JP2003309229A - 光電子半導体デバイス - Google Patents

光電子半導体デバイス

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JP2003309229A
JP2003309229A JP2003082641A JP2003082641A JP2003309229A JP 2003309229 A JP2003309229 A JP 2003309229A JP 2003082641 A JP2003082641 A JP 2003082641A JP 2003082641 A JP2003082641 A JP 2003082641A JP 2003309229 A JP2003309229 A JP 2003309229A
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light
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Klaus Hoehn
ヘーン クラウス
Dieter Meiss
マイス ディーター
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Osram GmbH
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＵＶ−安定剤の添加によりポリマーを放射線
による老化現象から保護する耐ＵＶ性ポリマーを有する
光電子半導体デバイスを提供すること 【解決手段】 波長≧４２０ｎｍで最大強度を示す波長
領域の電磁放射線を発する半導体ボディを備えた光電子
半導体デバイスであって、前記の半導体ボディが特にＵ
Ｖ−光安定剤も含有する注型用樹脂中に埋め込まれてい
る形式のものにおいて、このＵＶ−光安定剤は無機材料
であり、少なくとも３６０〜４００ｎｍの領域内の放射
線を良好に吸収し、かつできる限り非放射性に不活性化
されているだけであり、この場合に前記の安定剤は半導
体ボディの放射の≦４００ｎｍのＵＶ−成分を吸収する
ことを特徴とする、光電子半導体デバイス。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は請求項１の上位概念
に記載の光電子半導体デバイスに関する。本発明は、特
に、透明な反応性樹脂マトリックスをベースとする、特
にＵＶ−安定剤を有し、ＵＶ−放射線による老化に関し
て長い作動時間を達成しかつ従って特に発光ダイオード
の封入のために利用可能なエポキシ−注型用樹脂をベー
スとするＵＶ−安定性ポリマーを使用した発光ダイオー
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック／ポリマーは周囲環境、例
えば湿度、温度、放射線、化学薬品の影響により、又は
機械的負荷の影響によって老化することは公知である。
工業製品にプラスチックを使用する場合に電磁放射線の
作用により損傷する。電磁放射線には、特に＜５００ｎ
ｍの波長を示す太陽光スペクトル中の高エネルギーの放
射線成分が含まれる。この放射線の作用は、プラスチッ
クの光化学的分解を引き起こし、それにより屋外での使
用において及びオプトエレクトロニクス分野においてプ
ラスチックの寿命が短縮されてしまう。従って、金属用
にしばしばＵＶ−吸収体、例えば酸化チタン又は酸化亜
鉛を有するポリマー皮膜からなる保護層が使用されてい
る、ＷＯ９８／０６５７５参照。耐ＵＶ性プラスチック
用の他のＵＶ−吸収体は、例えばＣＮ１３０７０７２に
記載されている。
【０００３】発光ダイオード（ＬＥＤ）から発せられる
光は、半導体の境界層中での電子及び正孔の再結合によ
り生じ、この場合に再結合の際に放出されるエネルギー
が光として放射される。このＬＥＤ及び特に発光ダイオ
ード（Lumineszenzdiode）は頻繁に高純度の、無色透明
