JP2003533878A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板を例えば異方性エッチングするプラズマエッチング装置に関する。
チングするシリコン高レートエッチングプロセスが公知である。その際できるだ
け高いエッチングレートを実現するために、生成されたプラズマにおいてできる
だけ高いフッ素ラジカル濃度を用意することが必要である。このことは通例、高
い高周波電力に相応する、誘導プラズマ源への照射により行われる。この場合典
型的な電力値は3ないし6kWで、同時にプロセス圧力は30ないし100μb
arに高められており、ないし生成されるプラズマの必要な均質性がそれを許容
するとき、250μbarまで高められている。しかしこの形式のプロセスでは
、フッ素ラジカル密度の所望の増加の他に、不都合にもイオンの大きな密度が発
生する。これは本来のエッチングプロセスを妨害し、かつ十分に高いマスク選択
性に対して不都合である。同時にこれらイオンはエッチングすべきウェハを不都
合にも加熱しかつこのためにプロフィールにずれ(プロフィール偏差)が生じる
。それ故に一般にプラズマエッチング装置における適当な装置によって後から再
度、生成されたイオンの密度が許容の低い値に低減されかつとりわけ均質化され
るように考慮されなければならない。このために既に、いわゆる拡散区間を用い
たまたはアパーチャ構成におけるイオンおよび電子の再結合を、例えばDE19
734278A1の形式に従って可能にすることが既に提案されている。その際
プラズマに入力結合された、不都合に高いイオン密度を生成するために用いられ
た高周波成分は熱または放射の形で消失される。
にも拘わらず、実際には、エッチングすべき基板の縁領域において例えば、必ず
や更に、プロフィールの変位、プロフィールの非対称、エッチングレートの過度
の上昇または“Beaking”効果という概念でも知られておりかつ数多くの適用に
おいて許容することができない、規則的または不規則的なプロフィールの突起発
生等の乱れ(Profilhinterschneidung)が発生する。
2オーダだけ過度に高いイオン密度が例えば150または200mmの直径のエ
ッチングすべき基板の表面全体の上に所望の程度完全に均質に、その際エッチン
グすべき基板の表面におけるプラズマ電位の歪みが生じることなく行われなけれ
ばならないことである。プラズマ電位のこの形式の歪みによって局所的に過度に
高められたイオン密度および/または局所的に過度に高められたイオンエネルギ
ーのためのその場合そこに、冒頭に説明した有害な効果が生じることになる。
シリコンを高レートエッチングするためのプラズマ装置が既に提案されているが
、ここではプラズマ源は誘導式励磁コイルの平衡のとられた給電部を備えている
。入力結合される高周波電力のインピーダンスを生成されるプラズマのインピー
ダンスに整合させるための対称形に構成されている整合回路網を備えているこの
形式のプラズマエッチング装置および誘導式励磁コイルの同時に平衡をとってい
る給電のために、生成されるプラズマへの不都合な変位電流の入力結合は最小に
なり、ひいてはプラズマの歪みも最小になる。この形式の対称形のコイル給電は
とりわけ、3kWより大きい高電力値において有利である。
いる:第2のプラズマ生成装置として用いられる、反応室の上側の部分において
DE4241045C1号に記載のプロセスの場合、高い密度のエッチングおよ
びパッシベーション種を有する高密度プラズマを生成することができ、その際最
初に生成される第2のプラズマにおける過度に高いイオン密度および所望しない
プラズマ電位の乱れおよび不均質性は、これらイオンが、殊に同時に放電装置と
して用いられる第1のガス供給部を通過する際に少なくも大部分が電子と再結合
され、その結果供給される反応ガスのイオン密度が後置されている第1のプラズ
マ生成装置において実際に零であるないし無視できる程度であるようにすること
