JP2004011012A - 成膜制御装置及び成膜制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】成膜ソース5により真空槽1内で成膜材料を飛散させて基板W1に成膜させ、その基板W1に成膜される成膜材料の膜厚を光学式膜厚計8により測定するときに、基板W1に対する成膜レートを安定して制御できるようにし、低コストで成膜性能を向上させる。
【解決手段】予め、光学式膜厚計8により測定される反射率又は透過率につき、所定の成膜レートに対応した基準値Vsを設定しておき、光学式膜厚計8が測定した実際の測定値Vrと基準値Vsとを比較して、測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件を制御する。成膜レートをモニタするための専用の膜厚計を不要としつつ、成膜レートを安定して制御できる。
【選択図】 図1
【解決手段】予め、光学式膜厚計8により測定される反射率又は透過率につき、所定の成膜レートに対応した基準値Vsを設定しておき、光学式膜厚計8が測定した実際の測定値Vrと基準値Vsとを比較して、測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件を制御する。成膜レートをモニタするための専用の膜厚計を不要としつつ、成膜レートを安定して制御できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜させるときの成膜状態を制御する成膜制御装置及び成膜制御方法に関し、特に、基板への成膜材料の膜厚を光学式膜厚計で測定するようにしたものの技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、この種の成膜制御装置として、基板に成膜される成膜材料の膜厚を測定する光学式膜厚計を備え、この膜厚計の測定値が目標の膜厚になるまで成膜手段を作動させて成膜するようにしたものが知られている。
【0003】
上記光学式膜厚計は、例えば製品用の基板と同じ条件で成膜される透明ガラスからなる測定用基板等に光を入射させて、その反射光又は透過光を受光し、そのときの反射率又は透過率を測定してそれらに基づき成膜材料の膜厚を求めるものである。
【0004】
例えば特開平8―315432号公報には、受光した光の反射率や透過率と、成膜材料の膜厚との関係を設定しておき、その受光の反射率や透過率から膜厚を求めることが提案されている。
【0005】
また、特開2001―126324号公報に示されるものでは、所定数の基板が成膜される都度、評価用基板に成膜して、その膜厚データと正常膜厚データとを比較し、膜厚データが正常膜厚データになるように成膜条件を補正するようになされている。
【0006】
一方、例えば特開昭63―38579号公報や特開平1―132767号公報に示されるように、上記の如き光学式膜厚計の他、水晶振動子モニタヘッド等の測定部を有する今1つの膜厚計を真空槽内に配置し、この膜厚計により基板に対する成膜レート(成膜速度)を制御するようにした成膜制御装置が知られている。このものでは、水晶振動子板の固有振動数が成膜材料の堆積によって変化することを利用し、成膜レートをモニタするようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光学式膜厚計のみを備えた前者の従来例(特開平8―315432号公報や2001―126324号公報に示されるもの)において、基板に対する成膜レートを制御する場合、光学式膜厚計により測定された受光の反射率や透過率をそのまま利用することはできず、その受光の反射率や透過率が成膜の進行に伴って正弦波形状に変化する特性において、その正弦波の一部を直線に近似し、その近似部分のみで成膜レートを制御するようにしている。
【0008】
しかし、こうすると、成膜レートを安定して制御することが難しく、成膜性能を高めるには限度がある。
【0009】
これに対し、後者の従来例(特開昭63―38579号公報や特開平1―132767号公報に示されるもの)のように、膜厚レートをモニタする膜厚計を備えていれば、上記前者の従来例のような問題は生じず、成膜レートを安定して制御して成膜性能を高めることができる。
【0010】
しかしながら、その反面、膜厚レートモニタ用膜厚計の測定部に成膜材料が堆積すると、その測定部は汚染されて消耗されることになる。この測定部の汚染による消耗を避けるには、複数の膜厚計を配置しておく必要があり、その分、コストアップするという問題が生じる。
【0011】
本発明の目的とするところは、上記した成膜制御装置に対し特別の工夫を加えることにより、光学式膜厚計のみを用いながら、基板に対する成膜レートを安定して制御できるようにして、低コストで成膜性能を向上させることにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明では、光学式膜厚計の測定値に対して所定の成膜レートに関連した基準値を設定しておき、実際の測定値を基準値に一致するように成膜条件を変更することとした。
【0013】
