JP2004071694A - 高出力半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体レーザダイオードとその複数の半導体レーザダイオードから出射された光を集光する手段とその集光された光を伝送する光伝送路とを備えた高出力半導体レーザ装置であって、光伝送路は集光した光の一部を反射する反射部を有し、その反射部によって反射された光によって複数の半導体レーザダイオードを同期発振させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体レーザダイオードのレーザ光を集光して出力する高出力半導体レーザ装置(集光型高出力半導体レーザ装置)に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の集光型高出力半導体レーザ装置は、例えば、図5に示すように、複数の半導体レーザダイオードLD1〜LD8が配列されてなるレーザダイオードアレイ1と、レーザ光を集光するレンズ2と、集光した光を伝送するマルチモード光ファイバ3とからなり、レンズ2によって集光されたレーザ光をマルチモード光ファイバ3を介して出力する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の集光型高出力半導体レーザ装置は、図5において模式的に示すように、集光された複数のレーザ光の位相が揃っていないので、光の一部が打ち消され、集光した効果が十分発揮されないという問題があった。
【0004】
そこで、本発明は簡単な構成で集光した効果が十分得られる集光型の高出力半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために、本発明に係る第1の高出力半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザダイオードと上記複数の半導体レーザダイオードから出射された光を集光する手段とその集光された光を伝送する光伝送路とを備えた高出力半導体レーザ装置であって、
上記光伝送路は上記集光した光の一部を反射する反射部を有し、その反射部によって反射された光によって上記複数の半導体レーザダイオードを同期発振させることを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る第1の高出力半導体レーザ装置は、同期発振された位相の揃ったレーザ光を集光して合成できるので、互いに打ち消し合うことなく合成できる。
【0006】
また、本発明に係る第1の高出力半導体レーザ装置において、上記反射部は上記光伝送路の一部において屈折率を周期的に変化させることにより構成されたグレーティングにより構成できる。
【0007】
また、本発明に係る第2の高出力半導体レーザ装置は、複数の半導体レーザダイオードと上記複数の半導体レーザダイオードから出射された光を集光する手段とその集光された光を伝送する光伝送路と同期用半導体レーザダイオードを備え、その同期用半導体レーザダイオードにより上記複数の半導体レーザダイオードを同期して発振させることを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る第2の高出力半導体レーザ装置は、同期発振された位相の揃ったレーザ光を集光して合成できるので、互いに打ち消し合うことなく合成できる。
【0008】
また、本発明に係る第2の高出力半導体レーザ装置においては、上記高出力半導体レーザ装置はさらに上記光伝送路の途中に光サーキュレータを設け、その光サーキュレータを介して上記同期用半導体レーザダイオードによる同期用レーザ光を上記複数の半導体レーザダイオードに入力するように構成することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態の高出力半導体レーザ装置について説明する。
実施の形態1.
本発明に係る実施の形態1の高出力半導体レーザ装置は、図5に示した従来例の高出力半導体レーザ装置において、マルチモード光ファイバ3の一部に屈折率が周期的に変化するグレーティング3aを形成し(図1)、そのグレーティング3aによって集光した光の一部を反射させてその反射レーザ光よって半導体レーザダイオードLD1〜LD8を同期発振させるように構成している。
尚、図1において、図5と同様のものには同様の符号を付して示している。
【0010】
本発明に係る実施の形態1の高出力半導体レーザ装置において、半導体レーザダイオードLD1〜LD8は、同一の波長λでレーザ発振するように構成され、グレーティング3aは、屈折率の異なる2つの領域をλ/4ごとに周期的に形成することにより構成される。
尚、本実施の形態1において、グレーティング3a以外の部分では、極力反射のないことが好ましく、反射の発生しやすい入出力ポートP1は無反射コーティングされることが好ましい。
【0011】
以上のように構成された実施の形態1の高出力半導体レーザ装置において、半導体レーザダイオードLD1〜LD8をレーザ発振させると、レーザ光L1〜L8はレンズ2によって集光されて入出力ポートP1からマルチモード光ファイバ3に入力される。
マルチモード光ファイバ3に入力されたレーザ光L1〜L8は、その一部がグレーティング3aにより反射されて入出力ポートP1から出射され、レンズ2を介して半導体レーザダイオードLD1〜LD8にそれぞれ入射される。
ここで、各半導体レーザダイオードLDに入射される反射光は、半導体レーザダイオードLD1〜LD8により出力されたレーザ光L1〜L8の反射光を成分として含んでいる。
【0012】
反射光が入射された半導体レーザダイオードLD1〜LD8では、反射光のうちの最も強い優勢な成分に強制的に同期されてレーザ発振を継続する。
反射光により同期されて発振した半導体レーザダイオードLD1〜LD8からのレーザ光L1〜L8は、レンズ2によって集光されて入出力ポートP1からマルチモード光ファイバ3に入力され、入出力ポートP2から出力される。
【0013】
このように、反射光により同期されて発振した半導体レーザダイオードLD1〜LD8からのレーザ光L1〜L8は、レンズ2によって集光されて入出力ポートP1から入力される時点においてほぼ位相が揃っているので、打ち消し合うことなく合成される。
尚、厳密に言えば、反射光が各レーザに入力されるまでの間に光路差が生じているが、その光路差が位相に与える無視し得るほど小さい。
【0014】
実施の形態2.
