JP2003505742A - 双安定コレステリック液晶表示装置の単極駆動 - Google Patents

双安定コレステリック液晶表示装置の単極駆動

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JP2003505742A JP2001513141A JP2001513141A JP2003505742A JP 2003505742 A JP2003505742 A JP 2003505742A JP 2001513141 A JP2001513141 A JP 2001513141A JP 2001513141 A JP2001513141 A JP 2001513141A JP 2003505742 A JP2003505742 A JP 2003505742A
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イェー エム スフランゲン ルーカス
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Abstract

(57)【要約】 準備フェーズにおいて、パルスの振幅を適応させることによって、駆動電圧をC−MOS技術の限界内に留めつつ、双安定コレステリックディスプレイにおいて、単極駆動を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (技術分野) 本発明は、複数の状態を有することが可能であり、これらの状態のうち少なく
ともフォーカルコニック(焦円錐)状態及びプレーナ(平行配向)状態が、電界
の不在で安定であるキラルネマティック液晶材料を具えた表示装置に関するもの
である。こうした表示装置は、例えば電子新聞、GSM電話機、等に使用するこ
とができる。
【0002】 (従来技術) こうしたコレステリック液晶ディスプレイ(CLTCディスプレイ)は、3フ
ェーズ(段階)の駆動モードで駆動することができる。準備信号、選択信号、及
び進化信号を続けて、行電極に供給する。選択信号期間中には、データ信号を、
行電極と共に列電極に供給して、中間液晶材料が画素を規定する。こうした駆動
モードは、X.-Y.Haung他、"Dynamic Drive for Bistable Reflective Cholester
ic Displays:A Rapid Addressing Scheme"、SID 95 Digest,347〜350ページに
示されている。この文献に示されている駆動モードでは、データ信号は、進化及
び準備信号に対して直交であり(データ信号の周波数は、進化及び準備信号の半
分である)、このため進化信号及び準備信号の実効値は、データ信号によって乱
されることがない。この関係のモードは高速であるが、特に準備フェーズでは、
信号に高振幅が要求され、これは35Vになりうる。このモードはAC駆動にも
とづいているので、使用すべき駆動回路は倍電圧、即ち70Vを供給できなけれ
ばならない。この電圧は、通常のIC技術(CMOS)では高すぎる。
【0003】 (発明の開示) 本発明の目的は、この問題の解決方法を提供することにある。この目的のため
、本発明による表示装置は、準備信号、選択信号、及び進化信号のグループから
の信号で行電極を駆動する駆動手段と、表示すべき画像に従うデータ信号で列電
極を駆動する駆動手段とを設けて、準備信号、選択信号、及びデータ信号のグル
ープからの信号が、参照電圧に対して単極であることを特徴とする。
【0004】 以下に記述するように、このことは、異なる補助電圧を、異なる時間ユニット
中に、すべての行及び列電圧に加算することによって可能となる。そして、準備
信号、選択信号、進化信号、及びデータ信号のグループからの信号の振幅が、駆
動ICにおける最大許容電圧によって規定される、ということは明らかである。
これは、例えば、40(または50)V以下である。0Vを参照電圧に選択する
と、駆動ICには40Vプロセス(または50Vプロセス)を用いることができ
る。 本発明のこれら及び他の要点は、以下に記述する実施例から明らかになる。
【0005】 (発明を実施するための最良の形態) 以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。これらの図は一定
寸法比で描いたものではない。 図1に、電極5、6を設けた、例えばガラスのような2枚の基板3、4の間に
