を化成処理により形成する。該誘電体酸化被膜（２１）上に二酸化マンガン、導電性有機化合物の固体導電性材料からなる陰極層（３）を形成する。
ここで、弁金属とは、電解酸化処理により極めて緻密で耐久性を有する誘電体酸化被膜が形成される金属を指し、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）等が該当する。また、導電性有機化合物には、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン等の導電性高分子、ＴＣＮＱ（７、７、８、８−テトラシアノキノジメタン）錯塩等が挙げられる。陰極層（３）に抵抗値の低い導電体有機化合物を用いることにより、ＥＳＲを低くして、高周波特性に優れたコンデンサを形成している。
固体電解コンデンサ（１）は、以下のように形成される。先ず、コンデンサ素子（２）上に、後記の化成処理にて誘電体酸化被膜（２１）（２１）を形成する。該誘電体酸化被膜（２１）上にＭｎＯ２（二酸化マンガン）、導電体有機化合物の固体導電性材料からなる陰極層（３）を形成する。
【０００４】
次に、陰極層（３）上にカーボン層（６）を形成し、該カーボン層（６）上に銀ペースト層（６０）を形成する。
次に、図６に示すように、陽極リード（２２）に一方のリードフレーム（９０）を抵抗溶接等によって取り付け、前記銀ペースト層（６０）に他方のリードフレーム（９）を銀接着剤によって取り付ける。この後、図５に示すように、周囲をエポキシ樹脂にて被覆してハウジング（７）を形成する。リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の周面に沿って下向きに曲げて、先端部をハウジング（７）の下面に対向させる。リードフレーム（９）（９０）に通電して、エージングを行ない、固体電解コンデンサ（１）が完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、ＬＳＩ（８）の一層の高速処理が求められ、デカップリングコンデンサにも一層ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることが求められている。
出願人は、陽極リード（２２）及びリードフレーム（９）（９０）を従来よりも短くすれば、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができることに着目し、陽極リード（２２）及びリードフレーム（９）（９０）を極力短くすることを考えた。特に、従来の構成では、両リードフレーム（９）（９０）がハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲されており、リードフレーム（９）（９０）の長さ分だけ、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなっていた。
本発明の目的は、固体電解コンデンサのＥＳＲ、ＥＳＬを更に小さくすることにある。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
固体電解コンデンサ（１）は、陽極リード（２２）の一部を陽極体（２０）内に挿入したコンデンサ素子（２）を設け、陽極体（２０）の周面に絶縁膜を介して陰極層（３）を形成し、陽極リード（２２）に陽極側リードフレーム（９０）を、陰極層（３）に陰極側リードフレーム（９）を夫々取り付けて構成される。
両リードフレーム（９）（９０）は、コンデンサ素子（２）の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面にて陰極層（３）に繋がっており、陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム（９０）に接している。両リードフレーム（９）（９０）は同一の略水平面内に配備されている。
【０００７】
【作用及び効果】
陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて、陽極体（２０）の下端部を通って陽極側リードフレーム（９０）に接する。これにより、従来の構成に比して、陽極体（２０）から、陽極側リードフレーム（９０）が接する回路基板までに電流が流れる距離は短くなり、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
また、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面にて陰極層（３）に繋がっている。陽極側リードフレーム（９０）は、陰極側リードフレーム（９）と同一の水平面内に位置している。従来は、両リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲していたから、本発明の固体電解コンデンサ（１）は従来の構成に比して両リードフレーム（９）（９０）の電流が流れる距離を短くでき、この点でもＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一例を図を用いて詳述する。
