JP2004055855A - 通信装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】LED100は、コンタクト層4に形成されたオーミック電極6と当該コンタクト層4との接触面積Sが発光層中実質的に発光する面積となる。そこで当該オーミック電極6と当該コンタクト層4との接触面積Sを小さくしたまま、間に台座電極7pを設け、配線基板200上の回路配線20pとの接続を台座電極との接合面積がSより大きなボール電極9pで行うようにする。これにより、ボール電極9pは容易に形成可能な大きさを確保でき、且つLED100の発光層3の発光面積を十分小さくすることが可能となる。これにより、発光層3の発光部分を挟んで形成される容量成分を小さくすることができ、輝度立ち上がりと立ち下がりにおける時定数が小さくなり、高速化が可能となる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信用のIII族窒化物系化合物半導体を用いた発光素子に関する。例えば、プラスチックオプテカルファイバー(POF)を用いた通信システムの光送信器に用いることができる。
【0002】
【従来の技術】
最近、プラスチックオプテカルファイバー(POF)を用いた短距離のLAN通信の光源に発光ダイオード(以下、単にLED)を用いたシステムが知られている。そのシステムでは、光通信用の発光素子として、GaAs系の化合物半導体を用いた赤色のLEDが用いられ、LEDを用いた短距離通信が盛んに研究開発されている。この赤色のLEDの高域遮断周波数は30MHzである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
POFの伝送損失は、短波長の波長領域、例えば、発光波長が450nm〜550nmの領域で小さいので、POFを用いた光通信には、赤色の光を用いるよりは、発光波長が450nm〜550nmの領域の光を発光する発光素子、例えばLEDを用いることが望ましい。そのためには、III族窒化物系化合物半導体を用いた発光素子を光通信用の光源として用いることが考えられる。
【0004】
しかしながら、現在のIII族窒化物系化合物半導体発光素子を用いたのでは、応答速度が遅いという問題がある。まず、電流密度を上げると発光特性が悪くなる、即ち電流に対して輝度が飽和すると言う問題がある。また、応答速度を上げるべく発光層が形成する容量成分を小さくすためには例えばp層もしくはその上のp電極を小さくする必要があるが、小さくしすぎるとボンディングが困難となる。
【0005】
本発明は上記の課題を解決するために完成されたものであり、その目的は、発光層が形成する容量成分を小さくして、電流に対する輝度の応答速度を上げることである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1に記載の手段によれば、光ファイバーと、フリップチップ式に配線基板に実装したIII族窒化物系化合物半導体発光素子との組合せによる通信装置であって、III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光層上方で、III族窒化物系化合物半導体から成るコンタクト層上に形成されたオーミック電極と、コンタクト層上にオーミック電極を覆うように形成された台座電極と、台座電極と配線基板の回路配線とを電気的に接続するボール電極とを有し、コンタクト層とオーミック電極との接触面積よりも台座電極とボール電極との接触面積の方が大きいことを特徴とする。
【0007】
また、請求項2に記載の手段は、III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光波長が450〜550nmであることを特徴とする。また、請求項3に記載の手段は、コンタクト層とオーミック電極との接触面積が0.025mm2以下であることを特徴とする。また、請求項4に記載の手段は、光ファイバがプラスチックファイバーであることを特徴とする。
【0008】
【作用及び発明の効果】
III族窒化物系化合物半導体発光素子は、コンタクト層上に形成されたオーミック電極と当該コンタクト層との接触面積が発光層中実質的に発光する面積となる。そこで当該オーミック電極と当該コンタクト層との接触面積を小さくしたまま、間に台座電極を設け、配線基板上の回路配線との接続をボール電極で行うようにする。これにより、ボール電極はさほど小さいものとする必要が無く、容易に形成可能な大きさを確保でき、且つIII族窒化物系化合物半導体発光素子の発光層の発光面積を十分小さくすることが可能となる。これにより、発光層の発光部分を挟んで形成される容量成分を小さくすることができ、輝度立ち上がりと立ち下がりにおける時定数が小さくなり、高速化が可能となる。また、製造時に素子毎のバラツキを抑制することができる。また、ボール電極は放熱効果も有するので、ボール電極を放熱性の面から大きくすることも可能となる。
【0009】
POFと組み合わせると長距離使用が可能となり、そのためには発光波長が450nm〜550nmの領域となる発光素子が好ましい。また、フリップチップ方式に配線基盤に実装すること、即ち、発光層上方のコンタクト層が接地側であるので、より放熱性良い。
【0010】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の具体的な実施例に係る通信装置1000の要部を示した断面図である。図1と以下の説明により、本発明は如何様な電極配置による発光素子に対しても適用できる。尚、本発明は図1及び以下の実施形態に限定されない。
【0011】
図1の通信装置1000は、III族窒化物系化合物半導体LED(以下、単にGaN系LEDと記す)100をボール電極9n、9pを用いて配線基板200に実装し、POF300と位置合わせすることにより形成される。図1でPOF300の符号301はコア部分を、符号302はクラッド部分を示す。また、図1で配線基板200には、GaN系LED100のボール電極9n、9pと各々電気的に接続される回路配線20n、20pが形成されている。
【0012】
