JP2003517709A - 有機発光ダイオードデバイス用の改良型エンキャプシュレーション - Google Patents

有機発光ダイオードデバイス用の改良型エンキャプシュレーション

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JP2003517709A
JP2003517709A JP2001545895A JP2001545895A JP2003517709A JP 2003517709 A JP2003517709 A JP 2003517709A JP 2001545895 A JP2001545895 A JP 2001545895A JP 2001545895 A JP2001545895 A JP 2001545895A JP 2003517709 A JP2003517709 A JP 2003517709A
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カール ミヒャエル ギュンター エヴァルト
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED

Abstract

(57)【要約】 デバイス用のエンキャプシュレーションが開示されている。１つの実施例において、スペーサ粒子は、デバイス領域に選択的に配置されている。スペーサ粒子は、基板上に配置されたキャップが、有効分に接触するのを防ぎ、それによって前記有効分を破損から保護している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。より明確には
、本発明は、ＯＬＥＤデバイスの実装に関する。
【０００２】 図１は、ＯＬＥＤデバイス１００を示す。ＯＬＥＤデバイスは、１つまたはそ
れ以上の有機機能層１１０を、第１電極１０５と第２電極１１５との間に有して
いる。電極は、例えば、複数のＯＬＥＤセルを形成するようにパターン付けされ
ることによって、ピクセル状のＯＬＥＤデバイスを作成することができる。ボン
ドパッド１５０は、第１電極及び第２電極に結合されており、ＯＬＥＤセルとの
電気的接続を可能にするために設けられている。
【０００３】 ＯＬＥＤセルを水分及び／または外気等の環境から保護するため、キャップ１
６０がデバイスを封止している。ＯＬＥＤセルの活性物質及び電極物質は敏感で
あり、例えばキャップとの機械的接触によって容易に破損する可能性がある。Ｏ
ＬＥＤセルが破損するのを防ぐため、中空キャップまたは中空容器が使用される
。容器は、キャップとＯＬＥＤセルとの間に空洞１４５を設けている。この空洞
はまた、デバイスの有限漏洩率に対処するための乾燥剤の配置に備えるものであ
る。
【０００４】 ＯＬＥＤデバイスの横方向の寸法は、適用形態にもよるが、通常数センチメー
トルまたはそれ以上の範囲である。比較的大型の横方向の寸法に適応させるため
に、比較的肉厚のキャップを使用することによって必要な機械的安定性を提供し
、空洞のインテグリティを維持している。しかしながら、薄型で、かつ柔軟性が
あるデバイスに対する需要によって、キャップ及び基板等の、比較的薄型の構成
素子の使用が要求されている。キャップの厚みを減らすことは、その機械的安定
性を低下させ、キャップを、空洞を崩壊させる可能性がある、より曲がりやすい
状態にし、それによってＯＬＥＤセルを破損させる。
【０００５】 上記の議論から明らかなように、改善された容器を有するＯＬＥＤデバイス、
とりわけ薄型または柔軟性のある基板上に形成されたＯＬＥＤデバイスを提供す
ることが所望される。
【０００６】 本発明は、デバイス用の改善されたエンキャプシュレーションに関する。１つ
の実施例において、改善型エンキャプシュレーションは、ＯＬＥＤデバイスのた
めに提供される。ＯＬＥＤデバイスは、基板のデバイス領域に形成されたＯＬＥ
Ｄセルを含んでいる。スペーサ粒子は、選択的にデバイス領域に配置され、基板
上に置かれたキャップを支持する。スペーサ粒子は、例えばＯＬＥＤセル間の非
作用領域または非放射性領域に選択的に配置される。スペーサ粒子を使用するこ
とによって、キャップがセル領域のＯＬＥＤセルに、曲がりによって生じた圧力
によって接触するのを防いでいる。それによって、信頼性が改善される。
【０００７】 本発明は、概してＯＬＥＤデバイスに関する。とりわけ、本発明は、ＯＬＥＤ
デバイスを封止するための費用効果性が高い容器、とりわけ薄型基板上に形成さ
