JP2004030840A - 光照射ヘッド及び情報記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光照射ヘッドであって、互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、この矩形状底面と平行な矩形状頂面と、頂面と底面及び一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、一対の台形状主面及び一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを含んでいる。光照射ヘッドには、一対の台形状主面と直交する偏光方向を有する直線偏光が矩形状底面から入射される。台形柱は入射される光に対して透明なダイヤモンド等の誘電体から構成され、被覆体はAl,Au,Ag等の金属から構成される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光照射ヘッド及び該ヘッドを用いた情報記録再生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
情報化社会の進展に伴い、情報量は増大の一途を辿っている。この情報量の増大に対応して、飛躍的に高い記録密度の情報記録方式及びそれに基づく記録再生装置が待望されている。
【0003】
高密度記録実現のための記録方式として、入射光の波長よりも小さい微小開口を作製し、その開口部から発生する近接場光を利用して、光の波長より小さいビームスポットを形成する近接場光記録方式が注目されている。
【0004】
近接場光気記録方式の従来の微小開口として、例えば特開平10−206660号公報に記載されているように、先鋭化した光ファイバの先端に開口を設けたものが知られている。
【0005】
即ち、先端部を先鋭化した光ファイバを金属膜で被覆して、収束イオンビーム(FIB)等の粒子ビームで被覆及び先鋭化した部分の一部を切除して開口を作製する。
【0006】
他の従来技術として、平面板に斜面を持つ開口を作製す方法が米国特許第5,689,480号に開示されている。即ち、Si基板をリソグラフィ技術でパターニングし、そのパターンを異方性エッチングして逆ピラミッド型の窪みを作製し、基板の最深部となる逆ピラミッドの頂点を基板裏面に貫通させたものである。貫通の方法は、Si基板の裏面を研磨する方法や、エッチングを行なう方法などが知られている。
【0007】
また、Opt.Rev.vol5,No.6(1998)369−373には、光伝搬効率を改善するために、光ファイバの尖鋭化したコアの先端に金属を蒸着する方法が開示されている。
【0008】
或いは、Appl.Phis.lett.,Vol73,No.15には、ビームスポットサイズと伝搬効率を共に向上させる光ファイバの形状が開示されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の光ファイバ端部を先鋭化して微小開口を形成する方法は、金属膜を形成するための蒸着にむらがあり、更にエッチング溶液の濃度や光ファイバの材料組成に起因するエッチング速度の不安定性の問題がある。
【0010】
また、円錐状に先鋭化した光ファイバの頂角の作製の不安定性及びFIBによる先端部の切除制御の困難性といった、量産プロセスの問題がある。更に、光ファイバを利用しているため、マルチヘッド化が困難である。
【0011】
半導体基板をエッチングして微小開口を形成する方法には、数十nmの開口サイズに対するエッチングの進行速度の不安定性や、一定のエッチング量に対するSi基板の厚みむらによる開口部サイズの不安定性や、半導体基板の切り出し時における結晶方位のずれによるエッチング部の形状の不安定性といった作製プロセス上の問題がある。
【0012】
また、逆ピラミッド形状は半導体基板固有の結晶方位で決まるため、所望の最適な角度に制御できないことがある。更に、基板の剥離や溶解の工程が多いために材料の消費が激しくなり、コスト高になるという問題がある。
【0013】
波長より小さい微小開口では、偏光方向に垂直な縁でプラズモンが立ち、そのプラズモンがあたかも新しい光源のように電場を放射するため、1/e2のビームスポットサイズは開口サイズより大きくなり、開口から離れるほどビームスポットサイズが大きくなるといった課題がある。
