JP2003515249A - 精密ステージ - Google Patents

精密ステージ

Info

Publication number
JP2003515249A
JP2003515249A JP2001535066A JP2001535066A JP2003515249A JP 2003515249 A JP2003515249 A JP 2003515249A JP 2001535066 A JP2001535066 A JP 2001535066A JP 2001535066 A JP2001535066 A JP 2001535066A JP 2003515249 A JP2003515249 A JP 2003515249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
platform
stage
attached
lifting
movement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001535066A
Other languages
English (en)
Inventor
アンディーン,ゲリー・ビイ
リー,マーティン・イー
Original Assignee
イオン・ダイアグノスティックス・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by イオン・ダイアグノスティックス・インコーポレーテッド filed Critical イオン・ダイアグノスティックス・インコーポレーテッド
Publication of JP2003515249A publication Critical patent/JP2003515249A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/709Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T403/00Joints and connections
    • Y10T403/45Flexibly connected rigid members

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)

Abstract

(57)【要約】 高電圧と真空を必要とする用途に適した新規の脚のある設計を取り入れた超高精度ステージをここに開示する。このステージはベース、ベースに取り付けられたフレーム、プラットフォーム底面をもつプラットフォーム、ベースとプラットフォーム底面に結合された少なくとも3本の調節可能な肢部、およびプラットフォームとフレームに結合されたプラットフォーム移動部材を含み、各々の肢部がベースに取り付けられた持上げ部材、持上げ部材に取り付けられた第1の取付部材、脚、持上げ部材に取り付けられた脚の底端部、脚の上端部に取り付けられた第2の取付部材およびプラットフォーム底面に取り付けられた第2の取付部材を含み、プラットフォームの精密な位置決めおよび運動を提供する。取付部材はフレクシャル継手であってもよく、さらにそれらはフレクシャル・スラスト継手であってもよい。プラットフォームは運動自由度6を有して直径300mmのウェハを保持することができる。ステージの重さは100ポンド未満にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (関連出願の相互参照) 本出願は1999年11月5日出願の米国仮出願番号60/163,846の
特典を権利主張するものである。本出願は本出願と同じ日に出願されたMart
in E.Leeによる「Flexural Joint」というタイトルの事
件整理番号ID0011USの同時係属の米国特許出願に関連する。
【0002】 (発明の背景) (発明の分野) 本発明は、精密ステージの分野に関し、詳細には、マルチカラム荷電粒子リソ
グラフィ、テスト、検査システムにおいて使用する、高電圧および高真空に適応
したステージに関する。
【0003】 (関連技術の説明) 精密ステージに関して、着実に精密度の必要性が増大している多くの用途が見
出される。例えば半導体の主要装置では、精密ステージはリソグラフィ処理ステ
ップの間でウェハを搬送するのに必要とされる。微細回路形状構成の長さのスケ
ールが小さくなるにつれて、最近のリソグラフィはさらに高い解像度の技術、例
えば位相偏移マスク、遠紫外線(EUV)システム、および高スループット荷電
粒子ビーム・リソグラフィへと移行している。より小さい形状構成に向かう全体
的な傾向によって、リソグラフィの光学系に関するウェハ(およびそれが乗って
いるステージのプラットフォーム)の位置決めの要求性はますます厳密になって
きた。
【0004】 荷電粒子波長およびサブミクロン形状構成の相対的大きさに起因して、荷電粒
子(特に電子)ビーム・リソグラフィはサブミクロン形状サイズを実現するため
に重要な技術である。しかしながら、荷電粒子ビーム・リソグラフィのシステム
では、真空と高電圧を両立させることは本来的に複雑な設計である。
【0005】 荷電粒子ビーム、例えば電子ビームを加速するために、荷電粒子ビーム・シス
テムは通常は異なる構成部品間で(100kVに至る)電位差を有する。多くの
設計では、工作物ないしウェハが電気的接地に近い電位に保たれ、電子源が相対
的に高い電圧にされる。しかしながら、いくつかのシステムでは電子源が電気的
接地に近い電位で動作され、一方、工作物が相対的に高い電圧に保たれる。その
ような電子源は米国特許第5,637,951号に述べられている。
【0006】 真空もまた、電子ビームを伝搬させるためにリソグラフィ装置内で必要とされ
る。10−6Torr未満の圧力の高真空が通常は必要とされる。このように、
必要な精密度が必要であることに加えて、電子ビーム・リソグラフィ用のステー
ジは構成部品間の高電圧差に耐えることが可能で、かつ高真空条件下での動作に
適合しなければならない。
【0007】 高電圧動作性については、多くの従来技術の精密ステージはいくつかの密接し
て結合した運動学的プラットフォームを備えている。範例となるこのタイプの従
来技術装置を図1に示す。しかしながら、100kVに至る電位差をアーク放電
や他の望ましくない作用なしに絶縁しなければならないシステムでは、図1に例
示したような非絶縁構成部品の密接な機械的結合は不適切であろう。
【0008】 真空適合性については、脱ガス、粒子発生、または別の方式で真空システムを
汚染しがちなベアリング設計のせいで、多くの従来技術のステージは高真空中で
の使用に不適切である。他のベアリングのタイプと比べると、フレクシャル・ベ
アリング(flexural bearing)は真空中での使用に非常によく適合し、ステージの
円滑、精密、予測可能な動きを可能にする。そのような特性はAlexande
r Slocumの「Precision Machine Design」、
Prentice Hall、米国ニュージャージー州、1992年によって詳
細に検討されている。しかしながら大部分の従来技術のフレクシャル・ベアリン
グは、フレクシャル継手が圧縮荷重で歪み又は座屈を生じがちなので、スラスト
・ベアリングとして使用されると潜在的に不安定である。したがって、真空適合
性を必要とする精密ステージの用途では、フレクシャル・スラスト継手が運動自
由度を有することが必要となる。
【0009】 さらに、精密な動きと各々の動きの後に短時間で固定位置に達すること(設定
時間)を必要とする位置決めシステムについては、精度の低いシステムでは重大
でない摂動に対して注意を払わなければならない。外部衝撃、振動またはその他
の機械的摂動の下でステージの機械的安定性を最適化するために、大部分の従来
技術の高精度リソグラフィ・ステージは重くて慣性力の大きい要素を利用する。
しかしながら、高慣性力のシステムは機械的に安定になる傾向はあるが、設定時
間が長くなるのを受容しない限り、重いステージの動きに付随する反作用がリソ
グラフィ光学系の相対的位置決めの正確さおよび精度を劣化させる可能性がある
。慎重な光学系の分離と光学系架台へのかなりの質量の追加を組み合わせること
が、この問題を克服するのに要求される。その結果生じるそのような装置の重量
と体積は望ましいものではない。それゆえ、これらの問題を回避する相対的に低
質量で高精度の精密ステージを有することが好都合であろう。さらに、そのよう
な低質量ステージは、工作物の高速処理のために頻繁に大きな加速と減速が必要
とされる、高スループットの必要性を備えた市販のリソグラフィ器具によく適合
するであろう。
【0010】 したがって、特に荷電粒子リソグラフィ・システムに使用するために、真空適
合性であってかつ要素間の大きな電圧差に耐えることが可能でありながら、基準
(例えばリソグラフィ光学系における位置)と高精度の位置合わせを維持するこ
とが可能なステージが必要である。そのようなプラットフォームは運動自由度6
を超えて連続的かつ円滑に移動可能でなければならない。そのようなプラットフ
ォームはまた、代表長さ数100ミリメートルの工作物、例えば300mmのシ
リコン・ウェハを保持できなければならない。
【0011】 (発明の概要) 本発明は新式の脚部設計を組み込んだ精密ステージを含む。このステージは、
荷電粒子リソグラフィのような高電圧と真空を必要とする用途に使用することが
できる。本発明の態様によると、このステージはベース、ベースに取り付けられ
たフレーム、プラットフォーム底面を備えたプラットフォーム、ベースとプラッ
トフォーム底面に結合された少なくとも3本の調節可能な肢部、およびプラット
フォームとフレームに結合されたプラットフォーム移動部材を含み、各々の肢部
はベースに取り付けられた持上げ部材、持上げ部材に取り付けられた第1の取付
部材、脚、持上げ部材に取り付けられた脚の底端部、脚の上端部に取り付けられ
た第2の取付部材およびプラットフォーム底面に取り付けられた第2の取付部材
を含む。取付部材は運動自由度2ないし3を有し、それらはフレクシャル継手で
もフレクシャル・スラスト継手であってもよい。さらに、第1および第2の取付
部材は自由度または継手のタイプの点で互いに別のものであってもよい。プラッ
トフォーム移動部材はアクチュエータであって少なくとも3つのアクチュエータ
がプラットフォームに設けることができる。さらに、それらはプラットフォーム
に取り付けられた第1のコイル、フレームに取り付けられて第1のコイルに電磁
的に結合された第1の磁石アセンブリ、および第1のコイルに電気的に結合され
た電流制御システムを含む電磁的プラットフォーム・アクチュエータであっても
よい。さらに、冷却システムと冷却用流路がプラットフォームに取り付けられた
電磁的アクチュエータの構成部品に熱的に結合され、+/−0.1度以内にプラ
ットフォームの温度制御を可能にする。持上げ部材は、プラットフォームの重量
に対抗する力を与える支持要素、ベースに対してプラットフォームの持ち上げ調
