JP2004014617A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ブラインで冷却される半導体製造部1と、ブラインと他の熱媒体とを熱交換する熱交換器2と、ブラインの加熱用ヒータ3と、ブラインタンク4と、このタンク4内のブラインを半導体製造部1に送出するポンプ6とを接続する。制御装置12は、半導体製造部1からのブラインの戻り温度を検出した温度センサ14からの信号を受け取り、ブラインの戻り温度Trが判断基準値(Ts+Td)よりも小さくなり、かつ、所定時間tmが経過した場合、半導体製造部1が製造動作状態から待機状態に転じたと判断して、インバータ11を制御してポンプ6を低速駆動させる。従来におけるようにポンプを常に所定速度で運転しないので、消費電力が削減できる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、例えばCVD(化学的気相成長法)装置などの半導体製造装置は、CVD処理などを行なう半導体製造部に、エチレングリコール溶液などからなるブラインを供給して、上記半導体製造部を冷却している。上記半導体製造部の熱を受け取って昇温したブラインは、外部から導かれた低温冷媒と熱交換器で熱交換して降温し、ブラインタンクに一旦貯留された後、ポンプで上記半導体製造部に再び送られる。上記半導体製造部は、CVD処理時以外の待機時は常温になるので、上記ブラインによる冷却は不要になる。しかしながら、上記待機時にポンプを停止すると、上記半導体製造部が待機状態から製造状態に移った場合、上記停止したポンプを再度起動するので、上記半導体製造部へのブライン流量が所定流量になるまでに時間がかかる。したがって、上記半導体製造部を迅速に冷却できなくて、半導体製造部の温度制御の精度が悪くなるという不都合がある。さらに、上記半導体製造部の処理時と待機時とに応じて、上記ポンプの動作と停止とを繰り返すと、ポンプの起動時の消費電力は比較的大きいので、半導体製造装置の消費電力が増大してしまう。したがって、上記従来の半導体製造装置は、上記半導体製造部の製造動作時と待機時とのいずれにおいても、ポンプを同じ速度で動作させている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半導体製造装置は、上記半導体製造部の待機時に、製造動作時と同じ速度でポンプを動作させるので、なお消費電力が大きいという問題がある。
【0004】
そこで、本発明の目的は、半導体製造部の温度の制御精度を悪化することなく消費電力が低減できる半導体製造装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1の発明の半導体製造装置は、熱媒体が供給される半導体製造部と、
上記熱媒体と他の熱媒体とを熱交換する熱交換器と、
上記熱媒体を貯留するタンクと、
上記タンクに貯留された熱媒体を上記半導体製造部に送出するポンプと、
上記ポンプを可変速駆動するインバータと、
上記半導体製造部の半導体製造動作の待機中に、上記インバータを制御して上記ポンプの駆動速度を低速に維持する待機運転をする制御装置と
を備えることを特徴としている。
【0006】
請求項1に記載の半導体製造装置によれば、熱媒体が上記熱交換器によって他の熱媒体と熱交換されて、上記タンクに貯留される。このタンクに貯留された熱媒体はポンプによって半導体製造部に送出される。上記半導体製造部が半導体製造動作の待機中である場合、上記制御装置によってインバータが制御されて、上記ポンプの駆動速度を低速に維持する待機運転が行われる。したがって、従来におけるように半導体製造部の製造動作時と待機時とのいずれにおいてもポンプを同じ速度で動作するよりも、半導体製造装置の消費電力が低くなる。また、上記ポンプの駆動速度は、半導体製造部の待機中に低速に維持されているので、上記半導体製造部が待機状態から製造動作状態に移った場合、上記ポンプの駆動速度を所定速度に迅速に増大できる。したがって、上記半導体製造部の温度を精度良く所定温度に制御できる。その結果、この半導体製造装置は、半導体製造部の温度の制御精度を悪化することなく消費電力の低減ができる。
【0007】
請求項2の発明の半導体製造装置は、請求項1に記載の半導体製造装置において、上記半導体製造部から戻る熱媒体の戻り温度を検出する温度センサを備え、上記温度センサが検出する熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さいときに、上記制御装置が待機運転をすることを特徴としている。