【0014】
その上、従来の近接場光照射ヘッドは、高密度化に対応した例えば光アシスト(熱アシスト)磁気記録のように磁気センサヘッドで情報の読み出しを行なう方式には適用できない。
【0015】
従来の製造方法では、近接場光照射ヘッドと磁気センサヘッドを個別に製造せざるを得ないために、両者の位置合わせが必要となるが、微小開口部と磁気センサヘッドの位置精度はトラックピッチ以下にする必要がある。
【0016】
高密度記録でのトラックピッチは、今後は0.1μm以下となるが、そのような精度で近接場光照射ヘッドと磁気センサヘッドを位置合わせすることは困難である。
【0017】
一方、光ファイバを利用した従来の高効率化技術では、金属に囲まれた先端の円錐形状により、入射光は光ファイバ内部の円錐面でのレンズ効果により電場が集中する位置がある。
【0018】
Appl.Phys.lett.,Vol73,No.15では、電場が集中する面に開口面を配置し、ビームスポットの縮小化と高効率化を行っている。この方法は有効ではあるが、極めて高い加工精度が必要であるので、上記と同様に加工上の問題を有している。
【0019】
よって、本発明の目的は、量産性に優れ、開口サイズの高い再現性があり、高い光伝搬効率を有する光照射ヘッドを提供することである。
【0020】
本発明の他の目的は、光照射ヘッドを用いて高密度記録が可能な情報記録再生装置を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によると、互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする光照射ヘッドが提供される。
【0022】
光照射ヘッドは、一対の台形状主面と直交する偏光方向を有する直線偏光を矩形状底面に入射する手段を更に含んでいる。好ましくは、台形柱は入射する光に対して透明なダイヤモンド等の誘電体から構成され、被覆体はAl,Au,Ag等の金属から構成される。
【0023】
矩形状頂面は、底面から入射された光が一対の傾斜側面にするモード変換によって電場強度が最も増大する位置に形成されている。好ましくは、一対の傾斜側面は底面及び頂面に対して同一角度傾斜している。
【0024】
好ましくは、光照射ヘッドは更に、台形柱の長手方向概略中心に沿って埋めこまれた、台形柱の屈折率n1より小さな屈折率を有し、断面多角形の誘電体部材を含んでいる。誘電体部材に換えて、金属部材を埋めこんでも同様な効果がある。
【0025】
好ましくは、光照射ヘッドは、台形柱の台形状主面に平行な三角形主面と、矩形状底面と同一平面の第2底面と、一対の第2傾斜側面を有し、台形柱上に第1の材料から台形柱と一体的に形成された三角柱を更に含んでおり、被覆体は三角柱の三角形主面及び一対の第2傾斜側面を覆っている。
【0026】
好ましくは、被覆体は台形状主面の一方に台形柱が露出する開口部を有しており、この開口部にはグレーティングが形成されている。
【0027】
本発明の他の側面によると、互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、k<0.01及びn1 2−k2の絶対値よりn2 2−k2 2の絶対値が大きいことを特徴とする光照射ヘッドが提供される。
【0028】
好ましくは、台形柱はダイヤモンド等の透明な誘電体から構成され、被覆体は台形柱の比誘電率の絶対値より大きな比誘電率の絶対値を有するAl等の材料から構成される。
【0029】
本発明の更に他の側面によると、記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、光ビームを出射する光源と、該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、前記光照射ヘッドは、互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする情報記録再生装置。が提供される。
【0030】
