JP2003531269A - パターン化された機能性ナノストラクチャーのプロトタイピング - Google Patents

パターン化された機能性ナノストラクチャーのプロトタイピング

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サイエンス アンド テクノロジー コーポレーション @ ユーエヌエム
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Abstract

(57)【要約】 本発明は、コーティング組成物を提供する。このコーティング組成物は、TEOS;界面活性剤;少なくとも1つの有機シラン;HCl;水;およびエタノールを含む。本発明はまた、このようなコーティング組成物から作成されたフィルム、およびこのようなフィルムの作成方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 関連出願 本出願は、以下の同時係属中の米国特許出願を参照する:2000年4月21
日に出願された米国仮出願第60/198,756号:発明の名称「パターン化された有機
/無機機能性ナノストラクチャーの迅速なプロトタイピング」。上記出願の全体
の開示および内容は、本明細書に参考として援用される。
【0002】 発明の属する技術分野 本発明は、一般的に、パターン化されたナノストラクチャー、およびより詳細
には、パターン化された機能性ナノストラクチャーに関する。
【0003】 従来の技術 珪藻類および放散虫類のような海洋生物は、シリカまたは炭酸カルシウムに保
存されて、複雑に構成された建造物の多くの例を提供する。このような天然のマ
イクロストラクチャーは、バイオミネラリゼーションという、予め構成された有
機表面が無機結晶の核形成、成長、形態、および配向を調節するテンプレート化
された自己アセンブリプロセスによって形成される。現在まで、バイオミネラリ
ゼーションの局面を模倣する種々の合成経路が、パターン化されたセラミック材
料を調製するために探究されている。
【0004】 階層材料アセンブリ方策が開発されており、これは、マイクロ接触プリンティ
ング(μCP)によって調製された疎水性パターン上の溶液経路中で界面活性剤
でテンプレート化した中孔性シリカを成長させる。この技法によって形成された
フィルムは、通常、非連続的であり、そして球状の形態を有する。さらに、μC
Pを用いてナノストラクチャーを形成するためには日数がかかる。配向した中孔
性シリカパターンは、キャピラリー(MIMIC)技法でマイクロ成形を用いて
作成され得る。しかし、電場下でこのような規則構造を形成するためには時間が
必要である。
【0005】 種々のパターン化されたセラミック材料の調製は進歩しているが、現在の合成
方法は、ナノテクノロジーの立場からいくつかの特有の欠点がある。第1に、ほ
とんどのテンプレート化手順が、しばしば熱水加工条件を用いる、時間のかかる
バッチ操作で行われる。第2に、得られる生成物は、代表的には、形状のはっき
りしない粉末であり、これは薄膜技術において一般的な使用から排除される。第
3に、現在までに開発された手順は、しばしば孔パターンの形成に制限される。
【0006】 多くの想像されたナノテクノロジーについて、2以上の異なる材料の周期的な
配置からなるパターン化されたナノコンポジットを創製することが所望される。
現存する技術には、上記の要求を満たすための手段を提供するものはない。
【0007】 ソフトリソグラフィーアプローチは、複数レベルの構造規則性を有する酸化物
を創製するために、界面活性剤および微粒子テンプレート化手順と組み合わされ
ている。しかし、このように形成された材料は、主として特定の機能性を有さな
い酸化物に限定されているが、階層材料の想像された適用の多くについては、い
くつかの長さスケールで形態および機能を定義することが必要である。さらに、
このように用いられるパターン化方策は、完了に数時間または数日を必要とする
【0008】 遅い加工は、本来、商業的環境で行うことが困難であるため、このような長い
加工時間は、ナノテクノロジーをさらに発展させるためにあまり有用ではない。
したがって、数秒で基板上に階層構成された構造を形成することが可能である迅
速な方法が、熱望されている。
【0009】 発明の要旨 したがって、本発明の目的は、階層構成された構造を基板上に数秒で形成する
ことである。
【0010】 本発明のさらなる目的は、パターン化されたナノコンポジットを形成すること
であり、これはナノテクノロジーでの使用に適切な材料を提供する。
【0011】 本発明のさらなる目的は、複数の長さスケールで構造規則性および機能の複数
のレベルを示すナノコンポジット材料を形成することである。
【0012】 本発明のさらに他の目的は、均一な中孔性薄膜を形成することである。
【0013】 本発明のさらに他の目的は、基板上に高配向微粒子中間相を形成する手段を提
供することである。
【0014】 本発明のさらに他の目的は、複数の長さスケール、すなわち、マイクロ、メソ
、およびマクロ視的なスケールで、およびデバイス組み立てのための複数の位置
で、材料の構造および機能を適合させるためのアプローチを提供することである
【0015】 第1の広い局面によれば、本発明は、TEOS;界面活性剤;少なくとも1つ
の有機シラン;HCl;水;およびエタノールを含むコーティング組成物を提供
する。
【0016】 本発明の第2の局面によれば、フィルムを形成するための方法が提供され、こ
の方法は、TEOS、界面活性剤、少なくとも1つの有機シラン、HCl、水、
およびエタノールを含む少なくとも1つのコーティング組成物を提供する工程;
このコーティング組成物を基板上に塗布してこの基板上にコーティングを形成す
る工程;およびこのコーティングを乾燥させてパターン化されたシルセスキオキ
サンフィルムを形成する工程;を含む。
【0017】 本発明の他の目的および特徴は、以下に記載の発明の実施の形態から明らかで
ある。
【0018】 本発明は、添付の図面と合わせて説明される。
【0019】 好適な実施態様の詳細な説明 本発明を説明する前にいくつかの用語を定義することが好都合である。以下の
定義が本出願全体を通して使用されることが理解されるべきである。
【0020】 定義 用語の定義が通常用いられる用語の意味を逸脱する場合、特に記載がなければ
、出願人は、以下に提供する定義を利用することを意図する。
【0021】 本発明においては、用語「有機添加剤」とは、機能的な分子、ポリマー、また
は生体分子をいう。
【0022】 本発明においては、用語「染料」とは、蛍光色を示す分子を含む任意の染料を
いう。
【0023】 本発明においては、用語「有機シラン」とは、一般式R'Si(OR)を有す
る任意の化合物をいい、ここでR'は、非加水分解性有機機能性リガンドである
。用語「有機シラン」が本発明のコーティング組成物について使用される場合、
用語「有機シラン」とは、TEOS以外の有機シランをいう。
【0024】 本発明において、用語「アミノ有機シラン」とは、アミノを含む非加水分解性
有機機能性リガンドを有する有機シランをいう。
【0025】 本発明において、用語「ナノテクノロジー」とは、ナノストラクチャーを用い
る技術であることをいう。
【0026】 本発明において、用語「ナノストラクチャー」とは、1〜1000nmの範囲
の構造をいう。これらの構造は、人が作成した最小のデバイスおよび生体系の大
きな分子の合流点にある。
【0027】 本発明において、用語「ナノスケール科学および工学」とは、サイズにおいて
単離された原子および分子とバルク材料との中間にあるシステムの、新しい物理
的、化学的、および生物学的特性の開発から生じる基本的な理解およびその結果
により生じる技術進歩をいい、2つの限界の過渡的な特性は制御され得る。
【0028】 本発明において、用語「蒸発誘導した自己アセンブリ」とは、蒸発によって誘
導される非共有相互作用による材料の同時構成をいう。
【0029】 本発明において、用語「ナノコンポジット材料」とは、異なる材料が、混合さ
れるか、あるいは物理的または化学的相互作用によって一緒に結合されるナノス
ケールのコンポジット材料をいう。
【0030】 本発明において、用語「パターン」とは、フィルムのような材料の物質構成の
プロトタイプまたは構造をいう。この構成は、原子レベル、分子レベル、または
巨大分子レベルであり得る。
【0031】 本発明において、用語「中間相」とは、水中でミセルまたは液晶相を形成し得
る界面活性剤分子またはブロックコポリマーをいう。これらの液晶相としては、
ラメラ構造、六方構造、立方構造が挙げられる。これらの構造の長さスケールは
、1nm〜50nmの範囲である。これらの液晶相もまた、中間相という。
【0032】 本発明において、用語「薄膜」とは、厚さ50nm〜1μmを有するフィルム
をいう。
【0033】 本発明において、用語「中孔性」とは、1nm〜50nmのサイズ範囲の孔を
有する孔性材料をいう。
【0034】 本発明において、用語「ゾル−ゲルディップコーティング」とは、薄膜を調製
する方法をいい、シリカ基板を浸漬するために使用した溶液からの溶媒の蒸発の
結果として、フィルムがシリカ基板の表面上に形成される。
【0035】 本発明において、用語「三次元ネットワーク」とは、物質がx、y、z空間を
構成する構造をいう。
【0036】 本発明において、用語「物質」とは、原子、分子、および巨大分子をいう。
【0037】 本発明において、用語「接近しやすい」とは、フィルムの底面に垂直な方向に
構成された孔の配向をいい、そのため、フィルムの表面に塗布された新たな反応
物はこれらの孔に入り得る。
【0038】 本発明において、用語「特徴がない」とは、粗い表面および不均質性がないフ
ィルムをいい、言い換えれば平滑および均質であるフィルムをいう。
【0039】 本発明において、用語「コンホメーション」とは、ゾル−ゲルディップコーテ
ィング、マイクロペンリソグラフィー、およびインクジェットプリンティングの
ような蒸発誘導された自己アセンブリに基づく加工によって作成された薄膜また
はナノコンポジットに存在する種々のパターンをいう。加工が進行するにつれて
、パターンは、ミセル→ミセルコンポジット→周期的孔→六方→立方ラメラ→小
胞などに変化する。これらのすべてのパターンは、薄膜またはナノコンポジット
のコンホメーションの進歩的変化を示す。
【0040】 本発明において、用語「階層材料」とは、複数の構造および複数の機能を有す
る材料をいう。
【0041】 本発明において、用語「分子スケール」とは、1Å〜10nmの範囲のサイズ
をいう。
【0042】 本発明において、用語「メソスケール」とは、1nm〜1000nmの範囲の
サイズをいう。
【0043】 本発明において、用語「マクロスケール」とは、1000nm〜1mmの範囲
のサイズをいう。
【0044】 本発明において、用語「構造」とは、化学結合または物理的相互作用による物
質のユニットまたは配置または構成をいう。
【0045】 本発明において、用語「機能」とは、物質の能力または特性をいう。例を挙げ
る。ある材料は、pH、温度、圧力、および湿度の変化に対してそれぞれ色を変
化させることによって応答する能力を有し得る。これらの材料は、次いで、それ
ぞれpH感受性、温度感受性、圧力感受性、および湿度感受性という機能性を有
する;または金属イオンまたは微粒子を吸収する能力を有する;あるいは疎水も
しくは親水特性を有するといわれる。
【0046】 本発明において、用語「均質」とは、溶液のすべての成分が、不連続を生じず
に均一に分布する溶液をいう。
【0047】 本発明において、用語「焼成」とは、シリカ構造を硬化させるために種々の気
体の存在下で300℃〜400℃の範囲の高温で中間相を加熱するプロセスをいい、そ
して「非焼成」とは、上記の方法において加熱によって硬化されていない中間相
をいう。
【0048】 本発明において、用語「マイクロペンリソグラフィー」とは、マイクロペンア
プローチによって作成されたパターンをいう。
【0049】 本発明において、用語「インクジェットプリンティング」とは、任意の従来の
インクジェットプリンティングプロセス、および基板上に液体組成物またはイン
クの液滴を制御して析出するための任意のプロセスをいう。一般に、インクジェ
ットプリンティングは、コンピュータまたは他の制御デバイスによって制御され
るパターン中に液体組成物の液滴を配置する。
【0050】 本発明において、用語「選択的デウェッティング」とは、1以上の選択的領域
のみへのコーティング組成物/フィルムの析出をいう。例えば、ゾル溶液は、親
水性領域のみに析出し得る。
【0051】 説明 ナノスケールの機械およびデバイスに基づく新しい技術の使用は、将来その役
割が増す。このナノテクノロジーの世界の認識の重要な点は、分子、分子クラス
ター、ポリマーのような材料を構成する、すなわち、一般的に言えば、ブロック
を、強い工学形態で保存され得る、予め定められた精密なナノストラクチャーに
構築する、簡単で効率的な方法である。
【0052】 ナノストラクチャーを形成する1つの方法は、疎水性および親水性部分から構
成される両親媒性界面活性剤分子またはポリマーの自己アセンブリを介して明確
な超分子アセンブリとすることによる。図1は、水中におけるセチルトリメチル
アンモニウムブロミド(CTAB)の概略状態図である。X軸は、重量パーセン
トとして表される界面活性剤−CTAB濃度の上昇を示す。温度は、Y軸に℃で
表される。矢印は、ディップコーティング、エアロゾル加工中の蒸発誘導される
経路を示す。図1は、臨界ミセル濃度(cmc)を超える水溶液中のCTABの
溶液、ミセルにアセンブルする界面活性剤、水と接触する界面活性剤の親水性部
分を維持しながらミセル内部に疎水性部分を遮蔽する球状または円筒状構造を示
す。界面活性剤濃度のさらなる上昇により、ミセルが六方、立方、またはラメラ
中間相に自己構成される。このようなデタージェント中間相は、それ自体はナノ
テクノロジーに適切な強い工学材料を示さない。
【0053】 約10年前、可溶性シリカ種の水溶液中で行われた界面活性剤自己アセンブリに
より、シリカ−界面活性剤中間相の同時コアセンブリが得られることが発見され
た。界面活性剤を除去すると、本質的には液晶(LC)アセンブリのシリカ不変
化物である周期的中孔性固体となる。この2、3年にわたり、この研究は、発展
して広い構成範囲の中孔性固体を生成し、そして種々の界面活性剤を用いて、孔
サイズは、1nm〜10nm以上の範囲で変化されている。孔サイズの優れた制
