CN104064678A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN104064678A CN201310092971.9A CN201310092971A CN104064678A CN 104064678 A CN104064678 A CN 104064678A CN 201310092971 A CN201310092971 A CN 201310092971A CN 104064678 A CN104064678 A CN 104064678A
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周明杰
冯小明
张振华
王平
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Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层、阴极及封装盖，所述第一电子传输层的材料包括电子传输材料、掺杂在电子传输材料中的第一掺杂材料及惰性材料，第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在电子传输材料中的第二掺杂材料，第一掺杂材料为铷或铯，第二掺杂材料为锂、钠、钾、铷或铯，惰性材料为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕。上述有机电致发光器件的寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

Description

有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
现有的OLED中第二电子传输层中通常使用第一碱金属的化合物进行掺杂，然而第一碱金属的化合物中碱金属离子体积小，扩散能力强，在OLED中的有机层中扩散距离长，使得有机电致发光器件的寿命较短。
发明内容
基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极，所述第一电子传输层的材料包括电子传输材料、掺杂在所述电子传输材料中的第二掺杂材料及惰性材料，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的第二掺杂材料，所述第一掺杂材料为铷或铯，所述第二掺杂材料为锂、钠、钾、铷或铯，所述惰性材料为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；
所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装于所述基底上。
在其中一个实施例中，所述第一电子传输层的厚度为5nm～20nm，所述第一电子传输层中所述第一掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为5:100，所述第一掺杂材料与所述惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
在其中一个实施例中，所述第二电子传输层中所述第二掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为10:100～50:100，所述第二电子传输层的厚度为40nm～200nm。
在其中一个实施例中，所述封装盖形成有收容腔，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极收容于所述收容腔。
在其中一个实施例中，所述发光层的材料为主体材料与客体材料掺杂形成的混合物或荧光材料，所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的至少一种，所述客体材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，所述荧光材料选自4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、8-羟基喹啉铝、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯及5,6,11,12-四苯基萘并萘中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:100～10:100。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在基底的表面制备依次层叠的阳极、空穴传输层、发光层及空穴阻挡层；
在所述空穴阻挡层的表面采用热阻蒸发工艺将电子传输材料、惰性材料及第一碱金属的化合物同时进行蒸发制备第一电子传输层，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物，所述惰性材料为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述第一碱金属的化合物中的第一碱金属为铷或铯；
在所述第一电子传输层的表面采用热阻蒸发工艺，将电子传输材料及第二碱金属的化合物同时进行蒸发制备第二电子传输层，所述第二碱金属的化合物中的第二碱金属为锂、钠、钾、铷或铯，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；
在所述第二电子传输层的表面制备阴极；及
使用封装盖将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装于所述基底上。
在其中一个实施例中，所述第一电子传输层的厚度为5nm～20nm，所述第一电子传输层的材料包括电子传输材料、掺杂在所述电子传输材料中的第一碱金属及惰性材料，所述第一电子传输层中所述第一碱金属与所述电子传输材料的质量比为5:100，所述第一碱金属与所述惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
在其中一个实施例中，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的第二碱金属，所述第二电子传输层中所述第二碱金属与所述电子传输材料的质量比为10:100～50:100，所述第二电子传输层的厚度为40nm～200nm。
在其中一个实施例中，所述第一碱金属的化合物为第一碱金属的氟化物、第一碱金属的碳酸化合物、第一碱金属的叠氮化合物、第一碱金属的氮化物或碱金属的硼氢化合物；所述第二碱金属的化合物为第二碱金属的氟化物、第二碱金属的碳酸化合物、第二碱金属的叠氮化合物、第二碱金属的氮化物或第二碱金属的硼氢化合物。
在其中一个实施例中，所述封装盖形成有收容腔，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极收容于所述收容腔。
