JP2003535170A - 老化安定なエポキシド樹脂系、これから製造される成形物及び素子及びそれらの使用 - Google Patents

老化安定なエポキシド樹脂系、これから製造される成形物及び素子及びそれらの使用

Info

Publication number
JP2003535170A
JP2003535170A JP2002500599A JP2002500599A JP2003535170A JP 2003535170 A JP2003535170 A JP 2003535170A JP 2002500599 A JP2002500599 A JP 2002500599A JP 2002500599 A JP2002500599 A JP 2002500599A JP 2003535170 A JP2003535170 A JP 2003535170A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxide resin
component
epoxide
resin system
moldings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002500599A
Other languages
English (en)
Inventor
ボーグナー ゲオルグ
ブルナー ヘルベルト
ヘーン クラウス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Opto Semiconductors GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2003535170A publication Critical patent/JP2003535170A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13Phenols; Phenolates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/16Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3412Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having one nitrogen atom in the ring
    • C08K5/3432Six-membered rings
    • C08K5/3435Piperidines
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12044OLED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511Of epoxy ether

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 グリシジルエーテル又はグリシジルエステルをベースとするエポキシドを含有するA-成分及び硬化剤としての無水物を有するB-成分より成り、ここで、A-成分には、成形物老化に対する安定剤としての立体障害アミンが添加されている、殊に流し込み樹脂用途のためのエポキシド樹脂系が提案されている。これで流し込み封入された発光性半導体は、殊に長時間に渡る発光効率に関連する高い老化安定性を示す。このエポキシド樹脂系は、カプセル-及び圧縮成形コンパウンドにも、かつアクリレートと混合して、殊に屋外領域での全ての用途のためにも使用可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 環境影響に対する保護のために、電気素子及び電子素子は、流し込み樹脂の使
用により反応樹脂で流し込み封入されるか又は被包される。この場合には、機械
的、化学的及び天候の環境影響に対する保護、殊に打撃、破壊、侵襲性化学品及
び湿気に対する保護を達成すべきであり、この際、この保護は、自動車のエンジ
ン部分で約130℃まで達しうる高い環境温度の場合にも保持されるべきである
。オプトエレクトロニック素子(Optoelekrotonische Bauelement)、殊に発光素
子、例えば発光ダイオード(LED)は、特別な負荷に曝され、ここでは、被包
(Verkapselung)のために使用される樹脂系のLEDそれ自体による付加的な放
射線負荷が行われる。化学的及び機械的強度並びに種々の基材への高い結合強度
と並んで、このような反応樹脂成形物は、付加的になお、できるだけ1.5より
大きい屈折率nDでの高い透明性並びに濁り、脆化又は黄色化に関連する耐光性
を有すべきである。発光性半導体素子の高い放射線負荷の問題は、この際に特に
波長の低下、素子(Bauelement)の放射線用量の増加に伴って、かつ長波長放出
性のいわゆる強力-LEDの場合の放射線強度の増加によって増大し、例えば青
色発光性半導体素子の場合には、その被包のために、なお、満足しうる老化安定
な樹脂系を見つけることができなかった。