れた容器を提供する。本発明によると、スペーサ粒子は、デバイスのデバイス領
域またはセル領域に配置されている。スペーサ粒子はキャップを支持し、キャッ
プがＯＬＥＤセルに接触するのを防いでいる。スペーサ粒子をＯＬＥＤにおいて
使用することは、同時係属の国際特許出願「有機発光ダイオードデバイス用エン
キャプシュレーション」（代理人事件整理番号：ＧＲ ９９Ｅ ２８０９ＳＧ）
に記載されており、前記国際特許出願は、本明細書中に、あらゆる目的のための
参照用に引用されている。
【０００８】 スペーサ粒子は、例えば、所望のパターンを有する基板上に空間的に分配され
ている。１つの実施例において、スペーサ粒子は、ＯＬＥＤセルが形成されてい
るデバイス領域の、非放射性領域または非作用領域に空間的に配置されている。
スペーサ粒子パターン分布は、直接的または間接的なパターン形成プロセスから
形成することができる。
【０００９】 図２〜６は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って製造するた
めのプロセスを示す。図２に関して、基板２６０が設けられている。前記基板は
、１つの実施例においては、ＯＬＥＤデバイスを封止するためのキャップとして
機能する。前記キャップは、例えば、金属またはガラスからなる。有効分を前記
環境から保護することができるその他のタイプの物質、例えばセラミックまたは
金属化された箔もまた有効である。キャップの厚さは、例えば、１０〜２００ｕ
ｍとすることができる。
【００１０】 本発明によると、スペーサ粒子２７０は、基板表面２６１上にランダムに分配
される。スペーサ粒子は、スペーサ粒子をその中に浮かせているデバイス層を配
置することによって、基板表面上にランダムに配置される。１つの実施例におい
て、デバイス層は、ホトレジスト等の感光性材料からなる。様々なタイプのホト
レジスト、例えば、ＣｌａｒｉａｎｔのＡＺ ５２１４ＥまたはＴｏｋｙｏ Ｏ
ｋａ．のＴＳＭＲを採用することが可能である。スペーサ粒子を浮かすことがで
きるその他の感光性材料、例えばホトパターン可能なポリイミド、ホトパターン
可能なポリベンゾクサゾール、ホトパターン可能なポリグルタリイミド及びその
他の樹脂もまた有効である。スペーサ粒子を感光性材料中に浮かせることは、有
利には、基板上のスペーサ粒子分布の形成を、直接的なパターン形成プロセスに
よって可能にしている。
【００１１】 スペーサ粒子の形状は、キャップによって生じた空洞の所望の高さとほぼ実質
的に同一の直径を有する球体とすることができる。ＯＬＥＤデバイスのための空
洞は、通常２〜５００ｕｍである。また、その他の幾何学的形状を有するスペー
サ粒子を使用することができ、例えば、立方体、角柱、ピラミッド型、またはそ
の他の整然とした、もしくは不揃いの形状は、空洞の所望の高さを維持するのに
十分な平均直径を有している。スペーサ粒子のサイズ分布は、キャップとＯＬＥ
Ｄセルとの間の適切な分離を確実にするために、十分に狭くしなければならない
。
【００１２】 スペーサ粒子は、有利には非導電材料からなる。１つの実施例において、スペ
ーサ粒子はガラスからなる。その他のタイプの非伝導物質（例えばシリカ、ポリ
マーまたはセラミック）または導電材料からなるスペーサ粒子もまた有効である
。導電物質を有するスペーサ粒子を使用することもまた有利である。
【００１３】 スペーサ粒子がホトレジストに集中することは、所望のスペーサ粒子密度を、
最終的なパターン分布において発生させるのに十分でなければならない。１つの
実施例において、スペーサ粒子が集中することは、パターン分布におけるスペー
サ粒子密度を発生させ、キャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防ぐのに十分で
なければならない。１つの実施例において、ホトレジストは、（重量）約０．１
〜２％のスペーサ粒子濃度を有する。このような濃度は、スペーサ粒子間の平均
距離は約１０〜５００ｕｍとなるスペーサ粒子密度を発生させる。通常、これは
、キャップがＯＬＥＤセルに接触するのを防ぐには十分である。スペーサ粒子の
濃度は、２つのキャップの厚さ、基板の厚さ、及び必要なデバイス柔軟性の量等
の設計要件に適応させるために変化させることができる。
【００１４】 ホトレジストは、（例えばスピンオン技術によって）基板表面に塗布され、レ
ジスト層２６６を形成し、前記レジスト層２６６にはスペーサ粒子２７０が埋め