によって取り除かれる。従って同時に密度の不均質性および電位の不均質性も解
消される。
プロセスに対して実際に必要とされるイオン密度が、エッチングされるべき基板
が存在している第1のプラズマ生成装置において再び規定通り新たに生成される
ことは有利である。
より著しく小さな電力で作動され、その結果この比較的低い電力のお陰で、この
第1のプラズマ生成装置におけるイオン発生は均質にかつ乱れまたはプラズマ電
位歪みもなく行われる。従って全体として本発明のプラズマエッチング装置によ
って、まず、第2のプラズマ生成装置において発生するイオン密度が最初に零に
セットされ、かつこれがそれから、第1のプラズマ生成装置を用いてかつ零から
出発して、イオン密度が均質かつアクティブに再び、本来のエッチングプロセス
に対する所望の値に形成されることが実現される。
誘導結合式プラズマエッチング装置の改造ないし補充によって、高い投資を必要
とすることなく実現可能であることも有利である。
。
ラズマ源としてのICPコイルを備えている誘導結合式プラズマ生成装置であれ
ば特別有利である。
殊にアースされている放電装置を介して相互に接続されていると有利である。放
電装置は一方において第2のプラズマから到来するイオンおよび/または電子の
放電の作用をし、かつ他方において同時に、第1のプラズマ生成装置に対する第
1のガス供給部として用いられる。このためにこの放電装置ないしガス供給部は
有利には、金属性の孔空き板、薄織りの金属性のネット、金属性またはセラミッ
クの孔空き板、第1のプラズマ生成装置を第2のプラズマ生成装置に接続するガ
ス供給リングの形、または所謂シャワーヘッドの形のイオンフィルタとして実現
されている。これは反応容器内部においてほぼ半分の高さの所におかれており、
従って該容器を2つの、大体同じ大きさの空間に分割する。これら空間は第1の
プラズマ生成装置ないし第2のプラズマ生成装置に配属されている。そもそも放
電装置は金属またはセラミックの他に、別の誘電体材料から実現されていてもよ
い。
ラズマ生成装置に通すことができるガス通過面積を放電装置のない場合反応室に
存在している、プラズマ生成装置間の通過面積の0.01%ないし80%に低減
するのであれば特別有利である。
に前置されている第2のプラズマ生成装置において、後置されている第1のプラ
ズマ生成装置におけるよりも高いプロセス圧力を調整設定するためにも利用する
ことが出きる。その際このプロセス圧力差は簡単な手法で放電装置ないし第1の
ガス供給部の有効なガス通過面、従ってその流体抵抗を介して調整設定可能であ
る。第2のプラズマ生成装置におけるより高いプロセス圧力によって、そこにま
ず、そこに供給された第2の反応ガスから、より低い圧力で生じる場合よりも多
くのラジカルが生成される。というのは、パラメータ「プロセス圧力」を介して
反応ガスからラジカルおよびイオンが形成される際にラジカルの形成に役立つよ
うな平衡のずれが生じるからである。
2のプラズマに著しい不均質なイオン分布が生じることになるが、このことは障
害にならない。というのは、後続の放電装置によっていずれにせよ少なくとも近
似的にすべてのイオンが消滅するかないし再結合されるからである。そこで同時
に、後置されている第1のプラズマ生成装置において相対的に低いプロセス圧力
が形成されており、このために、そこではイオンは特別均質なイオン分布でもっ
て生成され、かつそこに生成される第1のプラズマとエッチングすべき基板との
相互作用が基板の表面全体にわたって特別均質なエッチング結果をもたらすとい
う付加的な利点を有している。
にそこには、ラジカルの形成に比べてイオン形成は増加されることになるが、こ
のことは次の理由により不都合でもないし、障害にもならない。つまり、エッチ
ングプロセスに対する所望のラジカルは、前置されている、高められたプロセス
圧力および高められた電力で作動される第2のプラズマ生成装置において第2の