図１は、本例の固体電解コンデンサ（１）の断面図である。本例にあっては、両リードフレーム（９）（９０）がコンデンサ素子（２）の下方に配備され、且つ陽極リード（２２）がリードフレーム（９）（９０）に対して斜めに延びている点に特徴がある。陽極リード（２２）が挿入される陽極体（２０）は、以下の記載に於いては、Ｔａ（タンタル）から形成されるが、Ｎｂ（ニオブ）等から形成されてもよい。
図１に示すように、固体電解コンデンサ（１）はコンデンサ素子（２）上に、誘電体酸化被膜（２１）、陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を順に施しており、リードフレーム（９）（９０）をコンデンサ素子（２）の下方に配備している。これを合成樹脂製のハウジング（７）にて被覆している。コンデンサ素子（２）は従来と同様に、弁金属の焼結体である略直方体の陽極体（２０）に陽極リード（２２）の一部を挿入して形成される。
【０００９】
陰極側リードフレーム（９）はコンデンサ素子（２）の下面に対向し、両リードフレーム（９）（９０）は、同一の略水平面内に配備される。両リードフレーム（９）（９０）が略同一面内に配備されているから、リードフレーム（９）（９０）を下向きにして固体電解コンデンサ（１）を回路基板（図示せず）上に置いたときに、リードフレーム（９）（９０）はともに回路基板の半田面に接し、半田付けがし易い。両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部の間隔Ｌ１は、極力短く形成されており、この両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部を接近させている理由は後記する。
陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対して斜め下向きに延びており、先端部が陽極側リードフレーム（９０）に半田付け又は溶接により取り付けられる。
【００１０】
固体電解コンデンサ（１）は、以下のように形成される。
先ず、粒子径が約数ミクロンのＴａ粉末を溶媒、バインダとともに混合してスラリー（４）を形成する。図２に示すように、該スラリー（４）を陽極体（２０）の成形用型（４０）に流し込む。このとき、タンタルのワイヤー又は薄板である陽極リード（２２）を成形用型（４０）の長手方向に対して斜めからスラリー（４）に挿入する。
スラリー（４）を１３００〜１６００℃に焼成して固め、コンデンサ素子（２）を得る。このコンデンサ素子（２）の陽極体（２０）を、０．０５重量パーセント程度のリン酸水溶液である化成液に浸して化成処理し、周面に誘電体酸化被膜（２１）を形成する。この化成工程は、図３に示すように、導電性のバー（５）に陽極リード（２２）を取り付けて、陽極体（２０）を化成液（５０）に漬ける。バー（５）に通電して化成液（５０）を電気分解し、陽極体（２０）の周面に誘電体酸化被膜（２１）を形成する。この化成工程は、特許２９２５４１１号に示す周知技術である。
この後は従来と同じ方法により、誘電体酸化被膜（２１）上に陰極層（３）、カーボン層（６）、銀ペースト層（６０）を形成する。コンデンサ素子（２）の下面に、平板状のリードフレーム（９）（９０）を取り付けるとともに、陽極リード（２２）の先端部を陽極側リードフレーム（９０）に取り付けて、ハウジング（７）にて被覆し、固体電解コンデンサ（１）を得る。
【００１１】
本例の固体電解コンデンサ（１）にあっては、陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて、陽極体（２０）の下端部を通って陽極側リードフレーム（９０）に接する。これにより、図５に示す従来の構成に比して、陽極体（２０）から、陽極側リードフレーム（９０）が接する回路基板までに電流が流れる距離は短くなり、ＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
また、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面に亘って陰極層（３）に繋がっている。陽極側リードフレーム（９０）は、陰極側リードフレーム（９）と同一の水平面内に位置している。
従来は、両リードフレーム（９）（９０）をハウジング（７）の側面から突出した後に下向きに折曲していたから、本例の固体電解コンデンサ（１）は図５に示す従来の構成に比して両リードフレーム（９）（９０）の電流が流れる距離を短くでき、この点でもＥＳＲ、ＥＳＬを小さくすることができる。
