JP2003512718A - 電気的構造群の冷却装置及び技術的装置 - Google Patents
電気的構造群の冷却装置及び技術的装置Info
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Abstract
(57)【要約】
電気的な構造群の冷却装置は、少なくとも汚物粒子を流入する冷却空気から分離するための表面ろ別のための少なくとも1つのダイヤフラムフィルタを有し、更にケーシング内に空気流を生ぜしめるため及び加熱された冷却空気をケーシングの少なくとも1つの空気出口から導出するための少なくとも1つの冷却装置を有している。特徴とするところは、ダイヤフラムフィルタは振動発生器によって振動せしめられ、この振動により表面上にたい積せしめられる汚物粒子がはがされることに存する。
Description
【0001】
本発明は、ケーシング内に配置されている電気的な構造群を冷却する装置及び
技術的な装置、特に移動無線電話システムのベースステーションあるいは無線の
加入者接続システムに関する。
技術的な装置、特に移動無線電話システムのベースステーションあるいは無線の
加入者接続システムに関する。
【0002】
電気的に運転される技術的な装置においては、電流が流れる構造素子及び構造
群の損失出力が装置の加熱をもたらす。技術的な装置のための電気的な標準構造
エレメントは例えば70℃までの限定された許容運転温度範囲しか有していない
ので、これらの電気的な構造エレメントは冷却装置によって冷却される。これら
の冷却装置は例えばファンであり、ケーシング内で電気的な構造エレメント及び
構造群を添流若しくは貫流する空気流を形成し、これによって生ぜしめられた熱
出力の排出を行う。
群の損失出力が装置の加熱をもたらす。技術的な装置のための電気的な標準構造
エレメントは例えば70℃までの限定された許容運転温度範囲しか有していない
ので、これらの電気的な構造エレメントは冷却装置によって冷却される。これら
の冷却装置は例えばファンであり、ケーシング内で電気的な構造エレメント及び
構造群を添流若しくは貫流する空気流を形成し、これによって生ぜしめられた熱
出力の排出を行う。
【0003】
技術的な装置を閉じたスペース外であるいは閉じたスペース内の不都合な条件
内で運転する場合、熱の排出の他に、付加的に例えば汚物粒子や液体のような外
部条件に対して充分な保護をしなければならない。この場合、技術的な装置の耐
久性の機能を保証するためには、特別なIPクラスによる保護条件を維持しなけ
ればならない。
内で運転する場合、熱の排出の他に、付加的に例えば汚物粒子や液体のような外
部条件に対して充分な保護をしなければならない。この場合、技術的な装置の耐
久性の機能を保証するためには、特別なIPクラスによる保護条件を維持しなけ
ればならない。
【0004】
DE 197 55 944 から、ケーシングの空気入口内に、流入する冷却空気から汚物
粒子を表面ろ別するため及び液体を分離するためのダイヤフラムフィルタを設け
ることが公知である。例えば DE 196 26 778 により公知のケーシング、すなわ
ち空気対空気の熱交換器を有し、この熱交換器は内部の冷却回路を外部の冷却回
路から完全に分離するケーシングと比較して、ダイヤフラムフィルタを使用する
ことによって、簡単な形式で、電気的な構造群を技術的な装置の前述の使用範囲
に対して相応する保護条件をもって充分に保護することができる。同時に冷却に
必要な周囲雰囲気の温度と、ケーシング内部の温度との間の温度差が減少せしめ
られる。
粒子を表面ろ別するため及び液体を分離するためのダイヤフラムフィルタを設け
ることが公知である。例えば DE 196 26 778 により公知のケーシング、すなわ
ち空気対空気の熱交換器を有し、この熱交換器は内部の冷却回路を外部の冷却回
路から完全に分離するケーシングと比較して、ダイヤフラムフィルタを使用する
ことによって、簡単な形式で、電気的な構造群を技術的な装置の前述の使用範囲
に対して相応する保護条件をもって充分に保護することができる。同時に冷却に
必要な周囲雰囲気の温度と、ケーシング内部の温度との間の温度差が減少せしめ
られる。
【0005】
このようなダイヤフラムフィルタは例えば、Goretex, Sympatex などの名称で
覆い物体に使用するのに公知のダイヤフラムを基にしている。これらのダイヤフ
ラムは線維の細かい編組体あるいは編み物から成っていて、極めて小さな開口大
きさを可能にする。材料としてはこのために例えば PTFE(ポリテトラフルオル
エチレン)、テフロンという名前でも公知である、が使用される。このダイヤフ
ラムは一般に、例えばポリアミドのような支持体上で構成され、これによりダイ
ヤフラムフィルタの特定の安定性及び抵抗が達成される。
覆い物体に使用するのに公知のダイヤフラムを基にしている。これらのダイヤフ
ラムは線維の細かい編組体あるいは編み物から成っていて、極めて小さな開口大
きさを可能にする。材料としてはこのために例えば PTFE(ポリテトラフルオル
エチレン)、テフロンという名前でも公知である、が使用される。このダイヤフ
ラムは一般に、例えばポリアミドのような支持体上で構成され、これによりダイ
ヤフラムフィルタの特定の安定性及び抵抗が達成される。
【0006】
ダイヤフラムフィルタの開口の大きさが極めて小さいことによって、ダイヤフ
ラムフィルタは従来のフィルタに比較して汚物に対する抵抗性が大きい。それは
、例えば汚物粒子はダイヤフラムの織物内に固着することができず、フィルタの
共面において分離されるからである。この性質にもかかわらず、ダイヤフラムフ
ィルタにの表面に汚物粒子がたい積し、いわゆるフィルタケーキを形成し、この
フィルタケーキは冷却空気が付加的に克服しなければならない抵抗を形成する。
このフィルタケーキは冷却空気の透過量に関して、対向圧力の増大及びそれに基
づく許容し得る限界温度を超えることによって、不利に作用する。
ラムフィルタは従来のフィルタに比較して汚物に対する抵抗性が大きい。それは
、例えば汚物粒子はダイヤフラムの織物内に固着することができず、フィルタの
共面において分離されるからである。この性質にもかかわらず、ダイヤフラムフ
ィルタにの表面に汚物粒子がたい積し、いわゆるフィルタケーキを形成し、この