御にもかかわらず、初期の中孔性材料は、粉末の形態で作成されたため、膜、低
誘電率中間層、および光学センサーのような薄膜適用における使用が排除される
【0054】 安定な、担持された、中孔性シリカフィルムは、バルク六方中間相を調製する
ために使用されるシリカ/界面活性剤/溶媒系に基板を導入した場合に作成され
た。初期界面活性剤濃度はc>cmcである。これらの条件下、六方シリカ−
界面活性剤中間相は、基板表面に平行に配向した孔を有する基板上で核形成され
る。数時間から数週間にわたる成長および凝集が連続的に生じたが、肉眼的に不
均質なフィルムは、マイクロメートルの長さスケールでの顆粒状構造によって特
徴付けられた。
【0055】 さらに、四官能性シラン(Si(OR))と三官能性有機シラン((RO)
iR')との縮合によって、または有機添加剤の包含によって、本発明は、シリ
カフレームワークを官能性R'リガンドまたは分子で選択的に誘導体化する。得
られる材料は、複数の長さスケールで構造および機能を示す:分子スケールでは
、孔の表面に機能性有機部位が配置され、中間スケールでは、1つのサイズの孔
が、1、2、または3次元ネットワークに構成され、気相または液相からサイズ
選択的な接近しやすさを提供し、そしてマクロスケールでは、2次元アレイおよ
び流体または光子系が限定され得る。
【0056】 自己アセンブリの一般的な定義は、外部干渉のない、水素結合、ファンデルワ
ールス力、静電力、ττ−ττ相互作用などのような非共有相互作用による材料
の同時構成である。自己アセンブリは、代表的には、明確な超分子アセンブリに
構成されるように予めプログラムされる非対称分子を用いる。最も一般的には、
疎水性部分および親水性部分から構成される両親媒性界面活性剤分子またはポリ
マーである。上記の水溶液中、臨界ミセル濃度(cmc)の界面活性剤は、ミセ
ル、球状、または円筒状構造にアセンブルされ、図1に示すように、水と接触す
る界面活性剤の親水性部分を維持するが、ミセル内部の疎水性部分を遮蔽する。
界面活性剤濃度をさらに上昇させると、図1に示すように、周期的六方、立方、
またはラメラ中間相へのミセルの自己構成が生じる。
【0057】 薄膜中間相の形成への代替経路は、蒸発誘導経路で役割を果たすパラメータを
注意深く考慮することによって、ゾル−ゲルディップコーティングの状況におい
て示唆される。エタノール/水溶媒中にてc<<cmcで調製された可溶性シ
リカと界面活性剤との均質溶液で開始すると、エタノールの優先的蒸発により、
水および不揮発性界面活性剤およびシリカ種中の析出フィルムが濃縮される。
【0058】 図2は、可溶性シリカ、界面活性剤、アルコール、および水を含む混成液体の
ディップコーティング中に確立される定常状態フィルム薄化プロファイルを示す
。図2は、フィルムの厚さがμmでX軸に沿ってプロットされたプロットである
。左側のY軸は、界面活性剤の濃度が測定されたときのリザーバーの上方の距離
をmmで示す。右側のY軸は、ディップコーティングに必要とされるリザーバー
上の時間を秒で示す。プロットの上部のX軸は、モル/リットルで界面活性剤濃
度を示す。漸増する界面活性剤濃度は、シリカ−界面活性剤ミセルの自己アセン
ブリを誘導し、そしてさらにLC中間相に構成される。c<cmcで固体−液体
および液体−蒸気界面に存在する、予め存在する初期のシリカ−界面活性剤中間
構造は、核を形成しそして中間相発達の方向を決める働きをする。結果は、基板
表面に対して高度に配向した薄膜中間相が迅速に形成する。
【0059】 図3は、初期アルコール/水/界面活性剤モル比の変動により、組成物空間中
の種々の軌跡を追跡し、そして異なる最終中間構造に至ることが可能であること
を示す。三角形の左隅は100%水を表し、三角形の右隅は100%CTABを表し、
そして三角形の頂点は100%エタノールを表す。三角形の上部のポイントAは、
流入溶液の初期組成に対応し、ポイントBは、乾燥ラインの近くであり、そして
ポイントCは、乾燥したフィルムに対応する。図3における破線は、ディップコ
ーティング中の組成物濃度を表す。二重破線は、ある中間相の領域を表す。三角
形の右隅にある実線の弧は、中間相の他の領域を表す。実線の弧から放射状に延
びる2本の実線は、中間相のさらに他の領域を表す。CTABを用いて、1−D
六方、立方、3−D六方、およびラメラのシリカ−界面活性剤中間相の形成を証
明した。溶液中(またはポイントA以下で)、界面活性剤は遊離分子として存在
する。ディップコーティング中に溶媒は蒸発する。破線の上方で界面活性剤ミセ
ルが形成される。乾燥ラインの上方で、コーティング溶液内の初期界面活性剤濃
度に依存する種々の中間相を有するフィルムが形成される。
【0060】 図2および3に示されるディップコーティングスキームは、10秒で完了し、か
なり急勾配の濃度グラジエントで行われる、迅速で動的な自己アセンブリプロセ
スを表す。その安定な連続的な性質は、界面に構成された中間構造上にミセルま
たはおそらくLC種の連続的析出を促進する。大きなLCドメインは、図3に示
すように、リザーバー表面の上方の距離が増すとともに、固体−液体および液体
−蒸気界面から内部へ漸進的に成長する。析出したフィルムは、光学的に透明で
あり、そしてマイクロメートルの長さスケールで全く特徴がない。
【0061】 薄膜中間相を迅速に構成する能力は、コーティング操作中の無機重合化の抑制
に基づく。シリケートについては、コロイダルシリカの等電点([H] 〜0
.01)に密接に対応するヒドロニウムイオン濃度にて酸性条件下で行われる。最
初にシロキサン縮合を止めることによって、共働するシリカ−界面活性剤自己ア
センブリは、妨げられずに進行し、そして得られる析出されるフィルムは、LC
または半固体挙動を示す。その後のエージング、酸または塩基触媒への曝露、あ
るいは熱処理によってシリカ骨格を固化させ、それによって所望の中間構造に固
定する。
【0062】 析出するフィルムのLCの性質についての証拠は、いくつもある:第1に、カ
ンチレバービーム法を用いて、中間相薄膜析出中に現れる引張り応力が、5〜10
MPaの範囲であることが証明されている。この引張り応力は、〜200MPaの
引張り応力を有する界面活性剤を含まずに調製された同じシリカゾルの析出と比
較して、劇的に低い。このように乾燥応力が実際にないことは、フィルムが固化
前に完全に乾燥することを示唆し、すなわち、析出するフィルムは固化していな
い。第2に、析出する中間相フィルムが、全く異なる中間相に、例えば、ラメラ
→立方に変換され得ることが証明されている。第3に、このように析出したフィ
ルムは、自然回復傾向を示す。これらの組み合わせたLC特徴は、EISAプロ
セスを強いだけでなく可変性にする。
【0063】 CTABから調製した焼成フィルムの透過型電子顕微鏡写真(TEM)は、立
方中間相の大きな配向したドメインを示す。このような立方中間相は、孔の接近
しやすさおよびフィルム通過孔連結度を保証するので、膜およびセンサーのよう
な適用に重要である。
【0064】 EISA手順は、ポリ、すなわち、架橋されたシルセスキオキサン薄膜および
微粒子中間相の調製を可能にし、これは、有機部分を分子が分散された架橋リガ
ンドとして周期的な中間構造化フレームワークに組み込む。容量電圧測定を種々
の構造の特徴付け手順とともに行って、この新しいクラスの界面活性剤でテンプ
レート化した中間相の構造−特性関連を解明し始めた。フレームワークにおいて
シロキサン(≡Si−O−Si≡)を架橋したシルセスキオキサン(≡Si−(
CH)−Si≡)に置換すると、モジュラスおよび硬度が上昇しそして誘電
率が低下する不変の傾向が観察される。この証拠は、中孔性材料のフレームワー
クへの不可欠な有機基の導入により相乗特性が得られ得ることを示唆し、特性お
よび機能を調和させる先例のない能力を約束する。
【0065】 孔表面に機能性を与えるための有機改変スキームの開発は、界面活性剤でテン
プレート化したシリカ中間相が発見されたため、非常に注目されている。最近、
架橋化シルセスキオキサン(RO)−Si−R'−Si−(RO)という一般ク
ラスの化合物を用いて、不可欠な有機機能性を有する新しいクラスのポリ、すな
わち、架橋されたシルセスキオキサン中間相(BSQM)の形成が報告されてい
る。図4は、BSQMを形成するために使用されている3つの架橋されたシルセ
スキオキサンモノマー1、2、および3を示す。
【0066】 有機リガンドまたは分子が孔表面に位置するこれまでのハイブリッド中間相と
は逆に、このクラスの材料は、有機構成成分を分子が分散された架橋リガンドと
してフレームワークに必ず組み込む。この新しい中間構造構成により無機成分と
有機成分とを分子スケールで混合することに由来する相乗特性が生じるべきであ
るという予測があったが、BSQMの特性はほとんど測定されなかった。さらに
、これまでに調製された試料は顆粒沈殿を形成し、マイクロエレクトロニクスの
すべての予測される将来の世代に必要とされる膜、流体工学、および低k誘電フ
ィルムのような適用での使用が排除される。本発明のEISA手順は、BSQM
フィルムおよび球状ナノパーティクルを調製するための方法を提供する。容量電
圧測定は、種々の構造特徴付け手順とともに行って、この新しいクラスの薄膜お
よび微粒子中間相の構造−特性関連を明らかにし始めた。
【0067】 BSQMの最初に報告された合成は、塩基性水性媒体中の沈殿、次いで数日ま
での期間のエージングを包含していた。均質なフィルムを形成するために、2つ
の必要条件がある。沈殿は回避されるべきであり、そして自己アセンブリプロセ
スは、多くとも数秒持続するディップコーティングまたはスピンコーティング操
作の短い時間間隔内に完成されるべきである。これらの必要条件を満たすために
、希釈した均質なエタノール性溶液が調製され、シリカ/界面活性剤自己アセン
ブリを抑制しそしてシロキサン縮合を妨げる酸性条件を用いる。本発明のこのE
ISA手順の詳細は、以下の実施例1に記載され、本発明は、分子が分散された
架橋リガンドとして周期的中間構造化フレームワークに有機部分を組み込むBS
QMフィルムおよび球状ナノパーティクルを調製するための方法を提供する。
【0068】 ナノコンポジット自己アセンブリは、上記のEISAプロセスの拡張を表す。
概念の指針として図5に示す一般的なデタージェント状態図を用い、油が、モノ
マー、架橋剤、オリゴマー、機能化されたポリマー、開始剤などのような多種の
疎水性有機前駆体および試薬を表すために使用される。ディッシュを洗浄するの
とはあまり異ならないプロセスにおいて、ミセル形成は、有機前駆体および無機
前駆体を空間的に分離しそして構成するために使用される。これらの有機前駆体
は、疎水性ミセル内部に遮蔽され、そして無機前駆体は、親水性ミセル外面のま
わりに構成される。周期的六方、立方、またはラメラ中間相へのミセルのさらな
る自己アセンブリは、有機および無機前駆体の両方を正確な3−D配置に同時に
配置する。有機/無機の組み合わせた重合化は、ナノコンポジット構築物中に固
定され、そして有機/無機界面を共有結合させる。本発明のナノコンポジット自
己アセンブリの長所は、その簡便性および効率である:多数の交互の有機/無機
層が数秒でアセンブルされ得るので、積層した有機/無機コンポジットを迅速に
調製するための方法を提供する。
【0069】 ナノコンポジット自己アセンブリは、フィルム析出中に蒸発によって行われる
。ディップコーティング中の有機−無機ナノラミネートの自己アセンブリの概略
図を図6に示す。ナノコンポジット自己アセンブリは、c<cmcのエタノー
ル/水溶媒中で調製した可溶性シリケート、界面活性剤、有機モノマー、および
光または熱開始剤の均質溶液で開始する。コーティング中、有機前駆体を可溶化
しそして溶液を均質にするために最初に使用されるエタノールの優先的な蒸発は
、析出しているフィルム内の水、HCl、および不揮発性溶液構成成分の濃度を
次第に上昇させる。界面活性剤および水の漸増濃度は、cmcを超えるまで界面
活性剤の濃縮を引き起こし、ミセルを形成し、そして同時に、有機前駆体および
開始剤をミセル内部に分配し、そして無機前駆体はミセル外面を取り囲む。図6
を参照して、光学プローブ研究によって確認すると、連続した蒸発は、LC中間
相へのこれらの種のコアセンブリを促進し、それによって有機および無機前駆体
の両方を所望の積層した形態に同時に構成する。有機モノマーの光または熱誘導
した重合化および連続した無機重合化は、図7に示すようにコンポジットアセン
ブリプロセスを完了させる。
【0070】 好ましい実施態様では、本発明は、パターン化されたシルセスキオキサンフィ
ルムを形成するための方法を提供し、これは、TEOS;界面活性剤;少なくと
も1つの有機シラン;HCl;水;およびエタノールを含むコーティング組成物
を基板上に塗布してコーティングを形成し、次いでコーティングを乾燥させてパ
ターン化されたシルセスキオキサンフィルムを形成する。好ましくは、本発明の
フィルムを形成するために、さらなる加熱を必要としない。
【0071】 本発明の方法に使用するための好ましい有機シランとしては、トリデカフルオ
ロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン(TFTS)、メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン(MPS)、アミノ有機シラン、アミノプロピル
トリメトキシシラン(APS)、(HO)SiCHCHSi(OC
);および以下の式を有する3-(2,4-ジニトロフェニルアミノ)プロピルト
リエトキシシランが挙げられる:
【0072】
【化1】
【0073】 他の有機シランもまた、本発明のコーティング組成物および方法に使用され得
、シトクロムc、オイルブルーNなどが挙げられる。さらに、染料とカップリン
グした有機シランが本発明の方法に用いられ得、例えば、染料とカップリングし
たアミノプロピルトリメトキシシランである。有機シランとのカップリングに適
切な染料としては、ローダミンB、活性エステルを有する分子、カルボン酸を有
する分子、またはイソチオシアナト基を有する分子などが挙げられる。
【0074】 図8の表1に示すように、列挙した有機シランの薄膜への組み込みにより、3
次元ネットワークまたは立方配置に構成された孔を含むフィルムが得られる。上
記の有機シランで作成した中間相の孔サイズは、21Å〜40Åの範囲である。
【0075】 本発明の1つの好適なコーティング組成物において、Si:エタノール:水:
HCl:界面活性剤:有機シランの比は、1:22:5:0.004:0.093〜0.31:0.