【0002】 市場に存在するLEDは、現在、硬化剤としての無水物を有するエポキシドを
ベースとする二成分系の熱架橋性反応樹脂で流し込み封入される。これらの物質
は流動学的に至適化されていて、合理的な大量生産を可能とする熱反応特性を有
する。この際、この二部の反応樹脂系のエポキシド樹脂成分(A-成分)は、低
粘性〜中粘性のビスフェノール-A-ジグリシジルエーテル及び反応性エポキシド
希釈剤又は多官能性のエポキシノボラック-樹脂並びに流し込み樹脂に公知の添
加剤及び助剤から成っている。LEDにおける使用のために、A-成分は、更に
有機染料で着色されていてもよい。拡散性発光素子は、無機顔料をベースとする
特別なデイフューザーペーストを有していてよい。有機カルボキシレート-及び
アルコレートアニオン又はリガンドを有する特別な金属塩促進剤を用いて、無水
物/エポキシドベースの二成分反応樹脂系を硬化させることができる。オプトエ
レクトロニック素子の被包のために、脂環式エポキシド樹脂及びグリシジルエー
テル-及びグリシジルエステル樹脂とのその混合物をベースとする二成分系無水
物/エポキシド-流し込み樹脂コンパウンドも使用される。特別な場合には、アク
リルベースのカプセルコンパウンドも使用される。
【0003】 しかしながら、特別な光強度のLEDの被包のための常に難しくなる要求を満
たすためには、公知の流し込みコンパウンドは充分な老化安定性には構成されて
いないことが明らかである。これらは、なお、素子の耐用期間内で、濁り、黄色
化現象を示し、脆化性及びそれに伴う多孔性並びに裂け目、亀裂及び発光素子へ
の表層剥離(Delamination)を伴う低い結合強度を示すことがある。しかしなが
ら、このような障害を有する流し込み樹脂成形物は、オプトエレクトロニック素
子の場合には、低い光学的放射線特徴を伴う低い発光効率を生じ、従って、長時
間の又は需要特異的に絶えず作動される素子には不適当である。
【0004】 従って、本発明の課題は、放射線負荷時に、この際に、反応樹脂系の又はこれ
から製造される成形物の他の特性にできるだけ影響することなしに、高い老化安
定性を有する、素子、殊にオプトエレクトロニック素子の被包のための反応樹脂
系を提供することである。
【0005】 この課題は、本発明により請求項1に記載の特徴を有するエポキシド樹脂系に
よって解決される。本発明の有利な実施態様及びそれから製造される素子は、他
の請求項から明らかである。
【0006】 本発明によるエポキシド樹脂系は、流し込み樹脂用途のため、流し込みコンパ
ウンド及びカプセルコンパウンド及びラッカーのために好適である。これは、付
加的な放射線負荷の際に、成形物老化に対する著しく改善された安定性を示す。
殊に濁り、亀裂及び裂け目の生成は阻止されるので、これに伴い、改善された耐
候性も生じる。それというのも、記載の光老化現象は、これで流し込み封入され
、被包された又は封印された物体、殊に素子の水分不安定性を増加させるからで
ある。
【0007】 このエポキシド樹脂系は、エポキシド樹脂を有するA-成分及び硬化剤を有す
るB-成分、通常はカルボン酸無水物を包含することができる。これらの基本成
分と並んで、このエポキシド樹脂系は、更に、その都度の用途に好適であり、自
体公知の他の成分を有していてよい。
【0008】 意外にも、安定剤として添加される立体障害アミンは、A-成分との良好な相
容性を有し、A-成分の貯蔵安定性に影響しないことが明らかになった。貯蔵安
定なA-成分及びこれを用いて、作業−混合、配量/適用、硬化−時に、かつその
他は不変の特性を有するが、温度-、湿気-及び放射線負荷の下に明らかに改善さ
れた耐老化性を有する成形物をもたらす特性を数ヶ月までも変化せずに、貯蔵可
能である反応樹脂系も得られる。得られる成形物は、水澄明で透明に製造でき、
極めて低い黄色化、濁り又は脆化の傾向を示す。これは、HALS(Hinderd Am
ine Light Stabilizers) なる名称で既に熱可塑性ポリオレフィンプラスチック
中での使用のための光安定剤として公知であった立体障害アミンの正のかつ光安
定化作用に基因している。アミン及びその誘導体は、反応樹脂系の硬化剤として
及び硬化促進剤として公知であり、通常は、着色され、かつ著しく黄色化する傾
向のある成形物を生じる。従って、このアミンの公知の作用にも関わらず、立体
障害アミンを用いて貯蔵安定な反応樹脂系が得られることは意想外のことでであ
る。このアミンの窒素原子の所の自由電子対の立体的遮蔽及びこの化合物の減少
された塩基度が、この反応樹脂特性を大容積での仕上げ処理に使用されるように
し、かつこの反応樹脂特性には負に影響させないと考えられる。
【0009】 この立体障害アミンは、殊に立体的に嵩張った基によって化学反応が遮られる
2級又は3級アミン又はアミンオキシドである。立体的に嵩張った基は、窒素に
対してα−位に立体的に嵩張った脂肪族、脂環式及び芳香族の置換基を有する3
級炭素原子を有する置換基であってよい。立体的に嵩張ったアミンは、有利に同
様にα−位で立体的に遮蔽するヘテロ環式アミンでもある。窒素原子のところの
第3の置換基は、アルキル-、アリール-、アルキルアリール-又はシクロアルキ
