JP2004023019A - 発光素子アレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子アレイ100には、複数の発光素子101が一次元的に配列されており、相互に分離された発光素子のグループ108が、2以上の個別ブロック104に分かれている。各発光素子101には、発光素子101に1対1で接続される個別配線102が形成されており、共通配線103a、103bは、発光素子アレイ100上に形成された発光素子列の両側に配置されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、LEDプリンタに用いられるLEDアレイに関する。
【従来の技術】
近年、電子写真式の光プリンタの光源には、発光素子アレイが使用されている。この発光素子アレイは、単一の半導体基板に複数の発光素子を1次元的等間隔で配置形成した半導体発光装置である。又、従来、発光素子アレイとしては、半導体レーザを発光素子として用いた半導体レーザアレイと、発光ダイオード(Light Emitting Diode;以下、「LED」という。)を発光素子として用いたLEDアレイとが、使用されている。
図6には、従来例に係る多層配線型LEDアレイ200の概略構成を示す。
同図に示すように、多層配線型LEDアレイ200には、複数の発光部201が一次元的に配列されており、相互に分離された発光部のグループが、2以上のブロック204に分かれ、ブロック分離のために分離溝205が形成されている。
又、多層配線型LEDアレイ200には、発光素子201に接続される個別配線202が形成されており、個別配線202は、複数のブロック204にまたがって形成されている共通配線203に、平面方向で略垂直となるように多層接続されている。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では、個別配線202と共通配線203を多層配線にしているため、配線間で短絡が生じ、発光素子アレイの歩留が低下する可能性があった。
又、共通配線は発光部を全点灯させるだけの電流が流れるため、その巾や厚さはその電流値により設計され、共通配線に接続される個別配線の数が増加すると、共通配線の配線幅と厚さが大きくなってしまい、発光素子アレイの寸法に影響してしまう。
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、発光素子列における発光素子の複数個毎に分割された2以上のブロックを有する。
そして、各ブロックには、ブロックに含まれる発光素子に1対1で接続される個別配線が形成される。個別配線に接続される共通配線は前記ブロックにまたがって発光素子列の両側に配置される。
又、本発明は、複数のブロック毎にグループを形成し、グループ毎に共通配線が分離して設けられる。
又、本発明は、複数の発光素子が形成される半導体層を備え、2つの発光素子毎に分割された2以上のブロックを有する発光素子アレイにおいて、各ブロックにはP電極が形成されており、P電極は、発光領域以外の素子表面に形成されたP型拡散導通層を介して半導体層の下層に形成されたP型AlGaAsエピ層に電気的に接続される。
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態のLEDアレイを概略的に示す平面図である。発光素子アレイ100には、複数の発光素子101が一次元的に配列されており、相互に分離された発光素子のグループが、2以上の個別ブロック104に分かれている。ここで、各個別ブロック104には、発光素子101が一列に2個ずつ形成されているが、各個別ブロックに形成される発光素子は3個以上であっても良い。
各発光素子101には、発光素子101に1対1で接続される個別配線102が接続されており、個別配線102は、複数のブロック104にまたがって形成されている共通配線103aと103bに接続されている。ここで、共通配線103a、103bは、発光素子アレイ100上に形成された発光素子列の両側に配置されておいる。
各ブロック104に形成された2個の発光素子101a、101bのうち、発光素子101aに接続されている個別配線102aが、共通配線103aに接続され、発光素子101bに接続されている個別配線102bが、共通配線103bに接続されている。
発光素子アレイ100には、ブロック分離のための分離溝105が形成されており、この分離溝105により個別ブロック104は互いに電気的に分離されている。又、2つ以上のブロック104でグループ108を形成し、各グループ毎に共通配線103a、103bを分離する構造としている。
尚、本実施形態では、5つのブロック毎にグループを形成しており、各グループの個別配線102a、102bと共通配線103a、103bの接続は、同一のパターンで形成されている。
また、n側のワイヤボンディングパッドである共通n側電極パッド106(共通n側電極)が、グループ108の両端のブロック104に形成されており、共通n側電極パッド106は、個別配線102aを介して発光素子アレイ100上に形成された発光素子列の両側に配置されている共通配線103a、103bのうち、共通配線103aと接続されている。