具体的には、請求項1〜3の発明は成膜制御装置に関するもので、請求項1の発明では、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜する成膜手段と、基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計と、予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率について、所定の成膜レートに対応した基準値を設定する基準値設定手段と、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値、及び上記基準値設定手段により設定された基準値を比較して、測定値が基準値に一致するように上記成膜手段の成膜条件を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0014】
上記の構成によると、真空槽内で成膜手段を作動させて基板に成膜するとき、光学式膜厚計により基板に対する光の反射率又は透過率が測定されて該基板に成膜される成膜材料の膜厚が求められる。そして、制御手段においては、この膜厚計により測定された反射率又は透過率の実際の測定値と、基準値設定手段により設定された基準値とが比較されて、測定値が基準値に一致するように上記成膜手段の成膜条件が制御される。このように光学式膜厚計の測定値が基準値に一致するように成膜条件が制御されることで、成膜レートを安定して制御することができ、基板に対する成膜性能を高めることができる。
【0015】
また、光学式膜厚計のみで成膜レートを安定制御できるので、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く使用せずとも済み、その膜厚計を測定部の汚染(消耗)の対応のために多数設ける場合のようなコストアップは生じず、コストダウンを図ることができる。
【0016】
請求項2の発明では、上記基準値設定手段は、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定するものとする。また、請求項3の発明では、基準値設定手段は、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定するものとする。このことで、基準値設定手段で設定されるのに好ましい基準値が容易に得られる。
【0017】
請求項4〜6の発明は成膜制御方法に関する発明であり、請求項4の発明では、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜させるときに、基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計を用い、予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率につき、所定の成膜レートに対応した基準値を設定しておき、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と上記基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように成膜条件を制御することを特徴とする。この構成によれば、上記請求項1の発明と同様の作用効果が得られる。
【0018】
請求項5の発明では、請求項4の成膜制御方法において、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定する。また、請求項6の発明では、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定することを特徴とする。このことで、好ましい基準値が容易に得られる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図3は本発明の実施形態に係る成膜制御装置Aの全体構成を示し、1は真空槽であって、この真空槽1の内部には少なくとも成膜時に真空状態に保たれる真空チャンバ2が形成されている。この真空チャンバ2の上部には、例えば製品となる少なくとも1枚の製品用基板W1と、例えば透明ガラスからなる測定用基板W2とが配置され、この測定用基板W2は製品用基板W1と同じ成膜条件で成膜されるようになっている。
【0020】
一方、真空チャンバ2内の下部には、成膜材料を飛散させて上記製品用基板W1及び測定用基板W2に成膜する成膜手段としての成膜ソース5が設けられている。この成膜ソース5は、図示しないが、例えば、成膜材料を蓄える複数のるつぼと、この各るつぼ内の成膜材料に電子ビームを照射する電子銃と、各るつぼ内の成膜材料にイオンビームを照射するイオンガンとが組み合わせられてなるもので、電子銃からの電子ビーム又はイオンガンからのイオンビームの照射により所定のるつぼ内の成膜材料を加熱蒸発させて真空チャンバ2内を製品用基板W1及び測定用基板W2に向けて飛翔させ、その蒸発した成膜材料を製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に被着させることにより、製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に所定膜厚の成膜部を形成するようにしている。
【0021】
そして、上記成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度は変更可能となっており、これらの強度を変えることで、成膜ソース5の製品用基板W1及び測定用基板W2に対する成膜条件を変更可能とされている。
【0022】