本発明の更に他の側面によると、記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、光ビームを出射する光源と、該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、前記光照射ヘッドは、互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、k1<0.01及びn1 2−k1 2の絶対値よりn2 2―k2 2の絶対値が大きいことを特徴とする情報記録再生装置が提供される。
【0031】
【発明の実施の形態】
図1を参照すると、本発明第1実施形態の光照射ヘッド又は近接場光照射ヘッド1の概略斜視図が示されている。Si基板等のパターン作製基板14内に誘電体から形成された台形柱2が埋めこまれている。台形柱2は二等辺三角柱の頂角部を切り落とした形状をしている。
【0032】
即ち、台形柱2は互いに平行な一対の台形状主面4と、矩形状底面6と、この矩形状底面6と平行な矩形状頂面8と、頂面8と底面6及び一対の台形状主面4同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面10を有している。
【0033】
台形柱2の底面6及び頂面8を除き、台形柱2は被覆12で覆われている。台形柱2及び被覆12の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をn1−j・k1,n2−j・k2とすると、n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0である。ここで、j2=−1である。
【0034】
台形柱2は、例えばダイヤモンド等の透明な誘電体から形成されており、光が入射する底面6及び出射する頂面8を除き台形柱2の回りを例えば金属から形成された被覆12が数十nm以上の厚さで覆っている。
【0035】
金属被覆12は、例えばAl,Au,Agから形成され、好ましくは台形柱2上に蒸着される。被覆12を金属板から構成してもよい。台形柱2の屈折率n1が高ければ高いほどビームスポットサイズを縮小することができる。
【0036】
台形柱2の台形状主面4と直交する偏光方向18を有する直接偏光の入射光16を、例えばレンズ17で集光して台形柱2の矩形状底面6に入射させる。
【0037】
矩形状底面6から入射された光は一対の傾斜側面10のモード変換によって矩形状頂面8付近で電場強度が最大となり、矩形状頂面8から入射光16の真空中の波長より小さいスポットサイズの光が出射する。
【0038】
以下、図2(A)〜図3(D)を参照して、本発明第1実施形態の光照射ヘッド1の製造方法について説明する。まず、図2(A)に示すように、波長λ=400nmの入射光に対して屈折率n=5.57、消衰係数k=0.387のSi基板20を用意する。
【0039】
このSi基板20にフォトレジスト22を塗布し、露光・現像すると、図2(B)に示すように露光部分23のフォトレジストが除去される。次いで、所定時間エッチングをしてからフォトレジスト22を除去すると、図2(C)に示すように露光部分23に所定深さの窪み24が形成される。
【0040】
次いで、図2(D)に示すように、Si基板20に波長λ=400nmの入射光に対して屈折率n=1.658,消衰係数k=1.956の金26を約30nm蒸着する。
【0041】
次いで、図3(A)に示すように、プラズマCVD装置やイオンビーム蒸着法等でメタノール、エチレンガス等の材料からダイヤモンド28を窪み24内で所定厚さ成長させる。次いで、図3(B)に示すように、ダイヤモンド28の上面に金を約30nm程度蒸着する。
【0042】
ダイヤモンドを選択した理由としては、透明で屈折率が高く、且つ波長400nmの光に適合しているからである。波長680nmの光を使用するときには、ガリウムリン(GaP)が適合する材料となる。
【0043】
その後基板20を割って、図3(C)に示すように、三角柱ダイヤモンド28の先端部28aを露出させ、最後に図3(D)に示すように、先端部28aをFIBなどで切除し、ダイヤモンド28が露出した矩形状底面32及び矩形状頂面34を有する台形柱30を具備した光照射ヘッド36が完成する。
【0044】
上述した製造方法によると、パターン作製基板14上のニ次元パターンで光照射ヘッドを作製できるので、半導体回路と同じくリソグラフィ技術を使用することができる。よって、エッチングによる材料の無駄が少なく、高精度の配置やヘッドの積層化が可能である。
