JP2004039835A - プラズマ処理装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】エッチングレートや基板の均一性が高い処理を実現することが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される被処理基板が載置される基板電極と、前記基板電極に対向して配置されたプラズマ発生手段と、前記基板電極及び前記プラズマ発生手段に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給部から構成されるプラズマ処理装置であって、前記ガス導入部が真空容器内にて可動となるような構造を有することで解決できる。
【選択図】 図1
【解決手段】真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される被処理基板が載置される基板電極と、前記基板電極に対向して配置されたプラズマ発生手段と、前記基板電極及び前記プラズマ発生手段に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給部から構成されるプラズマ処理装置であって、前記ガス導入部が真空容器内にて可動となるような構造を有することで解決できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶用トランジスタ素子形成などに利用されるプラズマ処理装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体などの電子デバイスは、急速に細密化が進んでおり、高精度の加工処理が求められている。このような微細加工技術では、プラズマ処理方法を利用した加工処理が一般的となっており、例えば、ドライエッチング法、スパッタリング法、プラズマCVD法などが用いられる。
【0003】
以下、前述するプラズマ処理方法のうち、特にドライエッチング法(以下「D/E」と称す)を取り上げ説明する。図3は従来のドライエッチング装置の概略図である。以下、D/Eの具体的な動作手順について説明する。
【0004】
まず、石英などの誘電体材料により構成された天板301を有する真空容器302内に、ガス供給系303からガス供給部304を通して処理用のガスを導入し、同時にガス排気系305で真空容器302内の圧力を一定に維持する。
【0005】
その際に、被処理基板306は第1の高周波電源307が接続された基板電極308に載置され、天板301上に具備されたコイルまたはアンテナなどのプラズマ発生手段309に接続された第2の高周波電源310に高周波電力を印加することで、真空容器302内にプラズマが発生し、被処理基板306の処理が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のプラズマ処理装置では、特にアルミなどの反応性のドライエッチングを行う場合、ガス供給の不均一性によりエッチングの均一性を確保することが難しいという問題がある。これは、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給部304が常に固定であるため、被処理基板306の表面でガスにムラを生じやすくなり、その結果、基板を均一に処理することが難しくなるものと考えられるためである。
【0007】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、エッチングレートや基板の均一性が高い処理を実現することが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載されたプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される被処理基板が載置される基板電極と、前記基板電極に対向して配置されたプラズマ発生手段と、前記基板電極及び前記プラズマ発生手段に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給部から構成されるプラズマ処理装置であって、前記ガス導入部が真空容器内にて可動となるような構造を有することを特徴とする。
【0009】
また、請求項2に記載されたプラズマ処理装置は、請求項1記載のプラズマ処理装置において、終点検出系を設け、エッチング処理中の膜を特定することを特徴とする。
【0010】
また、請求項3に記載されたプラズマ処理装置は、請求項2記載のプラズマ処理装置において、前記終点検出系が、プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングする手段であることを特徴とする。
【0011】
また、請求項4に記載されたプラズマ処理装置は、請求項1〜3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記被処理基板は、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする。
【0012】
また、請求項5に記載されたプラズマ処理方法は、真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記ガス供給部を真空容器内で可動にしながら前記被処理基板を処理することを特徴とする。
【0013】
また、請求項6に記載されたプラズマ処理方法は、真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、複数の放電ステップにて処理を行う際には、前記ステップ間にガス供給部を移動させることを特徴とする。
【0014】
また、請求項7に記載されたプラズマ処理方法は、請求項5または6記載のプラズマ処理方法において、エッチング処理中の膜を特定することで前記ガス供給部を変動させることを特徴とする。
【0015】
また、請求項8に記載されたプラズマ処理方法は、請求項7記載のプラズマ処理方法において、プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングすることを特徴とする。
【0016】
更に、請求項9に記載されたプラズマ処理方法は、請求項5〜8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、前記被処理基板が、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1に本発明に係るプラズマ処理装置の全体構成を示す。このプラズマ処理装置は、真空容器1、天板2、第1の高周波電源3、第2の高周波電源4、プラズマ発生手段5、基板電極6、ガス供給系7、ガス導入部8、ガス排気系9、終点検出系10で構成される。なお、11は被処理基板である。
【0018】
以下、被処理基板11上でプラズマを均一に発生させることを可能とする方法について説明する。
【0019】
まず、真空容器1の上部は、平板状の誘電体材料によって構成された天板2により気密され、天板2の上部にコイルまたはアンテナなどのプラズマ発生手段5が具備されている。また、プラズマ発生手段5には第2の高周波電源4に接続されている。更に、被処理基板11は第1の高周波電源3に接続された基板電極6に載置され、ガス供給系7よりガス供給部8を経て、真空容器1内にガス導入し、ガス排気系9によって真空容器1内を一定の圧力に保持した後、高周波電源3,4により高周波電力をそれぞれプラズマ発生手段5と基板電極6に印加することによって真空容器1内にプラズマを発生させ、被処理基板11の処理を行う。