上記測定用基板W2(製品用基板W1)下面の膜厚を測定するための光学式膜厚計8が設けられ、この膜厚計8は投光ユニット9、受光ユニット10及び測定部11を備えている。すなわち、真空槽1の上壁において上記測定用基板W2の略真上位置には、透明のガラス13が気密状に嵌め込まれた所定の大きさの窓14が開けられ、この窓14上側の真空槽1外に上記投光ユニット9及び受光ユニット10が配置されており、投光ユニット9から光を窓14を通して真空チャンバ2内に照射することで、この光を測定用基板W2に上側から入射させて成膜部で反射させ、この反射光を受光ユニット10が受けるようになっている。
【0023】
上記受光ユニット10の出力部は測定部11に接続されており、この測定部11において、受光ユニット10での受光量に基づき測定用基板W2の反射時の光の干渉による光量変化から測定用基板W2の反射率を測定し、この反射率に基づき基板W1,W2の成膜部の膜厚を求めるようにしている。
【0024】
上記成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度を変えて成膜条件を制御するための制御部17(制御手段)が設けられ、この制御部17には、上記光学式膜厚計8の測定部11の出力信号の他、基準値設定部18の出力信号が入力されている。この基準値設定部18には、図2に示すように、基準となる所定の基準成膜レート、つまり基板W1,W2に対する成膜処理時間(膜厚)と、該成膜処理時間の経過に応じて変わる基板W1,W2での光の反射率との関係が記憶されている。この基準成膜レートは、実際に基板W1,W2に基準状態(正常な状態)で成膜したときに光学式膜厚計8で測定された反射率の正常測定値(実際の測定結果)が変化する特性、又は基板W1,W2に基準状態(正常な状態)で成膜するときに理論的に計算から求められる反射率の理論計算値が変化する特性により設定されており、基準値設定部18において、予め、光学式膜厚計8により測定される反射率について、上記基準成膜レートに対応した基準値Vsを設定するようになっている。よって、基準値設定部18は、実際に基板W1,W2に成膜したときに光学式膜厚計8により測定された反射率、又は基板W1,W2に成膜するときに理論的に求められる反射率の理論値を基準値Vsとして設定する。
【0025】
そして、上記制御部17においては、上記測定用基板W2での光の反射率に関し、成膜処理時刻tで光学式膜厚計8が測定した実際の測定値Vrと、上記基準値設定部18により設定された同時刻tでの基準値Vsとを比較して、測定値Vrが基準値Vsに一致するように上記成膜ソース5の成膜条件を制御し、図2に示すように測定値Vrが基準値Vsよりも小さいときには、成膜ソース5における電子銃の電子ビームやイオンガンのイオンビームの各強度を増大させて、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量を増加させる一方、逆に、測定値Vrが基準値Vsよりも大きいときには、成膜ソース5における各ビーム強度を低下させて、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量を減少させるようにしている。
【0026】
ここで、上記制御部17において、光学式膜厚計8の出力信号に基づいて成膜ソース5を制御する動作(本発明でいう成膜制御方法)について図1により説明すると、最初のステップS1において、膜厚計8により測定された反射率の測定値Vrを読み込み、次のステップS2では、基準値設定部18で設定記憶されている反射率の基準値Vs、つまり基板W1,W2に成膜するときの理論値又は実際に基板W1,W2に成膜したときの光学式膜厚計8の正常測定値を読み込む。
【0027】
この後、ステップS3において、上記読み込んだ測定値Vrと基準値Vs(理論値又は正常測定値)とを比較し、ステップS4では、測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件を制御し、しかる後にステップS1に戻り、ステップS2〜S4を成膜の終了まで繰り返す。
【0028】
次に、上記実施形態の作用について説明する。真空槽1内の真空チャンバ2に製品用基板W1及び測定用基板W2が搬入されると、その真空チャンバ2が真空にされた状態で成膜ソース5が作動し、その電子銃の電子ビーム又はイオンガンのイオンビームによりるつぼ内の成膜材料が加熱されて蒸発し、この蒸発した成膜材料は真空チャンバ2内を飛翔して上記製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に被着し、このことで基板W1(W2)の成膜が開始される。
【0029】
このような成膜の開始と同時に光学式膜厚計8が作動し、その投光ユニット9から光が測定用基板W2に入射されて、その反射光の受光により測定用基板W2の反射率が測定される。そして、この光学式膜厚計8により測定された反射率の測定値Vrは、逐次、制御部17において基準値設定部18に設定記憶されている基準値Vsと比較され、その測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件が制御される。例えば、図2に示すように測定値Vrが基準値Vsよりも小さいときには、成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度が増大して、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量が増加する。一方、測定値Vrが基準値Vsよりも大きいときには、電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度が低下して、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量が減少する。