【0045】
即ち、深さ方向にしかパラメータがない二次元パターンを使用するので、従来のSi基板を用いた逆ピラミッド型の光照射ヘッドとは異なり、基板の結晶方位に制約されることがないので、Si基板以外の基板でも使用でき、台形柱2Aの頂角の角度を自由に設定できる。
【0046】
図4は本発明第2実施形態の光照射ヘッド1Aの概略斜視図を示している。上述した第1実施形態と同一構成部分については同一符号が付してある。
【0047】
台形柱2Aの周囲は、入射用矩形状底面6及び出射用矩形状頂面8を除き、誘電体からなるパターン作製基板14で覆われている。台形柱2Aはダイヤモンド等の透明な第1の誘電体から構成され、台形柱2Aを被覆する基板14は台形柱2Aの比誘電率の絶対値より大きな比誘電率の絶対値を有する例えばSi等の第2の誘電体から構成されている。
【0048】
一般的には、第1及び第2の誘電体の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2としたとき、|n1 2−k1 2|<|n2 2−k2 2|及び、k1<0.01である。ここで、j2=−1である。
【0049】
本実施形態でも、上述した第1実施形態と同様に、一対の台形状主面4と直交する偏光方向18を有する直線偏光の入射光16をレンズ等で集光して矩形状底面6に入射する。
【0050】
このように、パターン作製基板14にSi基板を使用し、このSi基板で直接ダイヤモンドから形成された台形柱2Aを包囲することにより、金等の金属膜で台形柱2Aを覆った場合と同等程度に頂面8から出射する光のビームスポットサイズを絞ることができる。
【0051】
また、金属膜の蒸着工程を必要とすることなく、Si基板14に直接誘電体からなる台形柱2Aを積層できるので、第1実施形態に比較してその製造が容易である。
【0052】
図5(A)及び図5(B)は誘電体内部の電場強度のシミュレーションの平面図及び側面図をそれぞれ示している。図5(A)はXZ面で見たシミュレーションによる誘電体内部の電場強度を示したものであり、図5(B)はYZ面で見たシミュレーションによる誘電体内部の電場強度を示したものである。
【0053】
誘電体からなる台形柱2の周囲が金属膜12で被覆されている。14はパターン作製基板であり、38は自由空間をそれぞれ示している。台形柱2はダイヤモンドから形成され、頂角は60度、長辺の長さが0.23μm、底辺の長さが2μm、厚さが0.4μmであり、入射光の波長は400nmである。
【0054】
図1に示した光照射ヘッド1の矩形状底面6に直線偏光を入射すると、誘電体からなる台形柱2と金属被覆12との境界で光が反射し、図5(A)及び図5(B)に示すように誘電体の内部で電場のモード変換が起こり、台形柱2の頂面8付近で電場の強度が最大となる。
【0055】
電場強度が強くなる部分に出射開口部を配置することで、出射光のスポットサイズを縮小することができ、このシミュレーションモデルでは、(x,y)=(0.14μm,0.37μm)のビームスポットが得られた。
【0056】
図6(A)及び図6(B)は本発明第3実施形態の光照射ヘッドの台形柱2B部分を示している。図6(A)は図6(B)の6A−6A線断面図であり、図6(B)は図6(A)の6B−6B線断面図である。
【0057】
本実施形態は、上述した第1及び第2実施形態の光照射ヘッドよりも出射光のスポットサイズを縮小するために、誘電体からなる台形柱2Bの長手方向概略中心に沿って台形柱2Bの屈折率より小さな屈折率を有する断面多角形の誘電体からなる芯40を埋めこんだものである。
【0058】
このような構造を持つ光照射ヘッドは、図3(A)の製造工程の替わりに、ダイヤモンド28の成長を半分で停止させ、例えば幅60nmの帯状のパターンをリソグラフィ技術で作製し、その帯状パターン内に例えば波長λ=400nmの入射光に対して屈折率n=1.567、消衰係数k=0であるSiO2を10nm程度の厚さに積層する。その後、残り半分の厚さのダイヤモンドを成長させる工程を続けることで製造することができる。
【0059】
このような製造方法により、ダイヤモンドからなる台形柱2B内に断面形状が四角形のSiO2からなる芯40を有する光照射ヘッドを作製することができる。