【0008】
請求項2に記載の半導体製造装置によれば、上記半導体製造部から戻る熱媒体の戻り温度が上記温度センサによって検出され、この戻り温度が所定温度よりも小さいとき、上記制御装置は上記インバータを制御して上記ポンプの駆動速度を低速にして待機運転をする。したがって、この半導体製造装置は、上記半導体製造部の温度の制御精度を悪化することなく消費電力の低減ができる。
【0009】
請求項3の発明の半導体製造装置は、請求項1または2に記載の半導体製造装置において、上記制御装置は、上記半導体製造部から待機中である旨を示す信号を受けたときに、待機運転をすることを特徴としている。
【0010】
請求項3に記載の半導体製造装置によれば、上記制御装置は、上記半導体製造部から待機中である旨を示す信号を受けたときに、上記インバータを制御して上記ポンプの駆動速度を低速にして待機運転をする。したがって、上記半導体製造部の状態に適切に対応して上記ポンプの動作速度を制御できて、この半導体製造部の温度の制御精度を悪化することなく消費電力の低減ができる。
【0011】
請求項4の発明の半導体製造装置は、請求項2または3に記載の半導体製造装置において、上記熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さい状態が、所定時間以上持続したときに、上記制御装置が待機運転をすることを特徴としている。
【0012】
請求項4に記載の半導体製造装置によれば、上記熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さい状態が、所定時間以上持続したときに、上記制御装置はインバータを制御して上記ポンプの駆動速度を低速にして待機運転をする。したがって、上記半導体製造部が待機状態であることが正確に判断され、この正確な判断によって、上記ポンプの動作速度が適切に制御されるので、半導体製造部の温度が高精度に制御されると共に消費電力が低減される。
【0013】
請求項5の発明の半導体製造装置は、請求項2乃至4のいずれか1つに記載の半導体製造装置において、上記熱媒体の戻り温度が上昇しないときに、上記制御装置が待機運転をすることを特徴としている。
【0014】
請求項5に記載の半導体製造装置によれば、上記熱媒体の戻り温度が上昇しないときに、上記制御装置によってポンプの駆動速度が低速にされて待機運転が実行される。したがって、上記半導体製造装置の状態を正確に判断し、この判断に対応してポンプの動作速度が適切に制御されるので、半導体製造部の温度が高精度に制御されると共に消費電力が低減される。
【0015】
請求項6の発明の半導体製造装置は、請求項1乃至5のいずれか1つに記載の半導体製造装置において、上記熱媒体を昇温するヒータを備え、
上記熱交換器は熱媒体を降温する熱交換器であることを特徴としている。
【0016】
請求項6に記載の半導体製造装置によれば、上記ヒータで昇温された上記熱媒体によって、上記半導体製造部を加熱できると共に、上記熱交換器で降温された上記熱媒体によって、上記半導体製造部を冷却できるので、上記熱交換器およびヒータを使い分けることによって、上記半導体製造部が高精度に温度制御できる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【0018】
図1は、本発明の実施形態の半導体製造装置を示す図である。この半導体製造装置は、熱媒体としてのブラインが供給される半導体製造部1と、ブラインと他の熱媒体とを熱交換する熱交換器2と、ブラインを加熱するためのヒータ3と、ブラインを貯留するタンク4と、このタンク4に貯留されたブラインを上記半導体製造部1に送出するポンプ6とを順に接続している。上記半導体製造部1は、ウェハにCVD処理を施すCVD処理部である。上記ポンプ6のモータはインバータ11に接続され、このインバータ11は制御装置12に接続されており、この制御装置12の制御の下でポンプ6のモータに供給する電流の周波数が変更可能になっている。上記ポンプ6は、上記タンク4内に貯留されたブラインを、取入口5で吸引して半導体製造部1に送出するようになっている。上記半導体製造部1のブラインの導入口と、上記ポンプ6の吐出口との間を接続する配管に、導入バルブ8が介設されている。上記半導体製造部1のブラインの排出口と、上記熱交換器2の入口との間を接続する配管に、排出バルブ9が介設されている。この排出バルブ9が介設された配管には、上記半導体製造部1から排出されて熱交換器2側に戻るブラインの戻り温度を検出する温度センサ14が設けられている。この温度センサ14は、上記制御装置12に電気的に接続されている。また、この制御装置12は、上記半導体製造部1から、この半導体製造部1が待機中である旨を示す信号を受け取るようになっている。上記ブラインは、エチレングリコール溶液が用いられている。