【００１２】
両リードフレーム（９）（９０）の対向する端部を、接近させている理由を以下に示す。固体電解コンデンサ（１）への通電時には、陽極側リードフレーム（９０）から陰極側リードフレーム（９）に向けて磁力線Ｇ（図１参照）の束である漏れ磁束が発生する。
磁束の単位時間当たりの変化量が、周知の如く、誘導起電力となるが、特に磁束が小さくなる際に誘導起電力が生じると、固体電解コンデンサ（１）内で消費される電圧が大きくなり、ＥＳＲ、ＥＳＬが大きくなるのと同じ効果をもたらす。
図１に於いて、陽極側リードフレーム（９０）と陰極側リードフレーム（９）の間隔Ｌ１が大きいと、陽極側リードフレーム（９０）から陰極側リードフレーム（９）に向けた磁力線Ｇの本数が多くなり、磁束が増える。従って、誘導起電力も大きくなることが予想される。従って、陽極側リードフレーム（９０）と陰極側リードフレーム（９）の間隔Ｌを小さくして、発生する漏れ磁束を小さくし、これによってＥＳＲ、ＥＳＬを小さくするのと同じ効果を得ている。
尚、かかる効果を得る為には、図１に示すように、陰極側リードフレーム（９）がコンデンサ素子（２）の下面に亘って陰極層（３）と繋がっているのが好ましく、少なくとも陽極リード（２２）に近い陰極層（３）部分が陰極側リードフレーム（９）に繋がっていることが望ましい。
【００１３】
尚、固体電解コンデンサ（１）の応用例として、図７に示すように、コンデンサ素子（２）の陽極リード（２２）を下向きに折曲して、陽極側リードフレーム（９０）に取り付けることも考えられる。しかし、陽極リード（２２）はワイヤ−又は薄板であるから、折曲すると折れやすくなり、コンデンサ素子（２）の歩留まりが悪くなることが考えられる。従って、図１に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）に斜めに挿入している。
【００１４】
また、図８（ａ）、（ｂ）は図１の平面図であり、ハウジング（７）を省いている。出願人は、図８（ａ）に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）の長手方向に沿って設けることを考えているが、図８（ｂ）に示すように、陽極リード（２２）を陽極体（２０）の長手方向に対して傾けてもよい。但し、陽極体（２０）の長手方向に対する陽極リード（２２）の傾き角度θのバラ付きが大きいと、陽極リード（２２）が陽極側リードフレーム（９０）に接する位置がバラつき、陽極リード（２２）を陽極側リードフレーム（９０）に半田付け等する際の作業性が悪くなることが予想される。
【００１５】
上記実施例の説明は、本発明を説明するためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本例に係わる固体電解コンデンサの断面図である。
【図２】成形用型の断面図である。
【図３】化成処理を示す図である。
【図４】固体電解コンデンサを、デカップリングコンデンサとして用いた回路のブロック図である。
【図５】従来の固体電解コンデンサの断面図である。
【図６】図５の固体電解コンデンサを形成する途中の工程を示す断面図である。
【図７】好ましくない固体電解コンデンサを示す断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は図１の平面図であり、ハウジングを省いている。
【符号の説明】
（１） 固体電解コンデンサ
（２） コンデンサ素子
（３） 陰極層
（９） 陰極側リードフレーム
（２０） 陽極体
（２２） 陽極リード
（９０） 陽極側リードフレーム
Claims (2)
- 陽極リード（２２）の一部を陽極体（２０）内に挿入したコンデンサ素子（２）を設け、陽極体（２０）の周面に絶縁膜を介して陰極層（３）を形成し、陽極リード（２２）に陽極側リードフレーム（９０）を、陰極層（３）に陰極側リードフレーム（９）を夫々取り付けて構成される固体電解コンデンサに於いて、
両リードフレーム（９）（９０）は、コンデンサ素子（２）の下方にて略水平に設けられて、陰極側リードフレーム（９）は、コンデンサ素子（２）の下面にて陰極層（３）に繋がっており、
陽極リード（２２）は、陽極側リードフレーム（９０）に対し斜め下向きに延びて陽極側リードフレーム（９０）に接していることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 両リードフレーム（９）（９０）は同一の略水平面内に配備され、対向する端部が互いに接近している請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
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