【0020】
本発明に係る本実施形態では、特に、図2に示すように最下層21にTi層22,Al層23,Ti層24が交互に積層された膜をエッチング処理する場合について説明する。
【0021】
まず、ガス供給部8を、Alのエッチングレートや均一性を向上させるために、A地点の被処理基板11に近い位置に移動させる。その後、高周波電源3,4に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、終点検出系10によりAl層23までエッチングを行い、放電を停止する。次に、Ti層22の均一性を高めるため、ガス供給部8をB地点まで移動させ、同様にガス供給してプラズマを発生させ、Ti層22のエッチングを行う。
【0022】
以上により、積層膜それぞれの膜種に適したガス供給位置に設定することで、エッチングレートや被処理基板の均一性を高めた処理を行うことを可能となる。
【0023】
なお、本実施形態は、Ti層,Al層が積層される膜に対してプラズマ処理される事例を示したが、一般的にLCD製造工程にて使用されるメタル材及び、絶縁膜などに適応しても同様の効果が得られることは明らかである。
【0024】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置及び方法によれば、対象とするエッチング膜に適したガス供給位置を自由に設定できるので、エッチングレートや被処理基板の均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するプラズマ処理装置の構成図
【図2】本発明の実施形態に係る代表的なTiAl積層膜図
【図3】従来のプラズマ処理装置の構成図
【符号の説明】
1 真空容器
2 天板
3 第1の高周波電源
4 第2の高周波電源
5 プラズマ発生手段
6 基板電極
7 ガス供給系
8 ガス導入系
9 ガス排気系
10 終点検出系
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶用トランジスタ素子形成などに利用されるプラズマ処理装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体などの電子デバイスは、急速に細密化が進んでおり、高精度の加工処理が求められている。このような微細加工技術では、プラズマ処理方法を利用した加工処理が一般的となっており、例えば、ドライエッチング法、スパッタリング法、プラズマCVD法などが用いられる。
【0003】
以下、前述するプラズマ処理方法のうち、特にドライエッチング法(以下「D/E」と称す)を取り上げ説明する。図3は従来のドライエッチング装置の概略図である。以下、D/Eの具体的な動作手順について説明する。
【0004】
まず、石英などの誘電体材料により構成された天板301を有する真空容器302内に、ガス供給系303からガス供給部304を通して処理用のガスを導入し、同時にガス排気系305で真空容器302内の圧力を一定に維持する。
【0005】
その際に、被処理基板306は第1の高周波電源307が接続された基板電極308に載置され、天板301上に具備されたコイルまたはアンテナなどのプラズマ発生手段309に接続された第2の高周波電源310に高周波電力を印加することで、真空容器302内にプラズマが発生し、被処理基板306の処理が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のプラズマ処理装置では、特にアルミなどの反応性のドライエッチングを行う場合、ガス供給の不均一性によりエッチングの均一性を確保することが難しいという問題がある。これは、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給部304が常に固定であるため、被処理基板306の表面でガスにムラを生じやすくなり、その結果、基板を均一に処理することが難しくなるものと考えられるためである。
【0007】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、エッチングレートや基板の均一性が高い処理を実現することが可能なプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載されたプラズマ処理装置は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される被処理基板が載置される基板電極と、前記基板電極に対向して配置されたプラズマ発生手段と、前記基板電極及び前記プラズマ発生手段に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給部から構成されるプラズマ処理装置であって、前記ガス導入部が真空容器内にて可動となるような構造を有することを特徴とする。
【0009】
また、請求項2に記載されたプラズマ処理装置は、請求項1記載のプラズマ処理装置において、終点検出系を設け、エッチング処理中の膜を特定することを特徴とする。
【0010】
また、請求項3に記載されたプラズマ処理装置は、請求項2記載のプラズマ処理装置において、前記終点検出系が、プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングする手段であることを特徴とする。
【0011】
また、請求項4に記載されたプラズマ処理装置は、請求項1〜3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置において、前記被処理基板は、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする。
【0012】
また、請求項5に記載されたプラズマ処理方法は、真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記ガス供給部を真空容器内で可動にしながら前記被処理基板を処理することを特徴とする。
【0013】
また、請求項6に記載されたプラズマ処理方法は、真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、複数の放電ステップにて処理を行う際には、前記ステップ間にガス供給部を移動させることを特徴とする。
【0014】
また、請求項7に記載されたプラズマ処理方法は、請求項5または6記載のプラズマ処理方法において、エッチング処理中の膜を特定することで前記ガス供給部を変動させることを特徴とする。
【0015】
また、請求項8に記載されたプラズマ処理方法は、請求項7記載のプラズマ処理方法において、プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングすることを特徴とする。
【0016】
更に、請求項9に記載されたプラズマ処理方法は、請求項5〜8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、前記被処理基板が、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1に本発明に係るプラズマ処理装置の全体構成を示す。このプラズマ処理装置は、真空容器1、天板2、第1の高周波電源3、第2の高周波電源4、プラズマ発生手段5、基板電極6、ガス供給系7、ガス導入部8、ガス排気系9、終点検出系10で構成される。なお、11は被処理基板である。