039〜0.8:2.6×10−5である。有機添加剤が使用されている本発明の他の好適
なコーティング組成物において、Si:エタノール:水:HCl:界面活性剤:
有機シラン:有機添加剤の比は、1:22:5:0.004:0.093〜0.31:0.039〜0.8
:2.6×10−5である。コーティング組成物が有機シラン(HO)SiC
CHSi(OC)を使用する場合、Si:EtOH:HO:HC
l:界面活性剤は、好ましくは、1:22:5:0.004:0.054〜0.18である。
【0076】 本発明の界面活性剤は、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、また
は陰イオン性界面活性剤であり得る。好適な陽イオン性界面活性剤は、セチルト
リメチルアンモニウムブロミド(CTAB)である。好適な非イオン性界面活性
剤は、Brij−56(ポリオキシエチレンセチルエーテル)である。好適な陰
イオン性界面活性剤は、ドデシル硫酸ナトリウム(SDS)である。本発明に使
用され得る他の界面活性剤としては、プルロニックコポリマーのような両親媒性
ブロックコポリマーが挙げられる。
【0077】 本発明の組成物または方法に使用するために好適な有機添加剤としては、ロー
ダミンBなどの染料、オイルブルーN、シトクロムcなどが挙げられる。
【0078】 本発明のコーティング組成物は、コーティングから形成されるフィルムがどの
ように使用されるかに依存して、種々の方法で基板に塗布され得る。例えば、コ
ーティング組成物は、ディップコーティング、スピンコーティング、マイクロペ
ンリソグラフィー、インクジェットプリンティングなどによって基板に塗布され
得る。複数のコーティング組成物がインクジェットプリンティングを用いて基板
に塗布される場合、別のコーティング組成物は、コーティング組成物を塗布する
ために使用されるインクジェットプリンターのインクジェットカートリッジの異
なるコンパートメントに貯蔵され得る。本発明の方法に使用するために好適なイ
ンクジェットプリンターは、HP DeskJet 1200Cであるが、種々のタイプのインク
ジェットプリンターが本発明の方法における使用に適合している。
【0079】 本発明のコーティング組成物を調製するにおいて、初期組成物は、TEOS、
エタノール、水、およびHClを一緒に混合することによって形成される。次い
で、初期組成物は、好ましくは、少なくとも90分間少なくとも60℃の温度まで加
熱される。好適な実施態様では、初期組成物は、TEOS、エタノール、水、お
よびHClを、1:3.8:1:5×10−5のモル比で含む。次に、初期組成物を
、エタノールで希釈して、エタノールで希釈した組成物を形成する。好適な実施
態様では、初期組成物は、各1容量の初期組成物につき2容量のエタノールの比
で希釈される。エタノールで希釈した組成物は、次いで、水およびHClで希釈
されて酸性ゾルを得る。次いで、有機シランを酸性ゾルに添加して、プロト組成
物を形成する。最後に、界面活性剤をこのプロト組成物に添加して、本発明のコ
ーティング組成物を形成する。好適には、コーティング組成物は、0.04〜0.23M
の界面活性剤濃度を有する。有機添加剤を有機シランとともに酸性ゾルに添加す
ることによって、有機添加剤もコーティング組成物に添加され得る。
【0080】 多くの適用のために、本発明のフィルムから界面活性剤を除去することが所望
される。界面活性剤は、少なくとも300℃〜500℃の温度で5〜300分間フィルム
を加熱することによって、フィルムから除去され得、焼成と呼ばれるこのプロセ
スは、界面活性剤を除去し、そしてまたシリカを硬化させる。フィルムのタイプ
および使用する界面活性剤に依存して、界面活性剤の除去は、N雰囲気、O 雰囲気、空気、H/N混合雰囲気などの中で行われ得る。
【0081】 フィルム上の水分の吸着を減少させるために、本発明のフィルムは、ヘキサメ
チルジシラザンのような化合物で蒸気処理され得る。水分の吸着を減少させるた
めに本発明のフィルムの処理に使用され得る他の適切な化合物としては、メチル
トリクロロシランが挙げられる。
【0082】 本発明は、以下の実施例によって説明される。
【0083】 実施例1 本発明の迅速なパターニング手順は、安定な均質なコーティング組成物を使用
し、これは蒸発の際に自己アセンブリが起こり、所望の有機改変されたシリカ−
界面活性剤中間相を形成する。本発明のフィルムがどのように形成され得るかを
示すための1つの実施態様では、溶液をこの目的で調製し、これはシロキサン縮
合速度を最小にするように設計されたヒドロニウムイオン濃度([H] 〜0
.01)でエタノール/水溶媒中にオリゴマーシリカゾルを含み、それによって最
大数秒まで持続する書き込み操作の短い時間間隔中にシリカ/界面活性剤自己ア
センブリを容易にすることができる。界面活性剤を、臨界ミセル濃度cmcより
非常に低い初期濃度cで添加し、コーティング組成物の均質性および長命を保
証する。
【0084】 コーティング組成物のパターンが表面上に配されると、エタノールの優先的蒸
発により、水、界面活性剤、およびシリケートの富化を引き起こし、それぞれの
濃度において、複雑な3−Dグラジエント、すなわち、縦方向および半径方向の
両方に広がるグラジエントを確立する。図9および10は、界面活性剤でテンプ
レート化した中間相のマイクロペンリソグラフィー(MPL)の概略図を提供す
る。ペンリソグラフィーの3−D制限エレメントシミュレーションを図9に示す
。基板上に配されているコーティング組成物のセクション1は、ペンオリフィス
に非常に密接し、液体であるc<<cmcのコーティング組成物702を有す
る。セクション2は、コーティング組成物が配されているペンオリフィスからさ
らにわずかに離れている。セクション2は、エタノールの優先的蒸発が、水、界
面活性剤、およびシリケートの富化を引き起こしそしてそしてcmcを超える区
域を示し、共同のシリカ/界面活性剤自己アセンブリは、コーティング組成物7
06の表面704上にミセルを創製する。水の優先的なさらなる蒸発は、708
に示すようなシリカ/界面活性剤LC中間相へのミセルの連続的な自己構成を促
進する。
【0085】 初期LCドメインは、c<cmcの液体−蒸気界面で核形成され、そして図1
0に示す急勾配の3−D蒸発誘導した濃度グラジエントによって確立された構成
軌跡に沿って内側に成長する。
【0086】 本発明に従って、フィルムを、以下の有機シランを用いて作成した:トリデカ
フルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、メルカプトプロ
ピルトリメトキシシラン、アミノ有機シラン、アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、(HO)SiCHCHSi(OC);上記の式(A)の有
機シラン;染料とカップリングしたアミノプロピルトリメトキシシラン。上掲の
有機シランを用いて形成されたフィルムについてのデータを、図8の表1に示す
【0087】 図8の表1に挙げるTFTSのようないくつかの有機シランの両親媒性性質は
、これらが共界面活性剤として作用するようにし、親水性のSi(OR),(OH)
3−x頭部基を、シリカオリゴマーに密接して配置して、それらがさらなる加水
分解および縮合の際にフレームワークに組み込まれるようにし、それによって共
有結合したR'部分を孔表面上に局在させる。ローダミンBのような疎水性であ
るアルコール可溶性の有機分子は、エタノール蒸発の際に疎水性のミセル内部に
分配され、そして最終的には得られる中間相のチャンネルネットワーク内にコン
パートメント化される。熱分解による界面活性剤除去後の共有結合した機能性有
機部分の保持を、29Siおよび13Cマジック角スピンニングNMR分光法を
用いて確認した。蛍光イメージングおよびUV−可視分光法を用いて、光学活性
なリガンドおよび分子の保持および機能性を確認した。
【0088】 MPLライン幅は、マイクロメートルからミリメートルまで変化し得る。これ
は、ペンの大きさ、ぬれ特性、蒸発速度、キャピラリー数、およびコーティング
組成物の供給および回収の速度の比のようなファクターに依存する。ここでは、
キャピラリー数Ca=コーティング組成物粘度×基板速度/表面張力であり、そ
して回収=導入速度/基板速度である。ぬれ効果は、疎水性、親水性、または混
合したSAMで予めパターニングした基板上でMPLを行うことによって示され
ている。一般的に、ライン幅は、接触角を増大させることによって、ならびにペ
ンオリフィスの大きさおよび導入/基板速度の比を減少させることによって、減
少する。
【0089】 MPLの利点は、界面活性剤および機能性シランの所望の組み合わせが、異な
る位置で異なる機能性を選択的にプリントするためにコーティング組成物として
使用され得ることである。さらに、コンピュータ援用設計(CAD)を用いて、
任意の表面上に書き込まれ得る任意の2−Dパターンを定義し得る。例えば、ロ
ーダミン含有中間相(屈折率n=1.2〜1.3)をエアロゾルおよびエマルジョンで
テンプレート化された薄膜(n=1.03〜1.10)上に書き込むことが示されている
。このようなローダミン含有中間相は、アプリケーションにレーザー光を当てる
ために有用であり得る。
【0090】 中間構造がレーザー染料、例えば、ローダミン6Gでドープされる場合、増幅
された同時発光が観察される。これは、導波路の構成された高い表面領域の中間
チャンネル内に比較的高い負荷をかけたときにも中間構造が染料分子の凝集を抑
制する能力による。
【0091】 MPLは、連続的なパターンを書き込むために最も適切である。不連続中間構
造のパターン化された肉眼で見えるアレイは、インクジェットプリンティングI
JPのようなエアロゾルプロセシングスキームとEISAとを組み合わせること
によって容易に得られ得る。IJPプロセスは、単一サイズの球状のエアロゾル
液滴のようなMPL用として調製されるコーティング組成物を調合する。密着の
際、液滴は、表面および界面エネルギーを平衡にする新しい形状をとる。蒸発に
伴って、各液滴内で、界面活性剤の濃度勾配が生じ、これにより、液体−蒸気界
面から内部へ放射方向のシリカ/界面活性剤自己アセンブリが生じる。CADへ
の連結は、標準的なインクと比較して、より大きなプリンティング解像度を達成
し、そして本発明の方法は、コーティング組成物を選択的に機能化する能力を提
供し、センサーアレイおよびディスプレイ技術における適用を示唆する。
【0092】 MPLおよびIJPは、連続的な技法である。同じ機能性を有する完全なパタ
ーンを創製することが所望される状況で、析出プロセスが複数の位置で同時に生
じる並行技法を用いることが好適であり得る。
【0093】 図11は、パターニングしたSAM上のディップコーティングを示す。この迅
速な並行手順は、ヒドロキシおよびメチル末端化SAMのマイクロ接触プリンテ
ィングまたは電気化学パターニングを使用して、基板表面上で親水性および疎水
性パターンを定義する。次いで、MPLおよびIJPについて用いたものと同一
のコーティング組成物を用いると、ディップコーティング中の優先的エタノール
蒸発により、水中でフィルム析出を増大させ、疎水性領域の選択的デウェッティ
ングを引き起こし、そして親水性パターン上で排他的にシリカ−界面活性剤中間
相の自己アセンブリを保証する。この様式において、複数のライン、ドットのア
レイ、または他の任意の形状が数秒でプリントされ得る。最近の密度機能理論計
算では、この示差ウェッティング技法の最終的な解像が1〜2nmであることを
確立している。
【0094】 本明細書に記載された蒸発誘導された自己アセンブリプロセスの全体ならびに
本発明の3つの異なるプリンティング手順における詳細な説明は、ディスプレイ
およびセンサーアレイとともに機能性流体および光子デバイスの迅速なプロトタ
イピングとして非常に見込みがある。MMICのような別のアプローチと比較し
て、MMICについて必要とされる12時間に対してプリンティングでは数秒です
むので、プリンティングはかなり速く、そして型、マスク、およびレジストの必
要がない。最終的に、機能性コーティング組成物のスペクトルを用いそして市販
のソフトウエアとインターフェーシングすることによって、CADおよび機能性
マイクロシステムによる迅速な転写が、すぐに現実となり得る。
【0095】 本発明で使用されるコーティング組成物を調製する方法 コーティング組成物として使用される前駆体溶液を、界面活性剤(陽イオン性
、CTAB;CH(CH)15(CH)Brまたは非イオン性、Br
ij−56;CH(CH)15-(OCHCH)10-OH)、有機シラン(
図8の表1に示すようなR'Si(OR))、または有機分子(図8の表1に挙
げた)を、TEOS[Si(OCHCH)]から調製した酸性シリカゾルに
添加することによって、調製した。合成手順で用いられる酸濃度を、シロキサン
縮合速度を最小にするように選択し、それによってプリンティング中の容易な自
己アセンブリを促進する。代表的な調製物において、TEOS[Si(OCH
CH)]、エタノール、水、および希HCl(モル比:1:3.7:1:5×10−5 )を、60℃にて90分間還流した。ゾルを2容量のエタノール、次いで水およ
びHClのさらなる添加で希釈した。有機シラン(R'Si(OR)、ここでR'
は非加水分解性有機機能性リガンドである)を、次いで界面活性剤および図8の
表1に挙げた他の任意の有機添加剤を添加した。界面活性剤を必要量添加して、
0.004〜0.23M(c<<cmc)の範囲の初期界面活性剤濃度cにした。最
終的な反応物のモル比は、1TEOS:22COH:5HO:0.093〜0.3
1界面活性剤:0.039〜0.7有機シラン:2.6×10−5有機添加剤であった。
【0096】 エタン架橋したシルセスキオキサン (HO)SiCHCHSi(O
)について、適切な前駆体を、エタノールで希釈し、そして1〜7重
量%のCTABまたはBrij−56界面活性剤と混合し、次いでHClの水溶
液を添加した。最終的な反応物のモル比は、Si:EtOH:HO:HCl:
界面活性剤=1:22:5:0.004:0.054〜0.17であった。初期ゾル調製物におけ
るTEOSでの有機シランの同時加水分解により、一般的に不規則なウォーム様
の中間構造を生じたことに留意すべきである。パターン析出および乾燥後、界面
活性剤テンプレートを、共有結合した有機リガンドR'を分解することなく、界
面活性剤分子を分解するために十分な350℃までの温度で窒素雰囲気下での焼成
によって、選択的に除去した。有機リガンドR'の完全性を、29Siおよび
C MAS NMR分光法によってあるいは溶媒抽出によって確認した。
【0097】 マイクロペンリソグラフィー(MPL)を、Ohmcraft Inc., Pittsford, NYか
ら購入したModel 400aマイクロペン機器を用いて行った。ペンオリフィスは50μ
mであり、そして書き込み速度は2.54cm/秒であった。パターンを、AutoCAD 1
4ソフトウエアを用いて設計した。
【0098】 インクジェットプリンティング(IJP)を、Hewlett-Packard Co., San Die
go, CAから購入したModel HP DeskJet 1200Cプリンターを用いて行った。パター
ンを、Microsoft PowerPoint 97ソフトウエアを用いて設計した。
【0099】 パターン化した(親水性/疎水性)基板のディップコーティングを、周囲の実
験室条件下で6.6〜51cm/分の引き出し速度で行った。親水性/疎水性パターン
は、親水性シリコン基板(水酸化した天然のオキシド)上への疎水性のn−オク
タデシルトリクロロシラン(CH(CH)16SiCl)SAMのマイクロ
接触プリンティングによって、あるいは11−メルカプトウンデカノール(HO
(CH)11SH)から調製されたヒドロキシ末端化SAMのパターン化され、
電気的に単離された金電極からの電気化学的脱着、次いで1−ドデカンチオール
CH(CH)11SHの1mMエタノール性溶液中への浸漬によって、作製さ
れる。
