JP2004064081A

JP2004064081A - 複合材料及びその用途

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Publication number: JP2004064081A
Application number: JP2003206651A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Kondo; 近藤　保夫; Junya Kaneda; 金田　潤也; Yasuhisa Aono; 青野　泰久; Teruyoshi Abe; 阿部　輝宜; Masatoshi Inagaki; 稲垣　正寿; Ryuichi Saito; 齋藤　隆一; Yoshihiko Koike; 小池　義彦; Hideo Arakawa; 荒川　英夫
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2003-08-08
Filing date: 2003-08-08
Publication date: 2004-02-26
Anticipated expiration: 2018-12-07
Also published as: JP3938113B2

Abstract

【目的】本発明の目的は高熱伝導率と低熱膨張係数で高い塑性加工性を有する複合材料及びそれを用いた半導体装置等の各種用途を提供する。
【構成】本発明は金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は断面の面積率が前記粒子の全体の９５％以上が互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする。
酸化銅を２０〜８０体積％含み、残部が銅からなり、室温から３００℃における熱膨張係数が５×１０^−６〜１４×１０^−６／℃で、熱伝導率が３０〜３２５Ｗ／ｍ・Ｋのものが得られ、半導体装置の放熱板及び静電吸着装置の誘電体板等に適用される。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、低熱膨張性と高熱伝導性を有する複合材料及びその製造方法とそれを用いた半導体装置等の各種用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子デバイスによる電力やエネルギーの変換，制御に関連した技術、特にオン，オフモードで用いられる電力用電子デバイスとその応用技術としての電力変換システムがパワーエレクトロニクスである。
【０００３】
電力変換のため、各種のオン，オフ機能を持つ電力用半導体素子が用いられている。この半導体素子としては、ｐｎ接合体を内蔵し、一方向のみの導電性をもつ整流ダイオードをはじめ、種々のｐｎ接合の組合せ構造により、サイリスタ，バイポーラトランジスタ，ＭＯＳＦＥＴ等が実用化され、更には絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）やゲート信号によりターンオフ機能を併せもつゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）も開発されている。
【０００４】
これらの電力用半導体素子は、通電により発熱し、その高容量化，高速化に伴い発熱量も増大する傾向にある。発熱に起因する半導体素子の特性劣化，短寿命化を防止するためには、放熱部を設け、半導体素子及びその近傍での温度上昇を抑制する必要がある。銅は、熱伝導率が３９３Ｗ／ｍ・Ｋと大きく、かつ低価格であるため、放熱部材として一般に用いられている。しかし、電力用半導体素子を備える半導体装置の放熱部材は、熱膨張率が４．２×１０^−６／℃　のＳｉと接合されるため、熱膨張率がこれに近い放熱部材が望まれる。銅は熱膨張率が１７×１０^−６／℃と大きいため、半導体素子との半田接合性は好ましくなく、ＭｏやＷといった熱膨張率がＳｉと近い材料を放熱部材として用いたり、半導体素子と放熱部材の間に設けたりしている。
【０００５】
一方、電子回路を一つの半導体チップ上に集積させた集積回路（ＩＣ）は、その機能に応じたメモリー，ロジック，マイクロプロセッサ等に分類される。ここでは電力用半導体素子に対し、電子用半導体素子と呼ぶ。これらの半導体素子は、年々集積度や演算速度が増加し、それに伴い発熱量も増大している。ところで、一般に電子用半導体素子は、外気から遮断して故障や劣化を防止する目的で、パッケージ内に収納されている。この多くは、半導体素子がセラミックスにダイボンディングされ、密封されているセラミックスパッケージ及び樹脂で封止されているプラスチックパッケージである。また、高信頼性，高速化に対応するために、複数個の半導体装置を一つの基板上に搭載したマルチチップモジュール
（ＭＣＭ）も製造されている。
【０００６】
プラスチックパッケージは、リードフレームと半導体素子の端子がボンディングワイヤにより接続され、これを樹脂で封止する構造になっている。近年は、半導体素子の発熱量の増大に伴い、リードフレームに熱放散性を持たせたパッケージや熱放散のための放熱板を搭載するパッケージも出現している。熱放散のためには、熱伝導率の大きい銅系のリードフレームや放熱板が多用されているが、
Ｓｉとの熱膨張差による不具合が懸念されている。
【０００７】
一方、セラミックスパッケージは、配線がプリントされたセラミック基板上に半導体素子が搭載され、金属やセラミックスのキャップで密封する構造を持つ。さらに、セラミック基板にはＣｕ−ＭｏやＣｕ−Ｗの複合材料あるいはコバール合金などが接合され、放熱板として用いられているが、それぞれの材料において低熱膨張化あるいは高熱伝導化とともに加工性の向上，低コストが要求されている。
【０００８】
ＭＣＭはＳｉ，金属、あるいはセラミックスの基板上に形成された薄膜配線に複数個の半導体素子をベアチップで搭載し、これをセラミックスパッケージに入れ、リッドで封止する構造を持つ。放熱性が要求される場合には、パッケージに放熱板や放熱フィンを設置する。金属製の基板材料として、銅やアルミニウムが使用されており、これらは熱伝導度が高いという長所を持つが、熱膨張係数が大きく半導体素子との整合性が悪い。このため、高信頼性ＭＣＭの基板にはＳｉや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が用いられている。また、放熱板はセラミックスパッケージと接合されるため、熱膨張率の点でパッケージ材料と整合性が良く、熱伝導率が大きな材料が望まれている。
【０００９】
以上のように、半導体素子を搭載した半導体装置は、いずれもその動作において熱を発生し、蓄熱されると半導体素子の機能を損ねる恐れがある。このため、発生する熱を外部に放散するための熱伝導性に優れた放熱板が必要となる。放熱板は、直接あるいは絶縁層を介して半導体素子と接合されるため、熱伝導性だけでなく、熱膨張の点でも半導体素子との整合性が要求される。
【００１０】