【0030】
したがって、この場合、光学式膜厚計8による反射率の測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5による成膜条件が制御されるので、成膜レートを安定して制御することができ、基板W1(W2)に対する成膜性能を高めることができる。
【0031】
また、このように光学式膜厚計8のみで成膜レートを安定制御できるので、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く不要となり、その膜厚計を測定部の汚染(消耗)の対応のために多数設けた場合の如きコストアップが生じる余地はなく、コストダウンを図ることができる。
【0032】
(他の実施形態)
尚、上記実施形態では、光学式膜厚計8の測定値Vrは基板W1(W2)に対する光の反射率とし、基準値設定部18において反射率についての基準値Vsを設定し、制御部17では反射率の測定値Vrと基準値Vsとを比較するようにしているが、この反射率に変え、基板W1(W2)に対する光の透過率を用いるようにしてもよく、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【0033】
また、上記実施形態では、製品用基板W1の他に測定用基板W2を配置して、この測定用基板W2に対する光の反射率(透過率)を測定するようにしているが、製品用基板W1がガラス基板である場合、測定用基板W2を設けずに、製品用基板W1自体で光の反射率(透過率)を測定するようにしてもよい。
【0034】
さらに、成膜ソースの別の蒸発方法として、抵抗加熱で成膜材料を加熱蒸発させて、製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に所定膜厚の成膜部を形成するようにしてもよい。この場合は、抵抗加熱の強度を変えることで成膜条件を変更可能にすることになる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1又は4の発明によると、成膜手段により真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜し、光学式膜厚計により基板に対する光の反射率又は透過率を測定して基板への成膜材料の膜厚を測定するときに、予め、光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率に関し、所定の成膜レートに対応した基準値を設定しておき、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と上記基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように成膜手段の成膜条件を制御するようにしたことにより、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く使用せずに、成膜レートを安定して制御することができ、コストダウンを図りながら、基板に対する成膜性能の向上を図ることができる。
【0036】
請求項2又は5の発明では、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定するようにした。また、請求項3又は6の発明では、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定するようにした。従って、これらの発明によると、好ましい基準値が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】制御部で行われる成膜制御動作を示すフローチャート図である。
【図2】基準成膜レートに対応した反射率の基準値と実際の測定値との関係を示す特性図である。
【図3】本発明の実施形態に係る成膜制御装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
A 成膜制御装置
W1 製品用基板
W2 測定用基板
1 真空槽
5 成膜ソース(成膜手段)
8 光学式膜厚計
17 制御部(制御手段)
18 基準値設定部(基準値設定手段)
Vs 基準値
Vr 測定値
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜させるときの成膜状態を制御する成膜制御装置及び成膜制御方法に関し、特に、基板への成膜材料の膜厚を光学式膜厚計で測定するようにしたものの技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、この種の成膜制御装置として、基板に成膜される成膜材料の膜厚を測定する光学式膜厚計を備え、この膜厚計の測定値が目標の膜厚になるまで成膜手段を作動させて成膜するようにしたものが知られている。
【0003】
上記光学式膜厚計は、例えば製品用の基板と同じ条件で成膜される透明ガラスからなる測定用基板等に光を入射させて、その反射光又は透過光を受光し、そのときの反射率又は透過率を測定してそれらに基づき成膜材料の膜厚を求めるものである。