【0060】
芯(誘電体部材)40を台形柱2Bを構成する誘電体より低屈折率の材料で作製することにより、台形柱2Bを構成する誘電体の内部を伝搬する光の電場エネルギーを集中することができ、芯40の端面である出射開口から、ビームスポットの縮小された光を放射させることができる。本実施形態のシミュレーションモデルでは、(x,y)=(0.1μm,0.3μm)の1/e2のスポットサイズを得ることができる。
【0061】
本実施形態では、台形柱2Bを構成する誘電体にダイヤモンドを使用し、ダイヤモンドと比較して低屈折率であるSiO2を芯40としたが、SiO2のような誘電体の替わりに、n2−k2<0の金属から芯40を構成しても同様な効果を得ることができる。更に、芯40を埋めこむ替わりに、矩形状頂面8の概略中心部分にFIB等で窪みを形成し、屈折率n=1.0、消衰係数k=0.0の空気にしても同様な効果を得ることができる。
【0062】
図7は本発明第4実施形態の光照射ヘッド1Cの概略斜視図を示している。本実施形態は入射光の取りこみ効率を改善するために、ヘッドの入射面を多角形にした実施形態である。
【0063】
入射光のビームスポットは、一般に楕円か円形スポットである。一方、図1に示す台形柱2の入射面の形状は長方形であり、楕円又は円形ビームを有する入射光の結合効率が悪くなる。
【0064】
そこで、図7に示すように台形柱2の表裏両面に三角柱42を一体的に形成して、入射面の面積を拡大することにより台形柱2内に入射する光の結合効率を改善することができる。
【0065】
三角柱42は台形柱2の台形状主面4に平行な三角形主面44と、矩形状底面6と同一平面の底面46と、一対の傾斜側面48を有しており、台形柱2と同一の材料から形成されている。
【0066】
三角柱42の頂角は60度以下が望ましい。これは頂角が60度以上になると、付加した三角柱42内の反射損失が増大するからである。また、付加した三角柱42の頂角部は、台形柱2の出射頂面より内側にあることが望ましい。
【0067】
図8を参照すると、本発明第5実施形態の光照射ヘッド1Dの概略斜視図が示されている。本実施形態は台形柱2の片側に二つの三角柱42,50を積層したものである。
【0068】
本実施形態も上述した第4実施形態と同様に、台形柱2内に入射する入射光の結合効率を改善することができる。図7及び図8の実施形態では、光照射ヘッドは三段構造であるが、段数を更に増加することで入射光の結合効率を改善することができる。
【0069】
図9を参照すると、本発明第6実施形態の光照射ヘッド1Eの平面図が示されている。図10は図9の10−10線断面図である。本実施形態は、台形柱2Aを覆う被覆又は基板14に台形柱2Aが露出する開口部52を設け、この開口部52にグレーティング54を形成したものである。
【0070】
入射光は例えばレンズにより集光されてグレーティング54の形成された開口部52に入射され、グレーティング54によって散乱されて台形柱2Aを構成する誘電体の内部を伝搬する。誘電体内部での電場のモード変換により、台形柱2Aの頂面8付近で電場強度が最大となり、頂面8から光が出射する。
【0071】
グレーティング54は台形柱2Aを構成する誘電体と同じ材料で作製してもよいし、紫外線硬化樹脂等で作製してもよい。ただし、台形柱2Aを構成する誘電体の回りを金属又は低屈折率の誘電体で覆う必要があるので、グレーティング54を形成する開口部52を金属被覆又は低屈折率の誘電体被覆で覆わないように被覆形成時にマスクする必要がある。
【0072】
図11は本発明第7実施形態の複合ヘッドの概略斜視図を示している。本実施形態は、光照射ヘッド1Fの上に巨大磁気抵抗型(GMR)等の磁気センサヘッド56を複合ヘッド作製時に同時に作りこんだ実施形態である。
【0073】
58はスピンバルブGMR膜であり、60は磁気センサヘッド56の端子である。本発明の光照射ヘッドはXZ面が平面となるため、磁気センサヘッド56も一連の工程でリソグラフィ技術によりXZ面上に作製することができる。
【0074】
このように、光照射ヘッド1Fと磁気センサヘッド56を同じリソグラフィ技術で作製することができるため、光照射ヘッド1Fと磁気センサヘッド56の位置合わせを高精度に行なうことができる。