現在用いられている半導体素子は、主にＳｉ及びＧａＡｓである。これらの熱膨張係数は、それぞれ２．６×１０^−６　〜３．６×１０^−６／℃　，５．７×１０^−６〜６．９×１０^−６／℃　である。これらに近い熱膨張係数をもつ放熱板材料には、従来よりＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ−Ｗ等が知られているが、これらは単一材料であるため、熱伝達係数と熱伝導率を任意にコントロールすることは困難であるとともに、加工性に乏しくコストが高いという問題がある。特開平８−７８５７８号公報にはＣｕ−Ｍｏ焼結合金，特開平９−１８１２２０　号公報にはＣｕ−Ｗ−Ｎｉ焼結合金、特開平９−２０９０５８号公報にはＣｕ−ＳｉＣ焼結合金、特開平９−１５７７７３号公報にはＡｌ−ＳｉＣが提案されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平８−７８５７８号公報
【特許文献２】
特開平９−１８１２２０号公報
【特許文献３】
特開平９−２０９０５８号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
これらの従来公知の複合材は、両成分の比率を変えることによって熱伝達係数及び熱伝導率を広範囲にコントロールできるが、塑性加工性が低く、薄板の製造が困難であり、更に製造工程が多くなるものである。
【００１３】
本発明の目的は、低熱膨張・高熱伝導性で、かつ塑性加工性に優れた複合材料及びそれを用いた半導体装置とその放熱板並びに静電吸着装置とその誘電体板を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は断面の面積率で前記粒子の全体の９５％以上が互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする。
【００１５】
本発明は、金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は単独で存在する粒子の数が断面で１００
μｍ四方内に１００個以下であり、残りの前記化合物粒子は互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする。
【００１６】
本発明は、金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子はヴィッカース硬さが３００以下であることを特徴とする。
【００１７】
本発明は、金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、２０℃での熱伝導率１Ｗ／ｍ・Ｋ当りの２０〜１５０℃での平均熱膨張係数の増加率が０．０２５〜０．０３５ｐｐｍ／℃　であることを特徴とする。
【００１８】
本発明は、金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は互いに連なり塊となって分散しており、前記塊は塑性加工によって伸ばされた方向に延びていることを特徴とする。
【００１９】
本発明は、銅と酸化銅粒子とを有する複合材料において、前記酸化銅粒子は断面の面積率で前記粒子の全体の９５％以上が互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする。
【００２０】
本発明は、前述に記載の複合材料よりなることを特徴とする半導体装置用放熱板にある。また、その表面にＮｉめっき層を有することを特徴とする半導体装置用放熱板にある。
【００２１】
本発明は、放熱板上に搭載した複数個の絶縁基板と、該絶縁基板の各々に搭載された複数個の半導体素子とを備え、前記絶縁基板は上下面に導体層が設けられ、該導体層を介して前記放熱板に直接接合されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、放熱板上に搭載した絶縁基板及び該絶縁基板上に搭載された半導体素子を有する半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２３】
本発明は、放熱板上に搭載した半導体素子と、前記放熱板に接続されたリードフレームと、該リードフレームと半導体素子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記半導体素子を樹脂封止した半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２４】
本発明は、放熱板上に搭載された半導体素子と、前記放熱板に接続されたリードフレームと、該リードフレームと半導体素子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記半導体素子を樹脂封止するとともに、前記放熱板の少なくとも前記素子の接合面に対して反対の面側が開放されている半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２５】
本発明は、放熱板上に搭載した半導体素子と、外部配線接続用ピンを有し、中央部に前記素子に収納する開放空間を有するセラミックス多層配線基板と、前記素子と基板の端子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記素子を前記空間に設置するように前記放熱板と前記基板とを接合するとともに前記基板をリッドによって接合し前記素子を大気より遮断する半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２６】
本発明は、放熱板上に搭載された半導体素子と、外部配線接続用端子を有し、中央部に前記素子を収納する凹部を有するセラミックス多層配線基板と、前記素子と基板の端子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記素子を前記凹部に設置するように前記放熱板と前記基板の凹部とを接合するとともに前記基板をリッドによって接合し前記素子を大気より遮断する半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２７】
本発明は、放熱板上に熱伝導性樹脂によって接合された半導体素子と、セラミックス絶縁基板に接合されたリードフレームと、前記素子とリードフレームとを電気的に接続するＴＡＢとを備え、前記放熱板と絶縁基板とを接合し前記素子を大気より遮断するとともに前記素子と絶縁基板との間に熱伝導性樹脂弾性体を介在させた半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２８】
本発明は、第１の放熱板上に金属によって接合された半導体素子と、接地板が接合された第２の放熱板の前記接地板上に前記第１の放熱板を搭載し、前記素子の端子に電気的に接続したＴＡＢとを備え、前記素子を樹脂封止した半導体装置において、前記放熱板は前述に記載の放熱板よりなることを特徴とする。
【００２９】
本発明は、前述に記載の複合材料よりなることを特徴とする静電吸着装置用誘電体板にある。
【００３０】
本発明は、電極層に電圧を印加することにより前記電極層上に接合された誘電体板と物体との間に静電吸引力を生じさせて前記誘電体板の表面に前記物体を固定する静電吸着装置において、前記誘電体板は前述に記載の誘電体板よりなることを特徴とする。