ル基であってよい。相応して1個の酸素原子を介して窒素原子に結合した基又は
連鎖中に酸素原子を有する基、例えばエーテル基又はエステル基も有利である。
【0010】 低下された又は適合された塩基度を有するアミン(これの窒素原子のところの
置換基は酸素を介して結合された基である)が特に有利である。例えば、一般的
組成:(R1)(R2)N-O-R3[式中、R1及びR2は相互に無関係にアル
キル、アリール又はアルキルアリールを表すか、又はR1とR2は一緒になって
2価の置換基を表し、これは窒素原子と一緒になって環又はヘテロ環を形成する
]のアミノキシドアルキル化合物である。この場合に、R3は、前記の第3の置
換基を表すこともできる。
【0011】 このアミノキシドアルキル化合物は、一方では遊離の電子対の立体的遮蔽に基
づき、かつ他方では酸素の誘導作用により低下されている特に低い塩基度を示す
。これらのアミンは、エポキシドA-成分との特に良好な相容性を示す。この反
応樹脂系の硬化時に、これは、硬化反応上への負の影響なしに、流し込み樹脂成
形物をもたらし、この中でアミンは化学的に結合していないが、ネットワーク中
の可能な水素架橋結合に基づき並びに比較的高い分子量に基づき、やはり確実に
蒸発に対して貯蔵されている。この成形物は、水澄明/透明であり、湿った雰囲
気中、100℃を上回る温度で、かつ付加的な放射線負荷時に、明らかに改善さ
れた老化安定性を示す。
【0012】 本発明にとって、安定剤として使用されるアミンを少割合でA-成分中に混入
すれば充分であり、この際、0.1〜5.0質量%、特に0.1〜1.0質量%で充
分である。硬化剤成分又はB-成分としては、有利に脂環式又は芳香族ジ-又はテ
トラカルボン酸から誘導されている無水物が使用される。これは、主成分として
のカルボン酸の無水物及び場合によってはこの無水物と脂肪族アルコールとの部
分的反応により得られる酸性エステルであってよい。
【0013】 B-成分は、燐含有酸化安定剤を含有することができる。オプトエレクトロニ
ック用途のためには、促進剤として金属塩を使用するのが有利である。
【0014】 エポキシド樹脂系は、流し込み樹脂用途のために非常に好適であり、加工温度
で充分に低い粘度、充分な加工時間と共に良好な濡れ特性を示し、ぬめりなくか
つ気泡不含で適用することができる。これは、エポキシド含有A-成分と硬化剤
としての無水物を含有するB-成分を包含する。A-成分は、グリシジルエーテル
又はグリシジルエステルをベースとするエポキシド60質量%より多くを、並び
に付加的放射線負荷の際の成形物老化に対する安定剤としての立体障害アミンを
含有する。
【0015】 本発明においては、A-成分中で他の安定剤として立体障害フェノール誘導体
を使用するのが有利である。これは、流し込み樹脂成形物を熱-酸化性攻撃に対
して安定化させる。
【0016】 エポキシドとして、A-成分中には、有利にジグリシジルエーテル、ジグリシ
ジルエステル又は脂環式エポキシド又はこれらの混合物が主成分として含有され
ている。
【0017】 ビスフェノールAのグリシジルエーテル及び副成分として多官能性エポキシノ
ボラック樹脂を合計して80質量%より多い割合で含有しているのが有利である
【0018】 更に、流し込み樹脂に慣用の、殊にモノグリシジルエーテルをベースとする反
応性希釈剤、アルコール、付着助剤、流展助剤、脱気剤、光学的明化剤、光吸収
剤、離型剤又はチクソトロープ剤から選択された添加剤を含有していてよい。従
って、全体として、本発明による流し込み樹脂系のためのA-成分は、次の表中
にそれぞれ限界値により記載されている次の組成で得られる: グリシジルエーテル-又はグリシジルエステルベースのエポキシド樹脂及び 脂環式エポキシド樹脂 >50% エポキシノボラック <40% 反応性希釈剤(モノグリシジルエーテル) <10% アルコール <10% 立体障害アミン <5.0% 酸化安定剤 <5.0% 付着助剤 <5.0% 光吸収剤 <0.5% シリコーンベースの流展助剤 <1.0% シリコーンベースの脱気剤 <1.0% 光学的明化剤 <1.0% ケーシング用の内部離型剤 <1.0% チクソトロープ剤 <10% デイフューザー(無機粒子) <30% 有機染料/顔料 <10% 無機発光物質 <40% 。
【0019】 主成分としてのグリシジルエーテルを用いて、110℃より高い、実施例では
130℃より高いガラス転移温度を有し、本発明による高い老化安定性を有する
流し込み樹脂成形物が製造できる。ジグリシジルエーテルは、有利に減少された
塩素含分をも有し、このことは、更に正に作用し、殊に流し込み樹脂成形物の黄
色化の低い傾向及びこの成形物に低い表層剥離作用をする。本発明によるエポキ
シド流し込み樹脂系は、250ppmより少ない加水分解可能な塩素を含有し、
1000ppmよりも少ない総塩素含分を有する。
【0020】 エポキシド樹脂系の硬化の際には、できるだけ化学量論的な量のA-及びB-成
分が使用される。それというのも、このことは、素子中での水分に対する挙動並
びに電気的特性値にとって有利であるからである。A-成分に対して0.7〜1.
