JP2003532033A5

JP2003532033A5 -

Info

Publication number: JP2003532033A5
Application number: JP2001578870A
Authority: JP
Filing date: 2001-04-09
Publication date: 2006-06-01

Claims

加圧ガスを保持するための内部容積を画定するガス貯蔵送出容器と、
出口ポートを含む該容器の上端部にあるネックと、
該出口ポートに連通して取り付けられたバルブと、
該ネック及び該バルブの下方に配され、該容器から放出されるガスを所定の圧力に維持するように配置された、該内部容積の中にある第一ガス圧調整装置と、
該内部容積の中に配され、該第一ガス圧調整装置と直列関係でかつこの下方に接合された、第二ガス圧調整装置と、
を備える流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置の出口と前記出口ポートとの間に接続された微粒子フィルタを備える、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第二ガス圧調整装置は、ガスレギュレータである、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置と前記出口ポートとの間に接続された第一ガスフィルタと、入口が前記第二ガス圧調整装置に接続された第二ガスフィルタとを備える、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置は、高圧ガス用の安全閉込め部材として機能できる、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記圧力調整装置は、前記出口ポートにて所定レベルを下回る外圧が感知されるまで、前記容器からのガス流出を防ぐように、通常、閉じているバルブを備える、請求項５に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置と前記第二ガス圧調整装置は、それぞれ、高圧ガス用の安全閉込め部材として機能できる、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置と前記第二ガス圧調整装置は、それぞれ、前記調整装置の入口端部にて第一動圧を提供できるとともに、前記調整装置の出口端部にて第二動圧を提供でき、該第一動圧は該第二動圧よりも高い、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置は第一圧力設定値を有し、前記第二ガス圧調整装置は第二圧力設定値を有し、該第二圧力設定値は該第一圧力設定値よりも高い、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
前記第一ガス圧調整装置は、１００トル〜５０psigの範囲の第一圧力設定値を有する、請求項１に記載の流体貯蔵送出システム。
加圧流体を保持するための内部容積を画定し、出口ポートを有する流体貯蔵送出容器と、
該ポートと連通して該容器の内部容積の中に取り付けられたバルブと
を備える半導体製造流体貯蔵送出装置であって、
該バルブが該容器の外から準大気圧のガスを受けるまで、該容器から該ポートを通って流体が放出されるのを防ぐために、該バルブは閉じた状態に保持され、かつ、準大気圧のガスを受けるとこれに応じて該バルブは開くものであり、該準大気圧のガス圧は所定の値以下であり、
該バルブは、該バルブに送出されるガスの圧力を調整するために、該内部容積の中に取り付けられるとともに、該バルブに接続された、ガス圧調整装置を備えることを特徴とする、半導体製造流体貯蔵送出装置。
前記バルブと連結されてガス流を連通させるガス送出アセンブリをさらに備える、請求項１又は１１に記載のシステム。
前記ガス送出アセンブリは、ガスを前記容器から放出するために、ガスを前記容器の内部容積から、前記バルブ、バルブヘッド及びガス送出アセンブリを通じて流動させるように選択的に作動可能である、請求項１２記載のシステム。
前記ガス送出アセンブリは、バルブアクチュエータを作動的に連結している流量制御バルブと、前記容器内の流体からガス流を調節して放出するために、該バルブの調節を開始させるように該バルブアクチュエータを作動する自動コントローラとを備える、請求項１２に記載のシステム。
前記第二ガス圧調整装置は、前記第一ガス圧調整装置の圧力設定値の少なくとも二倍の圧力設定値を有する、請求項１に記載のシステム。
前記第二ガス圧調整装置は、前記第一ガス圧調整装置と垂直に同軸上に整合されている、請求項１に記載のシステム。
前記第二ガス圧調整装置は、その入口端部にて微粒子フィルタに接合されている、請求項１に記載のシステム。
前記容器の内部容積に格納された、水素化物ガス類、ハロゲン化物ガス類及び気相有機金属ガス類からなる群から選択されるガスをさらに含む、請求項１ないし１７のいずれかに記載のシステム又は装置。
前記容器の内部容積に格納された、アルシン、ホスフィン、スチビン、シラン、ジボラン、フッ化水素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、塩化水素、ハロゲン化シラン及びジシランからなる群から選択されるガスをさらに含む、請求項１ないし１８のいずれかに記載のシステム又は装置。
前記容器の内部容積に格納された、アルシン、三塩化ホウ素及び三フッ化ホウ素からなる群から選択されるガスをさらに含む、請求項１ないし１７のいずれかに記載のシステム又は装置。
前記容器に貯蔵された流体は、イオン注入室、化学蒸着装置、リソトラック装置、バブラー、液体送出装置、及び洗浄装置からなる群から選択される半導体製造装置に導かれる、請求項１ないし１７のいずれかに記載のシステム又は装置。