節を可能にする持上げアクチュエータ、および制動要素の中から選択される平行
に配列された要素の組み合わせであってもよい。支持要素は一定の力の支持体で
あって、一定力の支持体はバックルで留めた柱であってもよい。持上げアクチュ
エータは、ベースに取り付けられた第2のコイル、第1の取付部材のうちの1つ
に取り付けられて第2のコイルに電磁的に結合された第2の磁石アセンブリ、お
よび第2のコイルに結合された電流制御器を含む電磁的持上げアクチュエータで
あってもよい。
【0012】 好ましい実施態様では、プラットフォームは運動自由度6を有し、脚は互いに
実質的に平行であり、プラットフォームは少なくとも100mmの直径のウェハ
を保持することが可能であり、プラットフォームおよび/または脚は実質的に電
気的絶縁材料でできており、かつ/またはフレームは真空チャンバであり、それ
により工作物はベースおよびフレームに対して75kVに至るまでの電位に保つ
ことができる。300mmのウェハを保持することのできるステージの実施態様
は重さ100ポンド未満にすることができる。
【0013】 好ましい一実施態様では、ステージはベース、ベースに取り付けられたフレー
ム、プラットフォーム底面を備えたプラットフォーム、ベースとプラットフォー
ム底面に結合された少なくとも3本の実質的に平行な調節可能な肢部、およびプ
ラットフォームとフレームに結合された4つの電磁プラットフォーム・アクチュ
エータを含み、各々の肢部は、ベースに取り付けられ、電磁持上げアクチュエー
タと平行な一定力の支持体である持上げ部材、持上げ部材に取り付けられた運動
自由度3をもつ第1のフレクシャル・スラスト継手、脚、第1のフレクシャル・
スラスト継手に取り付けられた脚の底端部、脚の上端部に取り付けられた運動自
由度2をもつ第2のフレクシャル・スラスト継手、およびプラットフォーム底面
に取り付けられた第2のフレクシャル・スラスト継手を含み、それによって持上
げアクチュエータとプラットフォーム・アクチュエータの両方が調和した動作が
自由度6をもつプラットフォームの動きと正確な位置決めを提供する。
【0014】 (詳細な説明) 図2Aは本発明の好ましい実施形態を示すものであるが、図を簡単にするため
に様々な構成部品は示されていない。図2Aではステージ200、ベース220
、第1の取付部材230、プラットフォーム240、ウェハ・チャック242、
ウェハ244、プラットフォーム底面250、第2の取付部材260、脚270
、プラットフォーム軸280、持上げ部材285、およびプラットフォーム移動
部材290が示されている。図2Bは脚ステージを通る断面を示している。図2
Bでは、フレーム210(ここでは真空チャンバとして示す)、真空ポンプ21
5、ベース220、第1の取付部材230、第2の取付部材260、脚270、
プラットフォーム軸280、持上げ部材285、プラットフォーム移動部材29
0、および荷電粒子光学系295が示されている。図2Cはウェハとウェハ・チ
ャックを取り除いたプラットフォームを示している。図2Cでは、プラットフォ
ームのビーム245、プラットフォーム・アクチュエータ・キャリヤ246、キ
ャリヤの穴247、ウェハ・チャック支持体248および脚ブラケット249が
示されている。
【0015】 図2Aに示した実施形態で、第1の取付部材230は持上げ部材285および
脚の底端部270に結合される。持上げ部材はベース220に結合される。脚は
プラットフォーム240を支持し、脚270の上端部は第2の取付部材260に
よってプラットフォーム底面250に結合される。プラットフォーム移動部材2
90はプラットフォームに結合される。好ましい実施形態では脚は実質的に互い
に平行である。
【0016】 図2Bで、フレーム210は真空密封されており、ベース220を介して実験
室の床に結合される。代替の実施形態では、フレームと実験室床との間に何らか
の振動絶縁が設けられることがある。真空ポンプ215は真空密封されたフレー
ム210に結合されて、効果的な排気(高真空に到達する)を可能にする。荷電
粒子光学系295は真空密封されたフレーム210に機械的に結合される。荷電
粒子光学系は荷電粒子のビームないし複数ビームをステージ上に向けて発生およ
び制御するように使用することができる。
【0017】 ウェハ・チャック242は高電圧電源を必要とする。殆どの実施形態はステー
ジの外部で高電圧電源(図示せず)を有し、したがってステージと電源との間に
高電圧コネクタ(図示せず)を必要とする。フレームが真空密封されている場合
では、このコネクタは真空適合型であることが要求されるであろうし、高電圧電
源は真空密封されたフレームの外側に便宜的に設置されてもよい。コネクタは動
いている間に脚270と接触するのを回避するような方式で下からウェハ・チャ
ックに取り付けることが可能であり、コネクタを設計するときにコネクタに沿っ
た機械的衝撃および振動の伝達を最少限にするように注意を払わねばならない。
【0018】 図2Cで、プラットフォーム240の構成が特定の実施形態について詳細に示
されている。プラットフォーム・アクチュエータ・キャリヤ246およびウェハ
・チャック支持体248はプラットフォームのビーム245に取り付けられる。
脚ブラケット249はウェハ・チャック支持体248に取り付けられる。脚27
0は第2の取付部材260によって脚ブラケット249に取り付けられてもよい
【0019】 ステージ200は高精度に作業プラットフォームを位置決めできる装置である
。レーザ干渉計のような位置センサを含むコンピュータ制御システムに結合され
ると、ステージ200は、プラットフォーム上の一点がリソグラフィ光学系29
5の位置のような基準位置に対して少なくともマイクロメートル以内に位置決め
できるように、プラットフォーム240を制御可能に位置決めすることができる
。殆どの実施形態で、プラットフォーム240は運動自由度6を有する。図2A
に示した統合システムを参照すると、プラットフォームは3つの軸(x,y,z
)に沿って移動し、各々の軸(θ,θ,θ)の周りで回転することができ
る。このプラットフォームは運動自由度6を有しているが、プラットフォームの
動きが、脚270の長さによって決定される範囲、およびプラットフォーム移動
部材290と持上げ部材285の動き範囲によることは注目に値する。これ以降
、本発明によるステージを同義語として、その新式の脚構成ゆえに、「脚ステー
ジ」と称することもある。好ましい実施形態で、プラットフォーム移動部材29
0が主にx、yおよびθの動きを制御し、持上げ部材285が主にz、θ
よびθの動きを制御することに留意されたい。
【0020】 図2Aで、脚270はプラットフォーム240の重量の支持要素として作用す
る。加えて、脚は、要素間で電位に大きな差異がある本発明の実施形態の中で、
電気的な絶縁のためにも好都合である。高電圧の工作物がプラットフォーム上に
ある実施形態では、脚が実質的に電気絶縁材料で構成される場合、脚は高電圧の
工作物をステージ200の他の要素から絶縁するように作用することもある。他
の実施形態では、工作物の付加的な電気的隔離は、アルミナを主原料にしたセラ
ミックのような実質的な電気絶縁材料でプラットフォームを構成することによっ
て達成できることもあり、さらに特定すると、図2Cに示したプラットフォーム
のビーム245、プラットフォーム・アクチュエータ・キャリヤ246およびウ
ェハ・チャック248が絶縁材料で作製されてもよい。プラットフォーム移動部
材290を高電圧の工作物が載るプラットフォームの中心から離して配置するこ
ともやはり、好ましい実施形態での電気的絶縁の1つの態様である。
【0021】 図2Aで、プラットフォーム240はフレーム210に対して自由に動く。こ
の動きの態様はプラットフォーム移動部材290で達成される。
【0022】 ステージ200をリソグラフィに適用する際、プラットフォーム240の一部
であるウェハ・チャック242はリソグラフィ処理の間でウェハ244を保持す
るために使用される。
【0023】 ステージのプラットフォーム240および脚270をアルミナベースのセラミ
ックのような軽量の材料を使用して構成することは、低質量で高精度のステージ
を達成するのに重要な貢献をするものであり、設計もまた重量を軽減するように
最適化され、例えばアルミナの脚が中空にされ、アルミナのプラットフォーム・
ビーム245が断面をU形状にされ、アルミナのプラットフォーム・アクチュエ
ータ・キャリヤ246がキャリヤ穴247を有してもよい。図2Cに示した実施
形態はそのような軽量設計を示している。
【0024】 図3A〜3Eは本発明の好ましい実施形態のためのプラットフォーム移動部材
290を描いたものである。プラットフォーム移動部材は、フレーム210に対
するプラットフォーム240を制御可能に平面運動させる。図3A〜3Eに示さ
れる好ましい実施形態では、このプラットフォーム移動部材は4つのプラットフ
ォーム・アクチュエータ、さらに特定すると4つの電磁的プラットフォーム・ア
クチュエータで構成される。
【0025】 図3Aでは、フレーム210、プラットフォーム240、磁石330および磁
石支持体335が示されている。図3Bは図3AのAA’平面から見た断面であ
る。図3Bでは、フレーム210、プラットフォーム240、第1のコイル31
0、冷却用流路325、磁石330、磁石支持体335および電磁的プラットフ
ォーム・アクチュエータ337が示されている。図3Cおよび3Dは好ましい実
施形態のためにプラットフォーム移動部材に一体化したシステムの平面図を示し
ている。図3Cでは、プラットフォーム240、電流制御システム340、第1
のコイル310および第1のコイルを接続するケーブル316が示されている。
図3Dでは、プラットフォーム240、冷却用流路325および冷却システム3
50が示されている。図3Eでは、第1のコイル310のうちの1つ、第1のコ
イルを接続するケーブル316、磁石330、第1のコイルの脚312、第2の
コイルの脚314および磁石寸法322が示されている。
【0026】 図3Aおよび3Bで、磁石330はNとS極がよく知られている原理に従って
磁気回路を形成するように配置されて磁石支持体335に取り付けられる。この
磁石構成と磁石支持体を一緒にして第1の磁石アセンブリと称する。磁石支持体
はフレーム210に取り付けられる。第1のコイル310はプラットフォーム2
40に取り付けられ、電流制御システム340(図3C参照)に電気的に結合さ
れる。第1の磁石アセンブリに起因する磁場の存在下で、第1のコイルを通る電
荷の流れは、磁場によって第1のコイルにはたらくローレンツ力(dF=Idl
×B、ここでdFは電流Iを搬送する第1のコイル要素dlに対して磁場Bによ
って及ぼされる微分ローレンツ力)を生じさせる。第1のコイルはプラットフォ
ームに取り付けられているので、フレームに対するプラットフォームの連続的か
つ精密に制御可能な(x,y)平面の動きは選択された第1のコイル内で電流を
精密に制御することによって達成できる。コイルに提供される電流の微分制御が