【００３１】
即ち、本発明に係る複合材料は金属として電気導電性の高いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌが用いられ、特にＣｕは高融点で高強度を有する点で最も優れている。また、無機化合物として前述の様にベースの金属に対して極端に硬さの違う従来の
ＳｉＣ，Ａｌ_２Ｏ_３等の化合物ではなく比較的軟かい粒子で焼結後に安定で、２０〜１５０℃の範囲での平均熱膨張係数が好ましくは５．０×１０^−６／℃　以下、より好ましくは３．５×１０^−６／℃　以下で、ヴィッカース硬さが３００以下のものが好ましい。このように無機化合物粒子として軟かいものを用いることによって焼結後の熱間，冷間による高い塑性加工性が得られ、特にこれらの圧延が可能になることから製造時間が短縮されるとともに比較的薄い板を得ることができる。そして、その複合材料は無機粒子を分散させているため高い強度を得ることができる。無機化合物粒子として酸化銅，酸化錫，酸化鉛，酸化ニッケル等が考えられる。しかし、特に熱膨張係数の最も小さく軟やい酸化銅が好ましい。
【００３２】
更に、本発明の複合材料はＳｉＣ，Ａｌ_２Ｏ_３等のよりヴィッカース硬さが１０００以上の硬い平均粒径３μｍ以下の微細なセラミックス粒子を５体積％以下含有させてより強化させるのが好ましい。
【００３３】
本発明における放熱板，誘電体板は焼結後又はその後の圧延等による加工後にプレスによる塑性加工によって最終形状に形成することができる。
【００３４】
特に、本発明に係る複合材料としては、第一酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）を２０〜８０体積％含む銅（Ｃｕ）合金からなり、前記Ｃｕ_２Ｏ相及びＣｕ相がそれぞれ分散した組織を有し、室温から３００℃における熱膨張係数が５×１０^−６〜１４×１０^−６／℃及び熱伝導率が３０〜３２５Ｗ／ｍ・Ｋであるものが好ましい。
【００３５】
また、この銅−酸化銅複合材料は、第一酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）を２０〜８０体積％含み、残部が銅（Ｃｕ）で、前記Ｃｕ_２Ｏ　相及びＣｕ相が配向した組織を有し、室温から３００℃における熱膨張係数が５×１０^−６〜１４×１０^−６／℃であり、また熱伝導率が３０〜３２５Ｗ／ｍ・Ｋで、かつ配向方向の熱伝導率が配向方向に直角な方向の２倍以上とするものが好ましい。
【００３６】
本発明に係る複合材料の製造方法は、前述の無機化合物粒子の一例として第一酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）、金属の一例として銅（Ｃｕ）粉とを有する混合粉末をプレス成形する工程と、８００℃〜１０５０℃で焼結する工程と、冷間もしくは熱間で塑性加工する工程と、を含むことを特徴とする。
【００３７】
また、本発明に係る銅複合材料としての製造方法は、第二酸化銅（ＣｕＯ）を１０．８〜４８．８体積％含み、残部が銅（Ｃｕ）と不可避的不純物からなる混合粉末をプレス成形する工程と、８００℃〜１０５０℃で成形固化とともにＣｕＯをＣｕと反応させＣｕ_２Ｏ　に変態させる焼結工程と、冷間もしくは熱間プレスによる塑性加工する工程と、その後の焼鈍工程を含むことが好ましい。
【００３８】
本発明に係る銅複合材料は、１７．６×１０^−６／℃　の熱膨張係数と３９１Ｗ／ｍ・Ｋの高い熱伝導率を有するＣｕと１２Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率と２．７×１０^−６／℃の低熱膨張率を有するＣｕ_２Ｏ　を複合化させた材料であり、半導体装置の放熱板に適用される焼結体組成として、Ｃｕ−２０〜８０体積％Ｃｕ_２Ｏ　の組成範囲で選択され、室温から３００℃における熱膨張係数が５×１０^−６〜１４×１０^−６／℃であり、また熱伝導率が３０〜３２５Ｗ／ｍ・Ｋを有することができる。
Ｃｕ_２Ｏ　含有量は、２０％以上で放熱板に要求される熱膨張係数が得られ、８０体積％以下で十分な熱伝導性や構造体としての強度が得られるためである。
【００３９】
本発明において、複合材料は基本的に粉末冶金法によって得られるが、銅複合材料においては、Ｃｕ粉末とＣｕ_２Ｏ　粉末もしくはＣｕＯ粉末を原料粉として所定比率で混合し、金型で冷間プレスした後、焼結して作製する。そして、必要に応じて冷間あるいは熱間で塑性加工が施される。
【００４０】
原料粉の混合は、Ｖミキサー，ポットミルあるいはメカニカルアロイング等によって行われるが、原料粉末の粒径は、プレス成形性や焼結後のＣｕ_２Ｏ　の分散性に影響を及ぼすので、Ｃｕ粉末は１００μｍ以下、Ｃｕ_２Ｏ　及びＣｕＯ粉末の粒径は１０μｍ以下、特に１〜２μｍが好ましい。
【００４１】
次に、混合粉末は金型を用い、４００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２　の圧力で冷間プレス成形されるが、Ｃｕ_２Ｏ　含有量の増加につれて圧力を高めることが望ましい。
【００４２】
混合粉末の予備成形体は、アルゴンガス雰囲気中で常圧焼結，ＨＩＰあるいはホットプレスによる加圧焼結されるが、８００℃〜１０５０℃で３時間程度が好ましく、Ｃｕ_２Ｏ　含有量の増加につれて温度が高められる。焼結温度はベース金属によって異なるが、特にＣｕにおいては８００℃以下では、密度の高い焼結体が得られず、１０５０℃以上ではＣｕとＣｕ_２Ｏ　の共晶反応により部分溶解する危険性があるために好ましくなく、９００℃〜１０００℃が好適である。
【００４３】
本発明の銅複合材料は、構成するＣｕ及びＣｕ_２Ｏ　の硬さが低く、延性に富むため、圧延，鍛造などの冷間あるいは熱間加工が可能であり、焼結後に必要に応じて施される。加工を付与することによって、材料に熱伝導の異方性が発現するが、強度向上や一定方向への伝熱が必要な用途に対して有効である。
【００４４】
本発明においては、原料粉にＣｕＯを用い、Ｃｕ粉末と混合・プレス成形した後に焼結過程でＣｕを内部酸化させて、最終的にＣｕ相とＣｕ_２Ｏ　相が分散した組織を有する焼結体とすることができる。すなわち、ＣｕＯはＣｕと共存する場合、高温においては（１）式によりＣｕ_２Ｏ　に変態する方が熱的に安定であることを利用している。
【００４５】
２Ｃｕ＋ＣｕＯ　→　Ｃｕ＋Ｃｕ_２Ｏ　　　　　　　　　　　　　　　…（１）
（１）式が平衡に到達するためには所定の時間を要するが、例えば焼結温度が９００℃の場合には、３時間程度で十分である。
【００４６】
焼結体のＣｕ_２Ｏ　の粒径は密度，強度あるいは塑性加工性に影響するので微細であることが好ましい。しかしながら、粒径は粉末の混合方法に強く影響され、混合エネルギーが大きい方が粉同士の凝集が少なく、焼結後に微細なＣｕ_２Ｏ　相が得られる。
【００４７】