フィルタケーキは冷却空気が付加的に克服しなければならない抵抗を形成する。
このフィルタケーキは冷却空気の透過量に関して、対向圧力の増大及びそれに基
づく許容し得る限界温度を超えることによって、不利に作用する。
【0007】
本発明の根底をなす課題は、ダイヤフラムフィルタの簡単な掃除を可能にする
冷却装置及び技術的な装置を提示することである。この課題は、請求項1に記載
した冷却装置によって、かつ請求項12に記載した技術的装置によって、解決さ
れる。本発明の有利な実施の態様は従属請求項に記載されている。
冷却装置及び技術的な装置を提示することである。この課題は、請求項1に記載
した冷却装置によって、かつ請求項12に記載した技術的装置によって、解決さ
れる。本発明の有利な実施の態様は従属請求項に記載されている。
【0008】
本発明によるケーシング内に配置された電気的構造群の冷却装置は、それぞれ
ケーシングの空気入口内に配置された少なくとも1つのダイヤフラムフィルタを
、流入する冷却区域から汚物粒子を取り除いて電気的構造群を冷却するための少
なくも1つの表面ろ別のために有しており、並びにケーシング内に空気流を形成
して、ろ別された、構造群の貫流及び又は添流によって加熱された冷却空気をケ
ーシングの少なくとも1つの空気出口から導出するための冷却装置を有している
。特徴とするところは、ダイヤフラムフィルタが少なくとも1つの振動発生器に
よって機械的に振動せしめられ、この機械的な振動によって、ダイヤフラムフィ
ルタに表面にたい積した汚物粒子がはがされるようにした点に存する。
ケーシングの空気入口内に配置された少なくとも1つのダイヤフラムフィルタを
、流入する冷却区域から汚物粒子を取り除いて電気的構造群を冷却するための少
なくも1つの表面ろ別のために有しており、並びにケーシング内に空気流を形成
して、ろ別された、構造群の貫流及び又は添流によって加熱された冷却空気をケ
ーシングの少なくとも1つの空気出口から導出するための冷却装置を有している
。特徴とするところは、ダイヤフラムフィルタが少なくとも1つの振動発生器に
よって機械的に振動せしめられ、この機械的な振動によって、ダイヤフラムフィ
ルタに表面にたい積した汚物粒子がはがされるようにした点に存する。
【0009】
本発明による装置の利点は、ダイヤフラムフィルタが生ぜしめられる機械的な
振動によって簡単な形式で表面にたい積した汚物粒子を取り除かれ、汚物粒子内
でフィルタケーキが実際上取り除かれることである。
振動によって簡単な形式で表面にたい積した汚物粒子を取り除かれ、汚物粒子内
でフィルタケーキが実際上取り除かれることである。
【0010】
本発明の第1の実施の態様によれば、ダイヤフラムフィルタが付加的に液体を
表面において分離し、これによって技術的な装置を閉じたスペースの外方でも、
若しくは不利な周囲条件においても使用することが可能である。
表面において分離し、これによって技術的な装置を閉じたスペースの外方でも、
若しくは不利な周囲条件においても使用することが可能である。
【0011】
本発明の別の構成によれば、生ぜしめられる機械的な振動が、ダイヤフラムフ
ィルタの固有共振周波数に等しい周波数を有している。この周波数はダイヤフラ
ムフィルタを最大振幅で機械的に運動せしめ、これによって、有利にはダイヤフ
ラムフィルタが効果的に掃除される。
ィルタの固有共振周波数に等しい周波数を有している。この周波数はダイヤフラ
ムフィルタを最大振幅で機械的に運動せしめ、これによって、有利にはダイヤフ
ラムフィルタが効果的に掃除される。
【0012】
振動発生器は、本発明による4つの実施態様では、電気力学的な変換器として
、電磁的な変換器として、電気機械的な変換器として、あるいは静電的な変換器
として、構成しておくことができる。
、電磁的な変換器として、電気機械的な変換器として、あるいは静電的な変換器
として、構成しておくことができる。
【0013】
最初の3つの実施態様では、ダイヤフラムフィルタは機械的に電気機械的な、
電磁的な変換器と連結され、この変換器は機械的な振動を生ぜしめる。この場合
、例えばダイヤフラムフィルタが固定されている枠も機械的に振動せしめられ、
その際いずれの場合でも、汚物粒子あるいは液体が例えば振動によって生じる透
き間あるいは開口を通って、ケーシング内に入ることがないように、保証してお
かなければならない。
電磁的な変換器と連結され、この変換器は機械的な振動を生ぜしめる。この場合
、例えばダイヤフラムフィルタが固定されている枠も機械的に振動せしめられ、
その際いずれの場合でも、汚物粒子あるいは液体が例えば振動によって生じる透
き間あるいは開口を通って、ケーシング内に入ることがないように、保証してお
かなければならない。
【0014】
電気機械的変換器は1実施態様によれば、圧電変換器として構成しておくこと
ができる。
ができる。
【0015】
4番目の実施態様では、ダイヤフラムフィルタは2つのキャパシタ板の間に配
置されており、その際キャパシタ板の間の静電力がダイヤフラムフィルタの機械
的な運動を生ぜしめる。ダイヤフラムフィルタはこの場合完全にあるいは部分的
に導電性の材料から構成しておかなければならない。
置されており、その際キャパシタ板の間の静電力がダイヤフラムフィルタの機械
的な運動を生ぜしめる。ダイヤフラムフィルタはこの場合完全にあるいは部分的
に導電性の材料から構成しておかなければならない。
【0016】
第4の、代替的な構成によれば、キャパシタ板は導電性の編組体から構成され
ている。この編組体は有利には冷却空気の流量を制限することがなく、ダイヤフ
ラムフィルタの電磁的な遮蔽及び周囲条件に対する付加的な保護に使用すること
ができる。
ている。この編組体は有利には冷却空気の流量を制限することがなく、ダイヤフ
ラムフィルタの電磁的な遮蔽及び周囲条件に対する付加的な保護に使用すること
ができる。
【0017】
本発明の別の実施態様では、ダイヤフラムフィルタは導電性の材料からキャパ
シタ板として構成されている。これによって、有利には機械的な構成が簡単にな
る。
シタ板として構成されている。これによって、有利には機械的な構成が簡単にな
る。
【0018】
本発明による冷却装置の別の構成では、制御装置が周期的にかつ又はダイヤフ
ラムフィルタの汚染率に関連して、ダイヤフラムフィルタの掃除のために振動発