、z軸の周りにプラットフォームを回転させることができる。異なる磁石アセン
ブリおよび対応する第1のコイルは異なるサイズの磁石と第1のコイルを含むか
、または異なる電流を搬送し得るということは注目すべきである。磁石、第1の
コイルのサイズと位置、および第1のコイルを流れる電流の大きさは、動きの特
定の方向に必要とされる力と行程によって決定される。
【0027】 図3Cは本発明の態様によるプラットフォーム240上の第1のコイル310
の構成を描いている。図3Cの特定の実施形態に関して、第1のコイル310の
構成はプラットフォーム240の中心で磁場の強さを最小にする。上述したよう
に、プラットフォームが荷電粒子リソグラフィ・システム内の要素である実施形
態では、プラットフォームに全体の磁場の強さに対する注意が大切である。その
ようなシステムでは、漂遊磁場は荷電粒子を偏向させるようにはたらく可能性が
あり、レジスト材料の荷電粒子により形成される所望のパターンを破壊しかねな
い。漂遊磁場強度を受容限界内に留めるためには何らかの磁場シールド(図示せ
ず)を導入することが必要なこともある。漂遊磁場が重要でない場所での脚ステ
ージ200の実施形態では、プラットフォーム上の第1のコイルを図3Cに示し
たのと異なる配置にすることが有利になることがある。例えば、同様のサイズの
コイルを図3Cのように直径方向に反対にするのではなくて互いに対面するよう
に、第1のコイルを鏡像構成で配置することができる。また、コイルはステージ
の重心に対してモーメントを最小にするように配置することも可能であろう。
【0028】 第1のコイルの電気的抵抗値310はそれらに提供される電気エネルギーの一
部を消費してそれを顕熱に変換する。冷却システム350は第1のコイルによっ
て発生した熱を取り除き、プラットフォームの中心で摂氏+/−0.1度よりも
良好な範囲内に所望の基準温度を維持する。冷却システム350は冷却剤流のた
めの閉流路、ポンプ、および冷却剤の温度を調節する装置を含んいる。範例とな
る実施形態による冷却剤流路325を図3Dに示す。その他の冷却技術は当業者
にとって容易に明確となる。
【0029】 殆どの実施形態で、電流制御システム340および冷却システム350は便宜
的にフレーム210の外側に配置される。フレーム210が真空密封される場合
では、冷却用流路325および第1のコイルの接続ケーブル316は真空適合性
であることが必要となるであろう。この流路およびケーブルはステージの動きの
間に脚270の動きを損なうことを回避するような方式で下からウェハ・チャッ
クに取り付けることができる。流路およびケーブルを設計するときに流路および
ケーブルに沿った機械的衝撃および振動の伝達を最小にするように、注意を払わ
なければならない。
【0030】 図3Eは磁石330と第1のコイル310との重ね合わせを示している。コイ
ルに対する推進力はコイルの第1および第2のコイル辺を流れる電子に作用する
ローレンツ力である。図3Eから、対向する第1コイル辺312へのローレンツ
力は実質的に互いにキャンセルし合うであろうことは明らかである。これは、同
様の磁場により作用を受ける対抗する第1のコイル辺の電流径路が反対方向にあ
るという理由による場合である。したがって、磁石に対するコイルの動きの範囲
は幅322によって決定される。図3Eに示した範例の実施形態が非整流モータ
を示すことに注目すべきである。動きの範囲を制限することが必要な用途では、
非整流モータが好ましい。しかしながら、はるかに大きな動きの範囲を必要とす
る用途では、当該技術でよく知られている整流型のリニア電磁モータを使用する
こともある。
【0031】 プラットフォーム移動部材がリニア・アクチュエータである実施形態に関して
は、したがって以上で考察したように自由度3の動きを提供するために最低3つ
のそのようなアクチュエータが必要となるであろう。
【0032】 図4に、ステージ200(図2A、図3C、および図6B参照)用の一体型制
御システムとして電流制御システム340の1つの好ましい実施形態のブロック
図を示す。図4には、電流制御システム340と、軌道発生器360と、変換マ
トリックス362と、フィードフォワード制御装置364と、フィードバック制
御装置366と、重力補償装置368と、予測器370と、加算器およびステア
リング・マトリックス372と、電流増幅器374と、ステージ・センサ380
と、ステージ・アクチュエータ390とが示されている。ステージ・アクチュエ
ータは、プラットフォーム移動部材290と、持上げアクチュエータ430とを
備える(図2A参照)。
【0033】 電流制御システム340は、入力としてステージ・センサ380からステージ
位置データを受信し、出力としてステージ・アクチュエータ390用の駆動電流
を送達する制御システムを備える。情報の流れの方向が図4に示されている。
【0034】 電流制御システム340は、ステージ・センサ380から入力されたデータを
受信し、変換マトリックス362によってデータを感知されたステージ位置を表
す(x,y,z,θ,θ,θ)座標に変換する。これらの値が、重力補償
装置368と、フィードバック制御装置366と、予測器370とに送信される
。軌道発生器360は、記憶されている値から、時間に応じて所望の座標(x,
y,z,θ,θ,θ)を指定する。これらの値のセットは、フィードフォ
ワード制御装置364と、フィードバック制御装置366とに送信される。
【0035】 上述したように、実際の、感知された位置に関する座標のセットがフィードバ
ック制御装置366に供給され、フィードバック制御装置366は、所望の位置
と感知位置とを比較して、ステージの位置を調節するための補正信号を計算する
。軌道発生器の座標はフィードフォワード制御装置364に入力されており、フ
ィードフォワード制御装置364は、プラットフォーム加速度を求め、プラット
フォームを所望の座標に駆動するための補正信号を発生する。特定の実施形態で
は、フィードフォワード制御装置は適応性をもち、この場合、入力が変換マトリ
ックス362から受信される。重力補償装置368は、感知された座標を受信し
、プラットフォーム240の逆立ち振り子挙動を補償する信号を発生する。補償
器368をフィードフォワード制御装置364の一部とみなすことができる。予
測器370は、感知された座標を受信し、リソグラフィ・パターンを正確に配置
することができるようにプラットフォーム240の位置を予想するための書込み
偏向システムへの信号を発生する。
【0036】 図4において、フィードフォワード制御装置364が正確である場合、フォー
ドバック制御装置366がヌル(null)補正信号を発生する。そうでない場
合は、補正制御信号が組み合わされ、電流増幅器374に送信される信号は加算
器およびステアリングマトリックス372によって発生される。電流増幅器は、
ステージ・アクチュエータ390を駆動するための制御信号に比例する電流を発
生する。位置感知のプロセスは時間がかかるので、任意の時間に、プラットフォ
ーム240の実際の位置とその感知位置との間に予測可能な誤差があることは注
目に値する。この誤差は、プラットフォーム240の位置を予想する予測器37
0によって克服できるものである。また、特定の実施形態で、ステージ・アクチ
ュエータの電流制御(電圧制御ではない)が、ステージに対して振動を絶縁する
ことも注目に値する。
【0037】 図5に、ステージ・センサ380の1つの好ましい実施形態を示す。図5には
、レーザ干渉計382と、レーザ・ビーム384と、反射側面385と、反射上
面386と、プラットフォーム中心388と、レーザ・トライアンギュレータ3
83とが示されている。ウェハを配置することができるプラットフォーム中心3
88は反射性をもたない。1つの好ましい実施形態では、反射上面386および
反射側面385が、石英ガラスまたはZerodur(商標)ガラスなどの材料
の一部片からなり、プラットフォーム240と一体化されており、全ての干渉計
382およびトライアンギュレータ383が共通の支持構造(図示せず)に取り
付けられている。支持構造は、荷電粒子光学系(図2Bの295参照)に取り付
けられている。1つの好ましい実施形態では、385および386を形成する材
料の一部片の後面を除去することで、ステージの重量を低減する。
【0038】 図5において、レーザ干渉計382がレーザ・ビーム384を発生する。この
ビームがウェハ・チャック242(図2A参照)の反射側面385で反射する。
反射したレーザ・ビームは、入射ビームと組み合わされて干渉パターンを発生し
、これによりプラットフォーム240の位置の変化を正確に求めることができる
。レーザ・トライアンギュレータ383は、トライアンギュレータとプラットフ
ォーム240の反射上面386との間の絶対距離の尺度を提供する。プラットフ
ォームの位置は、全ての干渉計およびトライアンギュレータが取り付けられてい
る支持構造を基準として、すなわち荷電粒子光学系を基準として求められる。
【0039】 干渉計を使用して相対運動を測定するための、水平面内のプラットフォームの
開始位置を求めるためには、プラットフォームとリソグラフィ光学系との位置合
わせ手順に従わなければならない。半導体リソグラフィの当業者によく知られた
、ここで使用することができる様々な位置合わせ手順がある。
【0040】 図2Aに例示されるように、プラットフォーム240は、脚270によってベ
ース220に取り付けられており、ベースはフレーム210に固定されている。
図2Aに示される実施形態では、プラットフォーム移動部材290がプラットフ
ォームをフレームに対して連節するとき、脚が一定の長さを有するのでベースに
対するプラットフォームの高さの変化が生じる。プラットフォーム高さのこの変
化を補償するために、ステージ200がプラットフォーム持上げ部材を組み込む
。また、プラットフォーム持上げ部材の差動作用が、xおよびyのプラットフォ
ーム軸280の周りでのプラットフォームの回転をもたらす場合もある。
【0041】 図6Aは、持上げ部材の一実施形態の概略図である。図6Aには、脚270の
1つと、ベース220と、第1の取付部材230と、持上げ部材285と、支持
要素410と、減衰要素420と、持上げアクチュエータ430とが示されてい
る。図6Aでは、持上げ部材285と、支持要素410と、減衰要素420と、
持上げアクチュエータ430とがベースと取付部材に取り付けられている。1つ
のそのような実施形態では、ベースが実験室の床(図示せず)に結合されている
【0042】 図6Aに示される特定の実施形態では、支持要素410が、第1の取付部材2
30とベース220の間の離隔距離に応じた支持力を与える。一般に、支持要素
によって提供される力は、持上げアクチュエータが担持する必要がある荷重を低
減することによって持上げアクチュエータの制御性能を高めることができる。減
衰要素420は、取付部材とベースの相対位置の時間変化率に比例するそれらの
相対運動とは反対の力を提供する。この実施形態では、支持要素および減衰要素