上述有机电致发光器件及其制备方法，第一电子传输层及第二电子传输层采用掺杂结构，降低了有机电致发光器件的驱动电流；第一电子传输层中的电子传输材料中掺杂惰性材料及大体积的碱金属如铯或铷，加入碱金属后能提高第一电子传输层的导电性，将第一电子传输层的导电性提高几个数量级，惰性材料能对碱金属的扩散进行阻挡、吸附，同时第一电子传输层的碱金属的分子体积较大，扩散能力较差，从而可以避免第一电子传输层中的碱金属扩散到发光层，同时第一电子传输层可以对第二电子传输层中碱金属的扩散进行阻挡，能够阻挡碱金属向发光层扩散，避免导致激子淬灭，使得有机电致发光器件的寿命较长。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的基底10、阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70、阴极80及封装盖90。
基底10的材料为玻璃。
阳极20形成于基底10的表面。阳极20的材料为透明导电氧化物。具体的，阳极20的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）及镓锌氧化物（GZO）中的至少一种，优选为ITO。阳极20的厚度为70nm～200nm。
空穴传输层30形成于阳极20的表面。空穴传输层30的材料为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合物或空穴传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。掺杂剂选自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）及2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的至少一种。混合物中，掺杂剂与空穴传输材料的质量比为2:100～30:100。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm。
发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料为主体材料与客体材料掺杂形成的混合物或荧光材料。主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)及N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)中的至少一种。客体材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）及三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:100～10:100。荧光材料选自4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)及5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)中的至少一种。发光层40的材料优选为8-羟基喹啉铝(Alq3)。发光层40的厚度为5nm～20nm，优选为15nm。
空穴阻挡层50形成于发光层40的表面。空穴阻挡层50的材料为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)。空穴阻挡层50的厚度为5nm～10nm。
空穴阻挡层50的材料为有机金属配合物，具有较好成膜稳定性和致密性，其热稳定性能好，能够对发光层40起到很好的保护作用；同时，空穴阻挡层50阻挡空穴从发光层40向第一电子传输层60及第二电子传输层70传输，控制激子的复合区域在发光层40。
第一电子传输层60形成于空穴阻挡层50的表面。第一电子传输层60的材料包括电子传输材料、掺杂在电子传输材料中的第一掺杂材料及惰性材料。电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或1,2,4-三唑衍生物（TAZ）。第一掺杂材料为铷（Rb）或铯（Cs）。惰性材料为一氧化硅（SiO）、三氧化二锑（Sb2O3）、三氧化二铋（Bi2O3）或五氧化二钕（Nd2O5）。第一电子传输层60的厚度为5nm～20nm。第一电子传输层60中第一掺杂材料与电子传输材料的质量比为5:100，第一掺杂材料与惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
第二电子传输层70形成于第一电子传输层60的表面。第二电子传输层70的材料包括电子传输材料及掺杂在电子传输材料中的第二掺杂材料。第二掺杂材料为锂（Li）、钠（Na）、钾（K）、铷（Rb）或铯（Cs）。电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或1,2,4-三唑衍生物（TAZ）。第二电子传输层70中第二掺杂材料与电子传输材料的质量比为10:100～50:100。第二电子传输层70的厚度为40nm～200nm。
阴极80形成于第二电子传输层70的表面。阴极80的材料为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）、镱（Yb）、镁银合金（Mg-Ag）或镁铝合金（Mg-Al），优选为银。阴极的厚度为70nm～200nm，优选为100nm。
封装盖90盖设于阴极80。封装盖90形成有收容腔92。收容腔92为自封装盖90的表面凹陷的凹槽。封装盖90盖设于阴极80表面且将阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80收容于收容腔92。封装盖90的边缘通过封装胶（图未示）与基底10密封连接，从而封装盖90将阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80封装在基底10上。本实施方式中，封装盖90的材料为玻璃。
上述有机电致发光器件100，第一电子传输层60及第二电子传输层70采用掺杂结构，降低了有机电致发光器件100的驱动电流；第一电子传输层60中的电子传输材料中掺杂惰性材料及大体积的碱金属如铯或铷，加入碱金属后能提高第一电子传输层的导电性，将第一电子传输层的导电性提高几个数量级，惰性材料能对碱金属的扩散进行阻挡、吸附，同时第一电子传输层60的碱金属的分子体积较大，扩散能力较差，从而可以避免第一电子传输层60中的碱金属扩散到发光层，同时第一电子传输层60可以对第二电子传输层70中碱金属的扩散进行阻挡，能够阻挡碱金属向发光层扩散，避免导致激子淬灭，使得有机电致发光器件的寿命较长。
可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