反応ガスから著しく大きな程度において生成されるからである。
設定可能な、2つのプラズマ生成装置のそれぞれにおけるプロセス圧力差によっ
てその都度イオンおよびラジカル形成に関して最適な圧力条件下で行われる。更
に、第2から第1のプラズマ生成装置への圧力低減によって、生成されるラジカ
ルに対する質量流密度(ρv)、すなわち実現されるエッチングレートに対して
基準となるプロセス量は変化せずにとどまる。
られている放電装置によってまず、イオン化されかつラジカルが混入している、
第2のプラズマ生成装置から到来する反応ガスの通過の際のプラズマ壁相互作用
により少なくとも大幅な再結合が実現される。それからこのようにして放電され
た反応ガスが第1のプラズマ生成装置に第1の反応ガスとして供給され、かつそ
こで新たにイオン化される。これにより、放電装置の下方で直接、第1の反応ガ
スにはまだラジカルだけが含まれており、もはやイオンは含まれていないので、
そもそも生成されるイオン密度分布の不均質性もそこでは解消されている。しか
しこれによりその他に、2つのプラズマ生成装置間の規定の圧力差ないし圧力勾
配も調整設定である。
ラズマ生成装置における第1のプラズマに対するリファレンスアースも表してい
るので、そこで実施される電気的なプロセスに対する規定の参照電位が与えられ
ることになる。更にこの場合放電装置の場所で、最初に生成された第2のプラズ
マから派生するプラズマ電位不均質性も解消されかつ全面が規定の地電位によっ
て置換される。
Pコイルの高周波巣の交番磁界を第1のプラズマ生成装置によって遮蔽すること
ができ、従ってそれが反応室の下側の部分に侵入しないことである。これにより
、第2のIPCコイルに、そこに加わる高い電力に基づいて生じる、不均質性お
よびプラズマ障害効果の発生傾向が、反応室の下側の部分、すなわち第1のプラ
ズマ生成領域には入り込む可能性がなく、この領域では障害ができるだけないよ
うに作動されることが保証されている。
この下側の部分において、実施される異方性エッチングプロセスのために実際に
必要なイオン濃度を再び形成するという課題のみを有しており、このために殊に
、イオン生成のために有利なプロセス圧力下で僅かな電力で十分である。このよ
うにして、本発明のプラズマエッチング装置によって今や非常に有利にも、典型
的には3kWないし6kWの高い高周波電力および後置されている第1のプラズ
マ生成装置に対して著しく高められたプロセス圧力を有する第2のプラズマ生成
装置においてラジカルの形の反応ガス種を生成し、それからそれを第1のプラズ
マ生成領域に供給することが可能になる。この場合第1のプラズマ生成領域にお
いて第1のIPCコイルを用いて第1のプラズマが維持され、このプラズマは実
質的に、例えばDE4241045C1号の形式に従ってエッチングプロセスに
対して必要とされるイオン密度を保証するためにのみ用いられる、このためには
400Wないし1000Wの電力で完全に十分である。この関連において、2つ
のプラズマ生成装置間の圧力差が10μbarおよび250μbar間にあり、
殊に30μbarないし70μbarの間にあるのであれば特別有利である。
加熱可能であるようにすれば有利であることを指摘しておく。
めに有利には2つの実施例を選択できるようになっている。
と、それぞれのプラズマ生成装置を当該のプラズマのインピーダンスにインピー
ダンス整合するための所属の整合回路網とを有しているようにすることができる
。この場合第2のプラズマに対してとりわけ、例えば6kWの大きな電力領域を
有する高周波発生器が適しており、一方第1のプラズマに対して例えば1000
Wの電力領域を有する比較的小さな高周波発生器で十分である。生成されたプラ
ズマにおける強度変動を回避するために、これら2つの高周波発生器はそれから
更に有利には位相同期をとられて、共通の周波数、例えば13.56MHzにお
いて作動されるか、または択一的に、第2のICPコイルに対して例えば13.