生器を制御する。この制御装置は振動発生器を例えばファンとして構成された冷
却装置の必要な回転数に関連して制御する。この場合、外部雰囲気とケーシング
内部の温度差を考慮して、必要な冷却空気流量を調べることができる。ファンの
回転数を高めて、同じ冷却空気流量を達成するか、あるいは冷却空気流量がコン
スタントなファン回転数を特定の限界値だけ下回った場合には、ダイヤフラムフ
ィルタの特定の汚染率を帰納して、掃除過程を制御装置によって開始させること
ができる。更に掃除過程はケーシング内の圧力測定、例えば圧力差スイッチによ
って制御して、開始することができる。この場合、永久的にあるいは周期的にケ
ーシング内の圧力を測定して、限界値と比較することができる。測定された圧力
がこの限界値を下回った場合には、掃除過程が開始される。この動力学的な掃除
過程の制御のほかに、掃除過程は周期的に、例えば制御装置内のタイマによって
制御して、行うこともできる。ダイヤフラムフィルタの掃除は、したがって簡単
な形式で、技術的装置の通常の保守間隔で行い、たい積した汚物粒子を除去する
ことができる。
ラムフィルタの汚染率に関連して、ダイヤフラムフィルタの掃除のために振動発
生器を制御する。この制御装置は振動発生器を例えばファンとして構成された冷
却装置の必要な回転数に関連して制御する。この場合、外部雰囲気とケーシング
内部の温度差を考慮して、必要な冷却空気流量を調べることができる。ファンの
回転数を高めて、同じ冷却空気流量を達成するか、あるいは冷却空気流量がコン
スタントなファン回転数を特定の限界値だけ下回った場合には、ダイヤフラムフ
ィルタの特定の汚染率を帰納して、掃除過程を制御装置によって開始させること
ができる。更に掃除過程はケーシング内の圧力測定、例えば圧力差スイッチによ
って制御して、開始することができる。この場合、永久的にあるいは周期的にケ
ーシング内の圧力を測定して、限界値と比較することができる。測定された圧力
がこの限界値を下回った場合には、掃除過程が開始される。この動力学的な掃除
過程の制御のほかに、掃除過程は周期的に、例えば制御装置内のタイマによって
制御して、行うこともできる。ダイヤフラムフィルタの掃除は、したがって簡単
な形式で、技術的装置の通常の保守間隔で行い、たい積した汚物粒子を除去する
ことができる。
【0019】
制御装置は更に例えば振動発生器内で、生ぜしめられる振動を制御することも
できる。
できる。
【0020】
本発明による装置は、例えば移動無線電話システムのベースステーションある
いは無線の加入者接続システム(アクセスネットワークシステム)、交通指導装
置、供給装置、あるいは工業的装置の制御のためのスイッチキャビネットのよう
な少なくとも1つの電気的構造群を有している技術的な装置に使用することがで
きる。同様に、本発明による装置は例えば、携帯可能な若しくは定置の家庭用コ
ンピュータあるいは電気的な測定装置のような小型の電気的な装置に使用するこ
とができる。
いは無線の加入者接続システム(アクセスネットワークシステム)、交通指導装
置、供給装置、あるいは工業的装置の制御のためのスイッチキャビネットのよう
な少なくとも1つの電気的構造群を有している技術的な装置に使用することがで
きる。同様に、本発明による装置は例えば、携帯可能な若しくは定置の家庭用コ
ンピュータあるいは電気的な測定装置のような小型の電気的な装置に使用するこ
とができる。
【0021】
以下においては、添付図面に示した実施例に付いて本発明を詳細に説明する。
【0022】
例えば移動無線電話システムあるいは無線の加入者接続システムのベースステ
ーションBTSのような技術的な装置は図1に示すように、単数又は複数の電気
的な構造群BGを有している。電気的な装置の運転中に、個々の電気的な構造群
BGの損失出力によって加熱が生じ、これによって、構造群BGのあるいは個々
の電気的な構造エレメントの最大の許容し得る運転温度を超えないようにするた
めに、冷却が必要になる。
ーションBTSのような技術的な装置は図1に示すように、単数又は複数の電気
的な構造群BGを有している。電気的な装置の運転中に、個々の電気的な構造群
BGの損失出力によって加熱が生じ、これによって、構造群BGのあるいは個々
の電気的な構造エレメントの最大の許容し得る運転温度を超えないようにするた
めに、冷却が必要になる。
【0023】
電気的装置の側面図で示したケーシングGはその正面にダイヤフラムフィルタ
MBを有する空気入口LEを有している。この場合空気入口LEの寸法は例えば
次のように定められている。すなわち、ダイヤフラムフィルタMBを通って流入
する冷却空気が技術的装置の周囲雰囲気から電気的な構造群BGをそれぞれ下方
から、かつ場合により前方から貫流し得るようになっており、したがって構造群
BG若しくは電気的な構造エレメントが冷却されるように、定められている。例
えば襞の形成によって空気入口LEよりも大きいことができるダイヤフラムフィ
ルタMBの有効な表面は、次のように寸法を定められている。すなわち、流入す
る冷却空気の圧力低下が冷却装置VEによって保証し得るように、若しくは部分
的にダイヤフラムフィルタMBが汚物粒子あるいは液体によって閉塞するにもか
かわらず、なお充分な量の冷却空気が流入し得るように、定められている。電磁
的な折り合いの良さに関する条件を満たすために、ダイヤフラムフィルタMBの
前方に例えばワイヤ編組体が配置されており、これは電気的に技術的装置のケー
シングと接続されている。このワイヤ編組体は同時にまた周囲の影響に対してダ
イヤフラムフィルタMBを機械的に保護する。
MBを有する空気入口LEを有している。この場合空気入口LEの寸法は例えば
次のように定められている。すなわち、ダイヤフラムフィルタMBを通って流入
する冷却空気が技術的装置の周囲雰囲気から電気的な構造群BGをそれぞれ下方
から、かつ場合により前方から貫流し得るようになっており、したがって構造群
BG若しくは電気的な構造エレメントが冷却されるように、定められている。例
えば襞の形成によって空気入口LEよりも大きいことができるダイヤフラムフィ
ルタMBの有効な表面は、次のように寸法を定められている。すなわち、流入す
る冷却空気の圧力低下が冷却装置VEによって保証し得るように、若しくは部分