本発明に係る実施の形態2の高出力半導体レーザ装置は、図2に示すように、基板100上に形成された光導波路によりレーザ光を集光するように構成し、その光導波路中にグレーティングを形成して、半導体レーザダイオードLD1〜LD8を同期発振させるように構成したものである。
【0015】
本実施の形態2の高出力半導体レーザ装置において、基板100の対向する2つの辺の一方の辺に入出力ポートP130が設けられ、他方の辺に8つの入出力ポートが設けられその間に光導波路が以下のように形成される。
まず、基板100上には、一端が入出力ポートP130を構成する光導波路130が形成され、その光導波路130は、基板100上で2つの光導波路110,120に分岐される。光導波路110,120はそれぞれ、2つの光導波路112,134及び2つの光導波路156,178に分岐される。光導波路112,134,156,178はそれぞれ、2つの光導波路101,102、2つの光導波路103,104、2つの光導波路105,106、2つの光導波路107,108に分岐される。
【0016】
光導波路101,102,103,104,105,106,107,108の一端は、他方の辺に至るように形成され、その各一端により8つの入出力ポートが構成される。
以上のように構成された実施の形態2の光導波路において、光導波路130の途中に導波路グレーティング130aが形成され、さらに8つの入出力ポートから入出力ポートP130までの光導波路の長さ(8つの経路長)は、互いの等しくなるように構成される。
尚、本発明に係る実施の形態2の高出力半導体レーザ装置において、半導体レーザダイオードLD1〜LD8は、同一の波長λでレーザ発振するように構成され、グレーティング130aは、屈折率の異なる2つの領域をλ/4ごとに周期的に形成することにより構成される。
【0017】
以上のように構成された実施の形態2の高出力半導体レーザ装置において、半導体レーザダイオードLD1〜LD8をレーザ発振させると、各レーザ光は対応する入出力ポートからそれぞれ、光導波路101,102,103,104,105,106,107,108に入力され、隣接する光導波路を伝送される光が順次合成されて最終的に光導波路130に入力される際に全ての光が合成される。
光導波路130に入力された合成光は、その一部がグレーティング130aにより反射されて、その反射光は光導波路に形成された各分岐点において分岐され、その反射光の分波された光がそれぞれ、半導体レーザダイオードLD1〜LD8に入射される。
【0018】
反射光が入射された半導体レーザダイオードLD1〜LD8では、反射光のうちの最も強い優勢な成分に強制的に同期されてレーザ発振を継続する。
その後、反射光により同期されて発振した半導体レーザダイオードLD1〜LD8からのレーザ光は、光導波路によって集光されて入出力ポートP130及び入出力ポートP1を介してマルチモード光ファイバ3に入力され、入出力ポートP2から出力される。
【0019】
このように、反射光により同期されて発振した半導体レーザダイオードLD1〜LD8からのレーザ光は、入出力ポートP1から入力される時点において位相が揃っているので、打ち消し合うことなく合成される。
特に、本実施の形態2の高出力半導体レーザ装置では、各半導体レーザダイオードから出射される光が入力される各入出力ポートから入出力ポートP130までの光導波路長が互いに等しくなるように形成されているので、入出力ポートP1から入力される際の位相を実施の形態1に比較してより高い精度で一致させることができ、より効率良く複数のレーザ光を合成することができる。
【0020】
以上の実施の形態2の高出力半導体レーザ装置は、光導波路130の途中にグレーティング130aを形成するようにしたが、グレーティング130aを形成することなく、図3に示すように、入出力ポートP130と入出力ポートP1との接続部分における反射を利用するようにしてもよい。
具体的には、入出力ポートP130と入出力ポートP1との間隔を通常の接続状態より大きくしたり、入出力ポートP130の光軸と入出力ポートP1の光軸とを多少ずらして接続することにより、接続部分における反射率を通常の接続状態に比較して大きくなるように設定する。
このようにすると、光導波路130の途中にグレーティング130aを形成することなく、実施の形態2と同様の作用効果が得られる。
【0021】
実施の形態1〜2においては、半導体レーザダイオードLD1〜LD8を同時にレーザ発振させ、半導体レーザダイオードLD1〜LD8のレーザ発振を反射光のうちの最も強い優勢な成分に強制的に同期させるようにした。
しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、半導体レーザダイオードLD1〜LD8のうちいずれか1つを先行して発振させ、その反射光に半導体レーザダイオードLD1〜LD8を強制的に同期するようにしてもよい。
このようにすると、より確実に複数の半導体レーザダイオードLD1〜LD8を強制的に同期させることができる。
【0022】
実施の形態3.