が受動要素である。持上げアクチュエータ430は、コンピュータ制御システム
(図示せず)と組み合わせた能動制御可能要素である。図6Aは、移動がz方向
で可能であり、他の全方向で制限されている場合を示す。持上げ部材が直線状に
移動するように制限されているとき、少なくとも3本の脚が必要であり、1つの
そのような持上げ部材が各脚に取り付けられて、上述した3つの自由度を有する
動きを与える。
【0043】 代替実施形態では、支持要素410は、第1の取付部材230とベース220
の離隔距離とは無関係の支持力(一定の力の支持)を提供することができる。支
持要素および減衰要素を、粘弾性ビームなどの単一要素にすることもできる。1
つの好ましい実施形態では、米国特許第5310157号に教示されるように、
支持要素および減衰要素が、弾性安定点(例えば座屈されたカラム)に近づく程
度まで荷重を受ける弾性構造を備える単一要素である。この好ましい実施形態の
低い構造剛性も、プラットフォーム240を振動から絶縁するという面で有利で
ある。代替実施形態は、単に、持上げアクチュエータ、並列した支持要素と持上
げアクチュエータ、または並列した減衰要素と持上げアクチュエータからなって
いてよい。
【0044】 図6Bに、電磁持上げアクチュエータである持上げアクチュエータの一実施形
態を示す。図6Bには、脚270の1つと、ベース220と、第1の取付部材2
30と、持上げアクチュエータ430と、第2の磁石支持部440と、第2の磁
石450と、第2のコイル460と、電気ケーブル317と、電流制御システム
340とが示されている。
【0045】 図6Bでは、持上げアクチュエータ430がベース220および第1の取付部
材230に取り付けられている。1つのそのような実施形態では、ベース220
を実験室の床(図示せず)に結合することができる。第2の磁石450は第2の
磁石支持部440に取り付けられ、N極およびS極が、周知の原理に従って磁気
回路を形成するように配置されている。この磁石構成と磁石支持部を合わせて第
1の磁石アセンブリと呼ぶ。磁石支持部440は第1の取付部材230に取り付
けられている。第2のコイル460はベースに取り付けられ、電気ケーブル31
7によって電流制御システム340に電気的に結合されている。上述した周知の
原理によれば、コイル内の電流が、磁場によって取付部材に及ぼされるローレン
ツ力をもたらす。このようにして、ベースに対する脚270の1つの連続な、か
つ精密に制御可能な動きが、第2のコイル内の電流の精密な制御によって達成さ
れる。コイル内の電流の制御は上述したように行われる(図4参照)。プラット
フォーム移動部材290と組み合わさって、持上げアクチュエータが、プラット
フォーム240の精密な位置決めおよび移動を可能にする(図2参照)。
【0046】 図6Cおよび6Dに、持上げ部材285の別の実施形態を示す。図6Cおよび
6Dでは、持上げアクチュエータがボイスコイル・アクチュエータである。図6
Cおよび6Dには、ベース220と、ボイスコイル磁石510と、ボイスコイル
520と、シャフト530と、細いビーム540と、剛性支持部550と、電気
ケーブル317と、電流制御システム340とが示されている。
【0047】 図6Cでは、持上げアクチュエータがベース220に取り付けられており、ボ
イスコイル磁石510およびボイスコイル520を備える。ボイスコイルはシャ
フト530に取り付けられている。シャフト530は第1の取付部材230(図
示せず)に結合されている。細いビーム540は剛性支持部550に取り付けら
れ、剛性支持部はベースに取り付けられている。シャフト530は、細いビーム
540を通過し、しかしビームに固定されてはいない。
【0048】 図6Cを参照すると、ボイスコイル520は、電流がそれを流れるときにz方
向に移動する。コイル520を通過する電流は、上述したのと同様の様式で電流
制御システム340によって制御される。シャフトの移動は、可撓性の細いビー
ム540と剛性支持部550とにより、z方向以外の全ての方向で制限される。
ばね(図示せず)を、ボイスコイル磁石と細いビームとの間に、ばねの軸をシャ
フト530と同軸にして組み込むことができる。
【0049】 持上げ部材の1つの好ましい実施形態は、本明細書に参照により組み込む米国
特許第5178357号、第5310157号、第5370352号、第539
0892号、第5549270号、第5669594号、第5794909号、
および第5833204号における設計および教示を使用して製造される、Mi
nus k Technology,Inc.が製造するNano−k(商標)
振動絶縁体モデルno.SP1014およびシリアル番号317、318、およ
び319を、本明細書に参照により組み込む米国特許第5345206号におけ
る設計および教示を使用して製造されるBEL Electronics移動コ
イル・アクチュエータ・モデルno.LA25−42−000Aと並列に組み合
わせたものである。移動コイル・アクチュエータ内で金属コイル・キャリアを使
用すると、キャリア内での渦電流の誘発によって望みの量よりも大きな減衰が生
じる場合があり、そのような場合、非金属コイル・キャリアを使用してこの望ま
しくない減衰をなくすることができることに留意されたい。持上げ部材のこの好
ましい実施形態は、水平誘導を提供するばね定数が非常に低い支持部であり、こ
れはまた、垂直方向での動きの自然周波数が非常に低く、そのため良好な振動絶
縁を提供する。持上げ部材のこの好ましい実施形態は、垂直運動に関する調節可
能なばね定数も有し、ステージの自然周波数を様々な動作条件下で最小限に抑え
られるようにする。例えば、いくつかの実施形態で、ウェハと荷電粒子光学系と
の間に静電引力が存在する。この力は、ウェハと荷電粒子光学系の離隔距離に関
して非線形に変化する。離隔距離が変わるときにばね定数を変更することによっ
てこれを補償することができる。
【0050】 図2Aに示されるように、プラットフォーム240の動きは、脚270の両端
にある第1の取付部材230および第2の取付部材260によって制限される。
本発明の様々な実施形態では、第1の取付部材230および第2の取付部材26
0が、2つまたは3つの運動自由度を有することができる。好ましい実施形態で
は、取付部材および第2の取付部材がフレクシャル継手である。フレクシャル継
手は、滑らかな、連続的な、かつ高い再現性のある動きを可能にするものとして
当技術分野でよく知られている。
【0051】 図7に、運動自由度が2のフレクシャル継手の1つの好ましい実施形態を示す
。図7に示されるフレクシャル継手は、第1の取付部材230または第2の取付
部材260として適している。図7には、第1の継手要素610と、第2の継手
要素620と、第3の継手要素630と、第1の撓みストリップ640と、第2
の撓みストリップ650と、第1の撓み軸660と、第2の撓み軸670と、撓
みストリップ固定具穴680と、ノッチ685とが示されている。
【0052】 図7では、撓みストリップ640および650が、固定具(図示せず)を穴6
80に挿入した状態で定位置に保持されている。ノッチ685は、撓みストリッ
プが挿入される溝に平行に延びている。固定具がノッチ685の壁に圧力を加え
、それにより湾曲部を溝内の定位置に保持し、溝の壁と接触する湾曲部の領域全
体にわたって力が分散する。第1の継手要素610と第2の継手要素620が第
1の撓みストリップ640によって結合され、第1の撓み軸660を特定する。
同様に、第2の継手要素620と第3の継手要素630が第2の撓みストリップ
650によって結合され、第2の撓み軸670を特定する。第1および第2の撓
み軸は、その周りで継手要素およびそれに接続する撓みストリップのヒンジ式動
きを行うことができる軸である。1つの好ましい実施形態では、第1の撓み軸と
第2の撓み軸が直交する。好ましい実施形態では、第1の継手要素がプラットフ
ォーム底面650に固着されており、第3の継手要素630が脚270の1つに
固着されている。好ましい実施形態では、第1の撓みストリップおよび第2の撓
みストリップが、約0.010インチの厚さを有し、ばね鋼、ベリリウム/銅合
金、またはASTMグレード304のステンレス鋼からなる。
【0053】 上述したように、持上げアクチュエータ285は、ベース210に対するプラ
ットフォーム240の高さを変化させることができる(図2A参照)。1つの好
ましい実施形態では、持上げ動きを達成するために、第1の取付部材230が推
力を伝える。第1の取付部材230が3つの運動自由度を有することもできる。
図7に例示するような運動自由度が2のフレクシャル・ベアリングは、所望の運
動自由度がないだけでなく、フレクシャル継手が歪曲または座屈しやすいのでス
ラスト・ベアリングとして不適切な場合もある。しかし、第1の撓みストリップ
640および第2の撓みストリップ650(図7参照)を堅く短いものにするこ
とができることは注目に値する。これにより、継手を圧縮下で許容可能に動作さ
せることができる。
【0054】 図8Aに、運動自由度が3のフレクシャル継手の一実施形態の概略平面図を示
す。図8Aには、運動自由度が3のフレクシャル継手700と、第1の継手要素
710と、第2の継手要素720と、第3の継手要素730と、第2の湾曲部7
40と、第1の湾曲部750と、第2の撓み軸760と、第1の撓み軸770と
、第3の撓み軸780と、固定具790とが示されている。第1および第2の撓
み軸は、その周りで継手要素およびそれに関連する湾曲部がヒンジ式動きを行う
ことができる軸であり、第3の撓み軸の周りでの回転は、第1の湾曲部、第2の
湾曲部、または第1および第2の湾曲部の捩れによるものであることに留意され
たい。
【0055】 図8Aでは、第1の継手要素710と第3の継手要素730が第2の湾曲部7
40によって結合されている。同様に、第3の継手要素730と第2の継手要素
720が第1の湾曲部750によって結合されている。これにより、第2の撓み
軸760と、第1の撓み軸770と、第3の撓み軸780との周りの回転に関し
て3つの運動自由度が得られ、この実施形態ではこれらの軸が全て直交している
。本発明による運動自由度が3のフレクシャル継手が湾曲ヒンジを2つだけ備え
ていることは注目に値する。1つの好ましい実施形態では、運動自由度が3のフ
レクシャル継手を固定具790を用いてベース220に固定し、かつ脚270の
1つに固着することができる(図2A参照)。第1の継手要素710は、ベース
から間隔を空けて配置し、継手(図示せず)のヒンジ動きを可能にするようにベ
ースに取り付けることができることに留意されたい。
【0056】 図8Bおよび図8Cに、それぞれ第2の湾曲部740および第1の湾曲部75
0の1つの断面図を示す。図8Bおよび図8Cには、第1の継手要素710と、
第2の継手要素720と、第3の継手要素730と、第2の撓みストリップ70
5と、第1の撓みストリップ715と、固定具725と、キャップ735と、脚
270の1つとが示されている。