のかつ黄変安定性のエポキシ樹脂系／エポキシ注型用樹
脂によって封入される。このような封入された発光ダイ
オードは、例えばポリマーベースの光変換素子と共に、
ＳＣＷ（single-chip-white）−ＬＥＤとして（また発
光変換−ＬＥＤとも言われる）自動車工業において使用
される。ＵＶ発光及び青色発光する発光ダイオードは、
ＧａＮ−もしくはＩｎＧａＮ−ベースの半導体からな
り、この半導体は公知の蛍光体（例えば特にセリウムを
ドープした希土類Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｌｕ及びＴｂのガー
ネット）と関連させて、白色混色及び特定色の達成のた
めに使用できる。
【０００４】青色及びＳＣＷ−ＬＥＤの場合の波長変換
する注型用材料の現在達成されている寿命は、ＧａＮ−
ベース（さらにＡｌ及び／又はＩｎ、特にＩｎＧａＮ）
のより明るい発光半導体を用いる一般照明分野のための
ＳＣＷ−発光変換構想に使用するためには不十分であ
る。
【０００５】発光ダイオードを取り囲むプラスチックマ
トリックス／ポリマーマトリックス中での半導体が周囲
環境の影響により並びに半導体から発せされる短波長の
放射線により老化することは、発光する波長領域を変化
させ、それにより発光ダイオードの色をシフトさせ、放
射特性を変化させ、並びに発光する光の明るさを変化さ
せてしまう。
【０００６】この老化は、発光ダイオードの不十分な長
期作動時間を生じさせ、この使用を、特に一般照明分野
における使用を現段階で明らかに制限している。
【０００７】ＤＥ１９９６３８０６からはすでに光電子
半導体デバイスは公知である。詳細には、前記の刊行物
において、エポキシ樹脂系又は類似の材料、例えばエポ
キシ−ノボラックとの混合に基づく注型材料が記載され
ている。特に、この場合にはＵＶ光安定化する成分が２
質量％までの量で含有されている。この文脈において使
用された安定剤は、しかしながら今までもっぱら、例え
ばＤＥ１９５３５０６３及びＥＰ７９２９１０に詳細に
記載されたような有機材料だけである。これはもちろん
純粋なラジカル捕捉剤であり、このラジカル捕捉剤はそ
の課題を限定的に解決しているだけである。この安定剤
は、温度負荷、湿度負荷及び放射線負荷と組み合わされ
て生じる作動条件下では、十分な長期安定性ではない
か、もしくはマイグレーションによりその作用を失うか
又は化学的に変化してしまう。
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ９８／０６５７５
【特許文献２】ＣＮ１３０７０７２
【特許文献３】ＤＥ１９９６３８０６
【特許文献４】ＤＥ１９５３５０６３
【特許文献５】ＥＰ７９２９１０
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ＵＶ
−安定剤の添加によりポリマーを放射線による老化現象
から保護する耐ＵＶ性ポリマーを有する光電子半導体デ
バイスを提供することであった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題は、請求項１の
特徴部により解決される。特に有利な実施態様は、引用
形式請求項に記載されている。
【００１１】本発明による耐ＵＶ性ポリマーの場合に
は、１．４〜１．６５、特に１．５０〜１．６の屈折率
ｎを示す透明なポリマー中にＵＶ−安定剤が分散してい
る。発光するチップからのできる限り高い光の放射を達
成しかつそれによりチップから隣接するプラスチックへ
の移行時の光の損失を最小にするために、プラスチック
のできる限り高い屈折率が望ましい。
【００１２】本発明によるＵＶ−安定剤の使用は、短波
長の光線（４００ｎｍを下回る領域、特に３６０〜４０
０ｎｍが重要）を選択的に吸収し、この光は（少なくと
も十分に）熱エネルギーに変換されるため、プラスチッ
ク／ポリマー中での光化学的分解は明らかに減少する。