込まれている。レジスト層の厚さは、スペーサ粒子の直径以下としなければなら
ない。通常、レジスト層は、約１００〜２０００ｎｍの厚みを有している。
【００１５】 図３に関して、適切な露光源（分解能及びレジストにもよるが、紫外線、強度
の紫外線、Ｘ線電子ビームまたはイオンビーム）からの照射３９８は、マスク３
９５を通過し、レジスト層２６６の領域３９７を選択的に露光する。
【００１６】 図４において、レジストは、（例えばウェットな化学物質）適切に発生し、露
光部分を除去する。露光部分のレジスト及びスペーサ粒子は共に除去され、所望
のスペーサ粒子分布パターンをキャップの表面に残している。前述のように、レ
ジストはポジ型レジストである。ネガ型レジストを使用することもまた有効であ
る。
【００１７】 別の実施例において、スペーサ粒子分布パターンは、間接的なパターン形成プ
ロセスによって形成される。スペーサ粒子が浮いているデバイス層は、ホトパタ
ーン不可能な材料からなる。例えば、ノボラック溶液、ベンゾシクロブチタン溶
液、ポリイミド溶液、ポリベンゾクサゾール溶液、ポリグルタリイミド溶液及び
その他のアクリル樹脂またはエポキシ樹脂である。スペーサ粒子が浮いているそ
の他のホトパターン不可能な材料もまた有効である。デバイス層は、例えばスピ
ンコーティングプロセスまたはドクターブレーディング等のその他のウェットコ
ーティングプロセスによって基板上にコーティングされる。また、ウェット印刷
技術を使用することによって、スペーサ粒子を基板表面上に配置することができ
る。レジスト層は、スペーサ粒子上に塗布され、レジストの一部を除去するよう
にパターン付けされる。残りのレジストは、例えばウェットエッチングプロセス
のエッチングマスクとして機能し、デバイス層の不所望のスペーサ粒子及びデバ
イス層の一部を、キャップ表面から除去する。その他のタイプのホトパターン可
能な材料を使用してエッチングマスクを形成することもまた有効である。
【００１８】 図５に関して、薄型基板５０１には、有効分が設けられている。基板は、例え
ば、プラスチックフィルムからなる。前記プラスチックフィルムは、例えば、透
明のポリ（エチレンテレフタル酸塩）（ＰＥＴ）、ポリ（ブチレンテレフタレー
ト）（ＰＢＴ）、ポリ（エンチレンナフタレート）（ＰＥＮ）、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳＯ）、及びポリ（ｐ−フ
ェニレンエーテルスルホン）である。その他の物質、例えばポリエチレン（ＰＥ
）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（塩化ビニル）（ＰＶＣ）、ポリスチレン(
ＰＳ)及びポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）もまた、基板を形成するために
使用することができる。ガラスまたは石英等のその他の透明材料からなる基板も
また有効である。その他の材料もまた、適用形態に依存するが、基板を形成する
ために使用することができる。
【００１９】 １つの実施例において、基板は、約２０〜３００ｕｍの厚さを有している。あ
る場合においては、薄型基板は、機械的に不安定であることがあり、処理上の問
題を生じさせる。一時的な支持層（図示せず）を採用することによって、製造プ
ロセスの間は基板を安定化させることができる。１つの実施例において、基板に
は、ＯＬＥＤセルが設けられている。一時的な支持層は、例えば、基板の裏側に
設けられている。１つの実施例において、一時的な支持層は、接着剤が塗布され
たポリマー箔からなる。処理後、一時的な層は除去される。なぜなら、デバイス
容器は、デバイスを機械的に安定化させるために使用することができるからであ
る。
【００２０】 ＯＬＥＤセルは、基板のセル領域５０８に形成される。ＯＬＥＤセルは、スタ
ック状の層を有し、前記スタック状の層は、第１電極５０５及び第２電極５１５
を含んでおり、少なくとも１つの有機機能層５１０を両電極間に有している。Ｏ
ＬＥＤセルの製造は、バローズらによる「ネイチャー」（ロンドン）、３４７頁
及び５３９頁（１９９０）に記載されており、これは、あらゆる目的の参照用に
本明細書に引用されている。ボンドパッド５５０は、ＯＬＥＤセルに対するアク
セスを可能にするために設けられている。
【００２１】 通常、ＯＬＥＤセルの製造は、第１電極層５０５を基板上に配置することを含
んでいる。第１電極層は、例えば、インジウム酸化スズ等の透明の導電層からな