【0057】 図8Bでは、第1の継手要素710と第3の継手要素730が第2の撓みスト
リップ705によって結合されている。第2の撓みストリップがストリップ固定
具725によって第1および第3の継手要素に取り付けられて、第2の湾曲部7
40を形成している。キャップ735を使用して、固定具からの力を湾曲部の端
部全体にわたって均等に広げる。同様に、図8Cは、第1の撓みストリップ71
5によって結合された第2の継手要素720と第3の継手要素730を示す。第
1の撓みストリップがストリップ固定具725によって第2および第3の継手要
素に取り付けられて、第1の湾曲部750を形成している。キャップ735を使
用して、固定具からの力を湾曲部の端部全体にわたって均等に広げる。図8Bお
よび図8Cから、運動自由度が3のフレクシャル継手700が、第1の継手要素
710に取り付けられた持上げ部材285から脚270に推力を伝えるときに、
第2の撓みストリップ705および第1の撓みストリップ715が引張応力を受
けることを理解することができる。図8Bおよび図8Cにおいて、第1および第
2の撓みストリップの長さ、剛性、および他の特性を、特定の実施形態において
異なるものにできることは注目に値する。好ましい実施形態では、撓みストリッ
プは、約0.010インチの厚さを有し、ばね鋼、ベリリウム/銅合金、または
ASTMグレード304のステンレス鋼から作成することができる。
【0058】 図9Aに、運動自由度が3のフレクシャル継手の1つの好ましい実施形態の分
解斜視図を示す。図9Aには、第1の継手要素810と、固定具クリアランス穴
812と、第1の撓みストリップ取付面814と、第1の荷重支持面816と、
第1の方向818と、第2の継手要素820と、第2の湾曲部取付面824と、
第2の荷重支持面826と、第2の方向828と、第3の継手要素830と、上
側の第3の湾曲部取付面833と、下側の第3の湾曲部取付面835とが示され
る。図を見やすくするために、図9Aで撓みストリップおよび固定手段は省略し
てある。
【0059】 1つの典型的な実施形態では、第1の継手要素810が持上げ部材285(図
2A参照)に結合されている。第2の継手要素820は、2つの第1の撓みスト
リップによって、脚270の1つおよび第3の継手要素830に結合されている
。第3の継手要素830は、2つの第2の撓みストリップによって第1の継手要
素810に結合されている。第2の継手要素820に結合された脚270は各継
手要素の中心を通過する。全ての撓みストリップが、撓みストリップ取付面81
4、824、833、および835に固定される。第1の荷重支持面816は第
1の継手要素810の底面である。荷重支持面は、1つの典型的な実施形態では
持上げ部材285に接触する。第1の方向818は第1の荷重支持面に垂直な方
向である。第2の荷重支持面826は、第2の継手要素820の凹んだ面であり
、1つの典型的な実施形態ではそこに脚270が位置する。第2の方向828は
第2の荷重支持面に垂直な方向である。第2の方向は第1の方向と逆向きである
【0060】 図9Bに、脚軸が傾いている運動自由度が3のフレクシャル継手の1つの好ま
しい実施形態を示す。図9Bには、第1の継手要素810と、第2の継手要素8
20と、第3の継手要素830と、第1の撓みストリップ取付面814と、キャ
ップ815と、固定具817と、第1の撓みストリップ822と、第2の撓みス
トリップ取付面824と、上側の第3の湾曲部取付面833と、下側の第3の湾
曲部取付面835と、脚軸865とが示されている。図を見やすくするために、
脚270および第2の撓みストリップ824、ならびにそれらのキャップおよび
固定具は省略してある。
【0061】 図9Bでは、継手要素が、図9Aに関して上述したのと同様に接続される。さ
らに、第1の撓みストリップ822が、キャップ815および固定具817によ
って、第2の撓みストリップ取付面824、および上側の第3の湾曲部取付面8
33に固定される。第2の継手要素と第3の継手要素が、正反対の位置にある2
つの第1の撓みストリップによって接続されており(図9A参照)、第1の撓み
ストリップの1つのみを図9Bで見ることができることに留意されたい。
【0062】 図9Bは、継手の1つの運動自由度を例示する。第1の撓みストリップ822
が曲がるとき、第2の継手要素820が傾く。図示したように、この動きにより
脚軸865が移動することに留意されたい(荷重の下での撓みストリップ歪曲性
質により、上述した傾きに加え、1つの継手要素が隣の要素に対して若干ずれる
場合があることに留意されたい)。同様に、第2の運動自由度は、第2の撓みス
トリップ(図示せず)の湾曲によるものである。
【0063】 図9Cに、脚軸865の周りで回転する運動自由度が3のフレクシャル継手の
1つの好ましい実施形態を示す。図9Cには、第1の継手要素810と、第2の
継手要素820と、第3の継手要素830と、固定具クリアランス穴812と、
第1の撓みストリップ取付面814と、キャップ815と、固定具817と、第
2の湾曲部取付面824と、上側の第3の湾曲部取付面833と、第2の撓みス
トリップ834と、下側の第3の撓みストリップ取付面835と、脚軸865と
が示されている。図を見やすくするために、脚270および第1の撓みストリッ
プ824、ならびにそれらのキャップおよび固定具は省略してある。図9Cに示
される要素は、図9Aおよび図9Bのものと同様である。
【0064】 図9Cでは、継手要素が、図9Aに関して上述したのと同様に接続される。さ
らに、第2の撓みストリップ834が、キャップ815および固定具817によ
って、第1の撓みストリップ取付面814、および下側の第3の湾曲部取付面8
35に固定される。第1の継手要素と第3の継手要素が、正反対の位置にある2
つの第2の撓みストリップによって接続されており(図9A参照)、第2の撓み
ストリップの1つのみを図9Cで見ることができることに留意されたい。
【0065】 図9Cに、継手の第3の運動自由度を示す。例えば脚軸865の周りでのトル
クに対する反応として第2の撓みストリップ834が曲がり、捩れるとき、脚軸
865の周りで第2の継手要素820が回転運動をする(荷重の下での撓みスト
リップ歪曲性質により、上述した回転に加えて、1つの継手要素が隣の要素に対
して若干ずれる場合があることに留意されたい)。
【0066】 したがって、図9Bおよび図9Cに例示したように、継手は3つの運動自由度
を有する。上記で、撓みストリップの長さまたは材料性質を変えることによって
継手の剛性を変更することができることは注目に値する。継手の回転移動が撓み
ストリップの両方の対の捩れおよび曲げによって生じ、しかし捩れおよび曲げの
相対量は撓みストリップの2対の長さおよび剛性に応じることにも留意されたい
。好ましい実施形態では、ほとんどの捩れが、より長い第2の撓みストリップで
生じる(ストリップの両方のセットが同じ剛性を有する)。
【0067】 図9A〜9Cに、運動自由度が3のフレクシャル継手の1つの好ましい実施形
態を示す。継手要素がどちらも同心かつ同軸である図8Aに示される実施形態と
比べると、この好ましい実施形態の継手要素は同軸であるが、同心でない。この
ため、より長い撓みストリップを見込むことによって脚軸の周りの回転の自由に
寄与する。脚軸の周りでの所与の自由度に関して、図9A〜9Cに示される好ま
しい実施形態は、継手要素が同心かつ同軸である図8Aに示される実施形態より
も軽く、小型にすることができる。また、いくつかの適用例では、運動自由度が
3であり、かつ図9A〜9Cに示されるフレクシャル継手の構成を有する第1の
取付部材230および第2の取付部材260(図2A参照)を有することが望ま
しい場合もある。
【0068】 図9A〜9Cに示される運動自由度が3の継手に関して用いられる一般的な設
計概念を、運動自由度が2の継手を与えるように簡略化することができる。この
運動自由度が2の継手は図10A〜10Cに示されている。この継手は、運動自
由度2だけ必要とする場合に使用することができる。
【0069】 図10Aに、運動自由度が2のフレクシャル継手の一実施形態の分解斜視図を
示す。図10Aには、第1の継手要素810と、固定具クリアランス穴812と
、第1の撓みストリップ取付面814と、第1の荷重支持面816と、第1の方
向818と、第2の継手要素820と、第2の湾曲部取付面824と、第2の荷
重支持面826と、第2の方向828とが示されている。全ての撓みストリップ
が、撓みストリップ取付面814および824に固定されている(図を見やすく
するために、図10Aでは撓みストリップおよび固定手段は省略してある)。第
1の荷重支持面816は第1の継手要素810の底面である。第1の方向818
は第1の荷重支持面に垂直な方向である。第2の荷重支持面826は、第2の継
手要素820の凹んだ面である。第2の方向828は、第2の荷重支持面に垂直
な方向である。第2の方向は第1の方向と逆向きである。
【0070】 図10Bに、脚軸が傾いている運動自由度が2のフレクシャル継手の一実施形
態を示す。図10Bには、第1の継手要素810と、第2の継手要素820と、
第1の撓みストリップ取付面814と、キャップ815と、固定具817と、第
1の撓みストリップ822と、第2の撓みストリップ取付面824と、軸865
とが示されている。
【0071】 図10Bで、継手要素は、図10Aに関して上述したのと同様に接続される。
さらに、第1の撓みストリップ822は、キャップ815および固定具817に
よって、第2の撓みストリップ取付面824および第1の撓みストリップ取付面
814に固定される。第1の継手要素と第2の継手要素が、正反対の位置にある
2つの第1の撓みストリップによって接続されており(図10A参照)、第1の
撓みストリップの1つのみを図10Bで見ることができることに留意されたい。
【0072】 図10Bに、運動自由度1の継手を例示する。第1の撓みストリップ822が
曲がるとき、第2の継手要素820が傾く。図示したように、この動きにより軸
865が移動することに留意されたい(荷重の下での撓みストリップ歪曲性質に
より、上述した傾きに加え、1つの継手要素が隣の要素に関して若干ずれる場合
があることに留意されたい)。
【0073】 図10Cに、軸865の周りで回転する運動自由度が2のフレクシャル継手の
一実施形態を示す。図10Cには、第1の継手要素810と、第2の継手要素8
20と、固定具クリアランス穴812と、第1の撓みストリップ取付面814と
、キャップ815と、固定具817と、第2の湾曲部取付面824と、第1の撓
みストリップ822と、軸865とが示されている。図10Cに示される要素は
、図10Bのものと同様である。
【0074】 図10Cは、継手の第2の運動自由度を例示する。例えば軸865の周りでの
トルクに対する反応として第1の撓みストリップ822が曲がり、捩れるとき、
軸865の周りで第2の継手要素820が回転運動をする(荷重の下での撓みス