本発明において、混合エネルギーの小さいＶミキサーではＣｕ_２Ｏ相はＣｕ_２Ｏ相の５０体積％以下が粒径５０〜２００μｍで、残部が５０μｍ以下とし、スチールボールを入れたポットミルでは５０μｍ以下、そして、最も混合エネルギーの大きいメカニカルアロイングでは１０μｍ以下と規定される。粒径が２００μｍ以上では、気孔率が大きく増加し、塑性加工が困難になり、その量がＣｕ_２Ｏ相の５０体積％以上になると、熱伝導率の減少と特性のばらつきの増加を招き、半導体装置の放熱板に不適となる。より好ましい組織は、５０μｍ以下のＣｕ_２Ｏ相がＣｕ相と均一に分散した組織である。Ｃｕ_２Ｏ　の粒径はきわめて不規則な形状であるが、焼結前の粒子が連らなっているので、より高倍率で見ることにより、焼結前の粒子径を見ることができる。Ｃｕ_２Ｏ　相は１０μｍ以下が好ましい。
【００４８】
【実施例】
（実施例１）
原料粉として、７５μｍ以下の電解Ｃｕ粉末と純度３Ｎ，粒径１〜２μｍのＣｕ_２Ｏ　粉末を用いた。Ｃｕ粉末とＣｕ_２Ｏ　粉末を表２に示す比率で１４００ｇ調合した後、スチールボールを入れた乾式のポットミル中で１０時間以上混合した。混合粉末を直径１５０ｍｍの金型に注入し、Ｃｕ_２Ｏ　含有量に応じて４００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２　の圧力で冷間プレスして直径１５０ｍｍ×高さ１７〜１９ｍｍの予備成形体を得た。その後、予備成形体をアルゴンガス雰囲気中で焼結させて化学分析，組織観察，熱膨張係数，熱伝導率及びヴィッカース硬さの測定に供した。なお、焼結温度はＣｕ_２Ｏ　含有量に応じて９００℃〜１０００℃の間で変化させ、各温度で３時間保持した。熱膨張係数は室温から３００℃の温度範囲でＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）装置を用いて行い、熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定した。その結果を表１に併記した。また、得られた試料Ｎｏ．４焼結成形体のミクロ組織を図１に示す。
【００４９】
焼結体組成は化学分析の結果、配合組成と一致していた。また、熱膨張係数及び熱伝導率は、表１より明らかなように、ＣｕとＣｕ_２Ｏ　の組成比を調整することによって、広範囲に亘って変化しており、放熱板に求められる熱的特性にコントロールできることがわかった。
【００５０】
【表１】

【００５１】
一方、ミクロ組織は図１（３００倍）より明らかなように、Ｃｕ_２Ｏ　は混合工程において凝集，焼結工程において肥大成長するが、粒径は５０μｍ以下であり、Ｃｕ相とＣｕ_２Ｏ　相が均一に分散した緻密な組織となっている。なお、写真中の白い部分がＣｕ相、黒い部分がＣｕ_２Ｏ　相である。
【００５２】
図に示す様に、Ｃｕ_２Ｏ　粒子は断面の面積率でその全体の９９％以上が連らなった不規則な形状の塊となって分散していることが明らかである。
【００５３】
硬さ測定の結果、Ｃｕ相はＨｖ７５〜８０、Ｃｕ_２Ｏ　がＨｖ２１０〜２３０の硬さであった。また、機械加工性を旋盤及びドリル加工で評価した結果、加工性は非常に良好であり、形状付与が容易であることがわかった。
【００５４】
（実施例２）
粉末の混合をＶミキサーで行った以外は、実施例１と同一の条件でＣｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　焼結体を作成し、実施例１と同様に組織観察，熱膨張係数及び熱伝導率の測定に供した。
【００５５】
図２にＣｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　焼結体のミクロ組織（３００倍）を示す。写真から明らかなように、サイズが大きく異なるＣｕ_２Ｏ　が混在した組織となっている。大きなサイズのＣｕ_２Ｏ　粒子は、Ｖミキサーによる混合中にＣｕ_２Ｏ　粒子同士が凝集して生成したものである。熱膨張係数及び熱伝導率の値は、Ｃｕ及びＣｕ_２Ｏ　がそれぞれ均一に分散した同一組成の焼結体と明らかな差が認められなかったが、測定場所によるばらつきが若干大きくなる傾向が認められた。図に示す様に、図１と同様にＣｕ_２Ｏ　粒子のほとんどは不規則な形状で図１よりもより大きな塊となって分散していることが分かる。
【００５６】
（実施例３）
原料粉として、７４μｍ以下の電解Ｃｕ粉末と純度３Ｎ，粒径１〜２μｍの
ＣｕＯ粉末を用い、Ｃｕ粉末とＣｕＯ粉末をＣｕ−２２．４　体積％ＣｕＯの組成比で３００ｇ調合した後、直径８ｍｍの鋼球を入れた直径１２０ｍｍの遊星ボールミル容器中で２５時間メカニカルアロイングした。その後、混合粉末を直径８０ｍｍの金型に注入し、１０００ｋｇ／ｃｍ^２　の圧力で冷間プレスして予備成形体を得た。その後、予備成形体をアルゴンガス雰囲気中で８００℃×２時間の焼結を行い、実施例１と同様に組織観察，熱膨張係数及び熱伝導率の測定，酸化物Ｘ線回折に供した。
【００５７】
図３にミクロ組織（１０００倍）を示す。写真から明らかなように、実施例１あるいは２に比べて、Ｃｕ_２Ｏ　は微細であり、粒径１０μｍ以下のＣｕ_２Ｏ　が均一分散している。組織の微細化は、強度の向上や冷間圧延性の改善に好適である。図に示す様に図１と同様にＣｕ_２Ｏ　粒子は９５％以上が不規則な形状で塊を形成しており、１００μｍ四方内に２０個前後球状の粒子として存在していることが分かった。
【００５８】
焼結体について、Ｘ線回折により酸化物の同定を行った結果、検出された回折ピークはＣｕ_２Ｏ　のみであり、焼結中にＣｕＯがＣｕ_２Ｏ　に完全に変態したことを確認した。また、化学分析の結果、焼結体組成は、設定通りにＣｕ−４０体積％Ｃｕ_２Ｏ　であった。
【００５９】
一方、熱膨張係数及び熱伝導率は、後述の実施例５の同一組成のものと同等の値であった。
【００６０】
（実施例４）
実施例１と同じ原料粉を用い、Ｃｕ粉末とＣｕ_２Ｏ　粉末をＣｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　の組成比で５５０ｇ調合した後、Ｖミキサー中で混合した。混合粉末を直径８０ｍｍの金型に注入し、６００ｋｇ／ｃｍ^２　の圧力で冷間プレスして直径８０ｍｍ×２２ｍｍの予備成形体を得た。その後、予備成形体をアルゴンガス雰囲気中で９７５℃×３時間の焼結を行った。次いで、得られた焼結体を８００℃に加熱して２００トンプレスで鍛練比１．８　まで鍛造した後５００℃で軟化焼鈍し、実施例１と同様に組織観察，熱伝達係数及び熱伝導率の測定に供した。
【００６１】
鍛造材は、側面に多少の耳割れが観察されたが、それ以外の部分は健全であり、本発明の銅複合材料は、塑性加工性に優れることが判明した。
【００６２】
図４は、鍛造材の鍛伸方向に平行な面のミクロ組織（３００倍）を示す。Ｃｕ相及びＣｕ_２Ｏ　相は、変形して鍛伸方向に配向しているが、クラック等の欠陥は認められない。図に示す様にＣｕ_２Ｏ　粒子は９５％以上が連らなった塊となり、塑性加工によって伸ばされた方向に延ばされていることが分かる。
【００６３】
表２は、レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測定結果を示すが、鍛造しない焼結ままの状態では、熱伝導率の異方性は認められない。しかし、鍛造することによって異方性が生じ、Ｃｕ相及びＣｕ_２Ｏ　相の配向方向（鍛伸方向）に対して平行なＬ方向の熱伝導率は、それに直角なＣ方向（鍛造方向）の２倍以上の値を示している。また、室温から３００℃までの熱膨張係数を測定した結果、異方性はほとんど認めらず、実施例１の同一組成のものと同等であった。