又、p側のワイヤボンディングパッドである個別p側電極パッド107(個別p側電極)は、各ブロック104に1ずつ形成されている。ここで、共通n側電極パッド106と個別p側電極パッド107は、発光素子列に対して、別々の側に形成されている。
尚、本実施形態では、共通n側電極パッド106上と個別p側電極パッド107上には、それぞれ、外部電極との接続の都合やワイヤボンディングの都合等による高さの調整のため、更に他の電極パッドを形成することもできる。
又、図2は本発明の他の実施形態であるLEDアレイを概略的に示す平面図である。ここで、図1の実施形態においては、各グループ108の個別配線102a、102bと共通配線103a、103bは、同一のパターンで接続されているが、図2に示した様に、個別配線102aを共通配線103bに、個別配線102bを共通配線103aに接続するパターンとしても良い。
以上に説明したように、本実施形態では個別配線102aに接続される共通配線103a、及び個別配線102bに接続される共通配線103bがブロック104にまたがって発光素子列の両側に配置されている。かかる構造により、個別配線102a、102bと共通配線103a、103bとが多層配線とならないため、配線間の短絡を回避できるとともに、発光素子アレイ100の歩留を向上させることができる。
又、本実施形態では、各グループ毎に共通配線103a、103bを分離し、これらの共通配線103a、103bを外部に接続するためのボンディング電極106を各グループ毎に設けている。かかる構造により、グループ毎に分割して特性検査をすることができ、又、グループ数を増減することにより、所望のドットを有する発光素子アレイを製造することができる。
次に、本実施形態に係るLEDアレイ100の製造方法例を図3〜図5を参照しながら説明する。尚、図3(a)〜(c)は、本発明の実施形態であるLEDアレイの製造方法を説明するための断面工程図である。
まず、本製造方法では、図3(a)に示すように、半導体基板110上に半導体層109を形成する。ここで、半導体基板110としては、例えば高抵抗GaAs基板を用いる。半導体層109は、例えば、p型AlGaAs層、活性層、n型AlGaAs層、n型GaAs層を順次エピタキシャル成長法により成長させたものである。ここで、エピタキシャル成長法とは、基板上に結晶膜を成長させる方法であって、VPE(気相エピタキシャル)法、CVD(化学気相デポジション)法、MOVPE(有機金属気相エピタキシャル)法、MOCVD(有機金属化学気相デポジション)法、Halide−VPE(ハロゲン化学気相エピタキシャル)法、MBE(分子線エピタキシャル)法、MOMBE(有機金属分子線エピタキシャル)法、GSMBE(ガス原料分子線エピタキシャル)法、CBE(化学ビームエピタキシャル)法を含む。又、半導体層109の厚さは、例えば5μmとする。
尚、半導体基板110上に半導体層109を形成する際、P型、N型の順に半導体層が形成される。従って、半導体層109において、上層109aがN型、下層109bがP型となっている。
次に、半導体層109の表面に、拡散マスク(図示省略)を成膜した後、拡散分離部と拡散導通部(いずれも図示省略)を前記膜に開口する。開口部形成は、例えばフォトリソグラフィー及びエッチングにより行うことができる。次に、半導体層109上に成膜された拡散マスク上に、所定の不純物をドープした拡散源(図示省略)を成膜する。ここで、所定の不純物としては、例えばZnを用いる。また拡散源としては、例えば、ZnO−SiO2膜(例えば、150オングストローム)を用いることができる。また、成膜方法としては、例えば、スパッタ法を用いることができる。
次に、所定の不純物をドープした拡散源上に、アニールキャップ膜(図示省略)を成膜する。ここで、アニールキャップ膜としては、例えば、SiN膜(例えば、1000オングストローム)を用いることができる。また、アニールキャップ膜の成膜方法としては、例えばスパッタ法を用いることができる。
次に、図3(b)に示すように、所定の不純物をドープした拡散源を用いて拡散アニールを行い、半導体層109内に所定の不純物を拡散させて、発光素子101とp型の拡散分離層112、及び拡散導通層113を形成する。ここで、拡散層は、半導体層109の下層のp型AlGaAs層109bに到達するように形成され、例えば3μm拡散させる。次に、アニールキャップ膜と拡散源とを除去し、次いで、半導体層109の表面に成膜された拡散マスクを除去する。
次に、図4に示すように、半導体層109に、ブロック分離のための分離溝105を形成する。かかる分離溝105は図5に示すように導体基板110に達する深さで形成される。
次に、図3(c)に示すように、半導体層109上に絶縁膜114を成膜し、発光素子101の一部を露出させる開口部117と、拡散導通層113の表面を露出させる開口部118を形成する。ここで開口部形成は、例えば、ホトリソグラフィー及びエッチングにより行うことができる。