トリップ歪曲性質により、上述した回転に加え、1つの継手要素が隣の要素に関
して若干ずれる場合があることに留意されたい)。第1の継手要素と第2の継手
要素が、正反対の位置にある2つの第1の撓みストリップによって接続されてお
り(図10A参照)、第1の撓みストリップの1つのみを図10Cで見ることが
できることに留意されたい。
【0075】 したがって、図10Bおよび図10Cに例示されるように、継手は2つの運動
自由度を有する。撓みストリップの長さまたは材料性質を変更することによって
継手の剛性を変化させることができることは注目に値する。
【0076】 図2Bに、真空システム(真空封止フレーム210および真空ポンプ215)
、および荷電粒子ビーム発生器(荷電粒子光学系295)と結合された本発明の
一実施形態からなる荷電粒子ビーム・リソグラフィ・システムを示す。荷電粒子
は、1つの好ましい実施形態では電子とし、他の実施形態ではイオンとすること
ができる。
【0077】 図2Bにおいて、真空システムは、真空封止フレーム内部のガス密度を維持し
、大きな荷電粒子散乱を伴わずに荷電粒子ビームが伝播できるようにする。荷電
粒子ビーム・リソグラフィ・システムは、少なくとも1つの荷電粒子ビームを発
生して制御し、半導体ウェハ上にパターンを書き込み、少なくとも1つの荷電粒
子ビームの位置をウェハに関して制御する。少なくとも1つの荷電粒子ビームの
ウェハに関する位置決めの一態様は、本発明によるステージ200の連節要素を
含む。本発明のステージは特に複数カラム、複数電子ビーム・リソグラフィ・シ
ステム(各カラムが複数の電子ビームを有する)によく適しており、カラムはウ
ェハの領域全体にわたって分散されており、ステージの最小限の移動のみを伴う
リソグラフィを可能にしていることに留意されたい。
【0078】 プラットフォームの上面は、少なくとも100mmの直径、好ましくは300
mmの直径を有する半導体ウェハを収容することができるようにすべきである。
【0079】 1つの好ましい実施形態では、300mmウェハを保持することができる低質
量高精度ステージの重量が100 lbs未満である。これは、工学的設計を最
適化し、軽量な材料を使用することによって達成される。アルミナベースのセラ
ミックをプラットフォーム240および脚270に使用し、プラットフォームの
反射上面(386)および側面(385)の後面を除去することは上述した。
【0080】 上述したステージの好ましい実施形態は、フレームに関してウェハを50kV
にして動作され、120kV以上で動作することもできる。
【0081】 本発明の様々な実施形態の前述の説明は、例示および説明のために提示した。
開示した厳密な形態に本発明を限定する意図はない。多くの修正形態および等価
な構成が明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術のステージを示す図である。
【図2A】 脚ステージの好ましい実施形態を示す図である。
【図2B】 図2Aの脚ステージのX−X’を含む垂直面の断面図であって、第2のプラッ
トフォーム移動部材、真空チャンバ、および荷電粒子光学系をもまた示す図であ
る。
【図2C】 ウェハおよびウェハ・チャックを取り除いたプラットフォームの平面図である
【図3A】 磁石構成を示す、プラットフォーム移動部材の線図式の平面図である。
【図3B】 磁石とコイルの相対的配置を示す、図3Aのプラットフォーム移動部材のA−
A’に沿った線図式の断面図である。
【図3C】 駆動コイルと電流制御システムの図式化した表現を示す、ステージ・プラット
フォームの平面図である。
【図3D】 冷却ラインと冷却回路の図式化した表現を示す、ステージ・プラットフォーム
の平面図である。
【図3E】 磁石と第1のコイルの重なり合いを図式的に描いた概略図である。
【図4】 電流制御システムの好ましい実施形態のブロック図である。
【図5】 ステージ・センサの好ましい実施形態の線図である。
【図6A】 持上げ部材の概略図である。
【図6B】 持上げアクチュエータの第1の設計の線図である。
【図6C】 側面図として示した、持上げアクチュエータの第2の設計の線図である。
【図6D】 上面図として示した、持上げアクチュエータの第2の設計の線図である。
【図7】 運動自由度2のフレクシャル継手を示す図である。
【図8A】 運動自由度3のフレクシャル継手の実施形態の線図式の平面図である。
【図8B】 図8Aの第2の撓みヒンジの線図式の断面図である。
【図8C】 図8Aの第1の撓みヒンジの線図式の断面図である。
【図9A】 運動自由度3のフレクシャル継手の好ましい実施形態の拡大透視図である。
【図9B】 脚軸に傾斜のある、運動自由度3のフレクシャル継手の好ましい実施形態を示
す図である。
【図9C】 脚軸について回転する、運動自由度3のフレクシャル継手の好ましい実施形態
を示す図である。
【図10A】 運動自由度2のフレクシャル継手の実施形態の拡大透視図である。
【図10B】 脚軸に傾斜のある、運動自由度2のフレクシャル継手の実施形態を示す図であ
る。
【図10C】 脚軸について回転する、運動自由度2のフレクシャル継手の実施形態を示す図
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK ,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE, GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK, MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN,YU, ZA,ZW (72)発明者 リー,マーティン・イー アメリカ合衆国・95070・カリフォルニア 州・サラトガ・ビッグ ベイシン ウェ イ・24100 Fターム(参考) 5C001 AA07 CC06 5F031 CA02 HA02 HA03 HA38 HA53 HA55 JA06 JA14 JA22 JA32 KA06 KA07 KA08 LA01 LA07 LA08 NA05 5F056 CB21 EA14

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ベースと、 前記ベースに取り付けられたフレームと、 プラットフォーム底面をもつプラットフォームと、 前記ベースおよび前記プラットフォーム底面に結合された少なくとも3つの調
    節可能な肢部とを含むステージであって、各肢部は前記ベースに取り付けられた
    持上げ部材、前記持上げ部材に取り付けられた第1の取付部材、脚、前記持上げ
    部材に取り付けられた前記脚の底端部、前記脚の上端部に取り付けられた第2の
    取付部材および前記プラットフォーム底面に取り付けられた前記第2の取付部材
    を含み、 前記プラットフォームおよび前記フレームに結合されたプラットフォーム移動
    部材を含むステージ。
  2. 【請求項2】 前記第1の取付部材の各々が運動自由度2を有する請求項1
    に記載のステージ。
  3. 【請求項3】 前記第1の取付部材の各々が運動自由度3を有する請求項1
    に記載のステージ。
  4. 【請求項4】 前記第2の取付部材の各々が運動自由度3を有する請求項1
    に記載のステージ。
  5. 【請求項5】 前記第2の取付部材の各々が運動自由度3を有する請求項2
    に記載のステージ。
  6. 【請求項6】 前記第2の取付部材の各々が運動自由度2を有する請求項1
    に記載のステージ。
  7. 【請求項7】 前記第2の取付部材の各々が運動自由度2を有する請求項3
    に記載のステージ。
  8. 【請求項8】 前記第1の取付部材がフレクシャル継手である請求項1に記
    載のステージ。
  9. 【請求項9】 前記第1の取付部材がフレクシャル・スラスト継手である請
    求項1に記載のステージ。
  10. 【請求項10】 前記第2の取付部材がフレクシャル継手である請求項1に
    記載のステージ。
  11. 【請求項11】 前記第2の取付部材がフレクシャル・スラスト継手である
    請求項1に記載のステージ。
  12. 【請求項12】 前記第2の取付部材がフレクシャル継手である請求項8に
    記載のステージ。
  13. 【請求項13】 前記第2の取付部材がフレクシャル・スラスト継手である
    請求項9に記載のステージ。
  14. 【請求項14】 前記プラットフォーム移動部材が少なくとも3つのプラッ
    トフォーム・アクチュエータを含む請求項1に記載のステージ。
  15. 【請求項15】 前記プラットフォーム・アクチュエータのうちの少なくと
    も1つが電磁プラットフォーム・アクチュエータである請求項14に記載のステ
    ージ。
  16. 【請求項16】 前記電磁的プラットフォーム・アクチュエータが、 前記プラットフォームに取り付けられた第1のコイルと、 前記フレームに取り付けられて前記第1のコイルに電磁気学的に結合された第
    1の磁石アセンブリと、 前記第1のコイルに電気的に結合された電流制御システムと を含む請求項15に記載のステージ。
  17. 【請求項17】 前記コイルに熱的に結合された冷却システムおよび冷却用
    流路をさらに含む請求項16に記載のステージ。
  18. 【請求項18】 前記冷却システムと冷却用流路がプラットフォームの基準
    温度を摂氏+/−0.1度以内に維持する請求項17に記載のステージ。
  19. 【請求項19】 前記持上げ部材が支持要素であって前記プラットフォーム
    の重量に対抗する力を提供する請求項1に記載のステージ。
  20. 【請求項20】 前記支持要素が一定力の支持体である請求項19に記載の
    ステージ。
  21. 【請求項21】 前記一定力の支持体がバックルで留めた柱である請求項2
    0に記載のステージ。
  22. 【請求項22】 前記持上げ部材が持上げアクチュエータであって前記ベー
    スに対する前記プラットフォームの上昇の調節を可能にする請求項1に記載のス
    テージ。
  23. 【請求項23】 前記持上げアクチュエータのうちの少なくとも1つが電磁
    持上げアクチュエータである請求項22に記載のステージ。
  24. 【請求項24】 前記電磁的持上げアクチュエータが、 前記ベースに取り付けられた第2のコイルと、 前記第1の取付部材のうちの1つに取り付けられて前記第2のコイルに電磁気
    学的に結合された第2の磁石アセンブリと、 前記第2のコイルに電気的に結合された電流制御器と を含む請求項23に記載のステージ。
  25. 【請求項25】 前記持上げ部材が制動要素である請求項1に記載のステー
    ジ。
  26. 【請求項26】 各々の持上げ部材が持上げアクチュエータと平行になった
    支持要素である請求項1に記載のステージ。
  27. 【請求項27】 各々の持上げ部材が制動要素と平行になった支持要素であ