【００６４】
【表２】

【００６５】
（実施例５）
原料粉として、７４μｍ以下の電解Ｃｕ粉末と純度３Ｎ，粒径１〜２μｍの
ＣｕＯ粉末を用いた。Ｃｕ粉末とＣｕＯ粉末を表３に示す比率で１４００ｇ調合した後、スチールボールを入れた乾式のポットミル中で１０時間以上混合した。混合粉末を直径１５０ｍｍの金型に注入し、ＣｕＯ含有量に応じて４００〜１０００ｋｇ／ｃｍ^２　の圧力で冷間プレスして予備成形体を得た。予備成形体をアルゴンガス雰囲気中で焼結させた後、酸化物Ｘ線回折，組織観察，熱膨張係数及び熱伝導率の測定に供した。なお、焼結温度はＣｕＯ含有量に応じて９００℃〜１０００℃の間で変化させ、各温度で３時間保持した。熱膨張係数は室温から３００℃の温度範囲でＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）装置を用いて行い、熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定した。その結果を表３に併記した。
【００６６】
【表３】

【００６７】
焼結体について、Ｘ線回折により酸化物の同定を行った結果、検出された銅酸化物の回折ピークはＣｕ_２Ｏ　のみであり、焼結中にＣｕＯからＣｕ_２Ｏ　への変態が完全になされたことを確認した。
【００６８】
図５に得られた試料Ｎｏ．１４のミクロ組織（３００倍）を示すが、実施例１の同一組成のものと同様の組織を呈しており、Ｃｕ_２Ｏ　相はＣｕとＣｕＯの酸化反応により生成したＣｕ_２Ｏ　とＣｕＯが分解して生成したＣｕ_２Ｏ　からなっている。Ｃｕ_２Ｏ　粒子は実施例１と同様である。
【００６９】
一方、熱膨張係数は、表３から明らかなように、Ｃｕ_２Ｏ　粉末を素粉とした実施例１と比べて顕著な差は見られないが、熱伝導率はＣｕＯを素粉とした方が、ＣｕＯ配合量すなわちＣｕ_２Ｏ　含有量が５０体積％以上で高くなる傾向が見られる。これは焼結体の密度が、ＣｕＯを素粉とする方が高いことに起因している。
【００７０】
図６は表１及び表３に示した熱伝導率（ｘ）と熱膨張係数（ｙ）との関係を示す線図である。本実施例のこれらの関係はｙ＝０．０３１ｘ＋４．６５によって求められる値以上で、ｙ＝０．０３１ｘ＋５．９５で求められる値以下となる。従って、傾斜は２０℃の熱伝導率１Ｗ／ｍ・Ｋ当りの２０〜２５０℃での平均熱膨張係数として０．０２５〜０．０３５ｐｐｍ　／℃とするものが好ましい。
【００７１】
（実施例６）
本発明の銅複合材料を、パワー半導体素子の内、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ
Ｂｉｐｏｌａｒ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下ＩＧＢＴと略す）モジュールの放熱板（ベース板）に適用した実施例を述べる。
【００７２】
図７はＩＧＢＴ素子２４個の場合のモジュール内部の平面図、図８はＩＧＢＴ１個の場合のモジュールの断面図を示す。ＩＧＢＴ素子１０１を４個とダイオード素子１０２を２個は銅箔２０２，２０３を図示していない銀ろう材でＡｌＮ板２０４に接合したＡｌＮ基板１０３に半田２０１により接続される。ＡｌＮ基板１０３上にはエミッタ配線１０４とコレクタ配線１０５，ゲート配線１０６の領域が形成されており、ＩＧＢＴ素子１０１とダイオード素子１０２は、コレクタ配線１０５領域に半田付けされる。各素子からは、金属ワイヤ１０７によってエミッタ配線１０４に接続される。また、ゲート配線１０６領域上には抵抗素子１０８が配置され、半導体素子であるＩＧＢＴ素子１０１のゲートパッドから金属ワイヤ１０７によって抵抗素子１０８に接続される。半導体素子を搭載した６個のＡｌＮ基板１０３が半田２０５によって実施例１〜５に記載の本発明の係る全表面にＮｉめっきされたＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　複合材からなる放熱板１０９に接続される。各絶縁基板間は、端子２０６と樹脂性のケース２０７が一体になったケースブロック２０８の端子２０６とＡｌＮ基板１０３を半田２０９によって配線する。また、ケース２０７と放熱板１０９はシリコーンゴム系接着剤２１０によって接続される。ケースブロック２０８からの端子は、主端子が各ＡｌＮ基板１０３上でエミッタ端子接続位置１１０，エミッタセンス端子接続位置１１１，コレクタ接続端子位置１１２が各々２箇所、ゲート端子接続位置１１３が１箇所で接続される。次に、樹脂注入口を持ったケース蓋２１１から端子全面が被覆されるようシリコーンゲル２１２を注入し、その後熱硬化型エポキシ樹脂２１３を全面に注入してモジュールを完成させる。
【００７３】
放熱板１０９はＡｌ製支持板にボルトによって８ケのボルト穴１１４を通して支持される。ボルト穴１１４は機械加工によってあけられる。更に、ケース２０７は接着剤２１０によって結合される他８ケのボルトによってボルト穴１１５を通して結合される。
【００７４】
表４に一般的に使用されるベース材と、本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　合金材でＣｕ−３０体積％Ｃｕ_２Ｏ　の熱膨張係数と熱伝導率を示す。Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベース材料を用いた半導体素子は、一般的に使用されるＣｕベースのモジュールに比べて熱膨張係数が小さく、ＡｌＮ基板１０３と放熱板（ベース）１０９を接続する半田２０９の信頼性を向上させることができる。その一方で、過酷な使用環境下でゲート配線（半田）１０６の信頼性を向上させるために使用されるＭｏやＡｌ−ＳｉＣベースは、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベースを用いた半導体素子に比べて熱膨張係数は小さいが、熱伝導率も小さく、モジュールの熱抵抗が大きくなる問題が生じる。本実施例のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベースを搭載したモジュールでは、信頼性（熱疲労試験寿命）はＣｕベースに比べ５倍以上、熱抵抗は同じベース厚さのモジュールで、Ｍｏベースに比べて０．８　倍以下にすることができる。
【００７５】
【表４】

【００７６】
これらの効果により、モジュールの構造や他の部材の選択の幅を拡げることが可能となる。例えば、図７の実施例では、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏ　合金ベース材はＭｏベース材に比べて熱伝導率が大きい、言い換えれば熱拡がり性が向上するため、動作時の半導体素子端部と中央部の温度差を小さく抑えられる効果があり、半導体素子を従来モジュールに比べ約１．２　倍に大きくしている。これにより、従来素子では同じ電流量を確保するために、ＩＧＢＴで３０個使用していた構造を２４で設計が可能になり、モジュールサイズを小型化することができた。さらに、