【0100】 本発明で用いられる迅速なプロトタイピング手順は、単純であり、容易に入手
可能な設備を用い、そしてコンピュータ援用設計と自己アセンブリしたナノ構造
物との間のリンクを提供する。任意の表面上に任意の機能的設計を形成する能力
は、センサーアレイおよび流体もしくは光子システムを直接書き込むために実際
に重要であるべきである。
【0101】 本発明の方法の適用により、多機能中孔性シリカフィルムの形成およびパター
ン化した機能性ナノ構造物を迅速に構築できる。このような多機能中孔性シリカ
フィルムおよびパターン化した機能性ナノ構造物は、マイクロセンサーシステム
、マイクロエレクトロニクス、触媒反応、および導波路の分野において多くの適
用に有用である。
【0102】 実施例2 不可欠な有機機能性を有するハイブリッド架橋したシルセスキオキサンフィル
ムおよび微粒子中間相の蒸発誘導した自己アセンブリ 代表的な合成手順において、図4に1(Gelestから購入、そして使用前に3回
蒸留した)、2(Sheaら, J. Am. Chem. Soc. 1992, 114, 6600-6610に従って合
成した)、または3(Sheaら、同上に従って合成した)として示す架橋したシル
セスキオキサンモノマーの必要量を、エタノールに溶解し、次いで1〜7重量%
の界面活性剤[陽イオン性(CTAB、CH(CH)15(CH)Br )、非イオン性(Brij−56;C1633(OCHCH)10OH)
、陰イオン性(SDS、C1225OSO Na)、またはブロックコポ
リマー(P123、H(OCHCH)20(OCH(CH)CH)60(OC
CH)20OH)]、およびHCl(0.1〜1.0N)の水溶液を添加した。
開始組成物の検討範囲は、モル比Si:EtOH:HO:HCl:界面活性剤
=1:22:5:0.004:(0.054〜0.17)で表された。得られる薄膜中間構造の特
性に対するシロキサンを架橋シルセスキオキサンに置換した効果を評価するため
に、TEOSおよび(EtO)Si-(CH)-Si(OEt)の種々の比を有
する一連のフィルムを調製した。このシリーズについて、開始組成物は、モル比
TEOS:1(n=2):EtOH:HO:HCl:界面活性剤=(0.3〜3
):1:0.25:0.044:0.7:0.00074で表される。すべての場合で、初期界面活
性剤濃度(c)は、臨界ミセル濃度(cmc)よりも非常に低く、これは開始
ゾルのメソスケールでの均質性を示した。
【0103】 フィルムをスピンコーティングまたはディップコーティングによって調製し、
そしてナノパーティクルをエアロゾル補助自己アセンブリプロセスによって調製
した。両方の場合とも、優先的エタノール蒸発は、水、不揮発性界面活性剤、お
よび組織的に架橋されたポリシルセスキオキサン種のゾルを濃縮する。シロキサ
ン縮合の競合プロセスを遅らせるために初期酸濃度を選択することによって、ポ
リシルセスキオキサン−界面活性剤ミセルおよびそのさらなる構成の自己アセン
ブリを液晶中間相に誘導するために、界面活性剤濃度を漸進的に上昇させること
を利用した。c<cmcで固体−液体および液体−蒸気界面に存在している、予
め存在する初期ポリシルセスキオキサン−界面活性剤中間構造物は、核形成しそ
して中間相成長に配向するために用いる。その結果、薄膜または微粒子BSQM
が形成し、これらは数秒で固体−液体および/または液体−蒸気界面に対して配
向する。電荷および初期濃度とともに界面活性剤の形状の変動によって、この蒸
発誘導された自己アセンブリ経路は、ある範囲の薄膜または微粒子中間相を得る
ために用いられ得る。
【0104】 図12は、CTAB、Brij−56、またはSDS界面活性剤を用いてエチ
レン架橋したシルセスキオキサン前駆体(1、n=2)から調製した薄膜架橋ポ
リシルセスキオキサン中間相についての、N中250℃での焼成前および後の、
X線回折(XRD)結果を示す。非焼成SDS系については複数の鋭いピークが
観察され、そしてSDSおよびTEOSから調製されたシリカ薄膜中間相につい
て通常観察されるような、焼成後のこれらのピークの実際の消失は、[001]-配向
したラメラ薄膜中間相と一致した。CTABおよびBrij−56系は、焼成時
により高い2θ値(より低いdスペーシング)にわずかにシフトする単一の強い
ピークによって特徴づけられる。この挙動は、TEOSまたはTEOS+種々の
有機トリアルコキシシランコモノマーから調製された六方および立方薄膜中間相
についてこれまでに観察されているものと同様である。
【0105】 XRDによって評価した焼成した薄膜標本のTEM顕微鏡写真を、図13〜1
6に示す。図13に示すように6重量%CTAB誘導したフィルムについて観察
されたストライプ模様かつ六方の稠密テクスチャーは、約3.3〜3.5nmのd−ス
ペーシングを有する一次元六方中間相の特徴を示し、XRD結果と一致する。興
味深いことに、基板表面に対して垂直な平面においてストライプパターン中に起
伏および欠陥部を観察したが、TEOSから調製した六方薄膜中間相については
、これらの特徴は、基板表面に平行な平面においてのみ観察した。図14は、4
重量%Brij−56で調製したフィルムの断面を示す。六方パターンのスポッ
トおよび5.3nmスポット間間隔に基づいて、右上領域を、約9.1〜9.3nmの面
心立方構造の[111]配向と解釈し、これは、XRD結果およびBrij−56お
よびTEOSから調製したこれまでの立方薄膜中間相と一致した。図15は、7
重量%P123ブロックコポリマー界面活性剤とともに図8の表1のフェニレン
架橋した前駆体2を使用して調製した焼成球状ナノパーティクルのTEM顕微鏡
写真を示す。イメージング方向における標本の最も薄い領域に対応するパーティ
クル円周に隣接する領域は、六方稠密テクスチャーを示す。この構造を、パーテ
ィクル円周に平行に整列させた稠密円筒状孔チャンネルから構成される六方中間
相と解釈した。この配向は、空気−液体界面で六方中間相の初期核形成から生じ
、そしてその内部への成長は、蒸発誘導された放射状濃度グラジエントによって
行われる。一方、匹敵するTEOS/7重量%P123系から調製されたパーテ
ィクルは、マルチラメラ小胞中間構造を示す。図16は、7重量%P123ブロ
ックコポリマー界面活性剤とともに図8の表1の前駆体3を用いて調製した焼成
球状ナノパーティクルのTEM顕微鏡写真を示す。このマルチラメラ小胞構造は
、完全なビニル機能性を含む同心架橋ポリシルセスキオキサン層から構成される
【0106】 上記のTEM結果と組み合わせて、図12のCTAB系における主要ピークを
、d=3.4nmの一次元六方中間相の(100)回折部と解釈した。Brij56系に
おける主要なXPDピークを、a=9.2nmの立方中間相の(200)回折部と解釈し
た。
【0107】 6重量%CTABまたは4重量%Brij−56とともに1から調製した薄膜
標本の多孔度を、表面音響波(SAW)技法を用いてフィルム標本上で行った窒
素吸着測定によって特徴付けた。図17に示すSAW N吸着等温線は、対応
するTEOS誘導フィルムについてこれまでに得られたものと性質上一致し、そ
して一般的に界面活性剤でテンプレート化した中間相に代表的である。円筒状孔
モデルに基づいて、厚さで標準化した孔容量および表面積の比を、CTABおよ
びBrij−56フィルムについてそれぞれ1.7および2.5nmの水流孔直径を計
算するために用いた。焼成した標本における架橋する有機リガンドの保持を、 Cおよび29Si MAS NMR分光法を用いて確認した。6重量%CTA
Bとともに図8の表1の有機シラン1から調製した粉末について、エチレン架橋
に対応する5.2ppmに大きな13C共鳴、および三官能性(T)シリコンに対応す
る-57.5ppmに非常に広い29Si共鳴を観察した。-101または-107ppmには四官
能性Qシリコンの証拠はなく、これは架橋するリガンドの完全な保持を示した。
7重量%P123とともに2から調製したフェニレン架橋系については、フェニレン
架橋に対応する133.4ppmに13C共鳴ならびにそれぞれTおよびT種(上付
きは、三官能性シリコン中心に共有結合した架橋酸素の数を示す)に対応する-6
1.0および-67.2ppmに29Si共鳴を観察した。また、Qシリコンの証拠はなか
った。
【0108】 構造−多孔度関連の確立を開始するために、TEOSおよび図8の表1の有機
シラン1(n=2)をモル比TEOS:有機シラン1を65:25(TB)、50:50
(TB)、および25:65(TB)で含む一連のフィルムを観察した。合成および
加工手順を、匹敵するフィルムの分光偏光解析法によって測定される厚さならび
にSAWに基づくN吸着等温線の分析によって測定される多孔度を有する等方
性の無秩序のまたはウォーム様の薄膜中間相を創製するように選択した。界面活
性剤テンプレートを除去するためにN下350℃で焼成した後、すべてのフィル
ムをヘキサメチルジシラザンで蒸気処理して、水の吸着を回避した。図18の表
2は、水銀プローブ、ヤング率、および硬度を用いる標準的容量電圧技法を用い
て測定される誘電率の値を比較する。ヤング率および硬度を、一定押込み深さで
のナノ押込み量測定から計算し、0.2のポアソン比と仮定した。フレームワーク
においてシロキサン(≡Si−O−Si≡)を架橋シルセスキオキサン(≡Si
−(CH)−Si≡)に置換して、率および硬度が上昇しそして誘電率が低下
するという一致した傾向を観察した。この予備的な証拠は、中孔性材料のフレー
ムワークへの完全な有機基の導入が、相乗特性を生じ得、特性および機能を調整
する先例のない能力を約束することを示唆した。機械的特性を上昇しそして誘電
率を低下させるここで観察された傾向は、低k誘電体の成長中の分野について、
直接かつ非常に重大で興味深い。
【0109】 実施例3 界面活性剤でテンプレート化した中間相のマイクロペンリソグラフィーMPL 図9および10は、マイクロペンリソグラフィーMPLを用いる、メソスコピ
ックで規則的なナノ構造の直接書き込みを概略的に示す。界面活性剤でテンプレ
ート化した中間相のマイクロペンリソグラフィーMPLである。
【0110】 図9は、移動する基板上でメーター測定した初期均質ゾルが、水および不揮発
性界面活性剤およびシリケート種の濃度の複雑な3−D(縦方向および半径方向
)勾配を創製するアルコールの優先的蒸発に遭遇することを示す。シリカおよび
界面活性剤の漸進的富化は、ミセル形成を誘導し、次いで、エアロゾルについて
最近証明されたように液体−蒸気界面からシリカ/界面活性剤中間相が内側に成
長する。
【0111】 図10は、ペンオリフィス50.0μm、基板速度=2.5cm/秒、および液体注入速
度(導入速度)4.0cm/秒での平坦な基板に分配される3−D二元流体パターンの
シミュレーションを示す。色つきの輪郭は、アルコール組成物中の蒸発誘導され
た3−Dグラジエントを表す。ペンオリフィスで入りそしてセクション3で出る
流体エレメントについての滞留時間は、0.23〜0.30マイクロ秒(ms)の範囲で
あった。流体は、レイノルズ数1.25およびCa=0.000733を有する54容量%エタ
ノールおよび46容量%不揮発性相として成形された。静電接触角について、45と
いう特定の値を選択した。この角度は、この低いCaの値では表面張力が優性で
あるため、動的な接触ライン上のすべての点に残存する。
【0112】 図9および10について利用される多くの方法は、自由表面を追跡するための
三次元境界適合メッシュ運動アルゴリズムで増大したNavier-Stokes方程式の3
D有限エレメント区別化(discretization)からなっていた。3D動的ぬれライ
ンでの特別な関連も適合した。
【0113】 実施例4 本発明のマイクロペンリソグラフィーMPLを用いるメソスコピックで規則的
なナノ構造の直接書き込みを用いて、ローダミンBを含む蛇行パターン化中間相
を創製した。図19は、2.54cm/秒の速度で酸化した[100]-配向シリコン基板上
に析出したシリカ中間相を含むパターン化ローダミンBの光学顕微鏡写真を示す
。図19は、親水性表面上のローダミンB含有溶液のMPLによって数秒で形成
された肉眼で見えるパターンを示す。図19の挿入部は、610nm帯域通過フィ
ルターを通って得られた数本の隣接するストライプの対応する蛍光イメージを示
し、これはローダミンBの機能性の保持を証明する。
【0114】 図20は、格子定数a=10.3nmの[110]-配向した立方中間相に対応するパタ
ーン化したローダミンB含有フィルムの断片の代表的なTEM顕微鏡写真を示す
。TEM顕微鏡写真は、立方薄膜中間相に特徴的な規則的な孔構造を示す。
【0115】 この実験用のゾルを、本発明の方法に従って、0.01重量%ローダミンBをシリ
カ/4重量%Brij−56ゾルに添加することによって調製した。TEOS:
EtOH:水:HCl:Brij−56:ローダミンBはモル比=1:22:5.0
:0.004:0.065:2.6×10−5であった。
【0116】 実施例5 図21、22、および23は、インクジェットプリンティングによって創製さ
れたパターン化ドットアレイを示す。IJPを用いて非吸着性表面上で標準イン
クを用いて創製したパターンと、IJP中に本発明のEISAによって創製した
ドットとの比較を行う。図22〜23におけるIJPによってシリコン基板上に
形成された中孔性スポットは、本発明のTFTS()改変コーティング組成物
で作成した疎水性スポットのアレイである。
【0117】 図21は、非吸着性表面上への標準インク(Hewlett-Packard Co., San Diego
, CAから購入)のインクジェットプリンティングによって創製したドットアレイ
の光学顕微鏡写真を示す。解像度は、図22に示すドットアレイと比較すると良
好ではない。
【0118】 図22は、酸化した[100]-配向シリコン基板上ヘのIJP中に本発明のコーテ
ィング溶液を用いて蒸発誘導したシリカ/界面活性剤自己アセンブリ、次いで焼
成によって創製した、疎水性の中孔性シリカドットのアレイの光学顕微鏡写真で
ある。
【0119】 図22のように調製したドットの断片を、TEMによって分析した。図23の
TEM顕微鏡写真は、IJPによって形成された焼成したフルオロアルキル化シ
リカ中間相の規則的な中孔性を示す。
【0120】 ゾルを、TEOS:TFTS(1):EtOH:水:HCl:Brij−56
=1:0.05:22.0:5.0:0.004:0.065のモル比で調製した。
【0121】 図21および図22で用いたドットパターンを、Microsoft PowerPoint 97ソ
フトウエアを用いて設計した。プリンティング速度は、約70ドット/秒であり、
プリンター解像度は300ドット/インチであった。標準インクと比較して達成した
解像度およびコーティング組成物を選択的に機能化する本発明の能力は、ディス
プレイ技術における適用を示唆する。
【0122】 実施例6 選択的デウェッティング、次いで界面活性剤テンプレートを除去するための焼
成による、パターン化したプロピルアミン(3)誘導体化立方中間相の形成 マイクロ接触プリンティングまたは電気化学的脱着技法を用いて、親水性のヒ
ドロキシル末端化SAMおよび疎水性のメチル末端化SAMのパターンを有する
基板を調製した。これらの基板を、図11に記載の実験について用いた。図11
に示すように、ディップコーティング中の優先的エタノール蒸発は、水の富化お
よび疎水性SAMの選択的デウェッティングを引き起こした。それに応じて、フ
ィルム析出が、パターン化した親水性SAM上で排他的に生じた。アミノプロピ
ルトリメトキシシラン(NH(CH)Si(OCH)、APS)をシリカ
/4重量%Brij−56ゾルに添加することによって、ゾルを調製し、最終モ
ル比TEOS:APS:EtOH:水:HCl:Brij−56=1:0.7:22
:5.0:0.011:0.065を得た。a=10.3nmの[100]-配向した立方中間相を示す
図11における挿入図Aの上面図であるTEM顕微鏡写真、ならびに表面音響波
(SAW)技法を用いる薄膜標本について得られる図11の挿入図Bおよび曲線
aに示されるような窒素吸着−脱着等温線からわかるように、選択的デウェッテ