    る請求項1に記載のステージ。
  28. 【請求項28】 各々の持上げ部材が持上げアクチュエータと平行になった
    制動要素である請求項1に記載のステージ。
  29. 【請求項29】 各々の持上げ部材が支持要素、制動要素および持上げアク
    チュエータであってすべてが平行である請求項1に記載のステージ。
  30. 【請求項30】 前記脚が実質的に互いに平行である請求項1に記載のステ
    ージ。
  31. 【請求項31】 前記プラットフォームが実質的に電気絶縁性である請求項
    1に記載のステージ。
  32. 【請求項32】 前記脚が実質的に電気絶縁性である請求項1に記載のステ
    ージ。
  33. 【請求項33】 前記フレームが真空チャンバである請求項1に記載のステ
    ージ。
  34. 【請求項34】 前記プラットフォームが、少なくとも100mmの直径の
    ウェハを保持することのできる上面を有する請求項1に記載のステージ。
  35. 【請求項35】 前記プラットフォームが、少なくとも300mmの直径の
    ウェハを保持することのできる上面を有する請求項1に記載のステージ。
  36. 【請求項36】 ステージの重量が100lbsよりも少ない請求項35に
    記載のステージ。
  37. 【請求項37】 ベースと、 前記ベースに取り付けられたフレームと、 プラットフォーム底面をもつプラットフォームと、 前記ベースおよび前記プラットフォーム底面に結合された3つの実質的に平行
    な調節可能の肢部とを含むステージであって、各々の肢部は、前記ベースに取り
    付けられて電磁持上げアクチュエータと平行になった一定力の支持体である持上
    げ部材、前記持上げ部材に取り付けられて運動自由度3をもつ第1のフレクシャ
    ル・スラスト継手、脚、前記第1のフレクシャル・スラスト継手に取り付けられ
    た前記脚の底端部、前記脚の上端部に取り付けられて運動自由度2をもつ第2の
    フレクシャル・スラスト継手および前記プラットフォーム底面に取り付けられた
    前記第2のフレクシャル・スラスト継手を含み、 前記プラットフォームと前記フレームに結合された4つの電磁プラットフォー
    ム・アクチュエータを含み、それによって持上げアクチュエータとプラットフォ
    ーム・アクチュエータの両方の調和した動作が前記プラットフォームの自由度6
    の精密な位置決めおよび動きを提供するステージ。
JP2001535066A 1999-11-05 2000-11-03 精密ステージ Pending JP2003515249A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16384699P 1999-11-05 1999-11-05
US60/163,846 1999-11-05
US09/543,265 US6355994B1 (en) 1999-11-05 2000-04-05 Precision stage
US09/543,265 2000-04-05
PCT/US2000/041887 WO2001033232A2 (en) 1999-11-05 2000-11-03 Precision stage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003515249A true JP2003515249A (ja) 2003-04-22

Family

ID=26859995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001535066A Pending JP2003515249A (ja) 1999-11-05 2000-11-03 精密ステージ

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6355994B1 (ja)
EP (1) EP1261878A2 (ja)
JP (1) JP2003515249A (ja)
KR (1) KR20020085886A (ja)
CN (1) CN1402830A (ja)
AU (1) AU3268001A (ja)
TW (1) TW498398B (ja)
WO (1) WO2001033232A2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219001A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよび該ステージシステムを備えたリソグラフィ装置
JP2010182867A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2022014522A (ja) * 2020-07-07 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及び真空処理装置の制御方法

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246204B1 (en) * 1994-06-27 2001-06-12 Nikon Corporation Electromagnetic alignment and scanning apparatus
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6943351B2 (en) * 2000-02-19 2005-09-13 Multibeam Systems, Inc. Multi-column charged particle optics assembly
US6696220B2 (en) 2000-10-12 2004-02-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro-and nano-imprint lithography
WO2002006902A2 (en) 2000-07-17 2002-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US8016277B2 (en) * 2000-08-21 2011-09-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based macro motion translation stage
US6885430B2 (en) * 2000-11-16 2005-04-26 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6757053B1 (en) 2000-11-16 2004-06-29 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction mass assembly
US6958808B2 (en) * 2000-11-16 2005-10-25 Nikon Corporation System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly
US6603531B1 (en) * 2000-11-16 2003-08-05 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly that is connected by actuators
US6593997B1 (en) 2000-11-16 2003-07-15 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly
US6753534B2 (en) * 2000-12-08 2004-06-22 Nikon Corporation Positioning stage with stationary and movable magnet tracks
US6791669B2 (en) * 2001-04-12 2004-09-14 Nikon Corporation Positioning device and exposure apparatus including the same
US6828890B2 (en) * 2001-09-26 2004-12-07 Engineering Matters, Inc. High intensity radial field magnetic array and actuator
US20030097205A1 (en) * 2001-11-20 2003-05-22 Bausan Yuan Control scheme and system for active vibration isolation
US6922025B2 (en) * 2002-02-21 2005-07-26 Anorad Corporation Zero ripple linear motor system
US6724466B2 (en) 2002-03-26 2004-04-20 Nikon Corporation Stage assembly including a damping assembly
JP2003297274A (ja) * 2002-03-28 2003-10-17 Nippon Light Metal Co Ltd 試料保持装置
US7352268B2 (en) * 2002-09-26 2008-04-01 Engineering Matters, Inc. High intensity radial field magnetic actuator
US6876284B2 (en) 2002-09-26 2005-04-05 Engineering Matters, Inc. High intensity radial field magnetic array and actuator
EP1457834A3 (en) * 2003-03-14 2008-10-29 Canon Kabushiki Kaisha Positioning apparatus, exposure apparatus and method for producing device
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US20040252287A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Michael Binnard Reaction frame assembly that functions as a reaction mass
NL1023781C2 (nl) * 2003-06-30 2005-01-03 Janssen Prec Engineering Inrichting voor het positioneren van een tafel.