存在するキラルネマティック液晶材料2を有する光変調セル1の一部分の断面図
を示す。このデバイスは必要により、液晶材料を基板の内壁上に配向させる配向
層9を具えている。この場合には、この液晶材料は正の光学異方性および正の誘
電異方性を有する。図1の例では、光変調セルは吸収層10を有する。
【0006】 キラルネマティック液晶材料2は、正の誘電異方性を有するネマティック液晶
材料とキラル材料との混合物であり、キラル材料は、キラルネマティック構造が
所定のピッチPでできるような量だけ存在する。ピッチPは、この間で液晶材料
のディレクタが360度回転するような距離である。液晶分子は基板の壁上に、
いくぶん垂直に(あるいは、一部の場合にはこの壁面に平行に)配向されている
。ここで、第1安定状態(プレーナ状態)は、ピッチPを有する螺旋構造で構成
される(図1a)。光変調セルの厚さdは、ピッチPの数倍(例えば6倍、少な
くとも2倍)である。
【0007】 プレーナ状態は、λ=n.P(n:平均屈折率)の帯域付近の波長を有する光に
関して、螺旋状に旋廻する偏光の偏光方向を反射するような特性を有する。図1
のデバイスでは、プレーナ構造が例えば青色光を反射するようなピッチを有する
液晶を選定して、黒色の吸収背景10を選定する。そして、図に示す表示装置で
、黒色背景(または他の類似の方法)に対する青特性が生成される。
【0008】 こうしたキラルネマティック液晶材料が有することができる他の安定状態は、
フォーカルコニック(焦円錐)状態(図1b)であり、この状態は、電極5、6
に1つ以上の所定値(図1に電圧源11及びスイッチ12で示す)の電圧パルス
を給電した後に生成される。いわば、螺旋構造が細かく解体されて任意に配向し
、入射光はもはや(部分的に)反射されないが、吸収背景には到達しうる。
【0009】 光変調セルにかかる高い電圧では、液晶材料は第3の状態を有し、これはホメ
オトロピック(垂直配向)状態と称され、即ちすべての分子が電界方向に指向し
、光変調セルが(可視)波長で透明になる。駆動電圧及びスイッチング速度に応
じて、光変調セルがこの状態からプレーナ状態またはフォーカルコニック状態に
切り替わる。
【0010】 図2に、図1の表示装置の電圧/反射特性を示す。ゼロ電圧状態は履歴に依存
する。図式的に示せば、こうするためにプレーナ状態を選択して、これにより表
示要素が、青色光を高い反射値Rで反射する。(しきい値)電圧実効値Vpfを有
するパルスに対しては、液晶がフォーカルコニック状態(曲線1)に変化して、
この状態ではRがほぼ0になる(背景は可視)。パルスの実効電圧をVoffから
さらに増加させると、反射も高い値に増加する。0Vで液晶がフォーカルコニッ
ク状態である場合に、やや高い実効電圧V'offで反射の増加が始まり(曲線2)
、Vonで高い反射に至る。中間反射レベルは明確には規定されていないが、遷移
範囲Voff〜Vonでとりうる。いわば、例えば(1つ以上のパルスを伴う)ホメ
トロピック状態によって、かついわゆる準備フェーズにおいて、各選択(情報の
書き込み)の前に、表示装置(またはそのライン)を消去することによって、曲
線(1)、(2)が一致して、これによりVoff及びVonが明確に固定される。この場
合には、Voff及びVonは電圧/反射特性によって規定されるが(例えば、最大
反射の1%及び99%)、必要ならば、異なるように規定することができる(例
えば最大反射の5%及び95%)。
【0011】 図3に、本発明を適用可能な表示装置1の等価回路を示す。この回路は、m行
の選択電極5と、n列の行またはデータ電極との交差点の位置に、画素のマトリ
クス18を具えている。行ドライバ16によって行電極を連続的に選択し、デー
タレジスタ15経由で列電極にデータを供給する。この目的のために、必要によ
りプロセッサ14内で、入力データ信号21を最初に処理する。駆動線17によ
って相互の同期を行う。
【0012】 こうした表示装置の駆動については、図5〜図18を参照して以下に説明する
。AC駆動に始まり、信号は単極になる。この説明は、電圧に対する電流値を有
する実施例に関して行うが、より抽象的な派生例も並列して提示し、これらの派
生例は、駆動電圧を駆動ICの最大使用電圧に関連づけたものである。
【0013】 図4に、既知の駆動モード(3フェーズ駆動モード)を示す。連続行(k、k+1
、k+2)に対して、準備信号、選択信号、及び進化信号を(連続的に)供給する
。選択期間中には、列電極に存在するデータ信号が、関係行の画像内容を規定す