【0004】
例えば特開平8―315432号公報には、受光した光の反射率や透過率と、成膜材料の膜厚との関係を設定しておき、その受光の反射率や透過率から膜厚を求めることが提案されている。
【0005】
また、特開2001―126324号公報に示されるものでは、所定数の基板が成膜される都度、評価用基板に成膜して、その膜厚データと正常膜厚データとを比較し、膜厚データが正常膜厚データになるように成膜条件を補正するようになされている。
【0006】
一方、例えば特開昭63―38579号公報や特開平1―132767号公報に示されるように、上記の如き光学式膜厚計の他、水晶振動子モニタヘッド等の測定部を有する今1つの膜厚計を真空槽内に配置し、この膜厚計により基板に対する成膜レート(成膜速度)を制御するようにした成膜制御装置が知られている。このものでは、水晶振動子板の固有振動数が成膜材料の堆積によって変化することを利用し、成膜レートをモニタするようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光学式膜厚計のみを備えた前者の従来例(特開平8―315432号公報や2001―126324号公報に示されるもの)において、基板に対する成膜レートを制御する場合、光学式膜厚計により測定された受光の反射率や透過率をそのまま利用することはできず、その受光の反射率や透過率が成膜の進行に伴って正弦波形状に変化する特性において、その正弦波の一部を直線に近似し、その近似部分のみで成膜レートを制御するようにしている。
【0008】
しかし、こうすると、成膜レートを安定して制御することが難しく、成膜性能を高めるには限度がある。
【0009】
これに対し、後者の従来例(特開昭63―38579号公報や特開平1―132767号公報に示されるもの)のように、膜厚レートをモニタする膜厚計を備えていれば、上記前者の従来例のような問題は生じず、成膜レートを安定して制御して成膜性能を高めることができる。
【0010】
しかしながら、その反面、膜厚レートモニタ用膜厚計の測定部に成膜材料が堆積すると、その測定部は汚染されて消耗されることになる。この測定部の汚染による消耗を避けるには、複数の膜厚計を配置しておく必要があり、その分、コストアップするという問題が生じる。
【0011】
本発明の目的とするところは、上記した成膜制御装置に対し特別の工夫を加えることにより、光学式膜厚計のみを用いながら、基板に対する成膜レートを安定して制御できるようにして、低コストで成膜性能を向上させることにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明では、光学式膜厚計の測定値に対して所定の成膜レートに関連した基準値を設定しておき、実際の測定値を基準値に一致するように成膜条件を変更することとした。
【0013】
具体的には、請求項1〜3の発明は成膜制御装置に関するもので、請求項1の発明では、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜する成膜手段と、基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計と、予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率について、所定の成膜レートに対応した基準値を設定する基準値設定手段と、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値、及び上記基準値設定手段により設定された基準値を比較して、測定値が基準値に一致するように上記成膜手段の成膜条件を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0014】
上記の構成によると、真空槽内で成膜手段を作動させて基板に成膜するとき、光学式膜厚計により基板に対する光の反射率又は透過率が測定されて該基板に成膜される成膜材料の膜厚が求められる。そして、制御手段においては、この膜厚計により測定された反射率又は透過率の実際の測定値と、基準値設定手段により設定された基準値とが比較されて、測定値が基準値に一致するように上記成膜手段の成膜条件が制御される。このように光学式膜厚計の測定値が基準値に一致するように成膜条件が制御されることで、成膜レートを安定して制御することができ、基板に対する成膜性能を高めることができる。
【0015】
また、光学式膜厚計のみで成膜レートを安定制御できるので、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く使用せずとも済み、その膜厚計を測定部の汚染(消耗)の対応のために多数設ける場合のようなコストアップは生じず、コストダウンを図ることができる。
【0016】
請求項2の発明では、上記基準値設定手段は、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定するものとする。また、請求項3の発明では、基準値設定手段は、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定するものとする。このことで、基準値設定手段で設定されるのに好ましい基準値が容易に得られる。
【0017】