的にダイヤフラムフィルタMBが汚物粒子あるいは液体によって閉塞するにもか
かわらず、なお充分な量の冷却空気が流入し得るように、定められている。電磁
的な折り合いの良さに関する条件を満たすために、ダイヤフラムフィルタMBの
前方に例えばワイヤ編組体が配置されており、これは電気的に技術的装置のケー
シングと接続されている。このワイヤ編組体は同時にまた周囲の影響に対してダ
イヤフラムフィルタMBを機械的に保護する。
【0024】
構造群BGが互いに間隔をおいて配置されていることによって、構造群BGの
貫流若しくは添流が可能である。公知の構造形式では、構造群BGは例えば、そ
の中に電子的な構造エレメント及び高出力スイッチ回路を有している押し込みケ
ーシングから成っている。押し込みケーシングは通気スリットを備えており、こ
の通気スリットを通って冷却空気が構造エレメント及びスイッチ回路に達するこ
とができる。構造群BGとは、本発明の範囲内で、更に技術的な装置の全ての装
置を意味する。例えば、パーソナルコンピュータにおいて実現されているプリン
ト配線板並びに固定板のような周辺ユニットなどが含まれる。
貫流若しくは添流が可能である。公知の構造形式では、構造群BGは例えば、そ
の中に電子的な構造エレメント及び高出力スイッチ回路を有している押し込みケ
ーシングから成っている。押し込みケーシングは通気スリットを備えており、こ
の通気スリットを通って冷却空気が構造エレメント及びスイッチ回路に達するこ
とができる。構造群BGとは、本発明の範囲内で、更に技術的な装置の全ての装
置を意味する。例えば、パーソナルコンピュータにおいて実現されているプリン
ト配線板並びに固定板のような周辺ユニットなどが含まれる。
【0025】
図1に示した装置は、個々の構造群BGに間のスペース内に並びに最も下方の
構造群の下方に及び最も上方の構造群の上方に、空気案内装置を有し、この空気
案内装置は、ダイヤフラムフィルタMBを通って流入する冷却空気をその都度の
構造群BGの基面に一様に分配し、全体の構造群BGの一様な貫流を生ぜしめる
ようにする。更に、空気案内装置は、EMV規定を満たすことに関して、構造群
BGの相互の電磁遮蔽に使用することができる。
構造群の下方に及び最も上方の構造群の上方に、空気案内装置を有し、この空気
案内装置は、ダイヤフラムフィルタMBを通って流入する冷却空気をその都度の
構造群BGの基面に一様に分配し、全体の構造群BGの一様な貫流を生ぜしめる
ようにする。更に、空気案内装置は、EMV規定を満たすことに関して、構造群
BGの相互の電磁遮蔽に使用することができる。
【0026】
ダイヤフラムフィルタMBは例えば枠内に配置されていて、この枠はダイヤフ
ラムフィルタ及び枠より成るダイヤフラムフィルタカセットを、保守及び掃除若
しくは交換のために、迅速に取り出すことを可能にする。同時に枠はダイヤフラ
ムフィルタMBの前述の襞付けを可能にする。枠は技術的な装置の寸法を制限す
るためにケーシングG内に一体に設けておくこともできる。
ラムフィルタ及び枠より成るダイヤフラムフィルタカセットを、保守及び掃除若
しくは交換のために、迅速に取り出すことを可能にする。同時に枠はダイヤフラ
ムフィルタMBの前述の襞付けを可能にする。枠は技術的な装置の寸法を制限す
るためにケーシングG内に一体に設けておくこともできる。
【0027】
ダイヤフラムフィルタMBは表面フィルタとして構成されており、この表面フ
ィルタは、周囲雰囲気の汚物粒子及び液体を既にダイヤフラムの表面において分
離するという特に有利な性質を有しており、これによって例えば敏感な電子的な
構造部分あるいは構造群BG内の回路をこのような周囲雰囲気に対して保護する
。このようなダイヤフラムフィルタMBは例えばGoretex, Sympatex などの名前
で覆い物体などに使用される公知のダイヤフラムを基礎にしている。フィルタの
ダイヤフラムは線維の細かい編組体あるいは編み物から成っている。極めて小さ
い開口大きさは汚物粒子の侵入を阻止し、不可逆のダイヤフラムの閉塞を防止す
る。それにもかかわらず、ダイヤフラムの表面に汚物粒子がいわゆるフィルタケ
ーキとしてたい積し、このフィルタケーキはしかしながら本発明による装置によ
って簡単に取り除くことができる。同じ形式で液体は単位面積当たり特定の圧力
までダイヤフラムを通過することができない。例えばダイヤフラムのための材料
として、テフロンとしても公知であるPTFEが使用される。ダイヤフラムは一般に
、粗く織られた支持材料、例えばポリアミド上に載せられ、これによってダイヤ
フラムの大きな安定性及び抵抗性が達成される。
ィルタは、周囲雰囲気の汚物粒子及び液体を既にダイヤフラムの表面において分
離するという特に有利な性質を有しており、これによって例えば敏感な電子的な
構造部分あるいは構造群BG内の回路をこのような周囲雰囲気に対して保護する
。このようなダイヤフラムフィルタMBは例えばGoretex, Sympatex などの名前
で覆い物体などに使用される公知のダイヤフラムを基礎にしている。フィルタの
ダイヤフラムは線維の細かい編組体あるいは編み物から成っている。極めて小さ
い開口大きさは汚物粒子の侵入を阻止し、不可逆のダイヤフラムの閉塞を防止す
る。それにもかかわらず、ダイヤフラムの表面に汚物粒子がいわゆるフィルタケ
ーキとしてたい積し、このフィルタケーキはしかしながら本発明による装置によ
って簡単に取り除くことができる。同じ形式で液体は単位面積当たり特定の圧力
までダイヤフラムを通過することができない。例えばダイヤフラムのための材料
として、テフロンとしても公知であるPTFEが使用される。ダイヤフラムは一般に
、粗く織られた支持材料、例えばポリアミド上に載せられ、これによってダイヤ
フラムの大きな安定性及び抵抗性が達成される。
【0028】
ダイヤフラムフィルタMBの特別な構成によって、IP規則による保護規定を
例えばIP55まで満たすことができ、これによって技術的な装置を閉じられて
スペースの外方で、若しくは例えば工業的な製品の場合に生ずるような不利な周
囲条件の下で、使用することが可能になる。更に、ダイヤフラムフィルタの材料
を特別に選択することによって、例えば酸に対する抵抗性のような、実際の周囲
条件に個別的に適合させることができる。
例えばIP55まで満たすことができ、これによって技術的な装置を閉じられて