本発明に係る実施の形態3の高出力半導体レーザ装置は、図4に示すように、半導体レーザダイオードLD1〜LD8とは別に、同期用の半導体レーザダイオードLDRを設けたものであり、半導体レーザダイオードLDRから出力された基準レーザ光をサーキュレータ40(3つの入出力ポートP40a,P40b,P40cを有する)を介して各半導体レーザダイオードLD1〜LD8に入力して各半導体レーザダイオードLD1〜LD8を同期させている。
具体的には、図5に示す従来例の高出力レーザ装置において、マルチモード光ファイバ3の入出力ポートP2にサーキュレータ40の入出力ポートP40aを接続し、サーキュレータ40の入出力ポートP40cにはマルチモード光ファイバ30の一端を接続してその他端を入出力ポートP20とする。
そして、サーキュレータ40の入出力ポートP40bに光ファイバを介して基準レーザ光を発生する半導体レーザダイオードLDRを接続する。
ここで、サーキュレータ40は、入出力ポートP40aから入力された光を入出力ポートP40cから出力し、入出力ポートP40bから入力された光を入出力ポートP40aから出力する。
【0023】
以上のように構成された実施の形態3の高出力半導体レーザ装置において、半導体レーザダイオードLDRと半導体レーザダイオードLD1〜LD8をレーザ発振させると、サーキュレータ40の入出力ポートP40bに入力される基準レーザ光はサーキュレータ40の入出力ポートP40aから出力され、マルチモード光ファイバ3とレンズ2とを介して各半導体レーザダイオードLD1〜LD8に入力される。これにより、半導体レーザダイオードLD1〜LD8は同期され、同一波長のレーザ光を同一位相で出力する。
尚、本実施の形態3では、半導体レーザダイオードLDRを先行してレーザ発振させ、その後、半導体レーザダイオードLD1〜LD8をレーザ発振させるようにしてもよく、このようにするとより確実に基準レーザ光に同期させることができる。
【0024】
半導体レーザダイオードLD1〜LD8で発振された同一波長で同一位相のレーザ光は、レンズ2によって集光されてマルチモード光ファイバ3に入力される。マルチモード光ファイバ3に入力された光は、サーキュレータ40の入出力ポートP40aに入力され、サーキュレータ40の入出力ポートP40cから出力され、マルチモード光ファイバ30を介して入出力ポートP20から出力される。
【0025】
このように、基準レーザ光により強制的に同期されて発振した半導体レーザダイオードLD1〜LD8からのレーザ光は、入出力ポートP1から入力される時点において位相が揃っているので、打ち消し合うことなく合成される。
【0026】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る第1及び第2の高出力半導体レーザ装置によれば、複数の半導体レーザダイオードを同期して発振させることができるので、その同期発振された位相の揃ったレーザ光を集光して合成でき、互いに打ち消し合うことなく合成できる。
したがって、本発明によれば、簡単な構成で集光した効果が十分得られる集光型の高出力半導体レーザ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る実施の形態1の高出力半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明に係る実施の形態2の高出力半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明に係る実施の形態2の変形例の高出力半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【図4】本発明に係る実施の形態3の高出力半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【図5】従来例の高出力半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1…レーザダイオードアレイ、
2…レンズ、
3,30…マルチモード光ファイバ、
3a,130a…グレーティング、
LD1〜LD8,LDR…半導体レーザダイオード、
P1,P20,P40a,P40b,P40c,P130…入出力ポート、
40…サーキュレータ、
100…基板、
101,102,103,104,105,106,107,108,110,112,120,130,134,156,178…光導波路。
Claims (4)
- 複数の半導体レーザダイオードと上記複数の半導体レーザダイオードから出射された光を集光する手段とその集光された光を伝送する光伝送路とを備えた高出力半導体レーザ装置であって、
上記光伝送路は上記集光した光の一部を反射する反射部を有し、その反射部によって反射された光によって上記複数の半導体レーザダイオードを同期発振させることを特徴とする高出力半導体レーザ装置。 - 上記反射部は上記光伝送路の一部において屈折率を周期的に変化させることにより構成されたグレーティングである請求項1記載の高出力半導体レーザ装置。
- 複数の半導体レーザダイオードと上記複数の半導体レーザダイオードから出射された光を集光する手段とその集光された光を伝送する光伝送路と同期用半導体レーザダイオードを備え、その同期用半導体レーザダイオードにより上記複数の半導体レーザダイオードを同期して発振させることを特徴とする高出力半導体レーザ装置。
- 上記高出力半導体レーザ装置はさらに上記光伝送路の途中に設けられた光サーキュレータを備え、その光サーキュレータを介して上記同期用半導体レーザダイオードによる同期用レーザ光を上記複数の半導体レーザダイオードに入力するようにした請求項3記載の高出力半導体レーザ装置。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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