る。その他の導電性材料もまた有効である。第１電極層は、従来のエッチング技
術及びマスク技術によってパターン付けされる。押し型によるパターン形成技術
もまた有効である。このような技術は、同時係属の国際特許出願「デバイス層の
機械的パターン形成」（代理人事件整理番号：９９Ｅ ８０６２）に記載されて
おり、前記国際特許出願は、あらゆる目的の参照用に本明細書に引用されている
。電極層のパターンは、適用形態に依存している。例えば、第１電極層は、ピク
セル状デバイスの陽極として機能する、下部電極ストリップを形成するようにパ
ターン付けすることができる。ボンドパッドへの接続部分もまた形成される。
【００２２】 １つまたはそれ以上の有機機能層５１０は、基板上に形成され、第１電極を被
覆している。機能有機層は、例えば、共役ポリマーまたはＡｌｑ３等の低分子材
料からなる。その他のタイプの機の有機層もまた有効である。有機機能層は、従
来の技術によって形成することができる。このような技術は、例えば、スピンコ
ーティングまたは（Ａｌｑ３有機層用の）真空昇華等のウェットプロセスを含ん
でいる。有機機能層の一部は、選択的に除去されることによって、例えば、ボン
ドパッド接続部分を露光する。有機層を選択的に除去することは、例えば、研磨
によって達成することができる。有機層を選択的に除去するためのその他の技術
、例えばエッチング、スクラッチングまたはレーザ削摩もまた使用することがで
きる。
【００２３】 第２電極層５１５は、有機機能層を覆うようにして基板上に塗布され、パター
ン付けされる。１つの実施例において、第２電極層は、第２電極ストリップを形
成するようにパターン付けされ、前記第２電極ストリップは第１電極ストリップ
と交差し、ピクセル状のＯＬＥＤデバイスが形成される。導電層を空間的に配置
することによって第２電極を形成することもまた有効である。ＯＬＥＤセルを形
成するためのその他の技術もまた有効である。
【００２４】 １つの実施例において、セル領域を包囲する密封フレーム５３５が設けられて
いる。密封フレームを設けることは、基板にパターン付けを行い、必要に応じて
、密封ポスト５８０を前記基板に形成するための領域を形成することを含む。密
封ポストの高さは、所望の高さを有する空洞を形成するのに十分である。
【００２５】 密封ポストは、例えば、キャップをデバイスに永久に固着するための接着剤を
有する。紫外線硬化エポキシ樹脂または熱硬化エポキシ樹脂、アクリレート、高
温接着剤融液または低温無機材料（例えばソルダガラス）を使用することができ
る。スペーサ粒子（図示せず）は、密封ポストに設けることができ、それによっ
て、密封ポストにおける接着剤の未硬化段階中、キャップを支持する。密封ポス
トは、従来の技術によって形成され、前記従来の技術は、例えば、スクリーン印
刷、ディスペンサ吐出法またはホトリソグラフィーを含んでいる。
【００２６】 密封ポストは、その他のタイプの材料、例えば同時係属の国際特許出願「デバ
イスのエンキャプシュレーション」（代理人事件整理番号：９９Ｅ １９７５）
に記載されているような材料で形成することができ、前記国際特許出願は、あら
ゆる目的の参照のために、本明細書に引用されている。有利には、密封ポストは
、直接パターン付けできるホトパターン可能な物質または感光性材料からなる。
ホトパターン可能な材料は、例えば、感光性ポリイミド、感光性ポリベンゾクサ
ゾール、ホトレジスト、ノボラック系に基づくホトレジスト、及びドライフィル
ムレジスト材料を含んでいる。ノボラック系に基づくホトレジストは、とりわけ
有効である。なぜなら、硬化し、交差結合することによって、その他のタイプの
非凝固レジストを上回る、改善された機械的インテグリティを実現できるからで
ある。間接的にパターン付け可能な材料、例えば、スピンオンガラス物質、ポリ
イミド、ポリベンゾクサゾール、ポリグルタリイミド、ベンゾシクロブチタン、
ポリエチレン（ＰＥ）等のポリマー、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（
ＰＰ）、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及びＡＬ２Ｏ３等の無機物質、またはセラミッ
クもまた有効である。
【００２７】 このような適用形態において、接着剤は、キャップを密封するために設けるこ
とができる。自己硬化接着剤、紫外線硬化接着剤または熱硬化接着剤、または高