【0018】
以下、被処理基板11上でプラズマを均一に発生させることを可能とする方法について説明する。
【0019】
まず、真空容器1の上部は、平板状の誘電体材料によって構成された天板2により気密され、天板2の上部にコイルまたはアンテナなどのプラズマ発生手段5が具備されている。また、プラズマ発生手段5には第2の高周波電源4に接続されている。更に、被処理基板11は第1の高周波電源3に接続された基板電極6に載置され、ガス供給系7よりガス供給部8を経て、真空容器1内にガス導入し、ガス排気系9によって真空容器1内を一定の圧力に保持した後、高周波電源3,4により高周波電力をそれぞれプラズマ発生手段5と基板電極6に印加することによって真空容器1内にプラズマを発生させ、被処理基板11の処理を行う。
【0020】
本発明に係る本実施形態では、特に、図2に示すように最下層21にTi層22,Al層23,Ti層24が交互に積層された膜をエッチング処理する場合について説明する。
【0021】
まず、ガス供給部8を、Alのエッチングレートや均一性を向上させるために、A地点の被処理基板11に近い位置に移動させる。その後、高周波電源3,4に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、終点検出系10によりAl層23までエッチングを行い、放電を停止する。次に、Ti層22の均一性を高めるため、ガス供給部8をB地点まで移動させ、同様にガス供給してプラズマを発生させ、Ti層22のエッチングを行う。
【0022】
以上により、積層膜それぞれの膜種に適したガス供給位置に設定することで、エッチングレートや被処理基板の均一性を高めた処理を行うことを可能となる。
【0023】
なお、本実施形態は、Ti層,Al層が積層される膜に対してプラズマ処理される事例を示したが、一般的にLCD製造工程にて使用されるメタル材及び、絶縁膜などに適応しても同様の効果が得られることは明らかである。
【0024】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理装置及び方法によれば、対象とするエッチング膜に適したガス供給位置を自由に設定できるので、エッチングレートや被処理基板の均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するプラズマ処理装置の構成図
【図2】本発明の実施形態に係る代表的なTiAl積層膜図
【図3】従来のプラズマ処理装置の構成図
【符号の説明】
1 真空容器
2 天板
3 第1の高周波電源
4 第2の高周波電源
5 プラズマ発生手段
6 基板電極
7 ガス供給系
8 ガス導入系
9 ガス排気系
10 終点検出系
Claims (9)
- 真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理される被処理基板が載置される基板電極と、前記基板電極に対向して配置されたプラズマ発生手段と、前記基板電極及び前記プラズマ発生手段に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空容器内にガスを供給するガス供給部から構成されるプラズマ処理装置であって、前記ガス導入部が真空容器内にて可動となるような構造を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 終点検出系を設け、エッチング処理中の膜を特定することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記終点検出系が、プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングする手段であることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記被処理基板は、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記ガス供給部を真空容器内で可動にしながら前記被処理基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 真空容器内にガス供給部よりガスを供給し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、被処理基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって、複数の放電ステップにて処理を行う際には、前記ステップ間にガス供給部を移動させることを特徴とするプラズマ処理方法。
- エッチング処理中の膜を特定することで前記ガス供給部を変動させることを特徴とする請求項5または6記載のプラズマ処理方法。
- プラズマの発光強度を検出してエッチング処理中の膜をモニタリングすることを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 前記被処理基板は、少なくともTi,Al,Al合金が含有されることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002194314A JP2004039835A (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | プラズマ処理装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002194314A JP2004039835A (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | プラズマ処理装置及び方法 |
Publications (1)
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JP2004039835A true JP2004039835A (ja) | 2004-02-05 |
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Family Applications (1)
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JP2002194314A Pending JP2004039835A (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | プラズマ処理装置及び方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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2002
- 2002-07-03 JP JP2002194314A patent/JP2004039835A/ja active Pending
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