尚、図5に示すように、絶縁膜114は、分離溝105を覆う様に半導体層109上に成膜される。これにより、半導体層を各ブロックに物理的かつ電気的に分離することができる。
次に、図3(c)に示すように、リフトオフ法によりパターンを形成し、成膜により個別配線102、共通配線103a、103b、及び共通n側電極パッド106(共通n側電極)を同時に形成する。ここで、n側電極は、個別配線102と共通配線103a、103bとから成り、n側電極は、2つ以上のブロック104で形成されるグループ108内で、個別配線102と共通配線103a、103bにより2つに分離接続され、同一グループ108内に形成された2つの共通n側電極パッド106のうち、少なくとも1つの共通n側電極パッドにそれぞれ接続されている。
尚、電極材料は、半導体とオーミック接続可能なものであれば良い。例えば、Ti(200オングストローム)/Au(50オングストローム)/Ni/Ge/Au(1.2μm)等のAu積層膜を用いることができる。
次に、図3(c)に示すように、p側電極パッドの形成についても、リフトオフ法によりパターンを形成し、開口部118を介して拡散導通層113上に個別p側電極パッド107(個別p側電極)を形成する。即ち、個別p側電極パッド107は、半導体層109の下層として形成されたp層109bに突き抜けるように形成されたp型拡散導通層113とオーミック接続される。ここで、電極材料は、半導体とオーミック接続可能なものであれば良い。例えば、Ti(200オングストローム)/Au(1.2μm)等のAu合金膜を用いることができる。
尚、共通n側電極パッドと個別p側電極パッドは、必ずしも別工程で形成する必要はなく、同一工程で同時に形成してもよい。この様に同時に形成することにより、外部とワイヤーボンディング接続をする際に、N側、P側とも同一条件で接続することができる。
次に、電極と半導体層109をオーミック接続させるためのシンター処理(熱処理)を施し、必要に応じて半導体基板110の裏面を研磨後、図4に示した発光素子アレイ100が製造される。
図7は上記発光素子アレイの使用例を示している。同図において、共通電極パッド106a、106bはスイッチQ1、Q2を介して電源ラインLに接続されている。一方、個別電極パッド107a、107b、107c、107d、107eは、スイッチS1、S2、S3、S4、S5を介して出力端子Tに接続されている。
Wは入力される画像データに応じて出力端子P1、P2、P3、P4、P5にパルスを順次出力する出力回路であって、その出力パルスは、スイッチS1、S2、S3、S4、S5を順次オンする。
光プリントヘッドは、複数のグループ108を有するものであるが、当該プリントヘッドの長さは、例えば、感光体ドラムの軸方向長に応じて決められる。発光素子アレイの各ブロックにおける2つの発光素子のうち、101a、101c、101e、101g、101iは奇数ラインの書き込みに用いられ、101b、101d、101f、101h、101jは偶数ラインの書き込みに用いられる。そのため、スイッチQ1とスイッチQ2は、図8に示すように、一方がONの時、他方がOFFとなるように制御される。
以上に説明したように、本実施形態では、グループ108毎に共通配線103a、103bを分離して設けるため、グループ内のブロック数を選択することで共通配線103a、103bに流れる電流値の上限を調整することができ、その結果、最小の配線幅と厚さで共通配線103a、103bを設計することができるため、安価なLEDアレイを提供することができる。
又、半導体基板110上に設けられた半導体層109に分離溝105が設けられているため、半導体層109を各ブロックに物理的に分離することができる。
又、半導体基板110に半導体層109と比べて充分に高抵抗なものを適用すれば、半導体層109を各ブロックに物理的かつ電気的に分離することができる。
又、各ブロックに形成された個別P側電極107は、発光領域以外の素子表面に形成されたP型拡散導通層113を介して、半導体層109の下層に形成されたP型AlGaAsエピ層109bに接続されているため、ワイヤーボンディングの際の衝撃による発光層への悪影響を回避することができる。又、本実施形態では、P型、N型の順で既に形成されている半導体層109に所定の不純物を拡散させることにより、発光素子101が形成される。従って、エピタキシャル成長、及び拡散の2つの要因が関係する拡散による発光層形成においては、発光層の最終的な特性が拡散後でなければ判明しないが、本実施形態では、既に発光層が形成されているため、当該発光層の安定した特性を事前に検証することができる。
尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形をすることが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。
例えば、本発明の実施形態においては発光素子アレイとしてLEDアレイを用いる場合について説明したが、発光素子はこれに限られず、発光レーザ等の他の素子を用いることができる。