ＡｌＮより熱伝導率が約２０％小さいアルミナ基板を絶縁基板に使用することが可能になる。アルミナはＡｌＮに比ベ抗折強度が強く、基板サイズを大きくすることができる。また、アルミナ板は熱膨張係数がＡｌＮ板に比べ大きく、ベース材料との熱膨張差を小さくできるので、モジュール自身の反り量も小さくすることができる。アルミナ基板の使用により、基板の許容サイズを大きくできるので、１枚当りの搭載できる半導体素子数を多くすることができる。つまり、各絶縁板毎に必須な絶縁確保用の面積や基板間の面積を減らすことができ、モジュールサイズを小さくすることが可能である。
【００７７】
図９は、本実施例のモジュール製造過程の模式図を示す。（ａ）放熱板（Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベース）１０９は、表面がＮｉめっきされ、ほぼ平坦な状態で入荷される。（ｂ）はＩＧＢＴ素子（半導体素子）１０１をダイオード素子（半田）１０２により接合したＡｌＮ基板１０３を半田２０５により接合する。この時放熱板（ベース）１０９の熱膨張係数が半導体素子とＡｌＮ基板の複合体より大きいので、半田の冷却過程でモジュール裏面が凹の形状で反る。（ｃ）ケースブロック２０８を熱硬化型の接着剤で組立てる工程で、半田接合完了の複合体３０１に比べケースの熱膨張係数が大きいため、接着剤の冷却過程でモジュール裏面がほぼ平坦になる。（ｄ）モジュール内部にシリコーンゲル２１２、熱硬化型エポキシ樹脂２１３を充填すると、樹脂の熱膨張係数が大きいためモジュール裏面が凸の形状で反る。
【００７８】
図１０に、各工程での裏面反り量の実測結果を示す。変形量がプラスは裏面が凹、マイナスは裏面凸となるものである。本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベースを使用すると、反り量は従来のＭｏベースを使用したモジュールに比べると、約１／３に抑えることができる。また、Ｃｕベースの結果は図示していないが、ＡｌＮ基板との膨張係数差が大きく（ｂ）の工程で裏面が凹の方向で反り量が大きく、モジュール完成後でも裏面が凹で１００μｍ以上の反りが発生する。本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベースではモジュールの反り量を小さくすることができるのでモジュールの大型化が可能になる。また、組立工程での反り量と同じく、モジュール実働時の温度変化による反りの変化量も小さいので、モジュールと冷却フィンの間に塗布するグリースの流失を抑えることができる。
【００７９】
図１１に、本発明のモジュールを適用した電力変換装置の一実施例を示す。パワー半導体装置５０１は、Ａｌ製ヒートシンク５１１上に放熱性グリース５１０をはさんで締め付けボルト５１２により実装され、２レベルインバータを構成した例を示す。一般的にモジュール５０１は、中間点（Ｂ点）を一本の中間点配線５０３で配線できるように左右を反転させて実装する。コレクタ側配線５０２とエミッタ側配線５０４は各々Ｕ，Ｖ，Ｗ相を配線して電源電圧５０９を供給する。信号線は各ＩＧＢＴモジュール５０１〜ゲート配線５０５，エミッタ補助配線５０６，コレクタ補助配線５０７によって構成する。５０８は負荷である。
【００８０】
図１２に、モジュールの反り量及び図１３にモジュールを実装した場合の締め付け前後のモジュール裏面の反り量（グリース厚さ）を示し、（ａ）が本発明、（ｂ）が従来法のものである。従来知られているＡｌ−ＳｉＣベースのモジュールの場合、裏面の凸量が約１００μｍであるが、モジュールをグリースを塗布して締め付けると、締め付け時にグリースに押されて変形し、逆にモジュールの裏面が凹の状態に変形して中央部でのグリース厚さが厚くなり、接触抵抗が大きくなる。これに対して、本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　ベースの場合、初期の裏面の反り量が約５０μｍであるが、ベース材の剛性が大きいので、グリースを塗布して締め付けた後のモジュール中央部のグリース厚さを約５０μｍに抑えられ、従来のＡｌ−ＳｉＣベースに比べて半減させることができた。さらにモジュール内でのグリース厚さのばらつきも小さくすることができる。実装時のグリースに押されて変形する問題は、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏ　合金よりも剛性の小さなＣｕベースモジュールの実装時にも当然発生する問題となり、本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　合金で対策できる。
【００８１】
図に示すように、本発明のＣｕ−Ｃｕ_２Ｏ　合金ベースは従来の高信頼性モジュールで適用されていたＭｏあるいはＡｌ−ＳｉＣ等のベース材に比べ熱抵抗，接触熱抵抗を小さくすることができることを説明した。それにより、図１１に示すようにモジュールを細密の状態で実装できた。さらに、冷却フィンの冷却効率を下げることができるので電力変換装置の実装面積，体積を小さくすることができる。また、グリース厚さを薄くできることから、冷却フィンの平坦度の許容範囲を大きく設定できるので、大型フィンでの電力変換装置の組立ても可能になる。また、強制空冷等の補助冷却機能をなくすこともでき、この点でも小型化，低騒音化を図ることができる。
【００８２】
（実施例７）
実施例１〜５に記載の本発明の銅複合材料を放熱板として図１４及び図１５に示すＩＣを搭載したプラスチックパッケージに適用した。図１４は放熱板内蔵型であり、図１５は放熱板露出型である。
【００８３】
放熱板は、モールド樹脂の熱膨張係数を考慮して、室温から３００℃における熱膨張係数が９×１０^−６〜１４×１０^−６／℃の範囲となるように、Ｃｕ−２０〜５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　の範囲内で組成を変えて作製し、機械加工及びＮｉめっき処理を施して供した。
【００８４】
図１４でパッケージ構造を説明する。リードフレーム３１は、絶縁性ホリイミドテープ３２を介して本発明の銅複合材料からなるＮｉめっきされた放熱板３３と接着されている。ＩＣ３４は放熱板３３と半田にて接合されている。また、
Ａｕワイヤ３５でＩＣ上のＡｌ電極とリードフレームが接続されている。これらは、リードフレームの一部を除き、エポキシ樹脂，シリカ製フィラー、および硬化剤を主成分とするモールド樹脂３６で封止されている。図１５に示した放熱板露出型のパッケージは、放熱板３３がモールド樹脂の外部に露出している点が図１４と異なる。
【００８５】
上記のようにして実装されたパッケージについて、反りや放熱板とモールド樹脂との接合部分でのクラックの有無を観察した。その結果、モールド樹脂と放熱板との熱膨張差が０．５×１０^−６／℃　以下であれば問題がなく、組成的にはＣｕ−２０〜３５体積％Ｃｕ_２Ｏ　が熱伝導率も２００Ｗ／ｍ・Ｋと高く、好適であった。
【００８６】
（実施例８）
図１６及び図１７は、実施例１〜５に記載の本発明の銅複合材料を放熱板として用い、ＩＣを搭載したセラミックスパッケージの断面図を示す。まず、図１６について説明する。ＩＣ４１はポリイミド系樹脂にてＮｉめっきされた放熱板