【0075】
図12を参照すると、本発明の光照射ヘッドを利用した情報記録再生装置71の概略構成図が示されている。この情報記録再生装置71は光アシスト磁気記録再生装置である。
【0076】
磁気記録媒体72は矢印R方向に回転する。下部磁気シールド64と上部磁気シールド兼下部コア66の間に再生用磁気センサヘッド56、光照射ヘッド1が形成されている。
【0077】
光照射ヘッド1には光導波路62を介して光が入射される。下部コア66上には情報書きこみ用のコイル68が形成されている。70は上部コアである。
【0078】
本実施形態の情報記録再生装置71では、磁気記録媒体72の回転により、再生用磁気センサヘッド56、光照射ヘッド1及び磁場発生用のコイル68の順にマークを通過する。
【0079】
情報の書きこみ時には、光照射ヘッド1から出射された光3が磁気記録媒体72に照射されて磁気記録媒体72の温度を上げ、その直後にコイル68で発生された磁界73により情報を書きこむため、比較的小さな磁界強度で磁気記録媒体72に情報を書きこむことができる。
【0080】
尚、情報記録再生装置として光アシスト磁気記録再生装置について説明したが、本発明の光照射ヘッドの適用はこれに限定されるものではなく、微小なビームスポットを形成できるので、相変化型の光ディスク装置や光磁気ディスク装置の光照射ヘッドとしても同様に適用可能である。
【0081】
本発明は以下の付記を含むものである。
【0082】
(付記1) 互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、
n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする光照射ヘッド。
【0083】
(付記2) 前記一対の台形状主面と直交する偏光方向を有する直線偏光を前記矩形状底面に入射する手段を更に具備した付記1記載の光照射ヘッド。
【0084】
(付記3) 前記台形柱は入射する光に対し透明な誘電体から構成され、前記被覆体は金属から構成される付記1記載の光照射ヘッド。
【0085】
(付記4) 前記矩形状頂面は、前記底面から入射された光が前記一対の傾斜側面のモード変換によって電場強度が最も増大する位置に形成されている付記2記載の光照射ヘッド。
【0086】
(付記5) 前記一対の傾斜側面は前記底面及び頂面に対して同一角度傾斜している付記1記載の光照射ヘッド。
【0087】
(付記6) 前記台形柱の長手方向概略中心に沿って埋め込まれた、前記台形柱の屈折率n1より小さな屈折率を有し、断面多角形の誘電体部材を更に具備した付記1記載の光照射ヘッド。
【0088】
(付記7) 前記台形柱の長手方向概略中心に沿って埋め込まれた、断面多角形の金属部材を更に具備した付記1記載の光照射ヘッド。
【0089】
(付記8) 前記矩形状頂面は概略中心部分に窪みを有する付記1記載の光照射ヘッド。
【0090】
(付記9) 前記台形柱の台形状主面に平行な三角形主面と、前記矩形状底面と同一平面の第2底面と、一対の第2傾斜側面を有し、前記台形柱上に前記第1の材料から台形柱と一体的に形成された三角柱を更に具備し、
前記被覆体は前記三角柱の前記三角形主面及び前記一対の第2傾斜側面を覆っている付記1記載の光照射ヘッド。
【0091】
(付記10) 前記被覆体は前記台形状主面の一方に前記台形柱が露出する開口部を有しており、
前記開口部にはグレーティングが形成されている付記1記載の光照射ヘッド。
【0092】
(付記11) 前記被覆体上に積層された磁気センサヘッドを更に具備した付記1記載の光照射ヘッド。
【0093】
(付記12) 互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1・k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、
k1<0.01及び|n1 2−k1 2|<|n2 2−k2 2|であることを特徴とする光照射ヘッド。
【0094】
(付記13) 前記一対の台形状主面と直交する偏光方向を有する直線偏光を前記矩形状底面に入射する手段を更に具備した付記12記載の光照射ヘッド。
【0095】