又、基板、電極、不純物等の材料、組成等も各実施形態のものに限られず、他のものを選択することができる。
例えば、上記実施形態においては、半導体基板としてGaAs基板を適用したが、その他の基板、例えば、Si基板やガラス基板等を適用することができる。
又、上記実施形態においては、ドープ不純物としてZnを適用したが、本発明は、他の様々な不純物、例えば、PやAs等のV族元素の不純物や、BやGa等のV族元素の不純物、及びを適用することができる。
【発明の効果】
以上、詳細に説明した様に、本発明のLEDアレイによれば、個別配線に接続される共通配線が、ブロックにまたがって発光素子列の両側に配置されているため、個別配線と共通配線が多層配線とならず、その結果、配線間の短絡を回避できるとともに、発光素子アレイの歩留を向上させることができる。又、グループ毎に共通配線を分離して設けるため、グループ内のブロック数を選択することで共通配線に流れる電流値の上限を調整することができ、その結果、最小の配線幅と厚さで共通配線を設計することができるため、安価なLEDアレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のLEDアレイを概略的に示す平面図である。
【図2】本発明の他の実施形態であるLEDアレイを概略的に示す平面図である。
【図3】本発明の実施形態であるLEDアレイの製造方法を説明するための断面工程図である。
【図4】本発明の実施形態であるLEDアレイを概略的に示す平面図である。
【図5】図4に示した概略平面図におけるa−a断面図である。
【図6】従来のLEDアレイを概略的に示す平面図である。
【図7】本発明の実施形態であるLEDアレイの使用例を示す概略図である。
【図8】図7の動作説明の信号波形図である。
【符号の説明】
100:LEDアレイ
101:発光素子
102:個別配線
103a、103b:共通配線
106:共通n側電極パッド
107:個別p側電極パッド
109:半導体層
110:半導体基板
112:拡散分離層
113:拡散導通層
114:絶縁層
Claims (7)
- 発光素子列における発光素子の複数個毎に分割された2以上のブロックを有する発光素子アレイにおいて、前記ブロックのそれぞれには、前記ブロックに含まれる発光素子に1対1で接続される個別配線が形成されており、前記個別配線に接続される共通配線が前記ブロックにまたがって前記発光素子列の両側に配置されていることを特徴とする発光素子アレイ。
- 複数のブロック毎にグループを形成し、前記グループ毎に前記共通配線を分離して設けたことを特徴とする請求項1に記載の発光素子アレイ。
- 複数の発光素子が形成された半導体層を備え、前記半導体層に前記ブロックを分離するための分離溝が設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子アレイ。
- 前記ブロック毎に形成された個別電極と、前記グループの両端に設けられた前記ブロックに形成された共通電極が一体となって形成されていることを特徴とする、請求項1又2に記載の発光素子アレイ。
- 前記複数のブロック毎に形成された各グループに、前記共通配線を外部に接続するためのボンディング電極を設けたことを特徴とする請求項1、又は2に記載の発光素子アレイ。
- 複数の発光素子が形成される半導体層を備え、2つの発光素子毎に分割された2以上のブロックを有する発光素子アレイにおいて、前記各ブロックにはP電極が形成されており、前記P電極は、発光領域以外の素子表面に形成されたP型拡散導通層を介して前記半導体層の下層に形成されたP型AlGaAsエピ層に電気的に接続されていることを特徴とする発光素子アレイ。
- 前記半導体層は、GaAs基板上に形成されており、P型、N型の順に前記半導体層が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の発光素子アレイ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Family
ID=31176850
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227467A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-25 | Canon Inc | 発光素子アレイチップおよび露光光源装置 |
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2002
- 2002-06-20 JP JP2002179458A patent/JP2004023019A/ja active Pending
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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