【００１３】この光化学的分解の減少は発光ダイオード
の寿命を明らかに延長し、耐ＵＶ性が改善された本発明
によるポリマー含有ダイオードの、一般照明分野、並び
に自動車分野及びディスプレー分野での使用を可能にす
る。
【００１４】この耐ＵＶ性ポリマーは、ＵＶ安定化する
顔料に基づき、この顔料をポリマー及び／又は変換蛍光
体及び／又は変換樹脂及び／又は透明樹脂に直接添加で
きるという利点を有する。この必要な方法工程は、多大
な費用をかけずに、現存の樹脂注型プロセス及び材料成
形プロセスに組み込むことができる。
【００１５】無機ＵＶ−安定剤の分散は、有機ＵＶ−安
定剤の場合のようにポリマー中の可溶性によって制限さ
れないことから、特別な利点が生じる。それにより、慣
用の製造法から逸脱するような層厚は必要とならない。
特に、耐ＵＶ性ポリマーは従って廉価に製造可能である
ことが有利である。
【００１６】本発明の場合に、ポリマー中に無機の熱安
定性及び加水分解安定性のＵＶ−安定化する顔料を分散
させる。本発明による粒度のＵＶ−安定化する顔料の注
型樹脂中での分散は、均一な分配の利点を提供し、本発
明によるＵＶ−安定剤はエレクトロニクスにおいて通常
の湿度−温度−電流の条件において分解安定性であり、
かつブリードしない。さらにこの分散樹脂は、デバイス
を外部からのＵＶ光、つまり太陽光での露光に対して、
並びに特に封入物内に配置された半導体から生じるＵＶ
−放射線に対して保護し、それにより発光ダイオードの
内部境界面の問題となる負荷を抑制するという利点を有
する。
【００１７】特に、安定剤として単にアルミン酸塩、特
にアルミン酸セリウム、並びに他のセリウムの化合物、
特に酸化物（ＣｅＯ２）が有利である。さらに、安定剤
として特に酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）が適しており、この場合にセリウム不含の化合物を
添加物（３０％まで）としてセリウム含有化合物に添加
することができる。特にペロブスカイト構造又はガーネ
ット構造を有するアルミン酸塩、特にＹＡＧ：Ｃｅが適
しており、これらは特に同様の構造の蛍光体と特に良好
に混合可能である。ＣｅＡｌＯ３及びＣｅ３Ａｌ５Ｏ
１２の他に、Ｂａ−Ｍｇ−アルミン酸塩、例えばＢａＭ
ｇＡｌ２Ｏ３又はＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７も適してい
る。Ｂａ−Ｍｇ−アルミン酸塩（ＢＡＭ）は特に、有利
にＥｕ及び／又はＭｎでドープされていてもよく、その
ため二次効果として吸収した放射線を消散させずに、長
波長の従って利用可能な放射線に変換する。それによ
り、半導体デバイスの効率をさらに向上させることがで
き、白色ＬＥＤの場合の耐変色性を改善することができ
る。特に、高いＥｕ−ドーパント含有量を有するＢＡＭ
が有利であり、これは他の文脈においてＷＯ９９／３４
３８９から公知である。
【００１８】他の有利な特性は、短波長の光線の選択的
な吸収から生じるため、一次光源の発光の所望な領域は
十分に妨げられることなくデバイスを通過することがで
きる。特にＵＶ−安定剤により吸収された放射線が熱エ
ネルギーに変換され、この熱エネルギーがデバイスを付
加的にわずかに加熱するのが有利である。特に、僅かな
固有色を有するだけでありかつ発光ダイオードの可視領
域内の発光スペクトルにあまり影響を及ぼさないような
ＵＶ−安定剤の使用は有利であり、この場合に、本発明
によるＵＶ−安定剤の使用の際に長波長への光変換は観
察されない。この場合に、特にアルミン酸は個々の樹脂
成分の貯蔵安定性を短縮せずかつ反応性樹脂の耐用時間
も短縮しない。さらに、ＵＶ−安定剤が加工の間に反応
性樹脂の化学反応挙動にほとんど影響しないのが有利で
ある。さらに、この解決策はポリマーの封入材料の吸湿
特性及びガラス転移温度に不利な影響を及ぼさないとい
う利点を有する。他の実施態様は、有害なＵＶ線を消散