56MHzおよび第1のICPコイルに対して12.56MHz、2MHzまた
は380kHzという2つの異なっている周波数を有する2つの別個の高周波発
生器が使用される。
回路網で作動させる形式は少なくはない費用関数を表しているので、別の択一的
な、特別有利な本発明の実施の形態によれば特別有利にも、第1のプラズマ生成
装置および第2のプラズマ生成装置を1つの共通の高周波発生器および1つの共
通の整合回路網を有する1つの共通の高周波モジュールによって作動させるよう
にしている。その際有利には、DE19900179C1号から既に公知の、対
称的に構成されている整合回路網および対称的に構成されているコイル給電部を
用いたプラズマエッチング装置におけるICPコイルの給電が利用されるが、こ
れは、今や存在している2つのICPコイルに基づいて、第2のICPコイルの
中間タップに対称的に配置されている2つのタップにおいて第1のICPコイル
が第2のICPコイルの部分に並列に接続されているように変形されなければな
らない。
ICPコイルに対する分路として作用し、すなわちそれが全体のコイル電流の多
かれ少なかれ大きな部分を担っていることが実現される。そこで殊に、第2のI
CPコイルにおける2つの対称的なタップの位置の規定の選択または移動調整に
よって簡単な方法で、第1のICPコイルを流れるコイル電流の成分、ひいては
コイル電流の分配およびこれに関連して生じる、第1ないし第2のプラズマに入
力結合される高周波電力の分配を定めることが可能である。
ら出発して、これが次のように変形される:今や2つのICPコイルが設けられ
ており、そのうちの1つは別のものの部分に並列に接続されているので、その結
果2つのコイルの配置はインダクタンスの直列−並列回路と見ることができ、各
インダクタンスで総インダクタンスLを形成している。その場合ICPコイルの
この接続形成で更に有利にも、唯一の整合回路網によるインピーダンス整合が可
能になり、その際入力結合される高い高周波電力は第2のICPコイルにおいて
反応室の上側の部分における高密度の第2のプラズマに整合され、かつ僅かしか
高周波電力によって作動されない下側の第1のICPコイルは追従的に作動して
いるにすぎない。その際殊に、この第1のICPコイルはそのインピーダンスに
関して同様にプラズマに対して申し分なく整合されている。というのは、これは
LC全体装置の部分として全体として共振同調されているからである。
質的に、中性のラジカルおよびまだ消費されていないプロセスガスないし反応ガ
スから成っている、第2のプラズマ生成装置からの反応ガスのコントロールされ
たイオン化が行われるようにするという課題だけを有しており、このために全体
として第2のICPコイルに供給される高周波電力の僅かな部分で十分である。
説明してきた手法において変形されている、DE19900179C1号から公
知のコイル給電に基づいて今や第2のICPコイルも対称的に作動されるので、
その場合には第1のプラズマ生成装置における反応ガスのイオン化も特別均質に
かつ障害なく、すなわち殊に変位電流が容量的に入力結合されることなく行われ
る。
ール偏差ないしエッチングレートの過度の高まりの一層の低減のために付加的に
、例えばDE19734278A1号から公知であるような所謂アパーチャが設
けられているようにしてもよいことを更に述べておく。更に、所定の用途に対し
ては、第1のプラズマ生成装置および/または第2のプラズマ生成装置における
プラズマ生成が付加的に磁界を用いて支援されるようにしても有利である。
のプラズマエッチング装置の基本構成を断面にて示している。図2は図1のプラ
ズマエッチング装置における2つのICPコイル14,15に給電するための共
通の整合回路網を示している。
以下に説明するように変形されるプラズマエッチング装置から出発している。
045C1号に詳細に説明されているような、シリコンに対する異方性プラズマ
エッチングプロセスが作動される。
は放電装置19′を用いてほぼ同じ大きさの2つの領域に分割されている。これ
ら領域は反応室13の下側の部分における第1のプラズマ生成装置21および反
応室13の上側の部分における第2のプラズマ生成装置20に割り当てられてい
る。反応室13は更に、第2のプラズマ生成領域17に対するガス供給部16お
よび第1のプラズマ生成領域18に対する第1のガス供給部19を有している。
第1のプラズマ生成装置21および第2のプラズマ生成装置20の間のガス通過
面積をこの個所で反応室13の横断面積の約0.01%ないし80%に低減する
。例えば第1のガス供給部19は同時に、放電装置19′としても、また第1お
よび第2のプラズマ生成装置20,21間の圧力差Δpを調整設定するための流
体抵抗としても用いられる。この電圧差は説明する例では10ないし100μb