請求項4〜6の発明は成膜制御方法に関する発明であり、請求項4の発明では、真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜させるときに、基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計を用い、予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率につき、所定の成膜レートに対応した基準値を設定しておき、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と上記基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように成膜条件を制御することを特徴とする。この構成によれば、上記請求項1の発明と同様の作用効果が得られる。
【0018】
請求項5の発明では、請求項4の成膜制御方法において、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定する。また、請求項6の発明では、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定することを特徴とする。このことで、好ましい基準値が容易に得られる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図3は本発明の実施形態に係る成膜制御装置Aの全体構成を示し、1は真空槽であって、この真空槽1の内部には少なくとも成膜時に真空状態に保たれる真空チャンバ2が形成されている。この真空チャンバ2の上部には、例えば製品となる少なくとも1枚の製品用基板W1と、例えば透明ガラスからなる測定用基板W2とが配置され、この測定用基板W2は製品用基板W1と同じ成膜条件で成膜されるようになっている。
【0020】
一方、真空チャンバ2内の下部には、成膜材料を飛散させて上記製品用基板W1及び測定用基板W2に成膜する成膜手段としての成膜ソース5が設けられている。この成膜ソース5は、図示しないが、例えば、成膜材料を蓄える複数のるつぼと、この各るつぼ内の成膜材料に電子ビームを照射する電子銃と、各るつぼ内の成膜材料にイオンビームを照射するイオンガンとが組み合わせられてなるもので、電子銃からの電子ビーム又はイオンガンからのイオンビームの照射により所定のるつぼ内の成膜材料を加熱蒸発させて真空チャンバ2内を製品用基板W1及び測定用基板W2に向けて飛翔させ、その蒸発した成膜材料を製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に被着させることにより、製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に所定膜厚の成膜部を形成するようにしている。
【0021】
そして、上記成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度は変更可能となっており、これらの強度を変えることで、成膜ソース5の製品用基板W1及び測定用基板W2に対する成膜条件を変更可能とされている。
【0022】
上記測定用基板W2(製品用基板W1)下面の膜厚を測定するための光学式膜厚計8が設けられ、この膜厚計8は投光ユニット9、受光ユニット10及び測定部11を備えている。すなわち、真空槽1の上壁において上記測定用基板W2の略真上位置には、透明のガラス13が気密状に嵌め込まれた所定の大きさの窓14が開けられ、この窓14上側の真空槽1外に上記投光ユニット9及び受光ユニット10が配置されており、投光ユニット9から光を窓14を通して真空チャンバ2内に照射することで、この光を測定用基板W2に上側から入射させて成膜部で反射させ、この反射光を受光ユニット10が受けるようになっている。
【0023】
上記受光ユニット10の出力部は測定部11に接続されており、この測定部11において、受光ユニット10での受光量に基づき測定用基板W2の反射時の光の干渉による光量変化から測定用基板W2の反射率を測定し、この反射率に基づき基板W1,W2の成膜部の膜厚を求めるようにしている。
【0024】
上記成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度を変えて成膜条件を制御するための制御部17(制御手段)が設けられ、この制御部17には、上記光学式膜厚計8の測定部11の出力信号の他、基準値設定部18の出力信号が入力されている。この基準値設定部18には、図2に示すように、基準となる所定の基準成膜レート、つまり基板W1,W2に対する成膜処理時間(膜厚)と、該成膜処理時間の経過に応じて変わる基板W1,W2での光の反射率との関係が記憶されている。この基準成膜レートは、実際に基板W1,W2に基準状態(正常な状態)で成膜したときに光学式膜厚計8で測定された反射率の正常測定値(実際の測定結果)が変化する特性、又は基板W1,W2に基準状態(正常な状態)で成膜するときに理論的に計算から求められる反射率の理論計算値が変化する特性により設定されており、基準値設定部18において、予め、光学式膜厚計8により測定される反射率について、上記基準成膜レートに対応した基準値Vsを設定するようになっている。よって、基準値設定部18は、実際に基板W1,W2に成膜したときに光学式膜厚計8により測定された反射率、又は基板W1,W2に成膜するときに理論的に求められる反射率の理論値を基準値Vsとして設定する。