GaN系LED100はサファイア基板1上に、n型GaN層2、InGaN/GaNから成る多重量子井戸構造を有する発光層3、p型GaN層(コンタクト層)4を形成し、n型GaN層2を露出させた部分にオーミックコンタクトを有するn電極5と、p型GaN層(コンタクト層)4上にオーミックコンタクトを有するp電極(オーミック電極)6を設ける。この時、p電極(オーミック電極)6のp型GaN層(コンタクト層)4との接触部分Sの面積は0.025mm2以下とする。図1のGaN系LED100においては、バッファ層を割愛したが、サファイア基板1とn型GaN層2の間にバッファ層を設けても良い。また、n型GaN層2、InGaN/GaNから成る多重量子井戸構造を有する発光層3、p型GaN層(コンタクト層)4は3層構造として例示したが、サファイア基板1とn電極5を設けるn型GaN層2との間、n電極5を設けるn型GaN層2とInGaN/GaNから成る多重量子井戸構造を有する発光層3との間、InGaN/GaNから成る多重量子井戸構造を有する発光層3とp電極(オーミック電極)6を設けるp型GaN層(コンタクト層)4との間に1乃至複数の層を所望により設けてもかまわない。
【0013】
次にn電極5を覆うように、n側台座電極7nを形成し、p型GaN層(コンタクト層)4上でp電極(オーミック電極)6を覆うようにp側台座電極7pを形成する。p側台座電極7pは、p型GaN層(コンタクト層)4との間にオーミック特性を生じないように形成する。これはp電極(オーミック電極)6とp側台座電極7pを異なる金属で形成すること等で実現することが可能となる。次に、実装時にボール電極同士が接触しないよう、保護膜8を形成する。保護膜8は、n側台座電極7nと対峙する発光層3、p型GaN層(コンタクト層)4の側面との間を覆い、当該対峙部分を超えて、n側台座電極7nとp側台座電極7pを各々一部覆うようにする。この時、p電極(オーミック電極)6の上方で、且つp電極(オーミック電極)6のp型GaN層(コンタクト層)4との接触面積Sよりも広い面積となるよう、p側台座電極7pの露出部分を形成しておく。こうして、保護膜8で接触が防がれたので、ボール電極9n、9pを各々n側台座電極7n、p側台座電極7pの露出部分に設ける。ボール電極9n、9pの材料としては、実装時に流動性を有する金や半田を用いることが可能である。ボール電極9n、9pと回路配線20n、20pとを各々接続すれば、GaN系LED100の実装は完了である。
【0014】
このようにして、光の放出方向Lから見た場合、ボール電極9pとp側台座電極7pの接触部分に、p電極(オーミック電極)6のp型GaN層(コンタクト層)4との接触部分Sが収まるようにすることで、発光面積(接触部分Sと略同一)がボール電極9pとp側台座電極7pの接触面積より小さくできる。こうして、例えば接触部分Sの面積が0.025mm2以下で10mAの電流を供給すれば電流密度が400mA/mm2以上とすることができる。ボール電極9pと接する回路配線20pは接地側とすること、即ち、フリップチップ方式に実装することで、より良い放熱効果をもたせることができる。
【0015】
尚、上記の半導体発光素子の半導体材料は実施例に限定されるものではないが、半導体発光素子をIII族窒化物半導体で構成した場合には、形成する各半導体層は、少なくともAlxGayIn1−x−yN(0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1)にて表される2元系、3元系若しくは4元系の半導体から成るIII族窒化物系化合物半導体等で形成することができる。また、これらのIII族元素の一部は、ボロン(B)、タリウム(Tl)で置き換えても良く、また、窒素(N)の一部をリン(P)、砒素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)で置き換えても良い。
【0016】
更に、これらの半導体を用いてn型のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する場合には、n型不純物として、Si、Ge、Se、Te、C等を添加し、p型のIII族窒化物系化合物半導体層を形成する場合には、p型不純物として、Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等を添加することができる。
【0017】
また、これらの半導体層を結晶成長させる基板としては、サファイヤ、スピネル、Si、SiC、ZnO、MgO或いは、III族窒化物系化合物単結晶等を用いることができる。
【0018】
また、これらの半導体層を結晶成長させる方法としては、分子線気相成長法(MBE)、有機金属気相成長法(MOCVD)、ハライド気相成長法(HDVPE)、液相成長法等が有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願の具体的な実施例に係る通信装置1000の構成を示す断面図。
【符号の説明】
100 III族窒化物系化合物半導体発光ダイオード(GaN系LED)
200 配線基板
300 プラスチックファイバ(POF)
4 p型GaN層(コンタクト層)
6 p電極(オーミック電極)
7p p側台座電極
9p ボール電極
20p 回路配線
Claims (4)
- 光ファイバーと、フリップチップ式に配線基板に実装したIII族窒化物系化合物半導体発光素子との組合せによる通信装置であって、
前記III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光層上方で、III族窒化物系化合物半導体から成るコンタクト層上に形成されたオーミック電極と、
前記コンタクト層上に前記オーミック電極を覆うように形成された台座電極と、
前記台座電極と前記配線基板の回路配線とを電気的に接続するボール電極とを有し、
前記コンタクト層と前記オーミック電極との接触面積よりも前記台座電極と前記ボール電極との接触面積の方が大きいことを特徴とする通信装置。 - 前記III族窒化物系化合物半導体発光素子の発光波長が450〜550nmであることを特徴とする請求項1に記載の通信装置。
- 前記コンタクト層と前記オーミック電極との接触面積が0.025mm2以下であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の通信装置。
- 前記光ファイバがプラスチックファイバーであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の通信装置。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2002211766A JP2004055855A (ja) | 2002-07-19 | 2002-07-19 | 通信装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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