ar、例えば50μbarである。
ラズマ生成装置20はそれぞれ配属されている第1のICPコイル14ないし配
属されている第2のICPコイル15を有している。この限りにおいて、2つの
プラズマ生成装置20,21の場合これは誘導結合されたプラズマ生成装置であ
って、つまり2つのICPコイル14,15を用いてそれぞれ、高周波交番電磁
界が生成され、これら磁界が第1のプラズマ生成領域18ないし第2のプラズマ
生成領域17において、供給された反応ガスから成る反応性粒子に対する作用に
よってそれぞれ、プラズマを点弧ないし駆動する。
り、その上にエッチングすべき基板11、例えばシリコンウェハが配置されてい
ることがわかる。基板電極10は更にリード12を介して図示されていない、そ
れ自体公知の高周波発生器に接続されている。これによって、基板電極電圧が基
板電極10に入力結合可能である。このようにして、第1のプラズマ生成領域1
8に存在しているないし生成されるイオンが基板11の方向に加速されることが
保証される。
に公知の、シリコンに対する異方性エッチングプロセスが、エッチングステップ
およびパッシベーションステップを交番的に実施することによって実現され、そ
の際エッチングステップの期間、フッ素を供給するガスから例えば硫黄ヘクサフ
ッ化物、フッ素ラジカルが形成され、かつパッシベーションステップの期間には
、テフロン(登録商標)形式の膜を形成するガスから例えばC4F8、重合能力
のあるラジカル、例えば(CF2)nが形成される。更にこのプロセスは通例、
エッチングステップにおいて硫黄ヘクサフッ化物における流れの10%ないし2
0%の酸素を付加して作動され、プラズマエッチング装置5の排気ガス領域に有
害な硫黄排出が抑圧されるようにしている。
テップの期間の、フッ素ラジカルのできるだけ高い密度並びにパッシベーション
ステップの期間の、テフロン形式の膜を形成するラジカルのできるだけ高い密度
を発生するために、更に、第2のプラズマ生成装置20ないし第2のICPコイ
ル15を介して3kWないし7kWのできるだけ高いプラズマ電力が30μba
rないし250μbar、有利には40μbarないし100μbarの高めら
れたプロセス圧力下で、そこに生成されるプラズマ中に入力結合される。
400Wないし1000Wという著しく僅かな入力結合される高周波電力および
第2のICPコイル15より、Δpだけ低いプロセス圧力で作動される。例えば
第1のプラズマ生成装置におけるプロセス圧力は5μbarないし30μbar
、有利には10μbarである。
コイル15も相応の接続線路を介して、共通の高周波発生器および共通の整合回
路網25を備えている図示されていない共通の高周波モジュールに接続されてい
る。
に図1の第1のICPコイル14および第2のICPコイル15が平面にて示さ
れている。例えば、図1の反応室13がシリンダ形状に実現されており、第1の
ICPコイル14および第2のICPコイル15がこの反応室13の領域を取り
囲んでいることを述べておく。
で、50Ωのインピーダンスを有する非対称の同軸線路を介して図示されていな
い共通の高周波発生器からそれ自体公知の方法で13.56MHzの周波数を有
する3kWないし7kWの高周波電力が共通の整合回路網25に入力結合可能で
ある。更に、この第1の給電点33は第2の給電点34に接続されている。遅延
線路35によって、DE19900179C1号から公知の手法で、第1の給電
点33に入力結合される高周波電力の、第2の給電点34に対するλ/2の位相
のずれが保証される。
つ絶対値が少なくとも近似的に同じ振幅を持った、位相が相互に180°ずれて
いる高周波の交流電圧が現れる。給電点33,34間のインピーダンスは200
Ωである。
給電点33,34間の200Ωのインピーダンスの、第1のプラズマ生成領域1
8ないし第2のプラズマ生成領域17におけるプラズマのインピーダンスに対す
る整合を保証することができる。第2のプラズマ生成領域17に入力結合される
高い高周波電力に基づいて、このインピーダンス整合は第2のプラズマ生成領域
17に対して例えば重要である。
7に入力結合された高周波電力は第2のICPコイル15に入力結合される。こ
のコイルは有利には中間タップ32を備えておりかつそれを介してアースされて
いる。その他、第2のICPコイル15が第1のタップ30および第2のタップ
31を有しているようになっている。これらは中間タップ32に関して対称に配
置されている。この第1のタップ30ないし第2のタップ31を介して第2のI
CPコイル15が第1のICPコイル14に接続されている。従って第1のコイ
ルは、2つのタップ30,31の間に存在している、第2のICPコイル15の
部分に対して並列に接続されている。