2反応当量のB-成分を使用する。しかしながら、コンパウンド完成に適合され
たこのプロセスには、B-成分が過小で存在し、有利に0.7〜0.9反応当量で
あるエポキシド樹脂系を使用するのが有利である。この場合に、全体的に反応性
エポキシド基と相応する無水物基との化学量論的反応が起こることができるよう
に、エポキシドの固有反応並びに加水分解の特定の割合を考慮する。これにより
製造された成形物は、低い水分吸収性及び高い熱的及び熱機械的安定性を示す。
このことは、流し込み樹脂成形物を、SMD-素子−表面実装可能な素子−への
使用にも好適にする。それというのも、これは、蝋接プロセスで、極端な温度プ
ロフィルの高い温度に露呈されるからである。低い水分吸収性並びに130℃を
越えるガラス転移温度は、この流し込み樹脂成形物を、自動車分野での使用のた
めに好適にする。光学的特性に関連する高い透明性及び老化安定性は、この流し
込み樹脂成形物を、殊にオプトエレクトロニックでの使用のために、殊にオプト
エレクトロニック素子、例えばLEDの被包のために好適にする。この流し込み
樹脂成形物の高い光化学的安定性は、強い光の発光性半導体-素子、殊に500
nmより短い放射波長を有するものの流し込み封入のためにこのエポキシド樹脂
系を使用可能にする。従って、これは、有利にルミネッセンス集中性物質と組み
合わせた青色発光LEDの流し込み封入のために好適である。この物質をエポキ
シド樹脂と混合すると、半導体素子の青色光からルミネセンス変換により白色発
光LEDを創造することができる。
【0021】 殊に塩素の少ないヒドロキシル不含のエポキシドベース樹脂の使用により生じ
るもう一つの利点は、低い水分吸収性、明らかに低められたE-モジュール及び
殆ど変わらないガラス転移温度での低い熱膨張係数である。本発明によるエポキ
シド樹脂系を用いて発光素子を被包すると、これにより、被包が素子上に及ぼす
熱機械的応力は減少する。これに伴い、機械的に限定される素子崩解の危険も更
に低下され、全パッケージは更に安定化される。更に、流し込み封入のために使
用されるエポキシド樹脂系の低い塩素含分により、素子上での腐食可能な構造の
腐食が妨げられる。このためには、特に加水分解可能な塩素の低い含有率が決定
的である。比較可能な塩素含有樹脂系を用いる長時間露候試験で、電流負荷下で
の厳しい温度/水分条件下で、塩素イオン及び塩素含有種が放出され、これが半
導体素子のチップと流し込みコンパウンドとの間の境界面に濁りをもたらし得る
ことが明らかになった。これにより、発光素子の場合に光強度が低下する。更に
、加水分解経過は、塩素によるように、チップへの付着強度を、流し込みコンパ
ウンド-チップの境界面での表層剥離(これは光強度を更に減少させる)が起こ
るまで減少させることがある。本発明によるエポキシド樹脂系の水分安定性に関
して、ヒドロキシ不含のビスフェノール-A-エポキシド樹脂をベースとする流し
込み樹脂成形物は、水分吸収時に数℃のみのガラス転移温度の僅かな低下を示す
ことが判明し、これは慣用の流し込みコンパウンドの場合よりも明らかに僅かで
ある。
【0022】 本発明によるエポキシド樹脂系のもう一つの有利な成分は、殊にA-成分中の
遮光剤(Lichtschutzmittel)である。これはエネルギーの多い電磁放射線を吸収
し、無光線失活の後に再びエネルギーを放出する。例えばベンゾフェノタイプの
又はトリアジンをベースとするこのような遮光化合物は、熱可塑性プラスチック
用に既に公知である。本発明により添加されるこの吸収剤は、420nmを越え
る長波長光を吸収しないように選択されている。
【0023】 遮光剤による利用すべき放射線の吸収を僅かに保持するためには、A-成分中
のその濃度又は割合もできるだけ低く調節する。オプトエレクトロニック素子の
透明な被包のために使用されるエポキシド樹脂系中の放射線吸収剤の有利な濃度
は、0.2質量%より低い。
【0024】 次に、実施例及びそれに伴う図面につき本発明を詳述する。
【0025】 図面は、流し込み樹脂被包を有する自体公知のLEDの断面図である。
【0026】 5種の種々のA-成分が挙げられ、この際、実施例1及び2は、有利な基本組
成を示しており、これに、実施例3、4及び5中ではそれぞれ立体障害アミン又
は立体障害フェノールを添加する。5つの全ての実施例のために、同じB-成分
、しかも酸性エステルで変性された無水メチルヘキサヒドロフタル酸を使用する
。この酸性エステルは、硬化剤の1処方成分であり、ここで、二官能性無水物基
の50%までが1価又は多価のアルコールと反応して半エステルにされる。ヘキ
サヒドロフタル酸は、オプトエレクトロニック用途で有利に使用すべき基本無水
物(Basisanhydrid)である。
【0027】 実施例1〜5のエポキシド樹脂系を用いて成形体を製造し、硬化させ、これら
を、引き続きその熱機械的特性並びに耐候性について、かつ殊に水分吸収性につ
いて検査する。更に、このエポキシド樹脂系を用いて青色発光LEDを流し込み
封入する。LEDのこの老化安定性を長時間運転で放出光強度を用いて測定する
【0028】 一般にアミンからは、これがエポキシド樹脂成分のゲル化をもたらすので、通
常は貯蔵可能なエポキシド-A-成分中の処方成分としては使用されないことが想
定される。エポキシド樹脂中でのアミン安定剤の低い反応性は、主として、反応
性アミン官能基が立体的に嵩張った側鎖基により遮られることに基づく。アミン
-窒素原子に直接結合しているか又はそれに対してβ−位に存在する電子吸引性
基の目標選択により、このアミン-窒素の塩基度及びそれに伴う反応特性は更に
低められる。HALSで安定化されたエポキシド樹脂成分の反応特性に対するD
SC-検査(動的走査測熱法 :Dynamic Scanning Calorimetry)は、殊にこの樹
脂の80℃での時効化の後でも、貯蔵可能性を証明している。これは、30℃で
は意外にも6ヶ月より長い。
【0029】 360〜500nmの短波長の放射線下で、並びにエネルギーの多い放射線>
420nm(UV-B-フィルター)における急速老化試験で、エポキシド-無水
物-成形物中のHALS安定剤の作用効果がはっきり示された。
【0030】 図1は、ここでSMD-適性に構成されているLEDの概略構造を示している
。半導体素子1、即ちダイオード自体がリードフレーム4上に取り付けられてお