４２に接合されている。さらに、放熱板４２とＡｌ_２Ｏ_３製のパッケージ４３は半田により接合されている。パッケージにはＣｕによる配線がなされ、かつ配線基板との接続用にピン４４が設けられている。ＩＣ上のＡｌ電極とパッケージの配線とは、Ａｌワイヤ４５で接続されている。これらを封止するために、コバール製のウエルドリング４６をパッケージにＡｇろうで接合し、さらにウエルドリングとコバール製のリッド４７をローラー電極を用いて溶接した。図１７は、図１６のセラミックスパッケージに放熱フィン４８を接続したパッケージである。
【００８７】
（実施例９）
図１８及び図１９は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を適用し、かつ実施例１〜５に記載の本発明の銅複合材料を放熱板に使用したパッケージについて説明する。
【００８８】
まず、図１８のパッケージについて説明する。ＩＣ５１は熱伝導性樹脂５２を介してＮｉめっきされた本発明に係る放熱板５３を接合されている。ＩＣの端子にはＡｕバンプ５４が形成され、ＴＡＢ５５と接続されており、さらにＴＡＢは薄膜配線５６を経由してリードフレーム５７と接続されている。ＩＣはシリコンゴム５８を挿んで、Ａｌ_２Ｏ_３製のセラミック基板５９，フレーム６０、およびシーリングガラス６１で密封されている。
【００８９】
図１９は、樹脂で封止したパッケージである。ＩＣ６５は、Ａｕ−Ｓｉ合金
６６により、Ｎｉめっきされた本発明に係る放熱板６７と接合されており、さらに、熱伝導性樹脂６８により銅接地板６９及びＮｉめっきされた本発明に係る放熱板７０と接続されている。一方、ＩＣの端子は、Ａｕバンプ７１でＴＡＢ７２と接続され、樹脂７３にて封止されている。ここで、リードフレーム５７及び放熱板の一部は、封止樹脂の外部に露出している。また、ＴＡＢはエポキシ系Ａｇペースト７４で銅接地板に固定されている。
【００９０】
（実施例１０）
図２０は、実施例１〜５に記載の本発明の銅複合材料を放熱板に適用したＭＣＭの実施例を示す。放熱板８３は焼結体又はそれを圧延した後に所定の形状にプレス加工したものである。
【００９１】
ＩＣ８１はＡｕワイヤ８２を用いて、Ｎｉめっきされた本発明に係る放熱板８３の上に形成された薄膜配線８４に接続され、さらに、ＡｕワイヤでＡｌＮ製のパッケージ８５上に形成されている配線に接続され、外部端子８６として取り出されている。ＩＣ部は、４２合金製のリッド８７とパッケージのＷメタライズ層の間にＡｕ−Ｓｎ製のプリフォーム８８を挿んで接合し、密封されている。
【００９２】
（実施例１１）
図２１は、本発明の複合材料を誘電体板に使用した静電吸着装置の断面図である。
【００９３】
本静電吸着装置は、図２１に示すように、真空処理室９５内部の減圧雰囲気中で導体または半導体からなる加工物９０に加工を施すスパッタリング装置のチャックとして使用可能である。本静電吸着装置の電極９４に直流電源装置９１からの電圧（５００Ｖ程度）を印加すると、誘電体板９２と加工物９０との間に静電吸引力が発生するため、誘電体板９２の表面に加工物９０を吸着させることができる。本実施例に用いた誘電体板は実施例１〜５に記載の複合材料を用いた。
【００９４】
さて、実際のスパッタリングに際しては、本静電吸着装置に加工物９０を装着した後、ガス排気口９７に連結された排気ポンプを駆動することによって、真空処理室９５の内部圧力が１×１０^−３Ｐａ程度になるまで真空排気する。その後、ガス導入口９６に取り付けられたバルブを開放することによって、真空処理室９５の内部に反応ガス（アルゴンガス等）を１０ＳＣＣＭ程度導入する。このときの真空処理室９５の内部圧力は２×１０^−２Ｐａ程度である。
【００９５】
その後、本静電吸着装置の電極９４の高周波電源１３から、約４ｋＷの高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）を供給することによって、本静電吸着装置の電極９４と他の電極（不図示）との間にプラズマを生成させる。この場合の高周波印加電圧のＶＤＣ及びＶＰＰは、２ｋＶ及び４ｋＶである。尚、本静電吸着装置の電極９４と高周波電源９３との間に挿入されているマッチングボックス９８は、高周波電力がプラズマに効率的に供給されるように真空処理室９５側とのインピーダンス整合をとるためのものである。
【００９６】
このスパッタリング装置を実際に使用した結果、加工中に加工物９０の温度は４５０℃程度にまで達したが、本静電吸着装置の誘電体板９２には、異物発生の発生原因となる割れ等の発生は認められなかった。このことは、本静電吸着装置の使用が、加工の信頼性の向上に有用であることを意味する。
【００９７】
尚、スパッタリング装置の他、減圧雰囲気で導体または半導体（例えば、シリコン基板）からなる加工物に加工を施す加工装置（いわゆる、減圧中加工装置）、例えば、化学的気相蒸着装置，物理的蒸着装置，ミリング装置，エッチング装置，イオン注入装置等のチャックとして本静電吸着装置を使用しても、加工の信頼性の向上という同様な効果が達成されることはいうまでもない。
【００９８】
本実施例によれば、静電吸着装置の誘電体板の絶縁破壊強度を低下させることなく、その耐熱性を向上させることができる。従って、本発明に係る静電吸着装置を減圧中加工装置のチャックとして利用すれば、誘電体板の割れ等に起因する異物の発生率を低減させることできる。
【００９９】
【発明の効果】
本発明の複合材料は低熱膨張で高熱伝導性を有するとともに高い塑性加工性を有することから製造工程が短縮され大量生産が可能となる顕著な効果を有する。
【０１００】
また、本発明の複合材料は、特に高熱伝導性を有するＣｕ相と低熱膨張性のＣｕ_２Ｏ　相からなる混合組織を有するために、両方の特性を兼ね備えている。また、本発明の複合材料は、特に、Ｃｕ及びＣｕ_２Ｏ　においては両者の含有量を調整することにより、低熱膨張係数で、高熱伝導率を得ることができる。本発明の用途として、半導体装置に搭載される放熱板や静電吸着装置の誘電体板として広い範囲にわたって適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１に係る試料Ｎｏ．４（Ｃｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ）焼結体のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図２】本発明の実施例２に係るＣｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　焼結体のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図３】本発明の実施例３に係るＣｕ−４０体積％Ｃｕ_２Ｏ　焼結体のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図４】本発明の実施例４に係るＣｕ−５５体積％Ｃｕ_２Ｏ　の鍛造材の鍛伸方向に平行な面のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図５】本発明の実施例５に係る試料Ｎｏ．１４（Ｃｕ−３２．２体積％ＣｕＯ）焼結体のミクロ組織を示す光学顕微鏡写真。
【図６】熱膨張係数と熱伝導率との関係を示す線図。