の詳細に関しては、DE19900179C1号を参照するといい。ここにはこ
の回路が詳細に説明されている。
コイル15の部分に対する分路において作動され、その際同時に、2つのコイル
14,15に対する対称的でかつ平衡のとれた給電、しも簡単に調整することが
できる給電が保証されていることを述べておく。
整合回路網の回路略図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 プラズマの作用により基板(11)に対して例えば異方性エ
ッチングするためのプラズマエッチング装置であって、 第1のプラズマ生成装置(21)を備え、該第1のプラズマ生成装置は 第1の高周波交番電磁場を形成するための第1の手段(14)と、第1の高周波
交番電磁場を第1の反応ガスに作用させることによって反応性粒子から第1のプ
ラズマを生成するための第1のプラズマ生成領域(18)と、第1のガス供給部
(19)とを有しており、ここで前記エッチングすべき基板(11)は該第1の
プラズマ生成装置(21)に配置されている 形式のものにおいて、 該第1のプラズマ生成装置(21)に第2のプラズマ生成装置(20)が前置さ
れており、該第2のプラズマ生成装置は 第2の高周波交番電磁場を形成するための第2の手段(15)と、第2の高周波
交番電磁場を第2の反応ガスに作用させることによって反応性粒子から第のプラ
ズマを生成するための第2のプラズマ生成領域(17)と、第2のガス供給部(
16)とを有しており、ここで該第2のプラズマは前記第1のプラズマ生成装置
(21)に前記第1のガス供給部(19)を介して少なくとも部分的に第1の反
応ガスとして供給可能である ことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項2】 前記第1のプラズマ生成装置(21)は、第1の手段として
、第1の高周波モジュールに接続されている少なくとも1つの第1のICPコイ
ル(14)を有している誘導結合プラズマ生成装置(21)である 請求項1記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項3】 前記第1のプラズマ生成装置(21)は、リード(12)を
介して高周波電圧源に接続されている基板電極(10)を有しており、該電極に
よって第1のプラズマに含まれているイオンが前記基板(11)に向かって加速
可能である 請求項1または2記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項4】 前記第2のプラズマ生成装置(20)は、第2の手段として
、第2の高周波モジュールに接続されている少なくとも1つの第2のICPコイ
ル(15)を有している誘導結合プラズマ生成装置(20)である 請求項1記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項5】 前記第1のプラズマ生成装置(21)および第2のプラズマ
生成装置(20)は、ガスを通す、例えばアースされている放電装置(19′)
を介して相互に接続されており、該放電装置は第2のプラズマからイオンおよび
/または電子の少なくとも部分的に放電作用をし、かつ例えば同時に第1のガス
供給部(19)として用いられる 請求項1から4までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項6】 前記放電装置(19′)は金属性またはセラミックな孔空き
板、金属性またはセラミックなネット、シャワーヘッドまたはガス供給リングで
ある 請求項5記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項7】 前記第1および第2のプラズマ生成装置(20,21)は1
つの共通の反応室(13)に前後に配置されかつガスを通す放電装置(19′)
によって相互に分離されていて、前記第1のプラズマ生成装置(21)に供給さ
れる第1の反応ガスが少なくとも近似的に完全に前記放電装置(19′)を通り
抜けるようにされている 請求項1から6までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項8】 前記ガスを通す放電装置(19′)は反応室(13)に配置
されていて、該放電装置が第2のプラズマ生成装置(20)から第1のプラズマ
生成装置(21)へのガスに対するガス通過面積を、反応室(13)に放電装置
なしに存在している、前記両プラズマ生成装置(20,21)間の通過面積の0
.01%ないし80%に低減するようにしている 請求項1から7までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項9】 前記放電装置(19′)は加熱可能である 請求項1から8までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。