り、これと電気的に結合されている。有利に透明な流し込み樹脂2を有する熱可
塑性プラスチックから成っているプラスチックケーシング3、5は、SMD-パ
ッケージを形成し、このパッケージはまた不利な環境影響からこの素子を保護し
て、機能能力を耐用期間に渡って保証する。放射線の付加的集束が望ましい場合
には、この流し込み樹脂被包2の上に引き続きなお光学レンズを固定することが
できる。
【0031】 第1実施例 第1実施例のA-成分を得るために、質量%で記載の次の成分を相互に均質に
混合する: ビスフェノール A ジグリシジルエーテル (Ruetapox VE3748 - Fa. Bakelite) 98.98% 脱気剤(BYK A-506, Fa. BYK Chemie) 0.2% 付着助剤(Silane A-187, Fa. ABCR GmbH) 0.80% 光学明化剤(Masterbatch 09, CIBASCISIN) 0.016% 。
【0032】 前記のB-成分との反応の後に、125〜126℃のガラス転移温度を有する
成形物が得られる。6週間の冷水貯蔵の後に、水分吸収率は0.65質量%であ
り、この際、これに伴う124℃までのみのガラス転移温度の低下は、著しく僅
かである。E-モジュール(引張り、3K/分、1Hz)は、2660MPaであ
る。熱膨張率CTE(-50/+50℃)は、59.7ppm/Kである。23℃で
1週間後の低温吸水度は0.31%である。
【0033】 これらの既に非常に良好な熱機械的特性並びに高い耐水性は、この特異的ビス
フェノール-A-ジグリシジルエーテル製品(Ruetapox VE 8748) のヒドロキシル
基の僅かな含分に基因する。
【0034】 第2実施例 この第2実施例のA-成分は、エポキシド成分に関して第1実施例に比べて変
えられている。これは次の組成(質量%で記載)を有する: ビスフェノール A-ジグリシジルエーテル (Ruetapox VE3748 ) 78.98% エポキシノボラック樹脂(D. E. N.,DOW) 20.00% 脱気剤(BYK A-506, Entluefter,BYK Chemie) 0.2% 付着助剤(Silane A-187, ABCR GmbH) 0.80% 光学明化剤(Masterbatch 09, CIBASCININ) 0.016% 。
【0035】 実施例2によるこのA-成分を前記のB-成分と反応させる。相応する成形体か
ら、熱機械的特性を測定する。この流し込み樹脂成形物は、硬化条件に依存して
141℃までのガラス転移温度を示す。冷水中で6週間の貯蔵の後に、吸水度は
0.67%であり、この際、ガラス転移温度は僅かに4℃だけ137℃まで低下
する。E-モジュール(引張り、3K/分、1Hz)は2570MPaである。熱
膨張率CTE((-50/+50℃)は57.4ppm/Kが測定された。冷水中2
3℃で1週間の貯蔵後に、0.36%の低温吸水度が測定される。
【0036】 第3実施例 この実施例のためには、実施例1のA-成分に、立体障害N-オキシアルキルア
ミン(Tinuvin 123, CIBA Speciality) 0.2質量%を加える。殆ど変わらない
反応特性及び殆ど変わらないガラス転移温度を有する貯蔵可能なA-成分が成形
物中で得られる。これで流し込み封入された発光ダイオードで、エネルギーの多
い電磁放射線の作用後の改善された老化安定性を観察することができ、この光強
度の老化限定された低下は、実施例1の場合よりも著しく良好である。
【0037】 第4実施例 実施例2で使用されたA-成分に、Tinuvin 123(CIBA Speciality)0.1質量
%を加える。ここでも、殆ど変わらない反応特性を有する貯蔵可能なA-成分及
び成形物の殆ど変わらないガラス転移温度が得られる。これを用いて流し込み封
入されたLEDで、エネルギーの多い電磁放射線の作用の後に改善された耐老化
性を観察することができる。
【0038】 第5実施例 実施例2のA-成分に、Tinuvin 123(CIBA Speciality)0.2質量%を加え、
付加的に立体障害フェノール誘導体(Akcros Chemicals) 0.3%を加える。実
施例4におけるとほぼ同じ特性が測定され、付加的に老化安定性又は酸化敏感性
は更に低下されている。
【0039】 従って、本発明によるエポキシド樹脂系を用いて、電気素子又は電子素子、殊
に高い熱負荷、高い水分作用及び放射線負荷に曝されるような素子の流し込み封
入に最も好適である流し込み樹脂封入コンパウンドを提供することが明らかであ
る。これから製造される成形物は、高いガラス転移温度を有して製造することが
でき、公知の成形物に比べて、殊に光の下での改善された耐老化性を示す。高い
ガラス転移温度は、これを、殊にSMD法での加工に好適にする。それというの
も、これで被包された素子は蝋付け処理に損傷なく耐えるからである。
【0040】 記載の透明な成形物は、特にオプトエレクトロニック素子のために好適である
。高いTgに基づき、このエポキシド樹脂は、自動車分野の素子及びセンサーの
流し込み封入の際にも使用される。温度、水分及び放射線に関連する良好な耐候
性の故に、このエポキシド流し込みコンパウンドは、屋外用途分野でも好適であ
る。このHALS安定剤を有するエポキシド樹脂ベースのラッカー及び圧縮コン
パウンドも、同様に有利であり、HALS安定剤不含の相応する公知のコンパウ
ンドに比べて、前記の改善された耐放射線性及び耐候性を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 SMD-適性に構成されているLEDの概略構造を示す図。
【符号の説明】
1 半導体素子 2 透明な流し込み樹脂 4 リードフレーム 3、5 プラスチックケーシング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/31 H01L 23/30 R 33/00 (72)発明者 ヘルベルト ブルナー ドイツ連邦共和国 レーゲンスブルク ヴ ィンクラーガッセ 16 (72)発明者 クラウス ヘーン ドイツ連邦共和国 タウフキルヒェン パ ーター−ルパート−マイヤー−ヴェーク 5 Fターム(参考) 4J002 CD001 CD021 CD051 EN006 EU036 EW047 FD077 GQ00 GQ05 4M109 AA01 CA01 EA04 EB18 5F041 AA44 DA44 DA58