させず変換するようなドープされた無機化合物（単独の
形で又はドープされていない化合物と組み合わせた形）
である。
【００１９】特に有利な実施態様の場合に、ＵＶ−安定
剤は粒度分布ｄ５０値＜５．０μｍ、特に≦４．５μｍ
を有し、他の有利な実施態様の場合に、ｄ１００値＜１
０．０μｍである。この粒度は、例えばアルミン酸セリ
ウムが堆積の問題を示さずかつ液状ポリマー溶融液の表
面に集積しないという利点を有する。光変換素子の例外
なく一定の厚さ及びその中に分散したＵＶ−安定剤の均
一な分布は、放射された光の均一な及び一様な色／波長
領域の達成のために特に有利である。
【００２０】ＵＶ−安定剤の小さな粒子直径の他の利点
は、それによりポリマーマトリックス中での添加剤の作
用を向上させる活性表面を高めることである。
【００２１】特に有利な実施態様は、チップが注型樹脂
中に埋め込まれており、この樹脂が相応する無機安定剤
を有している半導体デバイスである。特に、改善された
耐ＵＶ性を有する本発明によるポリマーからなる被覆を
半導体デバイスに設けるようにレイヤキャスティング法
（Schichtgussverfahren）で塗布するのが有利である。
それにより、半導体デバイスから発せられる放射線は、
すでに発光変換素子の内部で吸収されかつ発光変換素子
中での放射密度は減少し、これはデバイスの寿命にとっ
て有利に作用する。
【００２２】特に、本発明によるＵＶ−安定剤を熱によ
る黄変に対して安定性の透明なポリマー中に分散させる
ようにする。本発明の範囲内で透明なポリマーとは、層
厚１ｍｍのポリマー試料において４００〜４８０ｎｍの
範囲内で８５〜９２％の透過率を有するペースポリマー
である。本発明による範囲内で熱による黄変に対して安
定性であるのは、特に、色度図のシフトが２つの色度座
標ｘ、ｙの＜０．０１０を示すポリマーである。
【００２３】他の実施態様において、本発明によるＵＶ
−安定剤は他のエラストマー及び／又は熱可塑性もしく
は熱硬化性材料、特にエポキシ樹脂マトリックス又はア
クリレート樹脂（ＰＭＭＡ）又はシリコーン中に分散さ
せる。
【００２４】
【実施例】次に、本発明を複数の実施例を用いて詳細に
説明する。
【００２５】白色光のための光源の構造を図１に例示的
に示した。この光源は例えば４６０ｎｍのピーク発光波
長を示すＩｎＧａＮタイプのチップ１を備えた半導体デ
バイスであり、このチップは光透過性のベースケーシン
グ８内の凹設部９の範囲内に埋め込まれている。このチ
ップ１はボンドワイヤ１４を介して第１のコネクタ３と
接続しており、第２の電気コネクタ２と直接接続してい
る。この凹設部９は注型用材料５で充填されており、こ
の注型用材料５は主成分としてエポキシ注型用樹脂（約
７０〜８０質量％）及び蛍光体顔料６（約１０質量％）
を含有する。
【００２６】この注型用樹脂及び変換蛍光体の基本的組
成の例は、例えばＹＡＧ：Ｃｅであり、特にＷＯ９８／
１２７５７に記載されている。しかしながら変換蛍光体
は必須の構成要素ではない。変換蛍光体なしの注型用樹
脂の例は、ＤＥ１９９３６６０５に記載されている。
【００２７】実施例において、例えば光安定剤としてＣ
ｅＡｌＯ３ ５％を、全てのＬＥＤ−変換蛍光体の代表
としてＬＥＤ−変換蛍光体ＹＡＧ：Ｃｅに混入した。こ
のアルミン酸セリウムはこの場合にｄ５０値４．５μｍ
である。無機光安定顔料についての粒度として、ｄ５０
値＜５．０μｍ、ｄ１００値＜１０．０μｍが有利であ
る、それというのも樹脂マスターバッチ中で及びＡ：Ｂ
−注型用材料中での堆積の問題を最小にするためであ
る。さらに、このわずかな粒子直径及びそれにより高め
られた活性表面によって、樹脂マトリックス中の添加剤
の作用を向上させることができる。樹脂中で加工する前
に、相応する顔料又は顔料組合物は単独で又は蛍光体と
一緒に、温度＞２００℃で少なくとも１２時間乾燥させ
なければならない。
【００２８】ＬＥＤ−蛍光体、例えばＹＡＧ：Ｃｅ対無