温接着剤融液等の接着剤もまた有効である。その他の技術、例えば低温ソルダ材
料、超音波ボンディング、またはインダクタンス溶接またはレーザ溶接を使用す
る溶接技術を採用する技術もまた有効である。
【００２８】 別の実施例において、密封ポストは、密封フレーム上ではなく、キャップの内
部表面に形成されている。
【００２９】 図６に関して、キャップは基板上に配置されている。密封ポストはキャップを
密封し、デバイスを封止している。キャップは空洞６４５を形成し、スペーサ粒
子２７０によって支持されている。スペーサ粒子は、キャップを支持することに
よって、前記キャップがセル領域のＯＬＥＤセルに接触するのを防ぎ、比較的薄
型の基板及びキャップの使用を可能にしている。
【００３０】 図７〜８は、本発明の別の実施例を示す。空洞７４５と共に前もって形成され
たキャップ７６０が図示されている。キャップの内部表面は、スペーサ粒子７７
０を有している。スペーサ粒子は分布パターンを有しており、前記分布パターン
は、本発明による直接的または間接的にパターン付け可能なプロセスによって実
現される。実施例において、スペーサ粒子分布は、ＯＬＥＤデバイスの非活性領
域に対応している。
【００３１】 図８に関して、基板８０１には、セル領域８０８のＯＬＥＤセルを備えている
。ＯＬＥＤセルは、第１電極８０５と第２電極８１５との間にはさまれた、少な
くとも１つの機能有機層８１０を有している。電極は、ピクセル状のＯＬＥＤデ
バイスを形成するようにパターン付けされることができる。ボンドパッド８５０
は、ＯＬＥＤセルにアクセスするために設けられている。スペーサ粒子を有する
キャップ７６０は、デバイスを封止するために基板のキャップ密封フレーム領域
８３５に配置されている。接着剤、例えば、紫外線硬化接着剤または熱硬化接着
剤、または高温接着剤融液は、キャップを配置するのに有効である。その他の技
術、例えば、低温はんだ材料、超音波ボンディング、またはインダクタンス溶接
またはレーザ溶接を使用する溶接技術を採用する技術もまた、キャップを配置す
るために有効である。スペーサ粒子はキャップを支持し、前記キャップがセル領
域のOLEDセルに接触するのを防いでおり、比較的薄型の基板およびキャップの使
用を可能にしている。
【００３２】 図９〜１３は、OLEDデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。図示のように、基板９０１が設けられている。基板は、OLEDセ
ルの支持体として機能している。基板は、例えば、ガラスまたはポリマーからな
る。その他の材料もまた有効である。導電層９０５は、基板の表面に形成されて
いる。前記導電層は、OLEDセル用の電極として機能している。１つの実施例にお
いて、第１電極層は、例えば、ITO等の透明な導電層からなる。その他の透明な
導電物質もまた有効である。
【００３３】 導電層は、所望されるとおり、前記導電層の一部を選択的に除去し、基板の一
部９５６を露光するようにパターン付けされている。１つの実施例において、導
電層は、ストリップを形成するようにパターン付けされ、前記ストリップは、例
えば、ピクセル状のOLEDデバイスの陽極として機能している。また、パターン形
成プロセスによって、ボンドパッド用の接続部分を形成することができる。従来
の技術、例えば、ホトリソグラフィー及びエッチングは、導電層にパターン付け
するために使用することができる。押し型を使用するパターン形成技術もまた有
効である。このような技術は、同時係属の国際特許出願「デバイス層の機械的パ
ターン形成」（代理人事件整理番号：９９E ８０６２）に記載されており、前
記国際特許出願は、あらゆる目的の参照のために本明細書に引用されている。
【００３４】 図１０に関して、レジスト層９６６は、その中にスペーサ粒子が浮いており、
本発明の１つの実施例に従って基板上に配置されている。露光源からの照射９９
８は、マスク９９５を介して、レジストの一部９９７を選択的に露光するように
照射される。
【００３５】 図１１において、レジスト層９６６は、ポジ型レジストを使用するかネガ型レ
ジストを使用するかに依存して、露光部分または未露光部分を除去することによ
って発生する。スペーサ粒子はレジスト層と共に除去され、スペーサ粒子分布パ
ターンを発生させる。別の方法によると、スペーサ粒子分布パターンは、本発明
による間接的にパターン付け可能なプロセスによって形成することができる。
