JP2004056148A - 銅ペースト及びそれを用いた配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 銅粉末と、有機ビヒクルと、平均粒径100nm以下であって焼結によってガラス化しないセラミック粒子とを含有する銅ペーストをセラミックグリーンシートに塗布して焼成し、平均粒径2μm以下の無機物が厚み内に分散された導体層を有する配線基板を得る。
【選択図】 なし
Description
尚、本発明の銅ペーストは、ジブチルフタレート等の可塑剤、増粘剤、レベリング剤、消泡剤等の成分が含有されていてもよい。
また、本発明の焼結してガラス化するセラミック粒子とは、焼成によりセラミックグリーンシート中に含まれるガラス内に溶け込むものであり、例えば、結晶性SiO2、B2O3などのガラス形成酸化物、MgO、CaO、Na2O、K2Oなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属である。
請求項4に記載の配線基板によれば、微細な配線パターンをメッキして得られ、且つ、低抵抗で表面粗さが少ない配線パターンが形成できるので、特に高周波回路を形成するためのストリップライン(特にマイクロ波ストリップライン)を形成すると伝送信号の損失が少なくて信頼性の高いものになるという作用効果が得られる。例えば、導体層の幅が100μm以下、更には50μm以下もしくは70μm以下であっても良好なメッキ皮膜が得られる。
次に、請求項5に記載の発明は、導体層の内部に、平均粒径2μm以下の無機物が分散されていることを特徴とする配線基板である。
請求項8に記載の配線基板によれば、微細な配線パターンをメッキして得られ、且つ、低抵抗で表面粗さが少ない配線パターンが形成できるので、特に高周波回路を形成するためのストリップライン(特にマイクロ波ストリップライン)を形成すると伝送信号の損失が少なくて信頼性の高いものになるという作用効果が得られる。例えば、導体層の幅が100μm以下、更には50μm以下もしくは70μm以下であっても良好なメッキ皮膜が得られる。
1)セラミックグリーンシートの作製
まず、SiO2が63.3質量部、B2O3が24.1質量部、Al2O3が5.7質量部、CaOが6.9質量部の組成を有するガラス粉末50質量部と、アルミナフィラー50質量部とを混合させて、平均粒径2.5μmのアルミナとガラスの混合粉末を作製した。
次いで、平均粒径5μmの銅紛末100質量部に対して、ビヒクルを25質量部と(表1)に示す添加剤とを加えて3本ロールミルで混合して銅ペーストを作製した。尚、ビヒクルはテルピネオール70質量部にポリイソブチルメタクリレート30質量部を溶解して調整した。
実施例B、C、D、Eは、銅粉末に平均粒径が21nmのTiO2を、0.5〜2.0質量部の範囲で変化させて添加した銅ペーストである。
比較例A〜Eにおいて、比較例Aは、添加剤を添加しない銅ペーストであり、比較例Bは、ガラスを1.0質量部添加した銅ペーストである。比較例Cは、SiO2を1.0質量部添加した銅ペーストである。比較例D、E、は、平均粒径が300nmのAl2O3を、それぞれ1.0質量部、3.0質量部添加した銅ペーストである。
次いで、前記のセラミックグリーンシートと銅ペーストを用いて、配線基板を作製した。
次いで、前記試験片Aと試験片Bとを、水蒸気と窒素ガスの混合雰囲気(水蒸気と窒素ガスの露点70℃の混合雰囲気)を調製した炉内に曝し、850℃の温度下で放置し、銅ペースト及びセラミックグリーンシート中に含有する有機成分を脱脂し、続けて、乾燥窒素ガスに置換した後1000℃に昇温して、2時間放置し、焼成を行って配線基板を作製した。
また、試験片AとBの導体層の表面に、無電解メッキ法を用いて厚さ4μmのNiメッキを行い、さらにその上面に無電解メッキ法を用いて厚さ0.5μmのAuメッキを行った。
また、比較例Dと本発明の実施例Aとを比較すると、比較例Dは、添加剤として粒径が大きい300nmのAl2O3を添加した結果、配線基板のうねり量が2.11mmと大きくなっていることが判る。
図1は、実施例Gの銅ペーストを用いた配線基板の断面写真図、図2は、比較例Eの銅ペーストを用いた配線基板の断面写真図である。
従って、本発明の実施例Gは比較例Eに較べると無機物5が導体層3の厚みT1内に均一に分散されているので、配線基板の表面に無機物の浮き出しが少なくてメッキ性が優れていることがわかる。
実施例Gの導体層3に分散した無機物をEPMA(電子線プローブ微量分析法)で分析したところ、銅ペースト中に予め添加したTiやSiのほかにセラミック磁器2のガラス成分であるCaやAlが観察された。つまり、CaやAl等のガラス成分は、無機物として導体層3中に均一に分散し導体層3の表面に浮き出すことが無いため、メッキ性の優れた導体層が得られた。また、導体層3の比抵抗を測定した結果、3×10-6Ω・cm以下、若しくは2.5×10-6Ω・cm以下であり良好な結果を得た。
次に、実施例Gと比較例Eの配線基板を切断して、切断面を研磨し、導体層の断面をSEM(走査型電子顕微鏡)で観察し反射電子組成像を得た。そして、導体層の任意の断面積900μm2中に存在する粒径2μm以上、粒径3μm以上の無機物をそれぞれ反射電子組成像にもとづいて検出した。かかる反射電子組成像において、Cu等の重元素は明部(白色の部分)、無機物は暗部(黒色の部分)で表されている。導体断面積に対する無機物(暗部)の合計面積の割合を画像処理により算出した結果、実施例Gは、粒径2μm以上が1.2%、粒径5μm以上が0.7%であって、比較例Eは、粒径2μm以上が6.1%、粒径3μm以上が2.5%であった。
本発明の実施例による銅ペーストは、セラミックグリーンシート上に印刷され焼成されると、表面にガラスの浮き出しが無い導体層が形成され、うねりや反りが少なく、微細な配線パターンにピンホール等の欠陥の無い良好なメッキ皮膜が形成できる。
Claims (8)
- 銅粉末と、有機ビヒクルと、平均粒径100nm以下であって焼結によってガラス化しないセラミック粒子、とを含有することを特徴とする銅ペースト。
- 前記銅ペーストに、ガラス質のセラミック粒子又は焼結によってガラス化するセラミック粒子を含有することを特徴とする請求項1に記載の銅ペースト。
- 請求項1又は請求項2に記載の銅ペーストをセラミックグリーンシートに塗布して焼成し、平均粒径2μm以下の無機物が厚み内に分散された導体層を形成したことを特徴とする配線基板。
- 前記配線基板は、前記導体層表面にメッキ処理を行ったことを特徴とする請求項3に記載の配線基板。
- 導体層の内部に、平均粒径2μm以下の無機物が分散されていることを特徴とする配線基板。
- 導体層の厚み方向の断面において、導体層の内部に分散されている粒径2μm以上の無機物の合計面積が、該導体層の断面積の5%以下であることを特徴とする配線基板。
- 導体層の厚み方向の断面において、導体層の内部に分散されている粒径3μm以上の無機物の合計面積が、該導体層の断面積の2%以下であることを特徴とする配線基板。
- 前記配線基板は、前記導体層表面にメッキ処理を行ったことを特徴とする請求項5乃至請求項7の何れか記載の配線基板。
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JP2008283133A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子実装用多層配線基板とその製造方法 |
WO2013137214A1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板およびその製造方法 |
US10388423B2 (en) | 2007-09-13 | 2019-08-20 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Electrically conductive composition |
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