機光安定剤の有利な割合は４：１〜１０：１であり、特
にこの相対的割合を次に記載する： ＬＥＤ−変換蛍光体： ８０質量％〜９６％ 無機光安定剤（例えばＣｅＡｌＯ３）： ３〜２０質量％ 本発明の安定化構想について代表してＣｅＡｌＯ３が挙
げられる、それというのもこの生成物は低コストで市場
に供給可能であり、理想的な３６０ｎｍ〜４００ｎｍの
ＵＶ線の吸収を示す所望の光学フィルター特性を有し、
かつ同時に＞４００ｎｍの波長の場合にでも良好な光透
過性を示すためである。具体的な実施例（安定化された
蛍光体タイプ１）は次のものである： ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体： ９５質量％ ＣｅＡｌＯ３： ５質量％ 特にＬＥＤ中の光変換素子用の相応する変換樹脂は、有
利に次の組成を有する： エポキシ注型用樹脂： ≧６０質量％ ＬＥＤ−蛍光体 ０〜４０質量％ 無機光安定剤： １〜１０質量％ アルコール： ０〜１０質量％、特に≧０．１％ 顔料表面改質剤： ０〜３質量％、特に≧０．１％ 脱泡剤： ０〜２質量％、特に≧０．１％ 離型剤： ０〜２質量％、特に≧０．１％ 定着剤： ０〜２質量％、特に≧０．１％ レベリング助剤： ０〜２質量％、特に≧０．１％ チキソトロピー剤： ０〜１０質量％、特に≧０．１％ 鉱物性拡散体： ０〜１０質量％、特に≧０．１％ 蛍光増白剤のマスターバッチ： ０〜１質量％、特に≧０．１％。
【００２９】この変換樹脂は、ＬＥＤ−色度座標に適合
させるために、直接又は下記のデバイス注型用の透明樹
脂と混合して使用した。
【００３０】光安定剤含有の変換蛍光体を用いて、変換
樹脂について次の実施例で製造した： ビスフェノール−Ａ− ジグリシジルエーテルエポキシ樹脂 ≦８０％、特に５０〜７５％ エポキシノボラックタイプのエポキシ樹脂 ≦２０％、特に５〜１８％ 反応性希釈剤としてのエポキシ樹脂 ≦１０％、特に３〜９％ 脱泡剤（BYK A 506,シリコーンタイプ） ≦１％、特に０．１〜０．８％ 離型剤（DF48, シリコーンタイプ） ≦１％、特に０．１〜０．８％ 定着剤（エポキシ官能化された アルコキシシラン、特にA187） ≦１％、特に０．１〜０．８％ 増白剤（エポキシ樹脂中の青色有機着色剤） ≦１％、特に０．１〜０．８％ 顔料表面改質剤 （ジエチレンモノメチルエーテル）： ≦１％、特に０．１〜０．８％ チキソトロピー剤（煙霧シリカ、Aerosil 200）≦３％（０．２〜２．５％） 蛍光体 L175 fine（ＹＡＧ：Ｃｅ、Osram） ≦１５％（３〜１２％） ＵＶ−安定剤（ＣｅＡｌＯ３） ≦５％、特に０．２〜１．５％ 。
【００３１】蛍光体なしで、無機光安定剤を有するエポ
キシ樹脂用の実施例は次のものである： エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂組合物 （グリシジルエーテルベース及び グリシジルエステルベース）： ７０〜９０質量％ アルコール： ≦１０質量％、特に２〜９％； ラジカル捕捉剤（HALS, 立体障害アミン）： ≦５質量％（０．１〜４％）； 酸化防止剤（立体障害フェノール、ｔ−ブタノール、 Ｐ−有機化合物、チオエーテルなど） ≦５質量％、（０．１〜４％）； 有機吸光剤： ≦１質量％（≦０．１％） （ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、トリアジンから誘導） 定着剤（A187）： ≦５質量％、（０．１〜４％）； レベリング助剤： ≦２質量％、（０．１〜１．５％）； 脱泡剤： ≦２質量％、（０．１〜１．５％）； 離型剤： ≦２質量％、（０．１〜１．５％）； チキソトロピー剤： ≦１０質量％（１〜５％）； 拡散体： ≦３０質量％（４〜２０％）； 無機光安定剤（例えばＣｅＡｌＯ３）： ≦１０質量％、（１〜６％）。
【００３２】エポキシ透明樹脂、エポキシ変換樹脂及び
これらの組み合わせは、オプトエレクトロニクスの調製