【0025】
そして、上記制御部17においては、上記測定用基板W2での光の反射率に関し、成膜処理時刻tで光学式膜厚計8が測定した実際の測定値Vrと、上記基準値設定部18により設定された同時刻tでの基準値Vsとを比較して、測定値Vrが基準値Vsに一致するように上記成膜ソース5の成膜条件を制御し、図2に示すように測定値Vrが基準値Vsよりも小さいときには、成膜ソース5における電子銃の電子ビームやイオンガンのイオンビームの各強度を増大させて、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量を増加させる一方、逆に、測定値Vrが基準値Vsよりも大きいときには、成膜ソース5における各ビーム強度を低下させて、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量を減少させるようにしている。
【0026】
ここで、上記制御部17において、光学式膜厚計8の出力信号に基づいて成膜ソース5を制御する動作(本発明でいう成膜制御方法)について図1により説明すると、最初のステップS1において、膜厚計8により測定された反射率の測定値Vrを読み込み、次のステップS2では、基準値設定部18で設定記憶されている反射率の基準値Vs、つまり基板W1,W2に成膜するときの理論値又は実際に基板W1,W2に成膜したときの光学式膜厚計8の正常測定値を読み込む。
【0027】
この後、ステップS3において、上記読み込んだ測定値Vrと基準値Vs(理論値又は正常測定値)とを比較し、ステップS4では、測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件を制御し、しかる後にステップS1に戻り、ステップS2〜S4を成膜の終了まで繰り返す。
【0028】
次に、上記実施形態の作用について説明する。真空槽1内の真空チャンバ2に製品用基板W1及び測定用基板W2が搬入されると、その真空チャンバ2が真空にされた状態で成膜ソース5が作動し、その電子銃の電子ビーム又はイオンガンのイオンビームによりるつぼ内の成膜材料が加熱されて蒸発し、この蒸発した成膜材料は真空チャンバ2内を飛翔して上記製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に被着し、このことで基板W1(W2)の成膜が開始される。
【0029】
このような成膜の開始と同時に光学式膜厚計8が作動し、その投光ユニット9から光が測定用基板W2に入射されて、その反射光の受光により測定用基板W2の反射率が測定される。そして、この光学式膜厚計8により測定された反射率の測定値Vrは、逐次、制御部17において基準値設定部18に設定記憶されている基準値Vsと比較され、その測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5の成膜条件が制御される。例えば、図2に示すように測定値Vrが基準値Vsよりも小さいときには、成膜ソース5における電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度が増大して、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量が増加する。一方、測定値Vrが基準値Vsよりも大きいときには、電子銃の電子ビーム強度やイオンガンのイオンビーム強度が低下して、基板W1,W2に飛翔する成膜材料の量が減少する。
【0030】
したがって、この場合、光学式膜厚計8による反射率の測定値Vrが基準値Vsに一致するように成膜ソース5による成膜条件が制御されるので、成膜レートを安定して制御することができ、基板W1(W2)に対する成膜性能を高めることができる。
【0031】
また、このように光学式膜厚計8のみで成膜レートを安定制御できるので、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く不要となり、その膜厚計を測定部の汚染(消耗)の対応のために多数設けた場合の如きコストアップが生じる余地はなく、コストダウンを図ることができる。
【0032】
(他の実施形態)
尚、上記実施形態では、光学式膜厚計8の測定値Vrは基板W1(W2)に対する光の反射率とし、基準値設定部18において反射率についての基準値Vsを設定し、制御部17では反射率の測定値Vrと基準値Vsとを比較するようにしているが、この反射率に変え、基板W1(W2)に対する光の透過率を用いるようにしてもよく、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【0033】
また、上記実施形態では、製品用基板W1の他に測定用基板W2を配置して、この測定用基板W2に対する光の反射率(透過率)を測定するようにしているが、製品用基板W1がガラス基板である場合、測定用基板W2を設けずに、製品用基板W1自体で光の反射率(透過率)を測定するようにしてもよい。
【0034】