ATE465441T1 (de) * 2003-08-07 2010-05-15 Koninkl Philips Electronics Nv Positionierungseinrichtung, einrichtung und verfahren zum ausgleich der schwerkraft
US7009359B2 (en) * 2003-08-08 2006-03-07 Asml Holding N.V. Foam core chuck for the scanning stage of a lithography system
US7462848B2 (en) * 2003-10-07 2008-12-09 Multibeam Systems, Inc. Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
US20090008579A1 (en) * 2003-10-07 2009-01-08 Tokyo Electron Limited Electron beam lithography apparatus and design method of patterned beam-defining aperture
US7928404B2 (en) * 2003-10-07 2011-04-19 Multibeam Corporation Variable-ratio double-deflection beam blanker
US7245799B2 (en) * 2003-11-25 2007-07-17 Zygo Corporation Optical fiber connectors and systems including optical fiber connectors
US7221433B2 (en) 2004-01-28 2007-05-22 Nikon Corporation Stage assembly including a reaction assembly having a connector assembly
WO2006083295A1 (en) * 2004-06-10 2006-08-10 Lord Corporation A method and system for controlling helicopter vibrations
JP4519567B2 (ja) * 2004-08-11 2010-08-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法
US8090482B2 (en) 2007-10-25 2012-01-03 Lord Corporation Distributed active vibration control systems and rotary wing aircraft with suppressed vibrations
US8267652B2 (en) 2004-08-30 2012-09-18 Lord Corporation Helicopter hub mounted vibration control and circular force generation systems for canceling vibrations
CN101022994B (zh) 2004-08-30 2012-07-04 洛德公司 直升飞机振动控制系统和消除振动的旋转力发生器
US7722322B2 (en) 2004-08-30 2010-05-25 Lord Corporation Computer system and program product for controlling vibrations
US8162606B2 (en) 2004-08-30 2012-04-24 Lord Corporation Helicopter hub mounted vibration control and circular force generation systems for canceling vibrations
US7388663B2 (en) * 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
JP4541849B2 (ja) * 2004-11-22 2010-09-08 キヤノン株式会社 位置決め装置
CN100405222C (zh) * 2005-02-23 2008-07-23 上海微电子装备有限公司 七自由度定位机构
US7468589B2 (en) * 2006-01-13 2008-12-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a controlled motor, and motor control system and method
US7818073B2 (en) * 2006-04-20 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Method for obtaining improved feedforward data, a lithographic apparatus for carrying out the method and a device manufacturing method
DE102007011849B4 (de) * 2007-03-12 2009-02-26 Data M Software Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Biegen von flachem Halbzeug zu Profil mit über seine Länge veränderlichem Querschnitt
US8384048B2 (en) * 2007-06-25 2013-02-26 Multibeam Corporation Charged particle beam deflection method with separate stage tracking and stage positional error signals
US8387945B2 (en) * 2009-02-10 2013-03-05 Engineering Matters, Inc. Method and system for a magnetic actuator
EP2275697A1 (en) 2009-04-23 2011-01-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. A magnetic bearing, a rotary stage, and a reflective electron beam lithography apparatus
JP5555863B2 (ja) * 2009-07-01 2014-07-23 並木精密宝石株式会社 振動アクチュエータの構造
CN103038707B (zh) * 2010-03-03 2015-10-21 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 包括校准系统的图案生成器
KR101678065B1 (ko) * 2010-12-09 2016-12-07 삼성전자 주식회사 위치 정렬 장치 및 이의 조인트 모듈
US9033301B1 (en) * 2011-04-26 2015-05-19 The Boeing Company Vibration reduction system using an extended washer
KR101801148B1 (ko) * 2011-08-16 2017-11-27 삼성전자주식회사 초정밀 위치 제어 장치 및 그 6자유도 스테이지의 위치 및 자세 정보 산출 방법
CN103258759B (zh) * 2012-02-16 2015-12-16 睿励科学仪器(上海)有限公司 一种定向半导体设备精密定位运动平台的装置及方法
US9196516B2 (en) * 2013-03-14 2015-11-24 Qualitau, Inc. Wafer temperature measurement tool
US9466464B1 (en) 2015-01-23 2016-10-11 Multibeam Corporation Precision substrate material removal using miniature-column charged particle beam arrays
US10312091B1 (en) 2015-10-13 2019-06-04 Multibeam Corporation Secure permanent integrated circuit personalization
US10782620B2 (en) * 2015-11-23 2020-09-22 Asml Netherlands B.V. Vibration isolation device, lithographic apparatus and method to tune a vibration isolation device
US9881817B1 (en) 2016-06-02 2018-01-30 Multibeam Corporation Precision substrate material multi-processing using miniature-column charged particle beam arrays
JP6633986B2 (ja) * 2016-07-20 2020-01-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
US10688382B2 (en) * 2016-09-26 2020-06-23 Interblock Usa L.C. Oscillation and magnetic braking assembly for dice gaming system
US10523433B1 (en) 2016-12-09 2019-12-31 Multibeam Corporation Secure intra-chip hardware micro-segmentation using charged particle beam processing
WO2019091903A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Asml Netherlands B.V. Electron beam inspection tool and method for positioning an object table
CN108941942B (zh) * 2018-09-06 2023-09-22 广西中科蓝谷半导体科技有限公司 一种光刻机小工件卡具的使用方法
CN110749024A (zh) * 2019-11-08 2020-02-04 诸暨向博智能家居科技有限公司 一种室内外恒温换气设备

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019109A (en) 1974-05-13 1977-04-19 Hughes Aircraft Company Alignment system and method with micromovement stage
US4390789A (en) 1981-05-21 1983-06-28 Control Data Corporation Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation
US4516253A (en) 1983-03-15 1985-05-07 Micronix Partners Lithography system
US4506204A (en) 1983-06-10 1985-03-19 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic apparatus
US4506205A (en) 1983-06-10 1985-03-19 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic alignment apparatus
US4507597A (en) 1983-06-10 1985-03-26 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic alignment assemblies
US4485339A (en) 1983-06-10 1984-11-27 The Perkin-Elmer Corporation Electro-magnetic alignment device
US4694477A (en) 1983-12-21 1987-09-15 Hewlett-Packard Company Flexure stage alignment apparatus
US4694178A (en) 1985-06-28 1987-09-15 Control Data Corporation Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation
US4952858A (en) 1988-05-18 1990-08-28 Galburt Daniel N Microlithographic apparatus
JP2960423B2 (ja) * 1988-11-16 1999-10-06 株式会社日立製作所 試料移動装置及び半導体製造装置
US5549270A (en) 1989-08-16 1996-08-27 Minus K Technology, Inc. Vibration isolation system
US5669594A (en) 1989-08-16 1997-09-23 Minus K Technology, Inc. Vibration isolating system
US5833204A (en) 1989-08-16 1998-11-10 Minus K Technology, Inc. Radial flextures, Beam-Columns and tilt isolation for a vibration isolation system
US5370352A (en) 1989-08-16 1994-12-06 Minus K Technology, Inc. Damped vibration isolation system
US5178357A (en) 1989-08-16 1993-01-12 Platus David L Vibration isolation system
US5310157A (en) 1989-08-16 1994-05-10 Minus K Technology, Inc. Vibration isolation system
NL8902472A (nl) 1989-10-05 1991-05-01 Philips Nv Positioneerinrichting.
US5140242A (en) 1990-04-30 1992-08-18 International Business Machines Corporation Servo guided stage system
US5545962A (en) * 1992-08-18 1996-08-13 Canon Kabushiki Kaisha Positioning system
US5345206A (en) 1992-11-24 1994-09-06 Bei Electronics, Inc. Moving coil actuator utilizing flux-focused interleaved magnetic circuit
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US5693990A (en) * 1994-09-06 1997-12-02 Bridgestone Corporation Vibration isolating apparatus and vibration isolating table
US5631506A (en) 1994-12-14 1997-05-20 Tritium Technologies Sloped facet electromagnetic actuator adapted for vibration compensation
US5806193A (en) 1995-11-09 1998-09-15 Nikon Corporation Tilt and movement apparatus using flexure and air cylinder
US5794909A (en) 1996-09-16 1998-08-18 Minus K Technology, Inc. Auto-adjust apparatus for a vibration isolation system
JP3825869B2 (ja) * 1997-03-19 2006-09-27 キヤノン株式会社 能動除振装置
JPH11274031A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法ならびに位置決め装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219001A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Asml Netherlands Bv ステージシステムおよび該ステージシステムを備えたリソグラフィ装置
JP2010182867A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2022014522A (ja) * 2020-07-07 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及び真空処理装置の制御方法
JP7488138B2 (ja) 2020-07-07 2024-05-21 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置、及び真空処理装置の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1402830A (zh) 2003-03-12
KR20020085886A (ko) 2002-11-16
WO2001033232A3 (en) 2001-09-27
AU3268001A (en) 2001-05-14
US6872958B2 (en) 2005-03-29
TW498398B (en) 2002-08-11
US6355994B1 (en) 2002-03-12
US20020127050A1 (en) 2002-09-12
WO2001033232A2 (en) 2001-05-10
EP1261878A2 (en) 2002-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003515249A (ja) 精密ステージ
US6353271B1 (en) Extreme-UV scanning wafer and reticle stages
US5959427A (en) Method and apparatus for compensating for reaction forces in a stage assembly
KR101129119B1 (ko) 광학 요소의 조작을 위한 장치
JP4209121B2 (ja) デュアル分離されたシステムを有するリソグラフィーツールおよびそれを構成する方法
US9447839B2 (en) Support module for lithography system
EP1970941B1 (en) Stage system for use in an exposure apparatus
US6777833B1 (en) Magnetic levitation stage apparatus and method
US7417714B2 (en) Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage
US6639225B2 (en) Six-axis positioning system having a zero-magnetic-field space
US6130490A (en) X-Y stage with movable magnet plate
JP2003163257A (ja) 位置決め装置及びその製造方法
US7885021B2 (en) Six degree of freedom (DOF) actuator reaction mass
JP2003318103A (ja) リソグラフィシステムでの反作用負荷を管理する方法、システム、および装置
US11385456B2 (en) Device and method for positioning a moveable member, and a steerable mirror unit including such device
EP0183125B1 (en) Positioning system
US6471435B1 (en) Flexural joint
US6794660B2 (en) Long stroke mover for a stage assembly
KR20010112467A (ko) 스테이지 장치 및 노광장치
JPH06123787A (ja) 可動装置及びその製造方法並びに位置決め装置と、これらを用いたテーブル装置
JP6641496B2 (ja) リアクション補償式ステアリング可能プラットフォーム
US20030010935A1 (en) Stage assembly having a follower assembly
US6888619B2 (en) Positioning device
Mittal et al. Multifunctional Z actuator with an adjustable built-in gravity compensator for high precision systems
JP3807516B2 (ja) 除振装置、除振方法及び露光装置