(付記14) 前記台形柱は透明な誘電体から構成され、前記被覆体は前記台形柱の比誘電率の絶対値より大きな比誘電率の絶対値を有する材料から構成される付記12記載の光照射ヘッド。
【0096】
(付記15) 前記台形柱はダイヤモンドから形成され、前記被覆体はSiから形成される付記14記載の光照射ヘッド。
【0097】
(付記16) 前記矩形状頂面は、前記底面から入射された光が前記一対の傾斜側面のモード変換によって電場強度が最も増大する位置に形成されている付記13記載の光照射ヘッド。
【0098】
(付記17) 前記一対の傾斜側面は前記底面及び頂面に対して同一角度傾斜している付記12記載の光照射ヘッド。
【0099】
(付記18) 前記台形柱の長手方向概略中心に沿って埋め込まれた、前記台形柱の屈折率n1より小さな屈折率を有し、断面多角形の誘電体部材を更に具備した付記12記載の光照射ヘッド。
【0100】
(付記19) 前記台形柱の長手方向概略中心に沿って埋め込まれた、断面多角形の金属部材を更に具備した付記12記載の光照射ヘッド。
【0101】
(付記20) 前記矩形状頂面は概略中心部分に窪みを有する付記12記載の光照射ヘッド。
【0102】
(付記21) 前記台形柱の台形状主面に平行な三角形主面と、前記矩形状底面と同一平面の第2底面と、一対の第2傾斜側面を有し、前記台形柱上に前記第1の材料から台形柱と一体的に形成された三角柱を更に具備し、
前記被覆体は前記三角柱の前記三角形主面及び前記一対の第2傾斜側面を覆っている付記12記載の光照射ヘッド。
【0103】
(付記22) 前記被覆体は前記台形状主面の一方に前記台形柱が露出する開口部を有しており、
前記開口部にはグレーティングが形成されている付記12記載の光照射ヘッド。
【0104】
(付記23) 前記被覆体上に積層された磁気センサヘッドを更に具備した付記12記載の光照射ヘッド。
【0105】
(付記24) 記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、
光ビームに出射する光源と、
該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、
前記光照射ヘッドは、
互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、
n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする情報記録再生装置。
【0106】
(付記25) 記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、
光ビームに出射する光源と、
該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、
前記光照射ヘッドは、
互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、
k1<0.01及び|n1 2−k1 2|<|n1 2−k2 2|であることを特徴とする情報記録再生装置。
【0107】
【発明の効果】
本発明は以上詳述したように構成したので、基板上に形成する二次元パターンで容易に従来の光照射ヘッドと同等の縮小化された光ビームを出射可能な光照射ヘッドを製造することができ、光照射ヘッドの量産化が可能である。
【0108】
更に、再生用ヘッドと合わせてリソグラフィ技術で作製できるため、1インチ平方当りサブテラビット以上の超高密度記録に対応できる光照射ヘッド及びこれを用いた情報記録再生装置を提供することができる。
【0109】
また、微小な光ビームを出射可能な光照射ヘッドが量産可能であり、情報記録再生装置に適用すると高密度記録が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1実施形態の光照射ヘッドの概略斜視図である。
【図2】図2(A)〜図2(D)は光照射ヘッドの製造工程を示す図である。
【図3】図3(A)〜図3(D)は光照射ヘッドの製造工程を示す図である。
【図4】本発明第2実施形態の光照射ヘッドの概略斜視図である。
【図5】図5(A)はXZ面で見たシミュレーションによる誘電体内部の電場強度を示す図、図5(B)はYZ面で見たシミュレーションによる誘電体内部の電場強度を示す図である。