ィング、次いで焼成により、パターン化したアミン機能化した立方中孔性フィル
ムを得た。TEM顕微鏡写真および表面音響波に基づくN吸着等温線は、中孔
性の蒸気相への接近しやすさの中間構造秩序および証明の証拠を提供する。染料
結合反応を、ジメチルスルホキシド(DMSO)中で調製した5,6-FAM,SE
(図8の表1に挙げる)の0.00002mM溶液中に浸漬し、次いでDMSO、エタ
ノール、および水で、徹底的に連続的に洗浄して行った。染料結合した中孔性フ
ィルムのSAWに基づく窒素吸着−脱着等温線を、挿入図Bの曲線bに示し、こ
れにより、孔への接近しやすさを確認した。吸着等温線のBET(Brunauer-Emm
ett-Teller)分析は、染料結合反応が、表面積を650から545m/gまでそして
動水半径を2.2から2.1nmまで減少させることを示すが、孔への接近しやすさは
、組み合わせたTEM、SAW、および蛍光イメージング結果から明らかなよう
に完全に保持される。
【0123】 pH感受性流体系を作成するために、共有結合したプロピルアミンリガンドを
、pH感受性染料である5,6-カルボキシフルオレセイン,スクシンイミジルエス
テル(5,6-FAM,SE)と結合して、立方中間相の孔−チャンネルネットワー
クに導入した。共有結合していない染料を除去した後、アミン誘導体化されそし
て染料結合した、均一な連続的な多孔度を有するフィルムを、TEMおよび対応
するSAWに基づく窒素吸着等温線(図11、挿入図B)によって確認した。染
料結合後のフィルム多孔度のわずかな減少は、結合した染料部分によって占領さ
れる容量を反映する。パターン化され染料結合したアレイを用いて、端子パッド
に導入されそして図11のイメージングセルへの毛管流によって輸送された流体
のpHをモニターした。
【0124】 実施例7 パターン化したpH感受性流体系 図24は、pH4.7、6.6、または12.0で調製した水溶液の導入後の3つの隣接
する5,6-FAM,SE結合した孔チャンネルネットワークの蛍光イメージを示す
。パターン化した染料結合した薄膜中間相を、上記実施例5に記載のように調製
した。種々のpHの水溶液を図11の末端パッド上に導入しそして毛管流によっ
てイメージングセルに輸送した。Nikon Diaphot 300倒立顕微鏡および520nm帯
域通過フィルターを用いて、イメージを得た。
【0125】 図25は、pH4.7、6.6、および12.0の水溶液に曝露した場合の5,6-FAM,
SE結合した中孔性フィルムのアレイの対応する蛍光発光スペクトルを示す。比
較として、pH4.7、6.6、および12.0の水溶液中で調製した5,6-FAM,SEの
0.1マイクロモル溶液の蛍光スペクトルを示す。2セットのスペクトルの類似性
は、中孔性チャンネル系内で結合の際の染料機能性の維持を確認する。
【0126】 図26は、パターン化した染料結合した薄膜中間相の断面TEM顕微鏡写真を
示し、3−D孔チャンネルネットワークの証拠を提供する。
【0127】 図25の溶液データとの比較は、中孔性フレームワークに共有結合した染料分
子が、溶液中で染料と同様の機能性を保持することを示す。パターン化された染
料結合したフィルムの図24に示すような蛍光イメージおよび図26に示す断面
TEM顕微鏡写真を組み合わせると、この蒸発誘導したデウェッティングおよび
自己アセンブリの経路によって達成可能なマクロスケールおよびメソスケール特
徴の均一性を証明する。比較として、パターン化SAM上での薄膜中間相の核形
成および成長によってゆっくり(2〜24時間)形成されたフィルムは、流体また
は光子系に適切でない不均質な球状形態を有することを観察した。この場合中孔
性フィルムが疎水性領域上に形成されたことにも注目すべきである。
【0128】 実施例8 図8の表1に列挙した機能性有機シランを、本発明の方法を用いて中間相薄膜
に組み込んだ。孔サイズおよび表面積を、表面音響波(SAW)技法を用いて、
−196℃で得られたN吸着等温線から決定した。窒素吸着による質量変化率を
、窒素相対圧力の関数として〜70pg.cmの感度でモニターした。孔サイズおよ
び表面積を、それぞれBET方程式およびBJHアルゴリズムを用いて等温線か
ら測定した。官能基を、窒素中での熱処理の間の選択的界面活性剤除去により保
持した。TGAおよびDTAを用いて、シラン分解なしに完全に界面活性剤除去
できる適切な温度ウインドウを確立した。ローダミンB、シトクロムc(Fluka
から購入)、オイルブルーN、分散イエロー3(Aldrichから購入)、銀イオン
、および銀ナノパーティクルを含む、5つの異なる添加剤をテストした。染料分
子(5,6-カルボキシフルオレセインスクシンイミジルエステル(5,6-FAM,S
E)、Molecular Probesから購入)を、アミノプロピルトリメトキシシラン(A
PS)を含む薄膜中間相に結合して、図8の表1の有機シラン4を形成した。
【0129】 TFTSで作成した750m/gの表面積の25Å孔サイズを有する3次元ネット
ワークを含む薄膜中間相は、疎水性であり、そしてコンピュータチップのような
低k誘電体適用に有用であり得る。
【0130】 MPSで作成した1060m/gの表面積の25Å孔サイズを有する3次元ネット
ワークを含む薄膜中間相は、貴金属元素のカップリングに有用であり、そして貴
金属元素が夾雑した水の浄化のような適用に有用であり得る。
【0131】 APSで作成した650m/gの表面積の22Å孔サイズを有する立方パターンを
含む薄膜中間相は、貴金属元素、染料、および生理活性分子のカップリングに有
用であり、そしてセンサーの組立てのような適用に有用であり得る。
【0132】 5,6-FAM,SE染料分子をAPSに結合することによって作成した545m/
gの表面積の21Å孔サイズを有する立方パターンを含む薄膜中間相は、pH変化
を感知するために有用であり、そしてマイクロ流体センサーのような適用に有用
であり得る。
【0133】 図8の表1の有機シラン5、3-(2,4-ジニトロフェニルアミノ)プロピルトリエ
トキシシランで作成した560m/gの表面積の22Å孔サイズを有する3次元ネッ
トワークを含む薄膜中間相は、発色団または非線形光学材料として用いられ得る
【0134】 エタン架橋したシルセスキオキサンで作成した430m/gの表面積の40Å孔サ
イズを有する立方パターンを含む薄膜中間相は、低k誘電特性を有し、そしてコ
ンピュータチップのような適用に有用であり得る。
【0135】 エアロゾルおよびエマルジョンでテンプレート化した薄膜(n=1.03〜1.10)
上のローダミン含有中間相(屈折率n=1.2〜1.3)は、CADおよびMPLを用
いて書き込まれている。得られる中間相は、潜在的にレーザー処理に有用な光導
波構造を直接的に限定するために有用である。
【0136】 本発明は添付の図面を参照して好適な実施態様とともに十分に記載されている
が、種々の変更および改変が当業者に明らかであることが理解されるべきである
。このような変更および改変は、本発明から逸脱しないかぎり、添付の特許請求
の範囲によって定義される本発明の範囲内に含まれると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 水中におけるCTABの概略状態図である。
【図2】 可溶性シリカ、界面活性剤、アルコール、および水を含む混成液体のディップ
コーティング中に確立される定常状態フィルム薄化プロファイルを示す。
【図3】 ディップコーティング中のエタノール/水/CTAB相空間でとられる概略の
軌跡を示す。
【図4】 本発明の好適な実施態様に従って使用される架橋したシルセスキオキサンモノ
マー1〜3の化学式を示す。
【図5】 界面活性剤−油−水の組み合わせを用いるデタージェント状態図の概略図であ
る。
【図6】 ディップコーティング中の有機−無機ナノラミネートの自己アセンブリの概略
図であり、界面活性剤、モノマー、架橋剤、およびオリゴマーシリカ層に隣接す
る開始剤の仮定配置を示す。
【図7】 共有結合したシリカ/ポリ(ドデシルメタクリレート)ナノコンポジットの仮
定構造を示す。
【図8】 種々の機能性有機シランおよび本発明の方法に従って作成して得られた薄膜の
特性を列挙する表である。
【図9】 本発明のコーティング組成物を利用する界面活性剤でテンプレート化した中間
相のマイクロペンリソグラフィーを示す。
【図10】 本発明の方法を用いて平面上に分散された本発明のコーティング組成物を用い
て作成された3−D二元流体パターンにおける、急勾配3−D蒸発で誘導した濃
度グラジエントを示す。
【図11】 本発明の方法を用いるマイクロ接触プリンティングまたは電気化学的脱着技法
を用いる選択的デウェッティングによって形成されるパターン化された機能性中
間構造の概略を示す。
【図12】 エチレン架橋したポリシルセスキオキサンを用いて調製した非焼成のおよび焼
成した薄膜中間相のX線回折結果を示す。
【図13】 本発明の方法を用いて調製した中間相のTEM顕微鏡写真である。
【図14】 本発明の方法を用いて調製した他の中間相のTEM顕微鏡写真である。
【図15】 本発明の方法を用いて調製した他の中間相のTEM顕微鏡写真である。
【図16】 本発明の方法を用いて調製した他の中間相のTEM顕微鏡写真である。
【図17】 本発明の方法を用いる2つの異なる界面活性剤を用いて調製した焼成薄膜中間
相の表面音響波に基づく窒素吸着等温線を示す。
【図18】 本発明の方法に従って作成した焼成TEOS//(≡Si-(CH2)2-Si≡)中孔
性薄膜の特性を列挙する表である。
【図19】 本発明の方法に従って作成したパターン化されたローダミンB含有シリカ中間
相の光学顕微鏡写真である。
【図20】 本発明の方法に従って作成したパターン化されたローダミンB含有フィルムの
断片の代表的なTEM顕微鏡写真である。
【図21】 本発明の方法に従って非吸着性表面上の標準インクのインクジェットプリンテ
ィングによって作成されたドットアレイの光学顕微鏡写真である。
【図22】 本発明の方法に従ってインクジェットプリンティング中に蒸発誘導したシリカ
/界面活性剤自己アセンブリによって作成された疎水性の中孔性シリカドットの
アレイの光学顕微鏡写真である。
【図23】 本発明の方法に従ってインクジェットプリンティング中に蒸発誘導したシリカ
/界面活性剤自己アセンブリによって作成された疎水性の中孔性シリカドットの
アレイの光学顕微鏡写真を示す。
【図24】 pH4.8、7.7、および12.0で調製した水溶液を導入した後の3本の隣接する5
,6 FAM,SE結合した孔チャンネルネットワークの蛍光画像である。
【図25】 pH4.8、7.7、または12.0で調製した水溶液に曝露した時の、本発明の方法に
従って作成した5,6 FAM,SE結合した中孔性フィルムの蛍光スペクトル、な
らびに比較のための対応するpHでの0.1μm溶液の蛍光スペクトルである。
【図26】 パターン化され染料結合した薄膜中間相の断面TEM顕微鏡写真であり、本発
明の方法に従って作成したフィルムにおける3−D孔チャンネルネットワークの
証拠を提供する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロペス,ガブリエル アメリカ合衆国 ニューメキシコ 87106, アルバカーキ,エヌイー,ダートモス 1105 (72)発明者 ブリンカー,チャールズ アメリカ合衆国 ニューメキシコ 87122, アルバカーキ,エヌイー,イーグル ネス ト ドライブ 14 (72)発明者 ルー,ユンフェン アメリカ合衆国 ルイジアナ 70005,ニ ュー オリンズ,チューレーン ユニバー シティ Fターム(参考) 4J038 DL081 DL091 DL161 HA096 HA156 JA19 JB11 JC32 JC35 JC36 KA06 KA08 KA09 MA04 MA08 MA09 MA10 PA06 PA18 PA19 PB09 PB11

Claims (70)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 以下を含む、コーティング組成物: TEOS; 界面活性剤; 少なくとも1つの有機シラン; HCl; 水;および エタノール。
  2. 【請求項2】 前記有機シランが、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒド
    ロオクチルトリエトキシシランを含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  3. 【請求項3】 前記有機シランが、メルカプトプロピルトリメトキシシラン
    を含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  4. 【請求項4】 前記有機シランが、アミノ有機シランを含む、請求項1に記
    載のコーティング組成物。
  5. 【請求項5】 前記有機シランが、アミノプロピルトリメトキシシランを含
    む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  6. 【請求項6】 アミノプロピルトリメトキシシランにカップリングした染料
    をさらに含む、請求項5に記載のコーティング組成物。
  7. 【請求項7】 前記有機シランが、3-(2,4-ジニトロフェニルアミノ)プロピ
    ルトリエトキシシランを含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  8. 【請求項8】 前記有機シランが、(HO)SiCHCHSi(
    OC)を含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  9. 【請求項9】 前記コーティング組成物が、さらに染料を含む、請求項1に
    記載のコーティング組成物。
  10. 【請求項10】 前記染料が、ローダミンBを含む、請求項9に記載のコー
    ティング組成物。
  11. 【請求項11】 前記界面活性剤が、陽イオン性界面活性剤を含む、請求項
    1に記載のコーティング組成物。
  12. 【請求項12】 前記陽イオン性界面活性剤が、CTABを含む、請求項1
    1に記載のコーティング組成物。
  13. 【請求項13】 前記界面活性剤が、非イオン性界面活性剤を含む、請求項
    1に記載のコーティング組成物。
  14. 【請求項14】 前記非イオン性界面活性剤が、Brij−56を含む、請
    求項13に記載のコーティング組成物。
  15. 【請求項15】 前記界面活性剤が、陰イオン性界面活性剤を含む、請求項
    1に記載のコーティング組成物。
  16. 【請求項16】 前記陰イオン性界面活性剤が、SDSを含む、請求項15
    に記載のコーティング組成物。
  17. 【請求項17】 前記コーティング組成物が、Si:エタノール:水:HC
    l:界面活性剤:有機シランを、1:22:5:0.004:0.093〜0.31:0.039〜0.8
    の比で含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  18. 【請求項18】 前記コーティング組成物が、有機添加剤をさらに含む、請
    求項1に記載のコーティング組成物。
  19. 【請求項19】 前記コーティング組成物が、Si:エタノール:水:HC
    l:界面活性剤:有機シラン:有機添加剤を、1:22:5:0.004:0.093〜0.31
    :0.039〜0.8:2.6×10−5の比で含む、請求項1に記載のコーティング組成物
  20. 【請求項20】 前記少なくとも1つの有機シランが、(HO)Si
    CHCHSi(OC)を含み、そして前記コーティング組成物が、S
    i:EtOH:HO:HCl:界面活性剤を、1:22:5:0.004:(0.054〜0
    .18)の比で含む、請求項1に記載のコーティング組成物。
  21. 【請求項21】 フィルムを形成する方法であって、 以下の少なくとも1つのコーティング組成物を提供する工程: TEOS、 界面活性剤、 少なくとも1つの有機シラン、 HCl、 水、および エタノール; 該コーティング組成物を基板上に塗布して該基板上にコーティングを形成させ