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1種のエポキシド樹脂を包含し、その中に放射線
    影響による成形物老化に対する安定剤として立体障害アミンを含有している、エ
    ポキシド樹脂系。
  2. 【請求項2】 エポキシドを含有するA-成分及び硬化剤としての無水物を
    含有するB-成分を包含し、ここで、A-成分は、グリシジルエーテル又はグリシ
    ジルエステルをベースとするエポキシド60質量%より多くを含有し、かつ放射
    線の影響による成形物老化に対する安定剤としてNH-基不含の立体障害アミン
    を含有している、請求項1に記載のエポキシド樹脂系。
  3. 【請求項3】 立体障害アミンは、一般的組成: (R1)(R2)N−R3 [式中、R1及びR2は相互に無関係に、アルキル、アリール又はアルキルアリ
    ールを表し、一緒になって2価の基を形成するか又はN-原子と一緒になってヘ
    テロ環を形成し、R3は、C-原子数1〜18を有するアルキル-又はアルコキシ
    基を表し、これは付加的になお、NHを除く1個又は2個の官能基を有していて
    よい]のアミノキシドアルキル化合物である、請求項1又は2に記載のエポキシ
    ド樹脂系。
  4. 【請求項4】 立体障害アミンを0.1〜5.0質量%の割合でA-成分中に
    含有している、請求項1から3までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系。
  5. 【請求項5】 B-成分は、脂環式又は芳香族ジ-又はテトラカルボン酸の無
    水物を主成分として、かつ相応して脂肪族アルコールを用いて得られる無水物の
    酸性エステルを副成分として包含している、請求項1から4までのいずれか1項
    に記載のエポキシド樹脂系。
  6. 【請求項6】 B-成分中に有機燐系酸化安定剤及び促進剤を含有している
    、請求項1から5までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系。
  7. 【請求項7】 他の安定剤として、立体障害フェノール誘導体をA-成分中
    に含有している、請求項1から6までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系
  8. 【請求項8】 A-成分は主成分としてジグリシジルエーテル、ジグリシジ
    ルエステル、脂環式エポキシド又はそれらの混合物を含有している、請求項1か
    ら7までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系。
  9. 【請求項9】 A-成分は主成分としてビスフェノールAのジグリシジルエ
    ーテルを、かつ副成分として多官能性エポキシノボラック樹脂を、合計して80
    質量%より多い割合で、慣用の他の添加剤と共に含有する、請求項1から8まで
    のいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系。
  10. 【請求項10】 請求項1から9までのいずれか1項に記載のエポキシド樹
    脂系の硬化により製造され、低くとも130℃のガラス転移温度を有する、エポ
    キシド樹脂成形物。
  11. 【請求項11】 請求項1から9までのいずれか1項に記載のエポキシド樹
    脂系で流し込み封入されたSMD素子。
  12. 【請求項12】 素子の放射線路内に配置され、放射線に対して透明な請求
    項1から9までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系からの被包を有するオ
    プトエレクトロニック素子。
  13. 【請求項13】 発光ダイオード-LEDとして構成されている、請求項1
    に記載の素子。
  14. 【請求項14】 500nmを下回る青色スペクトル領域内の放出波長を有
    する、請求項13に記載の素子。
  15. 【請求項15】 屋外用の自動車分野での、請求項10から14までのいず
    れか1項に記載の成形物又は素子の使用。
  16. 【請求項16】 白色光LED用の被包としての、請求項10から13まで
    のいずれか1項に記載の成形物又は素子の使用。
  17. 【請求項17】 露光及び露候安定なラッカー系の製造のための、請求項1
    から9までのいずれか1項に記載のエポキシド樹脂系の使用。
  18. 【請求項18】 無機填料で充填された放射線-及び露候安定な流し込み樹
    脂成形物又は圧縮成形物の製造のための、請求項1から9までのいずれか1項に
    記載のエポキシド樹脂系の使用。
JP2002500599A 2000-05-31 2001-05-16 老化安定なエポキシド樹脂系、これから製造される成形物及び素子及びそれらの使用 Pending JP2003535170A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10027206A DE10027206A1 (de) 2000-05-31 2000-05-31 Alterungsstabile Epoxidharzsysteme, daraus hergestellte Formstoffe und Bauelemente und deren Verwendung
DE10027206.1 2000-05-31
PCT/DE2001/001848 WO2001092396A1 (de) 2000-05-31 2001-05-16 Alterungsstabile epoxidharzsysteme, daraus hergestellte formstoffe und bauelemente und deren verwendung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003535170A true JP2003535170A (ja) 2003-11-25

Family