【００３６】 １つまたはそれ以上の機能有機層９１０は基板上に配置され、基板の露光部分
及び導電層を被覆している。機能有機層は、例えば、共役ポリマーまたはＡｌｑ ３ からなる。その他のタイプの機能有機層もまた有効である。
【００３７】 図１２に関して、有機層の一部を選択的に除去することによって、例えば、下
にある層を、ボンドパッド接続部分のために露光することができる。有機層を選
択的に除去することは、研磨によって達成することができる。その他の技術、例
えば、エッチング、スクラッチングまたはレーザ削磨もまた、有機層の一部を選
択的に除去するために使用することができる。
【００３８】 第２導電層９１５は基板上に配置されており、スペーサ粒子及び前記スペーサ
粒子上に形成されたその他の層を被覆している。導電層は、例えば、Ｃａ、Ｍｇ
、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌまたはこれらの合金よりなる。その他の導電材料、とりわけ
低い仕事関数を有する材料もまた、第２導電層を形成するために使用される。１
つの実施例において、第２導電層は、電極ストリップを形成するためにパターン
付けされ、前記電極ストリップは、ピクセル状のＯＬＥＤデバイス用の陰極とし
て機能している。また、ボンドパッド用の接続部分は、パターン形成プロセス中
に形成することができる。別の方法によると、導電層は、陰極ストリップ及びボ
ンドパッド接続部分を形成するために選択的に配置することができる。導電層を
選択的に配置することは、例えば、マスク層によって達成することができる陰極
ストリップは、通常陽極ストリップと直交している。陽極ストリップと斜めに交
わる陰極ストリップを形成することもまた有効である。電極ストリップの上部と
下部との交差部分は、有機発光ダイオードピクセルを形成する。
【００３９】 密封ポスト９８０は、密封フレーム領域９３５に形成されている。密封ポスト
は、キャップを支持し、かつ前記キャップをデバイスに固着するために使用され
る。密封ポストを、密封フレーム上にではなくキャップの内部表面に形成するこ
ともまた有効である。
【００４０】 図１３に関して、キャップ９６０は基板上に配置されている。密封ポストはキ
ャップを密封し、デバイスを封止している。キャップは空洞９４５を形成し、ス
ペーサ粒子２７０によって支持されている。スペーサ粒子は、キャップを支持す
ることによって、前記キャップがセル領域のＯＬＥＤセルに接触するのを防ぎ、
比較的薄型の基板及びキャップの使用を可能にしている。
【００４１】 図１４に関して、本発明の別の実施例が図示されている。空洞９４５と共に前
もって形成されたキャップ９６０が図示されている。キャップは、基板の密封フ
レーム領域に配置されており、前記基板は、デバイスを封止するため、有効分及
びスペーサ粒子を備えている。接着剤、例えば、自硬性接着剤、紫外線硬化接着
剤または熱硬化接着剤、または高温接着剤融液等は、キャップを配置するために
有効である。その他の技術、例えば、低温ソルダ材料、超音波ボンディング、ま
たはインダクタンス溶接またはレーザ溶接を使用する溶接技術を採用する技術も
また、キャップを配置するために有効である。スペーサ粒子はキャップを支持し
、前記キャップが、セル領域のＯＬＥＤセルに接触するのを防ぎ、比較的薄型の
基板及びキャップの使用を可能にしている。
【００４２】 スペーサ粒子はまた、中空容器を採用するその他のタイプのデバイスを支持す
る際に使用することができる。このようなデバイスは、例えば、電気デバイス、
機械デバイス、電気機械デバイスまたはマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）
を含んでいる。
【００４３】 本発明は、多様な実施例を参照してとりわけ図示され、記載されてきたが、当
業者によって認識されるであろうことは、本発明に対する修正及び変更は、その
精神及び範囲から逸脱すること無く行うことができることである。従って、本発
明の範囲は、上記の記載に関してではなく、付随する請求項に関して、その対応
物の全範囲と共に決定されなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、ＯＬＥＤデバイスを示す。