请同时参阅图2，一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S110、在基底10的表面制备依次层叠的阳极20、空穴传输层30、发光层40及空穴阻挡层50。
基底10的材料为玻璃。
本实施方式中，在基底10表面形成阳极20之前先对基底10进行前处理，前处理包括：将基底10放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
阳极20形成于基底10的表面。阳极20的材料为透明导电氧化物。具体的，阳极20的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）及镓锌氧化物（GZO）中的至少一种，优选为ITO。阳极20的厚度为70nm～200nm。阳极20在真空镀膜系统中，通过磁控溅射制备，真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa。
空穴传输层30形成于阳极20的表面。空穴传输层30的材料为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合物或空穴传输材料。空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、N,N,N',N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)、2,7-双（N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9,9-螺二芴（MeO-Sprio-TPD）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及1，1-二(4-(N，N′-二(p-甲苯基)氨基)苯基)环己烷（TAPC）中的至少一种。掺杂剂选自2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、1,3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲对萘醌（F6-TNAP）及2,2'-(2,5-二氰基-3,6-二氟环己烷-2,5-二烯-1,4-二亚基)二丙二腈(F2-HCNQ)中的至少一种。混合物中，掺杂剂与空穴传输材料的质量比为2:100～30:100。空穴传输层30的厚度为20nm～60nm。本实施方式中，空穴传输层30由蒸镀制备，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，空穴传输材料的蒸镀速率为0.02nm/s～1nm/s。
发光层40形成于空穴传输层30的表面。发光层40的材料为主体材料与客体材料掺杂形成的混合物或荧光材料。主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)及N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)中的至少一种。客体材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱（FIrpic）、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6）、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ)2(acac)）、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3）及三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种。客体材料与主体材料的质量比为1:100～10:100。荧光材料选自4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)及5,6,11,12-四苯基萘并萘(Rubrene)中的至少一种。发光层40的材料优选为8-羟基喹啉铝(Alq3)。发光层40的厚度为5nm～20nm，优选为15nm。本实施方式中，发光层40由蒸镀制备，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，发光层的蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
空穴阻挡层50形成于发光层40的表面。空穴阻挡层50的材料为双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)。空穴阻挡层50的厚度为5nm～10nm。本实施方式中，空穴阻挡层50由蒸镀制备，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s。
空穴阻挡层50的材料为有机金属配合物，具有较好成膜稳定性和致密性，其热稳定性能好，能够对发光层40起到很好的保护作用；同时，空穴阻挡层50阻挡空穴从发光层40向第二电子传输层70传输，控制激子的复合区域在发光层40。空穴阻挡层50可以对发光层40起到保护作用，避免制备第一电子传输层60时对发光层40造成损害。
步骤S120、在空穴阻挡层50的表面采用热阻蒸发工艺将电子传输材料、惰性材料及第一碱金属的化合物同时进行蒸发制备第一电子传输层60。
电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或1,2,4-三唑衍生物（TAZ）。
第一碱金属为铷或铯。第一碱金属的化合物为第一碱金属的氟化物、第一碱金属的碳酸化合物、第一碱金属的叠氮化合物、第一碱金属的氮化物或第一碱金属的硼氢化合物，如叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、碳酸铷（Rb2CO3）。惰性材料为一氧化硅（SiO）、三氧化二锑（Sb2O3）、三氧化二铋（Bi2O3）或五氧化二钕（Nd2O5）。
第一电子传输层60的厚度为5nm～20nm。
该步骤中，在蒸镀过程中，第一碱金属的化合物经过加热分解，形成第一碱金属掺杂在电子传输材料中。
第一电子传输层60中第一碱金属与电子传输材料的质量比为5:100，第一碱金属与惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
本实施方式中，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，电子传输材料的蒸镀速率为0.4nm/s～1nm/s，第一碱金属的化合物的蒸镀速率为0.05nm/s～0.2nm/s。
步骤S130、在第一电子传输层60的表面采用热阻蒸发工艺，将电子传输材料及第二碱金属的化合物同时进行蒸发制备第二电子传输层70。