スペースの外方で、若しくは例えば工業的な製品の場合に生ずるような不利な周
囲条件の下で、使用することが可能になる。更に、ダイヤフラムフィルタの材料
を特別に選択することによって、例えば酸に対する抵抗性のような、実際の周囲
条件に個別的に適合させることができる。
【0029】
電気的な構造群BGを冷却空気でケーシングGを直接に貫流させて冷却するこ
とは、周囲雰囲気の温度若しくは流入する冷却空気の温度と、ケーシングG内の
温度との間の温度差がゼロになろうという利点を有しており、これによって電気
的な構造群BGの運転は例えば内側の加熱の程度を減少せしめた構造エレメント
の限界温度である+70℃の周囲雰囲気の温度においても、保証されている。
とは、周囲雰囲気の温度若しくは流入する冷却空気の温度と、ケーシングG内の
温度との間の温度差がゼロになろうという利点を有しており、これによって電気
的な構造群BGの運転は例えば内側の加熱の程度を減少せしめた構造エレメント
の限界温度である+70℃の周囲雰囲気の温度においても、保証されている。
【0030】
例えば背面側のケーシング壁の上方範囲に配置されている冷却装置VEは、電
気的な構造群BGの貫流若しくは添流の際に加熱された空気を吸引し、これを空
気出口LAによって周囲雰囲気に排出する。冷却装置VEとしては、例えば空気
流を生ぜしめる単数又は複数のファンが使用される。自然対流による冷却は、限
界温度の下方で構造群を確実に運転するためには、高い内部損失出力で構造群B
Gの大きな加熱が生じる場合には充分でない。空気出口LAはやはりダイヤフラ
ムフィルタMBによって液体及び汚物粒子の侵入に対して保護しておくことがで
きる。
気的な構造群BGの貫流若しくは添流の際に加熱された空気を吸引し、これを空
気出口LAによって周囲雰囲気に排出する。冷却装置VEとしては、例えば空気
流を生ぜしめる単数又は複数のファンが使用される。自然対流による冷却は、限
界温度の下方で構造群を確実に運転するためには、高い内部損失出力で構造群B
Gの大きな加熱が生じる場合には充分でない。空気出口LAはやはりダイヤフラ
ムフィルタMBによって液体及び汚物粒子の侵入に対して保護しておくことがで
きる。
【0031】
ケーシングGの内部の温度を制御するために、ファンの回転数は制御装置ST
によって制御される。この制御のパラメータを把握するために、例えば空気入口
LE、空気出口LA、並びにケーシングGの種々の範囲に温度感知器を設けてお
いて、永久的に流入する冷却空気の温度及びケーシングGの内部の雰囲気の温度
若しくは特別な構造エレメントの温度を測定し、制御装置STによって評価する
ことができる。この制御においては、冷却装置のファンの回転数によって、ケー
シングG内の冷却空気の流量が変化せしめられ、例えばコンスタントな温度がケ
ーシングGの内部で周囲雰囲気の温度と無関係に得られる。構造群BGのコンス
タントな運転温度は、例えば、電気的な構造エレメント及び高出力スイッチ回路
の運転期間に正に作用する。付加的に、常に低く保たれている冷却装置VEの回
転数は、構造エレメントの限界温度が越えられないという条件の下で、技術的な
装置の騒音放出量を最低減にすることを可能にする。更に、制御によって、装置
の冷間スタートの際に、最初は冷却装置VEの運転をしないで、構造群BGを迅
速に所望の運転温度に加熱することができ、この運転温度に達した後に初めて、
冷却装置VEの別の制御をコンスタントな運転温度を維持するために行うことが
できる。
によって制御される。この制御のパラメータを把握するために、例えば空気入口
LE、空気出口LA、並びにケーシングGの種々の範囲に温度感知器を設けてお
いて、永久的に流入する冷却空気の温度及びケーシングGの内部の雰囲気の温度
若しくは特別な構造エレメントの温度を測定し、制御装置STによって評価する
ことができる。この制御においては、冷却装置のファンの回転数によって、ケー
シングG内の冷却空気の流量が変化せしめられ、例えばコンスタントな温度がケ
ーシングGの内部で周囲雰囲気の温度と無関係に得られる。構造群BGのコンス
タントな運転温度は、例えば、電気的な構造エレメント及び高出力スイッチ回路
の運転期間に正に作用する。付加的に、常に低く保たれている冷却装置VEの回
転数は、構造エレメントの限界温度が越えられないという条件の下で、技術的な
装置の騒音放出量を最低減にすることを可能にする。更に、制御によって、装置
の冷間スタートの際に、最初は冷却装置VEの運転をしないで、構造群BGを迅
速に所望の運転温度に加熱することができ、この運転温度に達した後に初めて、
冷却装置VEの別の制御をコンスタントな運転温度を維持するために行うことが
できる。
【0032】
技術的な装置を運転する際に、永久的にダイヤフラムフィルタMBを通って流
入する冷却空気によって、ダイヤフラムフィルタMBの表面上に汚物粒子がたい
積する。これは冷却空気の流量を減少させることがある。ダイヤフラムフィルタ
MBの特別な性質によって、既に述べたように、汚物粒子をフィルタの表面にお
いて分離することができる。汚物粒子はフィルタ内に侵入せず、固着することが
ないという事実によって、汚物粒子は以下に述べる本発明による装置によって、
簡単な形式で取り除くことができる。
入する冷却空気によって、ダイヤフラムフィルタMBの表面上に汚物粒子がたい
積する。これは冷却空気の流量を減少させることがある。ダイヤフラムフィルタ
MBの特別な性質によって、既に述べたように、汚物粒子をフィルタの表面にお
いて分離することができる。汚物粒子はフィルタ内に侵入せず、固着することが
ないという事実によって、汚物粒子は以下に述べる本発明による装置によって、
簡単な形式で取り除くことができる。
【0033】
ダイヤフラムフィルタMBの掃除装置は、例えば冷却装置VEの回転数に関連
して空気流量の永久的な測定によって、あらかじめ定められた固定値を下回るこ
とによって、作業を開始することができ、その際測定された比は、ダイヤフラム
フィルタMBの汚染度を表す。空気流量は例えば空気出口LAに配置された空気
流量測定装置によって測定され、制御装置STにより評価される。別の可能性は
、永久的なあるいは周期的なケーシング内の、例えば圧力差スイッチによる圧力
測定であり、これは実際に定められた圧力をあらかじめ定められた限界値と比較