【0019】
図2は、上記制御装置12で実行される処理を示すフローチャートである。このフローチャートを用いて、図1の半導体製造装置が動作する様子を説明する。まず、この半導体製造装置を起動すると、ブラインが半導体製造部1から排出されて排出バルブ9を矢印Bで示すように流れて、熱交換器2側に戻る。この熱交換器2側に戻るブラインの戻り温度を、温度センサ14が検出する。上記制御装置12は、上記温度センサ14が検出したブラインの戻り温度に基いて、半導体製造部1が待機中であるか、あるい製造動作中であるかを判断する(S11)。
【0020】
図3は、上記制御装置12が半導体製造部1の状態を判断する際に実行する処理を示すフローチャートである。図3のフローチャートで示すように、まず、ステップS11で、上記温度センサ14が検出したブラインの戻り温度Trが、設定温度Tsに温度差Tdを加えた判断基準値よりも小さいか否かを判断する。上記ブラインの戻り温度Trが上記判断基準値よりも小さいと判断された場合、ステップS12に進み、上記ブラインの戻り温度Trが判断基準値よりも小さくなってから所定時間tm以上経過したか否かを判断する。上記ブラインの戻り温度Trが判断基準値よりも小さくなってから所定時間tm以上経過したと判断された場合、ステップS13に進み、ブラインの戻り温度が上昇したか否かが判断される。ブラインの戻り温度が上昇していないと判断された場合、上記制御装置12は、上記半導体製造部1は待機状態であると判断する(S14)。
【0021】
一方、上記ステップS11で、上記温度センサ14が検出したブラインの戻り温度Trが上記判断基準値よりも大きいと判断された場合、あるいは、上記ステップS12において、上記判断基準値よりも小さくなってから所定時間tm以上経過していないと判断された場合、あるいは、上記ステップS13において、ブラインの戻り温度が上昇したと判断された場合、上記制御装置12は、上記半導体製造部1は製造動作状態であると判断する(S15)。
【0022】
図1において、上記半導体製造部1から排出されたブラインは、熱交換器2で他の熱媒体と熱交換されて降温した後、ヒータ3を通過してタンク4に貯留される。このタンク4に貯留されたブラインは、上記制御装置12で駆動速度が制御されるポンプ6によって、半導体製造部1に送出される。
【0023】
図2のフローチャートのステップS1において、上記半導体製造部1が待機状態であると判断すると、ステップS2に進み、上記制御装置12は上記インバータ11を制御して、このインバータ11からポンプ6のモータに30Hzの周波数の電流を供給させる。これによって、上記ポンプ6が低回転数で動作して、比較的小さい流量のブラインが、導入バルブ8を矢印Aで示すように流れて半導体製造部1に供給される。
【0024】
上記ステップS1において、上記半導体製造部1が製造動作状態であると判断された場合、ステップS3に進み、上記制御装置12は半導体製造部1から待機信号を受信したか否かを判断する。上記半導体製造部1から待機信号を受信したと判断されたた場合、上記ステップS2に進む。一方、上記ステップS3で半導体製造部1から待機信号を受信していないと判断された場合、ステップS4に進む。ステップS4では、上記制御装置12はインバータ11を制御して、ポンプ6のモータに60Hzの周波数の電流を供給させる。これによって、上記ポンプ6が高回転数で動作して、比較的大きい流量のブラインが、導入バルブ8を矢印Aで示すように流れて半導体製造部1に供給される。
【0025】