【図２】 図２は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図３】 図３は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図４】 図４は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図５】 図５は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図６】 図６は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の１つの実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図７】 図７は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するためのプ
ロセスを示す。
【図８】 図８は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するためのプ
ロセスを示す。
【図９】 図９は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するためのプ
ロセスを示す。
【図１０】 図１０は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図１１】 図１１は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図１２】 図１２は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図１３】 図１３は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【図１４】 図１４は、ＯＬＥＤデバイスを、本発明の別の実施例に従って形成するための
プロセスを示す。
【符号の説明】
１００ ＯＬＥＤデバイス、 １０５、５０５ 第１電極、 １１０ 有機機
能層、 １１５、５１５ 第２電極、 １４５、９４５ 空洞、 １５０、８５
０ ボンドパッド、 １６０、７６０、９６０ キャップ、 ２６０ 基板、
２６１ 基板表面、 ２６６、９６６ レジスト層、 ２７０、７７０ スペー
サ粒子、 ３９５、９９５ マスク、 ３９８、９９８ 照射、 ５０１ 薄型
基板、 ５０８、８０８ セル領域、 ５３５ 密封フレーム、 ５８０、９８
０ 密封ポスト、 ６４５、７４５ 空洞、 ８３５、９３５ キャップ密封フ
レーム領域、 ８０１、９０１ 基板、 ９０５ 導電層、 ９１０ 機能有機
層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ， ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，Ｃ Ｕ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ， ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，Ｌ Ｋ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ， ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，Ｔ Ｍ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB12 AB13 BB01 BB05 DB03 FA02

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 デバイス領域を備えた基板と、 デバイスを封止するためのキャップであって、前記キャップはデバイス領域覆
    うように空洞を形成するキャップと、 デバイス領域に選択的に配置されて、キャップを支持するスペーサ粒子と、を
    有するデバイス。
  2. 【請求項２】 デバイス領域はＯＬＥＤセルからなる、請求項１記載のデバ
    イス。
  3. 【請求項３】 スペーサ粒子は、デバイス領域の非作用区域に選択的に配置
    される、請求項２記載のデバイス。
  4. 【請求項４】 スペーサ粒子は非導電材料からなる、請求項３記載のデバイ
    ス。
  5. 【請求項５】 スペーサ粒子は、デバイス領域の非作用区域に選択的に配置
    される、請求項１記載のデバイス。
  6. 【請求項６】 スペーサ粒子は非導電材料からなる、請求項５記載のデバイ
    ス。
  7. 【請求項７】 スペーサ粒子をデバイス領域に配置するために使用されるデ