第二碱金属为锂、钠、钾、铷或铯。第二碱金属的化合物为第二碱金属的氟化物、第二碱金属的碳酸化合物、第二碱金属的叠氮化合物、第二碱金属的氮化物或第二碱金属的硼氢化合物，如碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)、硼氢化钾（KBH4）、碳酸铷（Rb2CO3）、氮化锂（Li3N）、氟化钠(NaF)。
电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑（PBD）、(8-羟基喹啉)-铝（Alq3）、4,7-二苯基-邻菲咯啉（Bphen）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）或1,2,4-三唑衍生物（TAZ）。
该步骤中，在蒸镀过程中，第二碱金属的化合物经过加热分解，形成第二碱金属掺杂在电子传输材料中。
第二电子传输层70中第二碱金属与电子传输材料的质量比为10:100～50:100。第二电子传输层70的厚度为40nm～200nm。
本实施方式中，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，电子传输材料的蒸镀速率为0.5nm/s～1nm/s，第二碱金属的化合物的蒸镀速率为0.05nm/s～0.2nm/s。
步骤S140、在第二电子传输层70的表面制备阴极80。
阴极80形成于第二电子传输层70的表面。阴极80的材料为银（Ag）、铝（Al）、钐（Sm）、镱（Yb）、镁银合金（Mg-Ag）或镁铝合金（Mg-Al），优选为银。阴极的厚度为70nm～200nm，优选为100nm。
本实施方式中，蒸镀在真空压力为1×10-5Pa～1×10-3Pa下进行，蒸镀速率为0.2nm/s～2nm/s。
步骤S150、使用封装盖90将将阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80封装于基底10上。
封装盖90形成有收容腔92。收容腔92为自封装盖90的表面凹陷的凹槽。封装盖90盖设于阴极80表面且将阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80收容于收容腔92。
封装盖90的边缘抵持基底10，在封装盖90的边缘涂布封装胶使封装盖90与基底10密封连接，从而封装盖90将阳极20、空穴传输层30、发光层40、空穴阻挡层50、第一电子传输层60、第二电子传输层70及阴极80封装在基底10上。
上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为：测试与制备设备为高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
实施例1
本实施例的有机电致发光装置的制作方法，包括以下几个步骤：
步骤一、提供基底，将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
步骤二、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在基底表面溅射制备阳极，材料为ITO厚度为100nm，溅射速率为0.2nm/s；
步骤三、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面通过真空热蒸镀技术，制备空穴传输层、发光层及空穴阻挡层。空穴传输层的材料包括MeO-TPD及掺杂在MeO-TPD中的F6-TNAP，F6-TNAP与MeO-TPD的质量比为2:100，厚度为20nm，MeO-TPD的蒸镀速率为0.02nm/s，F6-TNAP的蒸镀速率为0.1nm/s；发光层的材料为Alq3，厚度为15nm，蒸镀速率为0.1nm/s；空穴阻挡层的材料为BAlq，厚度为5nm，蒸镀速率为0.1nm/s。
步骤四、在真空度为1×10-4Pa的的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第一电子传输层，在蒸镀Alq3的同时，同时蒸发SiO及CsN3，蒸镀制备第一电子传输层，Alq3的蒸镀速度为1nm/s，SiO的蒸镀速度为0.04nm/s，CsN3的蒸镀速度为0.05nm/s，厚度为5nm，其中Cs与SiO的质量比为1:0.8，Cs与Alq3的质量比为5:100。
步骤五、在真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第二电子传输层，在蒸镀BCP的同时，同时蒸发Li2CO3，BCP的蒸镀速度保持为0.05nm/s，Li2CO3的蒸镀速度为0.5nm/s，厚度为40nm，其中Li与BCP的质量比为10:100。
步骤六、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在第二电子传输层的表面蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为100nm，蒸镀速率为0.2nm/s。
步骤七、使用玻璃封装盖将阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装在基底上。
实施例2
本实施例的有机电致发光装置的制作方法，包括以下几个步骤：
步骤一、提供基底，将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
步骤二、在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在基底表面溅射制备阳极，材料为IZO厚度为200nm，溅射速率为2nm/s；
步骤三、在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面通过真空热蒸镀技术，制备空穴传输层、发光层及空穴阻挡层。空穴传输层的材料包括NPB及掺杂在NPB中的F4-TCNQ，F4-TCNQ与NPB的质量比为10:100，厚度为40nm，NPB的蒸镀速率为1nm/s，F4-TCNQ的蒸镀速率为0.1nm/s；发光层的材料为DPAVBi，厚度为10nm，蒸镀速率为0.2nm/s；空穴阻挡层的材料为BAlq，厚度为10nm，蒸镀速率为1nm/s。
步骤四、在真空度为1×10-5Pa的的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第一电子传输层，在蒸镀TAZ的同时，同时蒸发Sb2O3及Rb2CO3，蒸镀制备第一电子传输层，TAZ的蒸镀速度为1nm/s，Sb2O3的蒸镀速度为0.24nm/s，Rb2CO3的蒸镀速度为0.2nm/s，厚度为20nm，其中Rb与Sb2O3的质量比为1:1.2，Rb与TAZ的质量比为20:100。