ID=7644358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002500599A Pending JP2003535170A (ja) 2000-05-31 2001-05-16 老化安定なエポキシド樹脂系、これから製造される成形物及び素子及びそれらの使用

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7183661B2 (ja)
EP (1) EP1287063B1 (ja)
JP (1) JP2003535170A (ja)
CN (2) CN1706886A (ja)
DE (2) DE10027206A1 (ja)
TW (1) TWI260331B (ja)
WO (1) WO2001092396A1 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6903171B2 (en) 1998-10-05 2005-06-07 Promerus, Llc Polymerized cycloolefins using transition metal catalyst and end products thereof
DE10213294B4 (de) * 2002-03-25 2015-05-13 Osram Gmbh Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
AU2006316667B2 (en) * 2005-11-22 2012-08-02 Huntsman Advanced Materials Licensing (Switzerland) Gmbh Weather-resistant epoxy resin system
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Led로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
EP2240968A1 (en) * 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
CN101735708B (zh) * 2010-01-12 2012-07-25 广州飞宇建材科技有限公司 一种抗老化环氧涂料及其制备方法与应用
WO2012058271A2 (en) 2010-10-27 2012-05-03 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
CN102947218B (zh) 2010-04-23 2016-05-11 皮瑟莱根特科技有限责任公司 纳米晶体的合成、盖帽和分散
DE102010054068A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Bauelement
US9359689B2 (en) 2011-10-26 2016-06-07 Pixelligent Technologies, Llc Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
DE102011056295B4 (de) * 2011-12-12 2022-02-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Epoxidharzsystem, Verwendung des Epoxidharzsystems, alterungsbeständiger Epoxidharzformstoff und Bauelement mit dem Epoxidharzformstoff
DE102012222475A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Osram Gmbh Leuchtdiode aufweisend mehrere leuchtstoffbereiche
US9631065B2 (en) * 2013-03-12 2017-04-25 Intel Corporation Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby
JP6727762B2 (ja) * 2014-05-30 2020-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
DE102014219652A1 (de) * 2014-09-29 2016-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Herstellen eines Schlickers und Bauteil aus dem Schlicker

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1467672A (en) 1974-04-11 1977-03-16 Ciba Geigy Ag Stabilised epoxy resin
DE3241767A1 (de) * 1982-11-11 1984-05-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Gefaerbte, transparente vergussmasse
US4764430A (en) 1986-03-07 1988-08-16 Ppg Industries, Inc. Crosslinkable compositions containing polyepoxides and polyacid curing agents
US5026751A (en) * 1986-03-17 1991-06-25 General Electric Company UV light stabilizer composition comprising cyclic aliphatic epoxy UV screener, and polyalkyldipiperidine (HALS) compounds
US4927868A (en) 1987-08-19 1990-05-22 Ppg Industries, Inc. High solids coating compositions containing a polyepoxide and a copolymer of an alpha-olefin and an olefinically unsaturated monoanhydride