して、この限界値を超えた場合に信号を制御装置に送る。冷却空気量がダイヤフ
ラムフィルタMBによって特定に制限された場合、冷却装置VEは例えば空気入
口LEを通ってケーシングG内に流入し得るよりも多量の冷却空気をケーシング
Gから送り出し、これによってケーシングG内に負圧が生じる.この信号を評価
した後に、制御装置STは掃除過程を開始する。同じようにして、掃除過程は例
えばタイマによって制御されて、周期的な時間間隔で制御装置STによって開始
されることができる。
して空気流量の永久的な測定によって、あらかじめ定められた固定値を下回るこ
とによって、作業を開始することができ、その際測定された比は、ダイヤフラム
フィルタMBの汚染度を表す。空気流量は例えば空気出口LAに配置された空気
流量測定装置によって測定され、制御装置STにより評価される。別の可能性は
、永久的なあるいは周期的なケーシング内の、例えば圧力差スイッチによる圧力
測定であり、これは実際に定められた圧力をあらかじめ定められた限界値と比較
して、この限界値を超えた場合に信号を制御装置に送る。冷却空気量がダイヤフ
ラムフィルタMBによって特定に制限された場合、冷却装置VEは例えば空気入
口LEを通ってケーシングG内に流入し得るよりも多量の冷却空気をケーシング
Gから送り出し、これによってケーシングG内に負圧が生じる.この信号を評価
した後に、制御装置STは掃除過程を開始する。同じようにして、掃除過程は例
えばタイマによって制御されて、周期的な時間間隔で制御装置STによって開始
されることができる。
【0034】
制御装置STは、前記のパラメータを評価した後に、若しくは所定の時間間隔
が経過した後に、振動発生器SEを制御し、この振動発生器はダイヤフラムフィ
ルタMBを本発明により機械的に振動させる。ダイヤフラムフィルタMBの機械
的な運動は、たい積しているフィルタケーキの破断及びはがしを生ぜしめ、これ
によって掃除効果が達成される。この自動的な掃除過程は、ダイヤフラムフィル
タMBを例えば技術的な装置の保守の範囲内で掃除することに対して、一面では
保守の間隔を延長することができ、かつ他面では技術的な装置の運転費を、冷却
装置VE並びに構造群BGの最適の運転形式によって、減少させることができる
という利点を有している。
が経過した後に、振動発生器SEを制御し、この振動発生器はダイヤフラムフィ
ルタMBを本発明により機械的に振動させる。ダイヤフラムフィルタMBの機械
的な運動は、たい積しているフィルタケーキの破断及びはがしを生ぜしめ、これ
によって掃除効果が達成される。この自動的な掃除過程は、ダイヤフラムフィル
タMBを例えば技術的な装置の保守の範囲内で掃除することに対して、一面では
保守の間隔を延長することができ、かつ他面では技術的な装置の運転費を、冷却
装置VE並びに構造群BGの最適の運転形式によって、減少させることができる
という利点を有している。
【0035】
本発明によれば、振動発生器SEは多数に代替的な変換装置として構成するこ
とができる。図1においては、振動発生器SEは例えば電磁的な、電気力学的な
あるいは電気機械的な変換器であり、これはそれぞれ機械的にダイヤフラムフィ
ルタMBに、あるいはダイヤフラムフィルタMBが配置されている枠に、連結さ
れている。
とができる。図1においては、振動発生器SEは例えば電磁的な、電気力学的な
あるいは電気機械的な変換器であり、これはそれぞれ機械的にダイヤフラムフィ
ルタMBに、あるいはダイヤフラムフィルタMBが配置されている枠に、連結さ
れている。
【0036】
電磁的な変換器は、例えば公知の電気モータとして構成しておくことができ、
その回転軸に偏心ディスクがダイヤフラムフィルタMB若しくはその枠に結合さ
れた押し棒の運動を作用させる。更に公知の電磁石として構成された電磁変換器
は、交番電圧を印加された場合に、ダイヤフラムフィルタ若しくはその枠と結合
されている軟鉄ダイヤフラム、例えば薄い鋼薄板から成る軟鉄ダイヤフラムを、
コイルの磁界によって振動させる。
その回転軸に偏心ディスクがダイヤフラムフィルタMB若しくはその枠に結合さ
れた押し棒の運動を作用させる。更に公知の電磁石として構成された電磁変換器
は、交番電圧を印加された場合に、ダイヤフラムフィルタ若しくはその枠と結合
されている軟鉄ダイヤフラム、例えば薄い鋼薄板から成る軟鉄ダイヤフラムを、
コイルの磁界によって振動させる。
【0037】
電気機械的な変換器は、例えば圧電式の変換器として構成されている。圧電式
の変換器は、圧電結晶、例えば石英が交番電圧の印加によって振動を励起される
という原理に基づくものである。機械的な連結によって、この振動はダイヤフラ
ムフィルタMB若しくはその枠に伝達される。例えば偏平なディスクとして構成
された圧電式変換器が公知である。交番電圧を印加される場合に、ディスクは同
一の周波数の機械的な振動を行い、その振幅及び向きは機械的な性質−大きさ、
形状、初張力及び保持−によって定められる。大きな機械的な運動を達成するた
めに、圧電ディスクは適当並びに寸法及び形状を有していなければならず、かつ
/又は振幅増大若しくは振幅変成のための機械的構成を備えていなければならな
い。
の変換器は、圧電結晶、例えば石英が交番電圧の印加によって振動を励起される
という原理に基づくものである。機械的な連結によって、この振動はダイヤフラ
ムフィルタMB若しくはその枠に伝達される。例えば偏平なディスクとして構成
された圧電式変換器が公知である。交番電圧を印加される場合に、ディスクは同
一の周波数の機械的な振動を行い、その振幅及び向きは機械的な性質−大きさ、
形状、初張力及び保持−によって定められる。大きな機械的な運動を達成するた
めに、圧電ディスクは適当並びに寸法及び形状を有していなければならず、かつ
/又は振幅増大若しくは振幅変成のための機械的構成を備えていなければならな
い。
【0038】
ダイヤフラムフィルタMBを掃除するための別の可能性は、電気力学的な変換
器を使用することである。電気力学的な変換器は、交流を流されるコイルの永久
磁界内での運動に基づく。コイルは印加される交流電圧に比例して運動する。そ
れは、交番電圧によってコイル内に磁界が生ぜしめられ、この磁界が永久磁石と
結合して運動を生ぜしめるからである。コイルが機械的にダイヤフラムと連結さ