    バイス層を有する、請求項１、２、３、４、５、または６記載のデバイス。
  8. 【請求項８】 デバイス層は感光性材料からなる、請求項７記載のデバイス
    。
  9. 【請求項９】 スペーサ粒子は平均直径を有し、キャップと基板との間の空
    洞の高さを維持する、請求項８記載のデバイス。
  10. 【請求項１０】 デバイス層は非感光性材料からなる、請求項７記載のデバ
    イス。
  11. 【請求項１１】 スペーサ粒子は平均直径を有し、キャップと基板との間の
    空洞の高さを維持する、請求項１０記載のデバイス。
  12. 【請求項１２】 デバイスを形成するための方法であって、前記方法は以下
    を含む、すなわち、 デバイス領域を備えた基板を設けることと、 その内部表面に選択的に配置されたスペーサ粒子を有するキャップを設けるこ
    とと、 デバイスを封止するためのキャップを基板上に配置することであって、前記キ
    ャップは、スペーサ粒子によって支持されたデバイス領域に空洞を形成すること
    である、デバイスを形成するための方法。
  13. 【請求項１３】 デバイスは、デバイス領域にＯＬＥＤセルを備えたＯＬＥ
    Ｄデバイスである、請求項１２記載の方法。
  14. 【請求項１４】 スペーサ粒子は非導電材料からなる、請求項１３記載の方
    法。
  15. 【請求項１５】 スペーサ粒子は非導電材料からなる、請求項１２記載の方
    法。
  16. 【請求項１６】 スペーサ粒子を備えたキャップを設けることは以下を含む
    、すなわち、 スペーサ粒子を材料に浮かせることと、 スペーサ粒子を備えた前記材料を、キャップの内部表面にコーティングするこ
    とと、 スペーサ粒子を備えた前記材料を内部表面から選択的に除去することである、
    請求項１２、１３、１４または１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 材料は感光性材料である、請求項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 スペーサ粒子を選択的に除去することは以下を含む、すな
    わち、 感光性材料を、露光源によって、パターンマスクを介して露光することと、 感光性材料を発達させ、前記感光性材料の一部を、その上のスペーサ粒子と共
    に選択的に除去することを含む、請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 スペーサ粒子は平均直径を有し、キャップと基板との間の
    空洞の高さを維持している、請求項１８記載の方法。
  20. 【請求項２０】 スペーサ粒子は、空洞を維持する密度で基板上に配置され
    る、請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 スペーサ粒子は、空洞を維持する密度で基板上に配置され
    る、請求項１８記載の方法。
  22. 【請求項２２】 材料は非感光性材料からなる、請求項１６記載の方法。
  23. 【請求項２３】 スペーサ粒子を選択的に除去することは以下を含む、すな
    わち、 感光性材料を基板の内部表面に塗布し、スペーサ粒子を備える前記材料を被覆
    することと、 感光性材料を、露光源によって、パターンマスクを介して露光することと、 感光性材料を発達させることによって、前記感光性材料の一部を選択的に除去
    し、その他の部分を残すことと、 感光性材料の前記その他の部分によって保護されていない、材料及びスペーサ
    粒子を除去することと、 ホトレジストの前記その他の部分を除去し、内部表面に選択的に配置されたス
    ペーサ粒子を残すことである、請求項２２記載の方法。
  24. 【請求項２４】 スペーサ粒子は、キャップと基板との間の空洞の高さを維
    持する平均直径を有する、請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 スペーサ粒子は、空洞を維持する密度に基板上にコーティ
    ングされる、請求項２４記載の方法。
  26. 【請求項２６】 スペーサ粒子は、空洞を維持する密度に基板上にコーティ
    ングされる、請求項２５記載の方法。
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