步骤五、在真空度为1×10-5Pa的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第二电子传输层，在蒸镀Bphen的同时，同时蒸发Cs2CO3，Bphen的蒸镀速度保持为0.4nm/s，Cs2CO3的蒸镀速度为0.2nm/s，厚度为200nm，其中Cs与Bphen的质量比为50:100。
步骤六、在真空度为1×10-5Pa的真空镀膜系统中，在第二电子传输层的表面蒸镀制备阴极，材料为Al，厚度为200nm，蒸镀速率为2nm/s。
步骤七、使用玻璃封装盖将阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装在基底上。
实施例3
本实施例的有机电致发光装置的制作方法，包括以下几个步骤：
步骤一、提供基底，将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
步骤二、在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在基底表面溅射制备阳极，材料为AZO厚度为70nm，溅射速率为0.1nm/s；步骤三、在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面通过真空热蒸镀技术，制备空穴传输层、发光层及空穴阻挡层。空穴传输层的材料包括TPD及掺杂在TPD中的F2-HCNQ，F2-HCNQ与TPD的质量比为30:100，厚度为20nm，TPD的蒸镀速率为0.9nm/s，F2-HCNQ的蒸镀速率为0.3nm/s；发光层的材料为Alq3，厚度为15nm，蒸镀速率为1nm/s。空穴阻挡层的材料为BAlq，厚度为6nm，蒸镀速率为0.2nm/s。
步骤四、在真空度为1×10-3Pa的的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第一电子传输层，在蒸镀PBD的同时，同时蒸发Nd2O5及Cs2CO3，蒸镀制备第一电子传输层，PBD的蒸镀速度为0.8nm/s，Nd2O5的蒸镀速度为0.08nm/s，Cs2CO3的蒸镀速度为0.08nm/s，厚度为10nm，其中Cs与Nd2O5的质量比为1:1，Cs与PBD的质量比为10:100。
步骤五、在真空度为1×10-3Pa的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第二电子传输层，在蒸镀Alq3的同时，同时蒸发KBH4，Alq3的蒸镀速度保持为0.5nm/s，KBH4的蒸镀速度为0.1nm/s，厚度为80nm，其中Rb与Alq3的质量比为20:100。
步骤六、在真空度为1×10-3Pa的真空镀膜系统中，在第二电子传输层的表面蒸镀制备阴极，材料为镁银合金Ag-Mg，厚度为100nm，蒸镀速率为0.5nm/s。
步骤七、使用玻璃封装盖将阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装在基底上。
实施例4
本实施例的有机电致发光装置的制作方法，包括以下几个步骤：
步骤一、提供基底，将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
步骤二、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在基底表面溅射制备阳极，材料为GZO厚度为100nm，溅射速率为0.5nm/s；
步骤三、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面通过真空热蒸镀技术，制备空穴传输层、发光层及空穴阻挡层。空穴传输层的材料包括MeO-Sprio-TPD及掺杂在MeO-Sprio-TPD中的F6-TNAP，F6-TNAP与MeO-Sprio-TPD的质量比为20:100，厚度为60nm，MeO-Sprio-TPD的蒸镀速率为1nm/s，F6-TNAP的蒸镀速率为0.2nm/s；发光层的材料为Alq3，厚度为15nm，蒸镀速率为0.5nm/s。空穴阻挡层的材料为BAlq，厚度为10nm，蒸镀速率为1nm/s。
步骤四、在真空度为1×10-4Pa的的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第一电子传输层，在蒸镀Bphen的同时，同时蒸发Bi2O3及CsF，蒸镀制备第一电子传输层，Bphen的蒸镀速度为1nm/s，Bi2O3的蒸镀速度为0.1nm/s，CsF的蒸镀速度为0.1nm/s，厚度为5nm，其中Cs与Bi2O3的质量比为1:1，Cs与Bphen的质量比为10:100。
步骤五、在真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备第二电子传输层，在蒸镀Bphen的同时，同时蒸发LiN3，Bphen的蒸镀速度保持为1nm/s，LiN3的蒸镀速度为0.2nm/s，厚度为100nm，其中Li与Bphen的质量比为20:100。
步骤六、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在第二电子传输层的表面蒸镀制备阴极，材料为镁铝合金Mg-Al，厚度为100nm，蒸镀速率为0.5nm/s。
步骤七、使用玻璃封装盖将阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装在基底上。
对比例
本实施例的有机电致发光装置的制作方法，包括以下几个步骤：
步骤一、提供基底，将基底放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
步骤二、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在基底表面溅射制备阴极，材料为ITO厚度为100nm，溅射速率为0.2nm/s；
步骤三、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在阳极的表面通过真空热蒸镀技术，制备空穴传输层、发光层及空穴阻挡层。空穴传输层的材料包括MeO-TPD及掺杂在MeO-TPD中的F6-TNAP，F6-TNAP与MeO-TPD的质量比为5:100，厚度为60nm，MeO-TPD的蒸镀速率为0.02nm/s，F6-TNAP的蒸镀速率为1nm/s；发光层的材料为Alq3，厚度为15nm，蒸镀速率为0.1nm/s；空穴阻挡层的材料为BAlq，厚度为5nm，蒸镀速率为0.1nm/s。
步骤四、在真空度为1×10-4Pa的真空热蒸镀膜系统中，蒸镀制备电子传输层，在蒸镀BCP的同时，同时蒸发Li2CO3，BCP的蒸镀速度保持为0.5nm/s，Li2CO3的蒸镀速度为0.05nm/s，厚度为40nm，其中Li与BCP的质量比为10:100。
步骤五、在真空度为1×10-4Pa的真空镀膜系统中，在第二电子传输层的表面蒸镀制备阴极，材料为Ag，厚度为100nm，蒸镀速率为0.2nm/s。