された、有利にヘキサヒドロフタル酸無水物及びメチル
ヘキサヒドロフタル酸無水物又はこれら２種の混合物を
ベースとする無水物硬化組成物、酸性のエステル変性
剤、Ｐ−有機酸化防止剤及びＺｎ−オクトエートを促進
剤として使用して熱処理することにより、ガラス転移温
度＞８０℃、有利に＞１２５℃を示す固体成形材料に変
換する。
【００３３】これにより製造された透明なエポキシプレ
ス材料の実施例は、Dexter Hysol,Nitto and Sumitomo
社の透明プレス材料を次のものと混合した： ａ） 無機光安定剤（例えばＣｅＡｌＯ３）： ≦２０
質量％、（１〜６％）。
【００３４】 ｂ） ＬＥＤ−変換蛍光体： ≧８０質量％、（８２〜９８％）。
【００３５】プラスチック、例えばシリコーン、アクリ
レート及び熱可塑性樹脂の混合物、例えばＡモデルから
のＬＥＤ−ケーシング（テレフタルアミド）の例は次の
ものである： ａ） 無機光安定剤（例えばＣｅＡｌＯ３）≦２０質量
％、（０．５〜７％）。
【００３６】 ｂ） ＬＥＤ−変換蛍光体： ≧８０質量％、（８５〜９９％）。
【００３７】次に、個々の樹脂成分についての例を詳細
に説明する： ａ） エポキシ樹脂、有利にエポキシ注型用樹脂：例え
ばジグリシジルエーテル及びジグリシジルエステルタイ
プのオキシラン官能基を有する単官能性、二官能性及び
多官能性の脂肪族及び芳香族樹脂、並びにこれらの混合
物、オキシラン官能基を有する環式脂肪族樹脂及び環状
エポキシ化合物。
【００３８】ｂ） ＬＥＤ−蛍光体：希土類ガーネット
タイプの全ての蛍光体（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌａ、Ｌｕ、Ｙ）
（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：（Ｃｅ、Ｅｕ、Ｎｄ、Ｅｒ、
Ｃｒ、Ｍｎ）、特にＴｂＡｌ ５Ｏ１２：Ｃｅ、希土類ド
ープしたガレート、チオガレート、シリケート並びに有
機蛍光体（例えばＤＥ−Ａ３８０４２９３参照）。
【００３９】ｃ） アルコール：単官能性、二官能性及
び多官能性脂肪族及び環式脂肪族アルコール並びにポリ
エーテル−及びポリエステルアルコール。
【００４０】ｄ） 顔料表面改質剤：α，ω−ＯＨ−官
能基を有する及び有していないグリコールエーテル誘導
体。
【００４１】ｅ） 脱泡剤：例えばBYK A506（BYK chem
ie社）、シリコーン、Ｆ−有機化合物。
【００４２】ｆ） 離型剤：シリコーン、Ｆ−有機化合
物、長鎖（＞Ｃ１６）カルボン酸塩、ワックス。
【００４３】ｇ） 定着剤：Ｃ−官能性アルコキシシラ
ン及びシラノール。
【００４４】ｈ） チキソトロピー剤：例えば、表面処
理したかまたは表面処理していないアエロジル（Aerosi
l 200 (Degussa)）、微分散シリカ、微分散Ａｌ
２Ｏ３、ＴｉＯ２など。
【００４５】ｉ） 分散体：ＣａＦ２、ＢａＳＯ４、Ｓ
ｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３など。
【００４６】ｊ） 蛍光増白剤：有機青色着色剤（例え
ばアントラキノンベース）及び相応する粒度の無機顔
料。
【００４７】ｋ） 着色剤：透明な着色されたプラスチ
ック用の、例えばアゾ−及びアントラキノン染料。
【００４８】プラスチックに対する他の安定化構想及び
上記の適用として、最大４００ｎｍまで、特に３６０〜
３９０ｎｍのＵＶ−領域において著しい光学吸光度を示
しかつ、吸収した放射線エネルギーをより長波長で放射
する無機蛍光体、例えば組成ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：
Ｅｕ２＋のユウロピウムドープした（Ｂａ，Ｍｇ）−ア
ルミン酸塩（場合によりわずかにＭｇ過剰量を有する）
が必要であり、この発光及び吸光を図２に示し（Ｅｕ割
合はカチオンに対して５〜３５％）、特にＢＡＭは付加