    る工程;および 該コーティングを乾燥させてパターン化したシルセスキオキサンフィルムを形
    成する工程; を含む方法。
  22. 【請求項22】 前記有機シランが、トリデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒ
    ドロオクチルトリエトキシシランを含む、請求項21に記載の方法。
  23. 【請求項23】 前記有機シランが、メルカプトプロピルトリメトキシシラ
    ンを含む、請求項21に記載の方法。
  24. 【請求項24】 前記有機シランが、アミノ有機シランを含む、請求項21
    に記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記有機シランが、アミノプロピルトリメトキシシランを
    含む、請求項21に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記コーティング組成物が、アミノプロピルトリメトキシ
    シランにカップリングした染料をさらに含む、請求項25に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記有機シランが、3-(2,4-ジニトロフェニルアミノ)プロ
    ピルトリエトキシシランを含む、請求項21に記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記有機シランが、(HO)SiCHCHSi
    (OC)を含む、請求項21に記載の方法。
  29. 【請求項29】 前記コーティング組成物が、さらに染料を含む、請求項2
    1に記載の方法。
  30. 【請求項30】 前記染料が、ローダミンBを含む、請求項29に記載の方
    法。
  31. 【請求項31】 前記界面活性剤が、陽イオン性界面活性剤を含む、請求項
    21に記載の方法。
  32. 【請求項32】 前記陽イオン性界面活性剤が、CTABを含む、請求項3
    1に記載の方法。
  33. 【請求項33】 前記界面活性剤が、非イオン性界面活性剤を含む、請求項
    21に記載の方法。
  34. 【請求項34】 前記非イオン性界面活性剤が、Brij−56を含む、請
    求項33に記載の方法。
  35. 【請求項35】 前記界面活性剤が、陰イオン性界面活性剤を含む、請求項
    21に記載の方法。
  36. 【請求項36】 前記陰イオン性界面活性剤が、SDSを含む、請求項35
    に記載の方法。
  37. 【請求項37】 前記コーティング組成物がディップコーティングによって
    前記基板上にコートされる、請求項21に記載の方法。
  38. 【請求項38】 前記コーティング組成物がマイクロペンリソグラフィーに
    よって前記基板上にコートされる、請求項21に記載の方法。
  39. 【請求項39】 前記コーティング組成物がインクジェットプリンティング
    によって前記基板上にコートされる、請求項21に記載の方法。
  40. 【請求項40】 前記少なくとも1つのコーティング組成物が、複数のコー
    ティング組成物を含み、そして該複数のコーティング組成物のそれぞれが、基板
    上に該複数のコーティング組成物のそれぞれをコートする前に、互いに別々に保
    存される、請求項39に記載の方法。
  41. 【請求項41】 前記コーティング組成物を提供する工程が、TEOS、エ
    タノール、水、およびHClを含む初期組成物を、少なくとも60℃の温度で少な
    くとも90分間加熱する工程を含む、請求項21に記載の方法。
  42. 【請求項42】 前記初期組成物が、TEOS、エタノール、水、およびH
    Clを、1:3.7:1:5×10−5のモル比で含む、請求項41に記載の方法。
  43. 【請求項43】 前記コーティング組成物を提供する工程が、前記初期組成
    物をエタノールで希釈してエタノール希釈組成物を得る工程をさらに含む、請求
    項41に記載の方法。
  44. 【請求項44】 前記初期組成物が、各1容量の初期組成物につき2容量の
    エタノールで希釈される、請求項43に記載の方法。
  45. 【請求項45】 前記コーティング組成物を提供する工程が、前記エタノー
    ル希釈組成物を水およびHClで希釈して酸性ゾルを得る工程をさらに含む、請
    求項43に記載の方法。
  46. 【請求項46】 前記コーティング組成物を提供する工程が、前記少なくと
    も1つの有機シランを前記酸性ゾルに添加してプロト組成物を形成させる工程を
    さらに含む、請求項45に記載の方法。
  47. 【請求項47】 前記コーティング組成物を提供する工程が、前記界面活性
    剤を前記プロト組成物に添加して該コーティング組成物を形成させる工程をさら
    に含む、請求項46に記載の方法。
  48. 【請求項48】 前記界面活性剤が、前記コーティング組成物中に0.04〜0.
    23Mの濃度で存在する、請求項47に記載の方法。
  49. 【請求項49】 前記コーティング組成物を提供する工程が、少なくとも1
    つの有機添加剤を前記酸性ゾルに添加する工程をさらに含む、請求項48に記載
    の方法。
  50. 【請求項50】 前記コーティング組成物が、Si:エタノール:水:HC
    l:界面活性剤:有機シラン:有機添加剤を、1:22:5:0.004:0.093〜0.31
    :0.039〜0.8:2.6×10−5の比で含む、請求項49に記載の方法。
  51. 【請求項51】 前記コーティング組成物が、Si:エタノール:水:HC
    l:界面活性剤:有機シランを、1:22:5:0.004:0.093〜0.31:0.039〜0.8
    の比で含む、請求項21に記載の方法。
  52. 【請求項52】 前記少なくとも1つの有機シランが、(HO)Si
    CHCHSi(OC)を含み、そして前記コーティング組成物が、S
    i:EtOH:HO:HCl:界面活性剤を、1:22:5:0.004:(0.054〜0
    .18)の比で含む、請求項21に記載の方法。
  53. 【請求項53】 前記コーティングが、25℃から100℃までの温度で乾燥さ
    れる、請求項21に記載の方法。
  54. 【請求項54】 実質的にすべての前記界面活性剤を前記フィルムから除去
    する工程をさらに含む、請求項21に記載の方法。
  55. 【請求項55】 前記界面活性剤が、前記薄膜を少なくとも300℃の温度で
    加熱することによって除去される、請求項54に記載の方法。
  56. 【請求項56】 前記フィルムをヘキサメチルジシラザンで蒸気処理する工
    程をさらに含む、請求項21に記載の方法。
  57. 【請求項57】 前記フィルムが、50nm〜1μmの厚さを有する、請求
    項21に記載の方法。
  58. 【請求項58】 前記フィルムが中孔性である、請求項21に記載の方法。
  59. 【請求項59】 請求項21に記載の方法により作成されたフィルム。
  60. 【請求項60】 請求項22に記載の方法により作成されたフィルム。
  61. 【請求項61】 請求項23に記載の方法により作成されたフィルム。
  62. 【請求項62】 請求項24に記載の方法により作成されたフィルム。
  63. 【請求項63】 請求項25に記載の方法により作成されたフィルム。
  64. 【請求項64】 請求項26に記載の方法により作成されたフィルム。
  65. 【請求項65】 請求項27に記載の方法により作成されたフィルム。
  66. 【請求項66】 請求項54に記載の方法により作成されたフィルム。
  67. 【請求項67】 請求項55に記載の方法により作成されたフィルム。
  68. 【請求項68】 請求項56に記載の方法により作成されたフィルム。
  69. 【請求項69】 請求項57に記載の方法により作成されたフィルム。
  70. 【請求項70】 請求項58に記載の方法により作成されたフィルム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533430A (ja) * 2003-10-31 2007-11-22 ナノソーラー インコーポレイテッド 無機/有機ハイブリッドナノラミネートバリアフィルム
JP2021531955A (ja) * 2018-06-22 2021-11-25 ウニベルシダッド アウトノマ デ マドリッド 多孔質結晶性材料の合成のためのナノリアクター

Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060118493A9 (en) * 1998-12-09 2006-06-08 Chmelka Bradley F Block polymer processing for mesostructured inorganic oxide materials
CA2297557A1 (fr) * 2000-01-27 2001-07-27 Universite Laval Materiaux siliciques mesostructures et leur procede de fabrication
DE10016485A1 (de) * 2000-04-01 2001-10-11 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Glas-, Keramik- und Metall-Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
AU2002220077A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-27 The Regents Of The University Of California Inorganic/block copolymer-dye composites and dye doped mesoporous materials for optical and sensing applications
DE10063739B4 (de) 2000-12-21 2009-04-02 Ferro Gmbh Substrate mit selbstreinigender Oberfläche, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
DE10106213A1 (de) * 2001-02-10 2002-08-22 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Selbstreinigende Lackbeschichtungen und Verfahren und Mittel zur Herstellung derselben
US6817293B2 (en) * 2001-03-28 2004-11-16 Dainippon Printing Co., Ltd. Patterning method with micro-contact printing and its printed product
CN100345059C (zh) * 2001-12-17 2007-10-24 西北大学 采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化
US20030129501A1 (en) * 2002-01-04 2003-07-10 Mischa Megens Fabricating artificial crystalline structures
US6747123B2 (en) * 2002-03-15 2004-06-08 Lucent Technologies Inc. Organosilicate materials with mesoscopic structures
GB0206930D0 (en) * 2002-03-23 2002-05-08 Univ Durham Method and apparatus for the formation of hydrophobic surfaces
US6872645B2 (en) 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US20040026684A1 (en) * 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
JP3869318B2 (ja) * 2002-06-17 2007-01-17 ダイムラークライスラー・アクチェンゲゼルシャフト プロトン伝導性薄膜およびその製造方法
US7291782B2 (en) * 2002-06-22 2007-11-06 Nanosolar, Inc. Optoelectronic device and fabrication method
AU2003259289A1 (en) 2002-07-30 2004-02-16 University Of Washington Apparatus and methods for binding molecules and cells
EP1541523A4 (en) * 2002-09-05 2010-04-14 Tokyo University Of Pharmacy A NANOCANAL STRUCTURE CONTAINING FUNCTIONAL MOLECULES AND THIN LAYER HAVING THE STRUCTURE
US20040226620A1 (en) * 2002-09-26 2004-11-18 Daniel Therriault Microcapillary networks
US7008757B2 (en) * 2002-12-17 2006-03-07 Lucent Technologies Inc. Patterned structures of high refractive index materials
US20040126708A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 3M Innovative Properties Company Method for modifying the surface of a polymeric substrate
KR100474854B1 (ko) * 2003-02-13 2005-03-10 삼성에스디아이 주식회사 탄소 분자체 및 그 제조 방법
US6891682B2 (en) * 2003-03-03 2005-05-10 Lucent Technologies Inc. Lenses with tunable liquid optical elements
US7168266B2 (en) * 2003-03-06 2007-01-30 Lucent Technologies Inc. Process for making crystalline structures having interconnected pores and high refractive index contrasts
US20050118338A1 (en) * 2003-05-02 2005-06-02 Johns Hopkins University Control of the spatial distribution and sorting of micro-or nano-meter or molecular scale objects on patterned surfaces
US6969166B2 (en) * 2003-05-29 2005-11-29 3M Innovative Properties Company Method for modifying the surface of a substrate