図4は、上記温度センサ14が検出したブラインの戻り温度の変化と、このブラインの戻り温度に応じて判断された半導体製造部1の状態の変化とを示した模式図である。図4の上側部分は、ブラインの戻り温度Trの変化を折れ線で示しており、横軸は右側に向って時間の経過を示し、縦軸は温度を示す。図4の下側部分は、上記ブラインの戻り温度Trの変化に応じて、上記半導体製造部1が製造動作状態であるか待機状態であるかを折れ線で示している。図4に示すように、上記半導体製造部1に供給されるブラインの供給温度を設定温度Tsにしており、半導体製造部1で製造動作時に生じる熱量を考慮して、温度差Tdが予め設定されている。図4から分かるように、ブラインの半導体製造部1からの戻り温度Trが、上記設定温度Tsに温度差Tdを加えた判断基準値よりも小さくなり、かつ、その判断基準値よりも小さくなった時から所定時間tmが経過した場合、製造動作状態であった半導体製造部1が待機状態に転じたと判断される。そして、待機状態の半導体製造部1は、この半導体製造部1からのブラインの戻り温度Trが上昇すると、製造動作状態に転じたと判断される。
【0026】
本実施形態の半導体製造装置は、半導体製造部1が待機中である場合、上記制御装置12がインバータ11を制御してポンプ6の回転数を低くして駆動速度を低速に維持して、上記半導体製造部1にブラインを比較的小さい流量で送出する。このときのブラインの流量は、待機中の半導体製造部1で生じる熱を除去できる必要最小限の流量である。したがって、従来におけるように半導体製造部の待機中においてもポンプを高速度で作動させるよりも、半導体製造装置の消費電力が低減できる。また、上記半導体製造部1が待機状態から製造動作状態に転じた場合、上記制御装置12はポンプ6の回転数を迅速に高めて、ブラインの半導体製造部1への流量を迅速に増大できる。したがって、上記半導体製造部1の温度を迅速かつ精度良く制御できる。その結果、この半導体製造装置は、半導体製造部1の温度の制御精度を悪化することなく消費電力の低減ができる。
【0027】
また、上記半導体製造装置は、ブラインを昇温するヒータ3を備えるので、このヒータ3への供給電力を、上記ブラインの半導体製造部1からの戻り温度などに基いて、制御装置12で制御することによって、半導体製造部1の温度を安定して高精度に制御できる。
【0028】
上記実施形態において、上記インバータ11がポンプ6のモータに供給する電源の周波数は、半導体製造部1の待機中における30Hzと、半導体製造部1の製造動作中における60Hzとに限られず、各々他の周波数でもよい。
【0029】
また、上記制御装置12は、上記半導体製造部1が製造動作状態である場合、ブラインの戻り温度Trが判断基準値よりも小さくなった時点で、上記半導体製造部1が製造動作状態から待機状態に転じたと判断してもよい。また、半導体製造部1が待機状態である場合、上記ブラインの戻り温度Trが上昇した時でなく、上記ブラインの戻り温度Trが判断基準値よりも大きくなった時点で半導体製造部1が待機状態から製造動作状態に転じたと判断してもよい。つまり、上記制御装置12は、上記半導体製造部1の状態を判断する場合、図3のステップS12とステップS13とをスキップして処理を実行してもよい。
【0030】
また、ブラインの戻り温度を検出しないで、半導体製造部1から受け取る信号のみによって、半導体製造部1の状態を判断してもよい。
【0031】
また、上記半導体製造部1は、CVD処理以外のエッチングやMBE(分子線エピタキシー)処理など、他の半導体製造工程を実行するものであってもよい。
【0032】
また、上記熱媒体としてのブラインは、エチレングリコール溶液以外のフッ素系液体など、他のものでもよい。
【0033】
また、上記半導体製造装置は、半導体製造部1と、この半導体製造部1以外の部分とを別体に形成してもよい。
【0034】
【発明の効果】
以上より明らかなように、請求項1の発明の半導体製造装置によれば、熱媒体が供給される半導体製造部と、上記熱媒体と他の熱媒体とを熱交換する熱交換器と、上記熱媒体を貯留するタンクと、上記タンクに貯留された熱媒体を上記半導体製造部に送出するポンプと、上記ポンプを可変速駆動するインバータと、上記半導体製造部の半導体製造動作の待機中に、上記インバータを制御して上記ポンプの駆動速度を低速に維持する待機運転をする制御装置とを備えるので、上記半導体製造部が半導体製造動作の待機中である場合、この半導体製造部に熱媒体が比較的小さい流量で供給される。したがって、従来におけるように半導体製造部の動作時と待機時とのいずれにおいてもポンプを同じ速度で作動させるよりも、半導体製造装置の消費電力が低減できる。また、上記半導体製造部が待機状態から製造動作状態に移る場合、上記ポンプの駆動速度を迅速に増大できるので、上記半導体製造部の温度を精度良く制御できる。
【0035】