的にＭｎでドープされていてもよい。この蛍光体によっ
て、少量で（特に大量のドープの場合３０％まで）色度
座標はＬＥＤの場合にわずかにシフトし、並びにこの蛍
光体において他の吸光−発光作用が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】白色光用の光源として利用する半導体デバイス
の断面図
【図２】安定剤の発光スペクトル及び吸光スペクトルを
グラフで示す図
【符号の説明】
１ チップ、 ２，３ コネクタ、 ５ 注型用材料、
６ 蛍光体、 ８ベースケーシング、 ９ 凹設部、
１４ ボンドワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウス ヘーン ドイツ連邦共和国 タウフキルヒェン パ ーター−ルーペルト−マイアー−ヴェーク ５ (72)発明者 ディーター マイス ドイツ連邦共和国 アウグスブルク レン トゲンシュトラーセ 11 Ｆターム(参考） 4M109 BA04 EB12 EB18 EC12 EC15 EE13 GA01 5F041 AA44 CA12 CA34 DA44 DB03 FF11

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 波長≧４２０ｎｍで最大強度を示す波長
    領域の電磁放射線を発する半導体ボディを備えた光電子
    半導体デバイスであって、前記の半導体ボディが特にＵ
    Ｖ−光安定剤も含有する注型用樹脂中に埋め込まれてい
    る形式のものにおいて、このＵＶ−光安定剤は無機材料
    であり、少なくとも３６０〜４００ｎｍの領域内の放射
    線を良好に吸収し、かつできる限り非放射性に不活性化
    されているだけであり、この場合に前記の安定剤は半導
    体ボディの放射の≦４００ｎｍのＵＶ−成分を吸収する
    ことを特徴とする、光電子半導体デバイス。
  2. 【請求項２】 安定剤が、ペロブスカイト構造を有する
    アルミン酸塩のタイプの、特に発光性のドーパントを含
    有しないアルミン酸セリウムのタイプの顔料である、請
    求項１記載の光電子半導体デバイス。
  3. 【請求項３】 安定剤の割合が注型用樹脂に対して１〜
    ２０質量％である、請求項１記載の光電子半導体デバイ
    ス。
  4. 【請求項４】 注型用樹脂が他の成分として変換蛍光体
    を含有する、請求項１記載の光電子半導体デバイス。
  5. 【請求項５】 安定剤：変換蛍光体の割合が１：４〜
    １：３０である、請求項１記載の光電子半導体デバイ
    ス。
  6. 【請求項６】 唯一の成分として又は他の成分として、
    ドープされた安定剤が添加されており、この安定剤は３
    ６０〜４００ｎｍの領域内の放射線を吸収し、かつ４２
    ０〜８００ｎｍの領域内の長波長で再発光する、請求項
    １記載の光電子半導体デバイス。
  7. 【請求項７】 非ドープの安定剤とドープされた安定剤
    との割合が少なくとも３：１である、請求項１記載の光
    電子半導体デバイス。
  8. 【請求項８】 ドープされた安定剤としてＢＡＭ（Ｂａ
    −Ｍｇ−アルミン酸塩）タイプの顔料を使用する、請求
    項１記載の光電子半導体デバイス。
  9. 【請求項９】 耐ＵＶ性ポリマーは透明であり、ＰＭＭ
    Ａ、ポリカーボネート、光学ナイロン、オレフィンコポ
    リマー、シリコーン材料及びエポキシ含有プラスチック
    の材料のグループから選択されている、請求項１記載の
    光電子半導体デバイス。
  10. 【請求項１０】 エポキシ含有プラスチックがビスフェ
    ノール又はノボラックのタイプのエポキシ樹脂である、
    請求項９記載の光電子半導体デバイス。
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