さらに、成膜ソースの別の蒸発方法として、抵抗加熱で成膜材料を加熱蒸発させて、製品用基板W1及び測定用基板W2の下面に所定膜厚の成膜部を形成するようにしてもよい。この場合は、抵抗加熱の強度を変えることで成膜条件を変更可能にすることになる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1又は4の発明によると、成膜手段により真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜し、光学式膜厚計により基板に対する光の反射率又は透過率を測定して基板への成膜材料の膜厚を測定するときに、予め、光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率に関し、所定の成膜レートに対応した基準値を設定しておき、上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と上記基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように成膜手段の成膜条件を制御するようにしたことにより、成膜レートをモニタするための専用の膜厚計は全く使用せずに、成膜レートを安定して制御することができ、コストダウンを図りながら、基板に対する成膜性能の向上を図ることができる。
【0036】
請求項2又は5の発明では、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定するようにした。また、請求項3又は6の発明では、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定するようにした。従って、これらの発明によると、好ましい基準値が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】制御部で行われる成膜制御動作を示すフローチャート図である。
【図2】基準成膜レートに対応した反射率の基準値と実際の測定値との関係を示す特性図である。
【図3】本発明の実施形態に係る成膜制御装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
A 成膜制御装置
W1 製品用基板
W2 測定用基板
1 真空槽
5 成膜ソース(成膜手段)
8 光学式膜厚計
17 制御部(制御手段)
18 基準値設定部(基準値設定手段)
Vs 基準値
Vr 測定値
Claims (6)
- 真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜する成膜手段と、
基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計と、
予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率について、所定の成膜レートに対応した基準値を設定する基準値設定手段と、
上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と、上記基準値設定手段により設定された基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように上記成膜手段の成膜条件を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする成膜制御装置。 - 請求項1の成膜制御装置において、
基準値設定手段は、実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定するものであることを特徴とする成膜制御装置。 - 請求項1の成膜制御装置において、
基準値設定手段は、基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定するものであることを特徴とする成膜制御装置。 - 真空槽内で成膜材料を飛散させて基板に成膜するときに、基板に対する光の反射率又は透過率を測定して該基板に成膜される成膜材料の膜厚を求める光学式膜厚計を用い、
予め、上記光学式膜厚計により測定される反射率又は透過率につき、所定の成膜レートに対応した基準値を設定しておき、
上記光学式膜厚計が測定した実際の測定値と上記基準値とを比較して、測定値が基準値に一致するように成膜条件を制御することを特徴とする成膜制御方法。 - 請求項4の成膜制御方法において、
実際に基板に成膜したときに光学式膜厚計により測定された反射率又は透過率の測定値を基準値として設定することを特徴とする成膜制御方法。 - 請求項4の成膜制御方法において、
基板に成膜するときに理論的に求められる反射率又は透過率の理論値を基準値として設定することを特徴とする成膜制御方法。
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JP2002169686A JP2004011012A (ja) | 2002-06-11 | 2002-06-11 | 成膜制御装置及び成膜制御方法 |
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WO2006129671A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | 成膜装置及び方法 |
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- 2002-06-11 JP JP2002169686A patent/JP2004011012A/ja active Pending
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