US20040241395A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 3M Innovative Properties Company Method of modifying a surface of a substrate and articles therefrom
US20040241323A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 3M Innovative Properties Company Method for applying adhesive to a substrate
US20040241396A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 3M Innovative Properties Company Method of modifying a surface of a substrate and articles therefrom
US7141617B2 (en) 2003-06-17 2006-11-28 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Directed assembly of three-dimensional structures with micron-scale features
WO2005008684A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Canon Kabushiki Kaisha Structured material and producing method thereof
US7106519B2 (en) * 2003-07-31 2006-09-12 Lucent Technologies Inc. Tunable micro-lens arrays
CN100568457C (zh) * 2003-10-02 2009-12-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR20050040275A (ko) * 2003-10-28 2005-05-03 삼성전자주식회사 절연막 형성용 조성물 및 이를 이용한 절연막 또는 절연막패턴의 형성방법
JP4447283B2 (ja) * 2003-11-05 2010-04-07 東京応化工業株式会社 シリカ系被膜形成用塗布液
JP4237610B2 (ja) * 2003-12-19 2009-03-11 株式会社東芝 保守支援方法及びプログラム
US6974619B2 (en) * 2003-12-26 2005-12-13 General Electric Company Hierarchical materials
US20050170643A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Forming method of contact hole, and manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal display device and EL display device
US20110039690A1 (en) * 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) * 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
WO2005097944A1 (ja) * 2004-03-25 2005-10-20 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 発光材料及びその製造方法
US7416977B2 (en) * 2004-04-28 2008-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device, liquid crystal television, and EL television
US20050279274A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-22 Chunming Niu Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
CA2564220A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-15 Nanosys, Inc. Systems and methods for nanowire growth and harvesting
US8563133B2 (en) * 2004-06-08 2013-10-22 Sandisk Corporation Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels
JP5000510B2 (ja) 2004-06-08 2012-08-15 ナノシス・インク. ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス
US7968273B2 (en) 2004-06-08 2011-06-28 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
US7776758B2 (en) 2004-06-08 2010-08-17 Nanosys, Inc. Methods and devices for forming nanostructure monolayers and devices including such monolayers
AU2005325265A1 (en) * 2004-07-07 2006-07-27 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and integrating nanowires
US9865790B2 (en) 2004-12-07 2018-01-09 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Nanostructured bulk thermoelectric material
US7309830B2 (en) * 2005-05-03 2007-12-18 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Nanostructured bulk thermoelectric material
US7892648B2 (en) * 2005-01-21 2011-02-22 International Business Machines Corporation SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding
TW200628938A (en) * 2005-02-02 2006-08-16 Quanta Display Inc Substrate of a liquid crystal display and method of forming an alignment layer
US7597950B1 (en) * 2005-02-28 2009-10-06 Massachusetts Institute Of Technology Nanoparticles having sub-nanometer features
US7524531B2 (en) * 2005-04-27 2009-04-28 Ferro Corporation Structured self-cleaning surfaces and method of forming same
US20060244779A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Kommera Swaroop K Pen for use by a printer to print colloidal crystal structures
US8399057B2 (en) * 2005-06-08 2013-03-19 The Regents Of The University Of California Ordered vertically oriented porous inorganic films produced through solution processing
TWI380904B (zh) * 2005-06-10 2013-01-01 Gen Electric 多級式材料
EP1908790A1 (en) * 2005-07-19 2008-04-09 Dynax Corporation Method for producing alkylsiloxane aerogel, alkylsiloxane aerogel, apparatus for producing same, and method for manufacturing panel containing same
US7666665B2 (en) 2005-08-31 2010-02-23 Alcatel-Lucent Usa Inc. Low adsorption surface
US20070059213A1 (en) * 2005-09-15 2007-03-15 Lucent Technologies Inc. Heat-induced transitions on a structured surface
US7412938B2 (en) * 2005-09-15 2008-08-19 Lucent Technologies Inc. Structured surfaces with controlled flow resistance
US8734003B2 (en) * 2005-09-15 2014-05-27 Alcatel Lucent Micro-chemical mixing
US8287808B2 (en) * 2005-09-15 2012-10-16 Alcatel Lucent Surface for reversible wetting-dewetting
US8721161B2 (en) * 2005-09-15 2014-05-13 Alcatel Lucent Fluid oscillations on structured surfaces
US20070092652A1 (en) * 2005-09-23 2007-04-26 Timm Matthew P Screen printing using nanoporous polymeric membranes and conductive inks
FR2894580B1 (fr) 2005-12-09 2014-04-11 Inst Francais Du Petrole Materiau hybride organique-inorganique mesostructure
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
JP2009522197A (ja) * 2005-12-29 2009-06-11 ナノシス・インコーポレイテッド パターン形成された基板上のナノワイヤの配向した成長のための方法
CN100386364C (zh) * 2006-01-09 2008-05-07 武汉理工大学 制备金属硫化物纳米粒子与介孔薄膜复合材料的方法
GB0601008D0 (en) * 2006-01-18 2006-03-01 Qinetiq Ltd Method of fabricating a semicondutor device
US20100119827A1 (en) * 2006-04-25 2010-05-13 Research Foundation Of The City University Of New York Polymer submicron particle preparation by surfactant-mediated precipitation
US7470581B2 (en) 2006-07-27 2008-12-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electromagnetic waveguide
US7718594B1 (en) * 2006-10-11 2010-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Aqueous based chemical and biological warfare decontaminating system for extreme temperature applications
US8044292B2 (en) * 2006-10-13 2011-10-25 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Homogeneous thermoelectric nanocomposite using core-shell nanoparticles
JP2008106165A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Chisso Corp インクジェット用インクおよび当該インクにより得られる硬化膜
WO2008057558A2 (en) * 2006-11-07 2008-05-15 Nanosys, Inc. Systems and methods for nanowire growth
KR100863489B1 (ko) 2007-03-27 2008-10-15 한국과학기술원 액적을 이용한 광결정의 제조방법, 이에 의해 형성된광결정 및 이를 이용한 다공성 고분자 구조체
US7956102B2 (en) 2007-04-09 2011-06-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Sol-gel inks
US8511155B2 (en) * 2007-10-19 2013-08-20 Norgren Limited Devices including a mechanochromatic material for indicating pressure
US20090233105A1 (en) * 2008-03-13 2009-09-17 Remington Jr Michael P Composite coatings comprising hollow and/or shell like metal oxide particles deposited via combustion deposition
EP2128618A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-02 Prion Diagnostica S.r.l. A process for monitoring the presence of pathogenic agents in biological fluids by nanostructured materials
US8286561B2 (en) 2008-06-27 2012-10-16 Ssw Holding Company, Inc. Spill containing refrigerator shelf assembly
US11786036B2 (en) 2008-06-27 2023-10-17 Ssw Advanced Technologies, Llc Spill containing refrigerator shelf assembly