請求項2の半導体製造装置によれば、上記半導体製造部から戻る熱媒体の戻り温度を検出する温度センサを備え、上記温度センサが検出する熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さいときに、上記制御装置が待機運転をするので、上記半導体製造部の製造動作状態と待機状態とを適切に検出し、この半導体製造部の状態に応じてポンプの動作速度を適切に制御できる。
【0036】
請求項3の半導体製造装置によれば、上記制御装置は、上記半導体製造部から待機中である旨を示す信号を受けたときに、待機運転をするので、上記半導体製造部の状態に確実に対応して上記ポンプの動作速度を制御できる。
【0037】
請求項4の半導体製造装置によれば、上記熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さい状態が、所定時間以上持続したときに、上記制御装置が待機運転をするので、上記半導体製造部が待機状態であることが正確に判断できて、上記ポンプの動作速度が適切に制御できる。
【0038】
請求項5の半導体製造装置によれば、上記熱媒体の戻り温度が上昇しないときに、上記制御装置が待機運転をするので、上記半導体製造装置の状態に正確に対応してポンプの動作速度を適切に制御できる。
【0039】
請求項6の半導体製造装置によれば、上記熱媒体を昇温するヒータを備え、上記熱交換器は熱媒体を降温する熱交換器であるので、上記熱交換器とヒータとを使い分けることによって、良好な精度で半導体製造部の温度制御ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の半導体製造装置を示す図である。
【図2】制御装置12が半導体製造装置の運転時に実行する処理を示すフローチャートである。
【図3】制御装置12が半導体製造部1の状態を判断する際に実行する処理を示すフローチャートである。
【図4】ブラインの戻り温度の変化と、このブラインの戻り温度に応じて判断された半導体製造部1の状態の変化とを示した模式図である。
【符号の説明】
1 半導体製造部
2 熱交換器
3 ヒータ
4 ブラインタンク
5 ブライン取入口
6 ポンプ
8 導入バルブ
9 排出バルブ
11 インバータ
12 制御装置
Claims (6)
- 熱媒体が供給される半導体製造部(1)と、
上記熱媒体と他の熱媒体とを熱交換する熱交換器(2)と、
上記熱媒体を貯留するタンク(4)と、
上記タンク(4)に貯留された熱媒体を上記半導体製造部(1)に送出するポンプ(6)と、
上記ポンプ(6)を可変速駆動するインバータ(11)と、
上記半導体製造部(1)の半導体製造動作の待機中に、上記インバータ(11)を制御して上記ポンプ(6)の駆動速度を低速に維持する待機運転をする制御装置(12)と
を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
上記半導体製造部(1)から戻る熱媒体の戻り温度を検出する温度センサ(14)を備え、
上記温度センサ(14)が検出する熱媒体の戻り温度が所定温度よりも小さいときに、上記制御装置(12)が待機運転をすることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1または2に記載の半導体製造装置において、
上記制御装置(12)は、上記半導体製造部(1)から待機中である旨を示す信号を受けたときに、待機運転をすることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項2または3に記載の半導体製造装置において、
上記熱媒体の戻り温度(Tr)が所定温度(Ts+Td)よりも小さい状態が、所定時間(tm)以上持続したときに、上記制御装置(12)が待機運転をすることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項2乃至4のいずれか1つに記載の半導体製造装置において、
上記熱媒体の戻り温度(Tr)が上昇しないときに、上記制御装置(12)が待機運転をすることを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1つに記載の半導体製造装置において、
上記熱媒体を昇温するヒータ(3)を備え、
上記熱交換器(2)は熱媒体を降温する熱交換器(2)であることを特徴とする半導体製造装置。
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