れている場合には、ダイヤフラムは振動させられる。
器を使用することである。電気力学的な変換器は、交流を流されるコイルの永久
磁界内での運動に基づく。コイルは印加される交流電圧に比例して運動する。そ
れは、交番電圧によってコイル内に磁界が生ぜしめられ、この磁界が永久磁石と
結合して運動を生ぜしめるからである。コイルが機械的にダイヤフラムと連結さ
れている場合には、ダイヤフラムは振動させられる。
【0039】
前述の変換器は、図2に示すように、代替的にやはり圧力波を生ぜしめるため
に、利用することができる。圧力波によりダイヤフラムフィルタMBが負荷され
、この場合機械的な連結は空気を介して行われる。単数又は複数の変換器はケー
シングGの内部でダイヤフラムフィルタMBの背後に配置されており、その際配
置は有利には次のように行われる。すなわちダイヤフラムフィルタMBの全面積
が、圧力波で負荷されるように、行われる。圧力波は振動方向で周期的な圧力位
相及び引き位相を生ぜしめる。
に、利用することができる。圧力波によりダイヤフラムフィルタMBが負荷され
、この場合機械的な連結は空気を介して行われる。単数又は複数の変換器はケー
シングGの内部でダイヤフラムフィルタMBの背後に配置されており、その際配
置は有利には次のように行われる。すなわちダイヤフラムフィルタMBの全面積
が、圧力波で負荷されるように、行われる。圧力波は振動方向で周期的な圧力位
相及び引き位相を生ぜしめる。
【0040】
図3においては、本発明による別の解決策が示されており、この場合ダイヤフ
ラムフィルタMB若しくはその枠の機械的な運動を生ぜしめるために、静電的な
変換器が使用されている。この静電的な変換器は、キャパシタ原理に基づくもの
であって、2つのキャパシタプレートKPの間の電界の力作用が利用され、導電
性のダイヤフラムが振動せしめられる。図3及び図4においては、両方のキャパ
シタ板KPは例えばそれぞれ導電性材料、例えば銅又はアルミニウムの編組体と
して構成されていて、ダイヤフラムフィルタMBに対して間隔をおいて配置され
ている。例えば孔を明けられた鋼薄板も同じように使用することができる。図4
に例示したように、編組体は空気流量を制限するものではなく、有利には付加的
にダイヤフラムフィルタMBの機械的な保護を行う。キャパシタ板KPは、技術
的な装置の通常の運転中は電磁遮蔽部材として使用することができ、その際キャ
パシタ板は例えば振動発生器SEによって接地されているか、あるいはケーシン
グGと接続されている。掃除過程のためには、キャパシタ板KPは接地から外さ
れ、振動発生器SEは電圧をキャパシタ板KPに印加し、この電圧は交番電界を
キャパシタ板KPの間に生ぜしめて、ダイヤフラムフィルタMBを振動させる。
ラムフィルタMB若しくはその枠の機械的な運動を生ぜしめるために、静電的な
変換器が使用されている。この静電的な変換器は、キャパシタ原理に基づくもの
であって、2つのキャパシタプレートKPの間の電界の力作用が利用され、導電
性のダイヤフラムが振動せしめられる。図3及び図4においては、両方のキャパ
シタ板KPは例えばそれぞれ導電性材料、例えば銅又はアルミニウムの編組体と
して構成されていて、ダイヤフラムフィルタMBに対して間隔をおいて配置され
ている。例えば孔を明けられた鋼薄板も同じように使用することができる。図4
に例示したように、編組体は空気流量を制限するものではなく、有利には付加的
にダイヤフラムフィルタMBの機械的な保護を行う。キャパシタ板KPは、技術
的な装置の通常の運転中は電磁遮蔽部材として使用することができ、その際キャ
パシタ板は例えば振動発生器SEによって接地されているか、あるいはケーシン
グGと接続されている。掃除過程のためには、キャパシタ板KPは接地から外さ
れ、振動発生器SEは電圧をキャパシタ板KPに印加し、この電圧は交番電界を
キャパシタ板KPの間に生ぜしめて、ダイヤフラムフィルタMBを振動させる。
【0041】
これに対して代替的に、図示していない実施態様では、静電式の変換器は、次
にように構成することができる。すなわちダイヤフラムフィルタMBが完全に又
は部分的に導電性の材料から成り、キャパシタ板KPとして使用されるようにす
る。他方の剛性的なキャパシタ板KPは例えばやはり電磁遮蔽のための編組体で
ある。可動のキャパシタ板KP若しくはダイヤフラムフィルタMBの電荷の位置
を変化させることによって、キャパシタ板KPの振動を達成することができる。
にように構成することができる。すなわちダイヤフラムフィルタMBが完全に又
は部分的に導電性の材料から成り、キャパシタ板KPとして使用されるようにす
る。他方の剛性的なキャパシタ板KPは例えばやはり電磁遮蔽のための編組体で
ある。可動のキャパシタ板KP若しくはダイヤフラムフィルタMBの電荷の位置
を変化させることによって、キャパシタ板KPの振動を達成することができる。
【0042】
すべての場合において、有利には振動はダイヤフラムフィルタMBの共振周波
数で生ぜしめられる。それは共振周波数は、ダイヤフラムフィルタMBの最大源
の運動を生ぜしめ、掃除過程を強めるからである。ダイヤフラムフィルタMBを
圧力波で負荷する場合には、例えば個々の源の間に特定の位相ずれを選ぶことが
でき、これによりダイヤフラムフィルタMBの表面を波形に運動せしめ、汚物粒
子の迅速な解離を達成することができる。
数で生ぜしめられる。それは共振周波数は、ダイヤフラムフィルタMBの最大源
の運動を生ぜしめ、掃除過程を強めるからである。ダイヤフラムフィルタMBを
圧力波で負荷する場合には、例えば個々の源の間に特定の位相ずれを選ぶことが
でき、これによりダイヤフラムフィルタMBの表面を波形に運動せしめ、汚物粒
子の迅速な解離を達成することができる。
【図1】
電気構造群を冷却するための本発明による装置を有する移動無線電話システム
を側面図で示す。
を側面図で示す。
【図2】
ダイヤフラムフィルタを圧力波で負荷された本発明による装置を示す。
【図3】
静電変換器を有する本発明による装置を側面図で示す。
【図4】
図1〜3の本発明による装置を正面図で示す。
BTS ベースステーション、 BG 構造群、 G ケーシング、 KP キ
ャパシタ板、 LA 空気出口、 LE 空気入り口、 MB ダイヤグラムフ