【図6】図6(A)は本発明第3実施形態の光照射ヘッドの台形柱部分の平面図、図6(B)は図6(A)の6B−6B線断面図である。
【図7】本発明第4実施形態の光照射ヘッドの概略斜視図である。
【図8】本発明第5実施形態の光照射ヘッドの概略斜視図である。
【図9】本発明第6実施形態の光照射ヘッドの平面図である。
【図10】図9の10−10線断面図である。
【図11】本発明第7実施形態の複合ヘッドの概略斜視図である。
【図12】本発明の光照射ヘッドを利用した情報記録再生装置の概略構成図である。
【符号の説明】
1 光照射ヘッド
2 台形柱
4 台形状主面
6 矩形状底面
8 矩形状頂面
10 傾斜側面
12 被覆(被覆体)
14 パターン作製基板
16 入射光
18 偏光方向
40 芯(誘電体部材)
42,50 三角柱
54 グレーティング
56 再生用磁気センサヘッド
58 スピンバルブGMR膜
68 コイル
71 情報記録再生装置
72 磁気記録媒体
Claims (10)
- 互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、
n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする光照射ヘッド。 - 互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、
k1<0.01及びn1 2−k1 2の絶対値よりn2 2−k2 2の絶対値が大きいことを特徴とする光照射ヘッド。 - 前記台形柱は入射する光に対し透明な誘電体から構成され、前記被覆体は金属から構成される請求項1記載の光照射ヘッド。
- 前記台形柱は透明な誘電体から構成され、前記被覆体は前記台形柱の比誘電率の絶対値より大きな比誘電率の絶対値を有する材料から構成される請求項2記載の光照射ヘッド。
- 前記一対の台形状主面と直交する偏光方向を有する直線偏光を前記矩形状底面に入射する手段を更に具備した請求項1又は2記載の光照射ヘッド。
- 前記矩形状頂面は、前記底面から入射された光が前記一対の傾斜側面によるモード変換によって電場強度が最も増大する位置に形成されている請求項1又は2記載の光照射ヘッド。
- 前記台形柱の長手方向概略中心に沿って埋め込まれた、前記台形柱の屈折率n1より小さな屈折率を有し、断面多角形の誘電体部材を更に具備した請求項1又は2記載の光照射ヘッド。
- 前記台形柱の台形状主面に平行な三角形主面と、前記矩形状底面と同一平面の第2底面と、一対の第2傾斜側面を有し、前記台形柱上に前記第1の材料から台形柱と一体的に形成された三角柱を更に具備し、
前記被覆体は前記三角柱の前記三角形主面及び前記一対の第2傾斜側面を覆っている請求項1又は2記載の光照射ヘッド。 - 記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、
前記光照射ヘッドは、
互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2、及びj2=−1としたとき、
n1 2−k1 2>0,k1<0.01及びn2 2−k2 2<0であることを特徴とする情報記録再生装置。 - 記録媒体に情報を記録再生する情報記録再生装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームに基づいた光を記録媒体に照射する光照射ヘッドとを具備し、
前記光照射ヘッドは、
互いに平行な一対の台形状主面と、矩形状底面と、該矩形状底面と平行な矩形状頂面と、前記頂面と前記底面及び前記一対の台形状主面同士をそれぞれ接続する一対の傾斜側面とを有し、第1の材料から形成された台形柱と、
前記一対の台形状主面及び前記一対の傾斜側面を覆った第2の材料から形成された被覆体とを具備し、
前記第1及び第2の材料の屈折率をそれぞれn1,n2、消衰係数をそれぞれk1,k2、複素屈折率をそれぞれn1−j・k1,n2−j・k2及びj2=−1としたとき、
k1<0.01及びn1 2−k1 2の絶対値よりn2 2―k2 2の絶対値が大きいことを特徴とする情報記録再生装置。
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