US7922939B2 (en) 2008-10-03 2011-04-12 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Metal nanoparticle inks
ES2654377T3 (es) 2008-10-07 2018-02-13 Ross Technology Corporation Superficies resistentes a los derrames con fronteras hidrofóbicas y oleofóbicas
US8187500B2 (en) 2008-10-17 2012-05-29 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Biphasic inks
WO2010065169A1 (en) 2008-12-05 2010-06-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Self-assembled silica condensates
US9073782B2 (en) 2009-01-12 2015-07-07 Cleansun Energy Ltd. Substrate having a self cleaning anti-reflecting coating and method for its preparation
US8229719B2 (en) * 2009-03-26 2012-07-24 Seiko Epson Corporation Finite element algorithm for solving a fourth order nonlinear lubrication equation for droplet evaporation
HUE059099T2 (hu) 2009-05-19 2022-10-28 Oned Mat Inc Nanoszerkezetû anyagok akkumulátoros alkalmazásokhoz
US8014986B2 (en) * 2009-06-02 2011-09-06 Seiko Epson Corporation Finite difference algorithm for solving lubrication equations with solute diffusion
US8431292B2 (en) * 2009-06-04 2013-04-30 Xerox Corporation Charge blocking layer and coating solution for forming the same
US8623288B1 (en) 2009-06-29 2014-01-07 Nanosys, Inc. Apparatus and methods for high density nanowire growth
WO2011016277A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 パナソニック電工株式会社 メソポーラスシリカ微粒子の製造方法、メソポーラスシリカ微粒子、メソポーラスシリカ微粒子分散液、メソポーラスシリカ微粒子含有組成物、及びメソポーラスシリカ微粒子含有成型物
FR2949111B1 (fr) * 2009-08-13 2013-03-22 Essilor Int Procede de fabrication d'un substrat revetu d'un film antistatique mesoporeux et son application en optique ophtalmique
US8285530B2 (en) * 2009-10-15 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Upwind algorithm for solving lubrication equations
US9074778B2 (en) 2009-11-04 2015-07-07 Ssw Holding Company, Inc. Cooking appliance surfaces having spill containment pattern
US8285526B2 (en) * 2009-12-02 2012-10-09 Seiko Epson Corporation Finite difference algorithm for solving slender droplet evaporation with moving contact lines
US8255194B2 (en) * 2009-12-02 2012-08-28 Seiko Epson Corporation Judiciously retreated finite element method for solving lubrication equation
US20110196657A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Jie Zhang Solving a Solute Lubrication Equation for 3D Droplet Evaporation on a Complicated OLED Bank Structure
WO2011116005A1 (en) 2010-03-15 2011-09-22 Ross Technology Corporation Plunger and methods of producing hydrophobic surfaces
US8271238B2 (en) * 2010-03-23 2012-09-18 Seiko Epson Corporation Finite difference scheme for solving droplet evaporation lubrication equations on a time-dependent varying domain
JP6031660B2 (ja) 2010-05-21 2016-11-24 ゼットナノ エルエルシーzNano LLC 自己集合界面活性剤構造
US8871926B1 (en) 2010-09-28 2014-10-28 Sandia Corporation Synthesis of porphyrin nanostructures
US9486742B1 (en) 2010-10-05 2016-11-08 Sandia Corporation Biomimetic membranes and methods of making biomimetic membranes
KR20130132800A (ko) * 2010-10-22 2013-12-05 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 잉크 조성물 및 이의 인쇄
FR2969014A1 (fr) 2010-12-16 2012-06-22 Air Liquide Support ceramique catalytique presentant une microstructure controlee
PE20140834A1 (es) 2011-02-21 2014-07-10 Ross Technology Corp Revestimiento superhidrofos y oleofobos con sistema aglutinantes con bajo contenido de cov
FR2976822B1 (fr) 2011-06-27 2015-03-27 Air Liquide Dispositif d'epuration des gaz d'echappement d'un moteur thermique comprenant un support ceramique catalytique comprenant une arrangement de cristallites sensiblement identiques
DE102011085428A1 (de) 2011-10-28 2013-05-02 Schott Ag Einlegeboden
CA2892085C (en) 2011-11-22 2022-07-26 Znano Llc Filter comprising porous plastic material coated with hydophilic coating
EP2791255B1 (en) 2011-12-15 2017-11-01 Ross Technology Corporation Composition and coating for superhydrophobic performance
KR101329793B1 (ko) * 2011-12-29 2013-11-18 주식회사 노루홀딩스 잉크 조성물, 그 제조 방법 및 이를 함유하는 디스플레이 패널
US9273305B1 (en) 2012-04-25 2016-03-01 Sandia Corporation Cell-based composite materials with programmed structures and functions
AU2013281220B2 (en) 2012-06-25 2017-03-16 Ross Technology Corporation Elastomeric coatings having hydrophobic and/or oleophobic properties
CN102888185B (zh) * 2012-10-30 2014-09-10 福建鑫磊装饰工程有限公司 一种仿石涂料及其制备方法
WO2017120504A1 (en) 2016-01-08 2017-07-13 Durfee Paul N Osteotropic nanoparticles for prevention or treatment of bone metastases
US10538632B1 (en) 2016-09-30 2020-01-21 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Shape-preserving polymeric replication of biological matter
WO2018160865A1 (en) 2017-03-01 2018-09-07 Charles Jeffrey Brinker Active targeting of cells by monosized protocells
TWI648358B (zh) 2017-07-28 2019-01-21 財團法人工業技術研究院 隔熱塗料與隔熱多孔膜及其形成方法
CN109096914B (zh) * 2018-07-16 2021-01-15 武汉疏能新材料有限公司 一种具有憎水迁移性的超疏水涂料和薄膜的制备方法
US20230183919A1 (en) * 2020-04-30 2023-06-15 Tiax Llc Hydrophobic and omniphobic periodic mesoporous organosilica-based coatings and coating methods
SE2130201A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-17 Absolicon Solar Collector Ab Antireflective coatings
CN116179004A (zh) * 2023-03-22 2023-05-30 北京华楚路美交通科技有限公司 一种自组装法制备超疏水抗污涂料的方法及用途

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995016731A1 (en) * 1993-12-13 1995-06-22 Ppg Industries, Inc. Coating composition and articles having a cured coating
EP0739856A2 (en) * 1995-04-25 1996-10-30 The Institute Of Physical & Chemical Research A silica-surfactant nanocomposite and its production process
TW376408B (en) * 1995-12-01 1999-12-11 Nissan Chemical Ind Ltd Coating film having water repellency and low refractive index
US5922299A (en) * 1996-11-26 1999-07-13 Battelle Memorial Institute Mesoporous-silica films, fibers, and powders by evaporation
US5858457A (en) * 1997-09-25 1999-01-12 Sandia Corporation Process to form mesostructured films
US6126733A (en) * 1997-10-31 2000-10-03 Alliedsignal Inc. Alcohol based precursors for producing nanoporous silica thin films
US6264741B1 (en) * 1998-11-25 2001-07-24 Sandia Corporation Self-assembly of nanocomposite materials
FR2787350B1 (fr) * 1998-12-21 2002-01-04 Saint Gobain Vitrage Vitrage a revetement mesoporeux fonctionnel, notamment hydrophobe
US6268457B1 (en) * 1999-06-10 2001-07-31 Allied Signal, Inc. Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography
US6423770B1 (en) * 1999-07-15 2002-07-23 Lucent Technologies Inc. Silicate material and process for fabricating silicate material
US6365266B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-02 Air Products And Chemicals, Inc. Mesoporous films having reduced dielectric constants
US6387453B1 (en) * 2000-03-02 2002-05-14 Sandia Corporation Method for making surfactant-templated thin films
US6270846B1 (en) * 2000-03-02 2001-08-07 Sandia Corporation Method for making surfactant-templated, high-porosity thin films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533430A (ja) * 2003-10-31 2007-11-22 ナノソーラー インコーポレイテッド 無機/有機ハイブリッドナノラミネートバリアフィルム
JP2021531955A (ja) * 2018-06-22 2021-11-25 ウニベルシダッド アウトノマ デ マドリッド 多孔質結晶性材料の合成のためのナノリアクター

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