JP2004004834A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004004834A5
JP2004004834A5 JP2003133513A JP2003133513A JP2004004834A5 JP 2004004834 A5 JP2004004834 A5 JP 2004004834A5 JP 2003133513 A JP2003133513 A JP 2003133513A JP 2003133513 A JP2003133513 A JP 2003133513A JP 2004004834 A5 JP2004004834 A5 JP 2004004834A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
alkyl group
hydrogen atom
photoresist composition
positive photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003133513A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP3620745B2 (ja
JP2004004834A (ja
Filing date
Publication date
Priority to JP28576299A priority Critical patent/JP3444821B2/ja
Priority claimed from JP28576299A external-priority patent/JP3444821B2/ja
Priority to TW090108286A priority patent/TW562995B/zh
Application filed filed Critical
Priority to JP2003133513A priority patent/JP3620745B2/ja
Publication of JP2004004834A publication Critical patent/JP2004004834A/ja
Publication of JP2004004834A5 publication Critical patent/JP2004004834A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3620745B2 publication Critical patent/JP3620745B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2003133513A 1999-10-06 2003-05-12 ポジ型フォトレジスト組成物 Expired - Lifetime JP3620745B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28576299A JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 ポジ型フォトレジスト組成物
TW090108286A TW562995B (en) 1999-10-06 2001-04-06 Positive photoresist composition
JP2003133513A JP3620745B2 (ja) 1999-10-06 2003-05-12 ポジ型フォトレジスト組成物

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28576299A JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 ポジ型フォトレジスト組成物
JP2003133513A JP3620745B2 (ja) 1999-10-06 2003-05-12 ポジ型フォトレジスト組成物

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28576299A Division JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 ポジ型フォトレジスト組成物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004004834A JP2004004834A (ja) 2004-01-08
JP2004004834A5 true JP2004004834A5 (xx) 2004-12-16
JP3620745B2 JP3620745B2 (ja) 2005-02-16

Family

ID=55182155

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28576299A Expired - Fee Related JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 ポジ型フォトレジスト組成物
JP2003133513A Expired - Lifetime JP3620745B2 (ja) 1999-10-06 2003-05-12 ポジ型フォトレジスト組成物

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28576299A Expired - Fee Related JP3444821B2 (ja) 1999-10-06 1999-10-06 ポジ型フォトレジスト組成物

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP3444821B2 (xx)
TW (1) TW562995B (xx)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4768152B2 (ja) * 2000-09-01 2011-09-07 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP2002116542A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Daicel Chem Ind Ltd フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP2002357905A (ja) * 2001-03-28 2002-12-13 Sumitomo Chem Co Ltd レジスト組成物
US6927009B2 (en) * 2001-05-22 2005-08-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US6852468B2 (en) 2001-06-12 2005-02-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist composition
JP3912767B2 (ja) * 2001-06-21 2007-05-09 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP4262422B2 (ja) * 2001-06-28 2009-05-13 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7192681B2 (en) * 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
KR20030035823A (ko) * 2001-08-02 2003-05-09 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물
JP3836359B2 (ja) * 2001-12-03 2006-10-25 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP3803286B2 (ja) * 2001-12-03 2006-08-02 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JP3841399B2 (ja) * 2002-02-21 2006-11-01 富士写真フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP4286151B2 (ja) 2002-04-01 2009-06-24 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子化合物の製造法
JP4439270B2 (ja) 2003-06-18 2010-03-24 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4491503B2 (ja) * 2003-06-18 2010-06-30 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI366067B (en) 2003-09-10 2012-06-11 Fujifilm Corp Photosensitive composition and pattern forming method using the same
TWI375121B (en) 2004-06-28 2012-10-21 Fujifilm Corp Photosensitive composition and method for forming pattern using the same
JP4714488B2 (ja) 2004-08-26 2011-06-29 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4472586B2 (ja) * 2005-06-20 2010-06-02 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4796792B2 (ja) 2005-06-28 2011-10-19 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4969916B2 (ja) * 2006-05-25 2012-07-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US8637229B2 (en) 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
US8530148B2 (en) 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8034547B2 (en) 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
KR100990106B1 (ko) 2007-04-13 2010-10-29 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 이 패턴형성방법에 사용되는 레지스트 조성물, 현상액 및 린스액
KR100989567B1 (ko) 2007-05-15 2010-10-25 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US8617794B2 (en) 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US8632942B2 (en) 2007-06-12 2014-01-21 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
US7851140B2 (en) 2007-06-12 2010-12-14 Fujifilm Corporation Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same
JP4590431B2 (ja) 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
EP2157477B1 (en) 2007-06-12 2014-08-06 FUJIFILM Corporation Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition
JP4919508B2 (ja) * 2007-09-13 2012-04-18 株式会社ダイセル フォトレジスト用単量体、高分子化合物及びフォトレジスト組成物
JP5077355B2 (ja) 2007-10-01 2012-11-21 Jsr株式会社 感放射線性組成物
JP5806800B2 (ja) 2008-03-28 2015-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
TWI533082B (zh) 2008-09-10 2016-05-11 Jsr股份有限公司 敏輻射性樹脂組成物
WO2010029982A1 (ja) 2008-09-12 2010-03-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP5591465B2 (ja) 2008-10-30 2014-09-17 丸善石油化学株式会社 濃度が均一な半導体リソグラフィー用共重合体溶液の製造方法
JPWO2011125685A1 (ja) 2010-03-31 2013-07-08 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
KR20130114110A (ko) 2010-09-29 2013-10-16 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법
CN112558409B (zh) * 2019-09-25 2022-05-20 常州强力先端电子材料有限公司 能够在i线高产酸的磺酰亚胺类光产酸剂

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3042618B2 (ja) * 1998-07-03 2000-05-15 日本電気株式会社 ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
JP4131062B2 (ja) * 1998-09-25 2008-08-13 信越化学工業株式会社 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP3547047B2 (ja) * 1999-05-26 2004-07-28 富士写真フイルム株式会社 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP2000338673A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Fuji Photo Film Co Ltd 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
JP3390702B2 (ja) * 1999-08-05 2003-03-31 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
JP3330903B2 (ja) * 1999-08-05 2002-10-07 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004004834A5 (xx)
JP2002303980A5 (xx)
JP2001330947A5 (xx)
JP2000214588A5 (xx)
JP2002296779A5 (xx)
JP2002268223A5 (xx)
JP2002131917A5 (xx)
JP2003345023A5 (xx)
JP2000267287A5 (xx)
JP2001183837A5 (xx)
JP2000098613A5 (xx)
JP2004287262A5 (xx)
JP2001142212A5 (xx)
JP2004101642A5 (xx)
JP2002323768A5 (xx)
JP2004053822A5 (xx)
JP2000231194A5 (xx)
JP2000010287A5 (xx)
JP2000187327A5 (xx)
JP2000187329A5 (xx)
JP2003177537A5 (xx)
JP2002169287A5 (xx)
JP2001042533A5 (xx)
JP2001013686A5 (xx)
JP2001117232A5 (xx)