【図７】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールの平面図。
【図８】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールの断面図。
【図９】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールの製造工程の模式図。
【図１０】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールの各工程でのベース反り量を示す線図。
【図１１】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールを実装した電力変換装置の平面図及びその断面図。
【図１２】本発明の実施例６に係るＩＧＢＴモジュールを実装した電力変換装置のモジュールの実装前の反り量。
【図１３】実装後における反り量を示す線図。
【図１４】本発明の実施例７に係る放熱板内蔵型プラスチックパッケージの断面図。
【図１５】本発明の実施例７に係る放熱板露出型プラスチックパッケージの断面図。
【図１６】本発明の実施例８に係るセラミックスパッケージの断面図。
【図１７】本発明の実施例８に係る放熱フィン付きセラミックスパッケージの断面図。
【図１８】本発明の実施例９に係る半導体装置の断面図。
【図１９】本発明の実施例９に係る半導体装置の断面図。
【図２０】本発明の実施例１０に係るＭＣＭの断面図。
【図２１】本発明に係る静電吸着装置の断面図。
【符号の説明】
１０１…ＩＧＢＴ素子、１０２…ダイオード素子、１０３…ＡｌＮ基板、１０４…エミッタ配線、１０５…コレクタ配線、１０６…ゲート配線、１０７…金属ワイヤ、１０８…抵抗素子、１０９…放熱板。

Claims

金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は断面の面積率が前記粒子の全体の９５％以上が互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする複合材料。
金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は単独で存在する粒子の数が断面で１００μｍ四方内に１００個以下であり、残りの前記化合物粒子は互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする複合材料。
金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子はヴィッカース硬さが３００以下であることを特徴とする複合材料。
金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、２０℃での熱伝導率１ｗ／ｍ・Ｋ当りの２０〜１５０℃での平均熱膨張係数の増加率が０．０２５〜０．０３５ｐｐｍ／℃　であることを特徴とする複合材料。
金属と該金属よりも熱膨張係数が小さい無機化合物粒子とを有する複合材料において、前記化合物粒子は互いに連なり塊となって分散しており、前記塊は塑性加工によって伸ばされた方向に延びていることを特徴とする複合材料。
銅と酸化銅粒子とを有する複合材料において、前記酸化銅粒子は断面の面積率で前記粒子の全体の９５％以上が互いに連なった複雑形状の塊となって分散していることを特徴とする複合材料。
請求項１〜６のいずれかに記載の複合材料よりなることを特徴とする半導体装置用放熱板。
請求項７において、表面にＮｉめっき層を有することを特徴とする半導体装置用放熱板。
放熱板上に搭載した複数個の絶縁基板と、該絶縁基板の各々に搭載された複数個の半導体素子とを備え、前記絶縁基板は上下面に導体層が設けられ、該導体層を介して前記放熱板に直接接合されていることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に搭載された絶縁基板及び該絶縁基板上に搭載された半導体素子を有する半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に搭載された半導体素子と、前記放熱板に接続されたリードフレームと、該リードフレームと半導体素子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記半導体素子を樹脂封止した半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に搭載された半導体素子と、前記放熱板に接続されたリードフレームと、該リードフレームと半導体素子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記半導体素子を樹脂封止するとともに、前記放熱板の少なくとも前記素子の接合面に対して反対の面側かが開放されている半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に搭載された半導体素子と、外部配線接続用ピンを有し、中央部に前記素子を収納する開放空間を有するセラミックス多層配線基板と、前記素子と基板の端子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記素子を前記空間に設置するように前記放熱板と前記基板とを接合するとともに前記基板をリッドによって接合し前記素子を大気より遮断する半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に搭載された半導体素子と、外部配線接続用端子を有し、中央部に前記素子を収納する凹部を有するセラミックス多層配線基板と、前記素子と基板の端子とを電気的に接続する金属ワイヤとを備え、前記素子を前記凹部に設置するように前記放熱板と前記基板の凹部とを接合するとともに前記基板をリッドによって接合し前記素子を大気より遮断する半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
放熱板上に熱伝導性樹脂によって接合された半導体素子と、セラミックス絶縁基板に接合されたリードフレームと、前記素子とリードフレームとを電気的に接続するＴＡＢとを備え、前記放熱板と絶縁基板とを接合し前記素子を大気より遮断するとともに前記素子と絶縁基板との間に熱伝導性樹脂弾性体を介在させた半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
第１の放熱板上に金属によって接合された半導体素子と、接地板が接合された第２の放熱板の前記接地板上に前記第１の放熱板を搭載し、前記素子の端子に電気的に接続したＴＡＢとを備え、前記素子を樹脂封止した半導体装置において、前記放熱板は請求項７又は８に記載の放熱板よりなることを特徴とする半導体装置。
請求項１〜６のいずれかに記載の複合材料よりなることを特徴とする静電吸着装置用誘電体板。
電極層に電圧を印加することにより前記電極層上に接合された誘電体板と物体との間に静電吸引力を生じさせて前記誘電体板の表面に前記物体を固定する静電吸着装置において、前記誘電体板は請求項１９に記載の誘電体板よりなることを特徴とする静電吸着装置。