步骤六、使用玻璃封装盖将阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装在基底上。
表1
请参阅表1，表1是实施例1～4及对比例制作的器件的发光性能数据，所测数据是在起始亮度为1000cd/m2下，亮度衰减到起始亮度70%时的使用时间。从表1中可以看出，实施例1～4制备的有机电致发光器件的寿命较长，相对于对比例，实施例1～4制备的有机电致发光器件的寿命分别提高了68%，64%，84%，80%。从而可以看出本发明提供的有机电致发光装置，通过设置第一电子传输层可以提高有机电致发光器件的寿命。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的基底、阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极，所述第一电子传输层的材料包括电子传输材料、掺杂在所述电子传输材料中的第一掺杂材料及惰性材料，所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的第二掺杂材料，所述第一掺杂材料为铷或铯，所述第二掺杂材料为锂、钠、钾、铷或铯，所述惰性材料为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；
所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装于所述基底上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为5nm～20nm，所述第一电子传输层中所述第一掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为5:100，所述第一掺杂材料与所述惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层中所述第二掺杂材料与所述电子传输材料的质量比为10:100～50:100，所述第二电子传输层的厚度为40nm～200nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装盖形成有收容腔，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极收容于所述收容腔。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为主体材料与客体材料掺杂形成的混合物或荧光材料，所述主体材料选自4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯及N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的至少一种，所述客体材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、双（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合铱、双（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一种，所述荧光材料选自4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、8-羟基喹啉铝、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯及5,6,11,12-四苯基萘并萘中的至少一种，所述客体材料与所述主体材料的质量比为1:100～10:100。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底的表面制备依次层叠的阳极、空穴传输层、发光层及空穴阻挡层；
在所述空穴阻挡层的表面采用热阻蒸发工艺，将电子传输材料、惰性材料及第一碱金属的化合物同时进行蒸发制备第一电子传输层，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物，所述惰性材料为一氧化硅、三氧化二锑、三氧化二铋或五氧化二钕，所述第一碱金属的化合物中的第一碱金属为铷或铯；
在所述第一电子传输层的表面采用热阻蒸发工艺，将电子传输材料及第二碱金属的化合物同时进行蒸发制备第二电子传输层，所述第二碱金属的化合物中的第二碱金属为锂、钠、钾、铷或铯，所述电子传输材料为2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羟基喹啉)-铝、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或1,2,4-三唑衍生物；
在所述第二电子传输层的表面制备阴极；及
使用封装盖将所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极封装于所述基底上。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一电子传输层的厚度为5nm～20nm，所述第一电子传输层的材料包括电子传输材料、掺杂在所述电子传输材料中的第一碱金属及惰性材料，所述第一电子传输层中所述第一碱金属与所述电子传输材料的质量比为5:100，所述第一碱金属与所述惰性材料的质量比为1:0.8～1:1.2。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第二电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂在所述电子传输材料中的第二碱金属，所述第二电子传输层中所述第二碱金属与所述电子传输材料的质量比为10:100～50:100，所述第二电子传输层的厚度为40nm～200nm。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述第一碱金属的化合物为第一碱金属的氟化物、第一碱金属的碳酸化合物、第一碱金属的叠氮化合物、第一碱金属的氮化物或碱金属的硼氢化合物；所述第二碱金属的化合物为第二碱金属的氟化物、第二碱金属的碳酸化合物、第二碱金属的叠氮化合物、第二碱金属的氮化物或第二碱金属的硼氢化合物。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述封装盖形成有收容腔，所述阳极、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、第一电子传输层、第二电子传输层及阴极收容于所述收容腔。
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