US5112890A (en) * 1987-09-21 1992-05-12 Ciba-Geigy Corporation Stabilization of acid catalyzed thermoset resins
JPH02170820A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Yokohama Rubber Co Ltd:The エポキシ樹脂組成物
EP0400898A3 (en) * 1989-05-30 1993-01-07 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Heat resistant epoxy resin composition
US5213897A (en) * 1991-04-03 1993-05-25 Elf Atochem North America, Inc. Epoxy resins containing bound light stabilizing groups
US5616633A (en) * 1991-09-20 1997-04-01 Ciba-Geigy Corporation Liquid epoxy resin composition
GB9226500D0 (en) * 1992-12-19 1993-02-10 Ciba Geigy Ag Curable compositions
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19628409A1 (de) * 1996-07-15 1998-01-22 Hoechst Ag Amin-modifizierte Epoxidharz-Zusammensetzung
US6507049B1 (en) * 2000-09-01 2003-01-14 General Electric Company Encapsulants for solid state devices

Also Published As

Publication number Publication date
DE10027206A1 (de) 2001-12-13
DE50105626D1 (de) 2005-04-21
WO2001092396A1 (de) 2001-12-06
CN1706886A (zh) 2005-12-14
US20030144414A1 (en) 2003-07-31
TWI260331B (en) 2006-08-21
US7183661B2 (en) 2007-02-27
CN1432040A (zh) 2003-07-23
CN1216933C (zh) 2005-08-31
EP1287063B1 (de) 2005-03-16
EP1287063A1 (de) 2003-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003535170A (ja) 老化安定なエポキシド樹脂系、これから製造される成形物及び素子及びそれらの使用
JP2003309229A (ja) 光電子半導体デバイス
US8455899B2 (en) Resin composition, reflector for light-emitting semiconductor device, and light-emitting semiconductor unit
EP1285938B1 (en) Epoxy resin encapsulation compositions
US8012381B2 (en) White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case
US8173053B2 (en) White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case
JP4831992B2 (ja) 透光性樹脂組成物
US6878783B2 (en) Solid state device with encapsulant of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride, and boron catalyst
WO2002019440A1 (en) Encapsulants for solid state devices
US20070298268A1 (en) Encapsulated optoelectronic device
US20070299162A1 (en) Optoelectronic device
JP3153171B2 (ja) 光半導体装置および光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US20080001140A1 (en) Optoelectronic device
JP4433876B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP2003221490A (ja) 発光ダイオード封止用樹脂組成物
JP2011088947A (ja) エポキシ基含有接着剤樹脂組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP3017888B2 (ja) 半導体装置
JPH03201470A (ja) 光半導体装置
JP4079006B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP3969661B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止剤とする発光ダイオード
JP2003064243A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPS59141250A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08198953A (ja) 光半導体装置