ィルタ、 SE 振動発生器、 ST 制御装置、 VE 冷却装置
ャパシタ板、 LA 空気出口、 LE 空気入り口、 MB ダイヤグラムフ
ィルタ、 SE 振動発生器、 ST 制御装置、 VE 冷却装置
Claims (13)
- 【請求項1】 ケーシング(G)内に配置された電気的構造群(BG)の冷
却装置であって、ケーシング(G)の空気入口(LE)内にそれぞれ配置されて
いる少なくとも1つのダイヤフラムフィルタ(MB)を、電気的構想群の冷却用
に流入する空気から少なくとも汚物粒子を表面ろ別するために有し、かつケーシ
ング(G)内に空気流を形成するため、及びろ別された、構造群(BG)の貫流
及び/又は添流によって加熱された冷却空気をケーシング(G)の少なくとも1
つの空気出口(LA)から導き出すための少なくとも1つの冷却装置(VE)を
有している形式のものにおいて、ダイヤフラムフィルタ(MB)が少なくとも1
つの振動発生器(SE)によって機械的に振動せしめられ、この振動発生器は、
ダイヤフラムフィルタ(MB)の表面にたい積した汚物粒子をはがすことを特徴
とする、電気的構造群の冷却装置。 - 【請求項2】 ダイヤフラムフィルタ(MB)が付加的に液体を表面におい
て分離することを特徴とする、請求項1記載の冷却装置。 - 【請求項3】 生ぜしめられる振動が、ダイヤフラムフィルタ(MB)の固
有共振周波数に等しい周波数を有していることを特徴とする、請求項1又は2記
載の冷却装置。 - 【請求項4】 振動発生器(SE)がダイヤフラムフィルタ(MB)と機械
的に結合された電気力学的な変換器として構成されていることを特徴とする、請
求項1から3までのいずれか1項記載の冷却装置。 - 【請求項5】 振動発生器(SE)が機械的な振動を生ぜしめる電磁的な変
換器として構成されており、その際振動発生器(SE)はダイヤフラムフィルタ
(MB)と機械的に結合されていることを特徴とする、請求項1から3までのい
ずれか1項記載の冷却装置。 - 【請求項6】 振動発生器(SE)がダイヤフラムフィルタ(MB)と機械
的に結合された電気機械的な変換器として構成されていることを特徴とする、請
求項1から3までのいずれか1項記載の冷却装置。 - 【請求項7】 電気機械的な変換器が圧電変換器として構成されていること
を特徴とする、請求項6記載の冷却装置。 - 【請求項8】 振動発生器(SE)が静電変換器として構成されており、そ
の際ダイヤフラムフィルタ(MB)が導電性の材料から作られていて、2つのキ
ャパシタ板(KP)の間に配置されており、キャパシタ板の間の静電的な力がダ
イヤフラムフィルタ(MB)の機械的な運動を生ぜしめることを特徴とする、請
求項1から7までのいずれか1項記載の冷却装置。 - 【請求項9】 キャパシタ板(KP)が導電性材料から成る編組体として構
成されていることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の冷却
装置。 - 【請求項10】 ダイヤフラムフィルタ(MB)が導電性の材料からキャパ
シタ板(KP)として構成されていることを特徴とする、請求項8又は9記載の
冷却装置。 - 【請求項11】 制御装置(ST)が周期的にかつ/又はダイヤフラムフィ
ルタ(MB)の汚染率に関連して、振動発生器(SE)を制御することを特徴と
する、請求項1から10までのいずれか1項記載の冷却装置。 - 【請求項12】 請求項1から11までのいずれか1項記載の冷却装置を備
えた技術的装置。 - 【請求項13】 移動無線電話システムのベースステーション及び又は無線
の加入者接続システムとして構成されている、請求項12記載の技術的装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19916595A DE19916595B4 (de) | 1999-04-13 | 1999-04-13 | Anordnung zum Kühlen einer elektrischen Baugruppe und zum Kühlen eines elektrisch betriebenen technischen Gerätes |
DE19916595.5 | 1999-04-13 | ||
PCT/DE2000/001140 WO2000062589A2 (de) | 1999-04-13 | 2000-04-12 | Anordnung zum kühlen einer elektrischen baugruppe und technisches gerät |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003512718A true JP2003512718A (ja) | 2003-04-02 |
Family
ID=7904366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000611537A Withdrawn JP2003512718A (ja) | 1999-04-13 | 2000-04-12 | 電気的構造群の冷却装置及び技術的装置 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6544309B1 (ja) |
EP (1) | EP1190610B1 (ja) |
JP (1) | JP2003512718A (ja) |
KR (1) | KR100455824B1 (ja) |
CN (1) | CN1168363C (ja) |
AU (1) | AU751338B2 (ja) |
BR (1) | BR0009694A (ja) |
DE (2) | DE19916595B4 (ja) |
ES (1) | ES2226845T3 (ja) |
ID (1) | ID30317A (ja) |
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JP2015226019A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | 富士通株式会社 | 電子機器およびフィルタ装置 |
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