- 【請求項10】 第1の高周波モジュールは、第1のプラズマ生成装置(2
1)を第1のプラズマのインピーダンスにインピーダンス整合するための第1の
整合回路網を備えている第1の高周波発生器である 請求項1から9までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項11】 第1の高周波モジュールによって、50Wないし2000
W、例えば400Wないし1000Wの電力が第1のプラズマに入力結合可能で
ある 請求項1から10までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項12】 第2の高周波モジュールは、第1のプラズマ生成装置(2
0)を第2のプラズマのインピーダンスにインピーダンス整合するための第2の
整合回路網を備えている第2の高周波発生器である 請求項1から11までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項13】 第2の高周波モジュールによって、3000Wないし70
000Wの電力が第2のプラズマに入力結合可能である 請求項1から12までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項14】 第1および第2の高周波モジュールは、同じ周波数、例え
ば13.56MHzにおいて位相同期して作動され、または 第1の高周波モジュールおよび第2の高周波モジュールは、著しく異なった周波
数、例えば第1の高周波モジュールに対して12.56MHz,2MHzまたは
380kHzおよび第2の高周波モジュールに対して13.56MHzにおいて
作動される 請求項1から13までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項15】 第1のプラズマ生成装置(21)および第2のプラズマ生
成装置(20)は、共通の高周波発生器および共通の整合回路網(25)を備え
た共通の高周波モジュールを有しており、ここで第1のタップ(30)を介して
第2のICPコイル(15)に接続されている第1のICPコイル(14)およ
び第2のタップ(31)を介して第2のICPコイル(15)に接続されている
第1のICPコイル(14)は第2のICPコイル(15)の部分に電気的に並
列に接続されている 請求項1から14までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項16】 第2のICPコイル(15)におけるタップ(30,31
)の位置を介して、第1のICPコイル(14)を流れかつ第2のICPコイル
(15)の前記これと並列である部分を介して流れる電流、更には第1のプラズ
マおよび第2のプラズマにその都度入力結合される電力の調整設定を行うことが
できる 請求項15記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項17】 共通の整合回路網(25)は対称的に構成されたコイル給
電部を備えた対称的に構成された整合回路網であり、かつ 第2のICPコイル(15)はアースされている中間タップ(32)を有してお
り、該中間タップに関して前記第1および第2のタップ(30,21)が対称に
配置されている 請求項15または16記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項18】 第2のプラズマ生成装置(20)における圧力は第1のプ
ラズマ生成装置(21)における圧力より高く、ここで圧力差は例えば10μb
arないし250μbarである 請求項1から17までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項19】 第2のプラズマ生成装置における圧力は30μbarと2
50μbarとの間にありかつ第1のプラズマ生成装置(21)における圧力は
5μbarと30μbarとの間にある 請求項1から18までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。 - 【請求項20】 第1のガス供給部(19)および/または放電装置(19
′)並びに第2のガス供給部(16)を介して、第1のプラズマ生成装置(21
)および第2のプラズマ生成装置(20)の間の圧力差が調整設定可能である 請求項1から19までのいずれか1項記載のプラズマエッチング装置。
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