る。図4の、選択信号及びデータ信号の周波数は、進化及び準備信号の周波数の
半分である。選択電圧の振幅は例えばVsel=7Vであり、データ電圧の振幅は
3Vであり、このため「オン」状態での画素電圧は10Vであり、「オフ」状態
では4Vである。準備フェーズが長く継続し過ぎない(≦20mS)ようにするた
めに、このフェーズでの振幅はVprep=35Vでなければならない。進化フェー
ズでの振幅は、例えばVevol=25Vである。行及び列を共に駆動する駆動IC
は、これらすべての電圧、特に準備フェーズにおける電圧のピーク−ピーク(尖
頭対逆)値を発生することができるように、少なくとも70Vの電源電圧を有す
べきである。
【0014】 本発明によれば、すべての電圧が単極(本例では正)になる。ここでは準備電
圧を適応させて(図5参照)、4つの異なる時間ユニットt1、t2、t3、t4
に、交互に+37V、−33V、+33V、及び−37Vとする(この系列を繰
り返す)。データ電圧は、準備信号と同相または逆相にすることができる。これ
に応じて、準備フェーズ中の画素電圧は4つの異なる時間ユニットt1、t2、t 3 、t4中に、+40V、−30V、+30V、−40Vとなり、これらは所望の
リセットに到達するのに十分な、35.01Vの実効電圧に相当する。4つの異なる
時間ユニットt1、t2、t3、t4中に、すべての行及び列に次の電圧を連続的に
反復して加算し:+3V、+33V、+7V、及び+37V、これにより図6の
電圧パターンとなる。表1に、これらの値を示す。 表1
【0015】 本例では、すべての駆動電圧が正であり、十分に低い(40V以下)であるこ
とは、図及び表から明らかであり、このため駆動ICは、いわゆる40Vプロセ
スによって作られたものを使用することができる。
【0016】 表1の電圧をより一般化して、次表のように表わすことができる。 表1 この表において、 Vmaxは、ICの最大電源電圧であり、ICプロセスによって決まる(例えば4
0V)。 Aprepは、準備電圧の最小要求実効値または振幅(方形波電圧の場合)である(
例えば35V)。 Aselは、選択電圧の振幅である(本例では7V)。 Adataは、データ電圧の振幅である(本例では3V)。 Aevolは、進化電圧の振幅である(本例では25V)。
【0017】 上述した例では、準備信号及び進化信号の周波数は、選択信号の周波数の2倍
である。表示装置の全行の電気容量を充電及び放電しなければならないので、こ
れにより消費電力が高くなり、これは1回書き込みの際に顕著である。準備信号
及び進化信号の周波数が選択信号の周波数の半分である、図7に示すような信号
パターンを用いると、この消費電力が減少する。異なる行の準備信号を互いに同
相にし、かつ進化信号と同相にするために、選択信号については2周期を選定す
る。ここで、準備信号及び進化信号の周波数は、(例えば1mSのような所定の選
択時間で、)先の例の半分になる。これにより、準備及び進化期間中の消費電力
は50%減少するが、選択期間中の消費電力は100%増加する。
【0018】 最初の例と同様に、図8に示すように、まず準備信号を適応させる。これによ
り、準備電圧は交互に、+37V、+33V、−33V、及び−37Vとなり、
これは35.06Vの実効値に相当する。4つの異なる時間ユニットt1、t2、t3
4中に、すべての行及び列に、次の電圧を連続的に反復して加算し:+3V、
+7V、+33V、及び+37V、これにより図9の電圧パターンとなる。表2
にこれらの値を示す。ここでもすべての電圧が0Vと40Vの間である。 表2
【0019】 選択信号の位相(及びデータ信号の位相も)を反転させることによって、準備
から選択への遷移状態、及び選択から進化への遷移状態で、電圧のジャンプ(飛
躍)が低減される。このため、準備電圧の異なる値の列は少し変化して、+33
V、+37V、−37V、−33Vとなる。そして加算する電圧は、+7V、+
3V、+37V、及び+33Vとなる。
【0020】 表2を一般化して、次のように書くことができる。 表2
【0021】 選択期間中に、選択電圧の1周期のみを用いることによって、書き込み中の消
費電力をさらに減少させることができる。これにより、準備信号及び進化信号の
周波数は、図4を参照して説明した信号の周波数の四分の一になり、エネルギ消
費も比例的に低下するが、書き込み中のエネルギ消費は同じである。図10に信
号パターンを示す。準備信号の位相を進化信号の位相に合わせて、負及び正の半
周期を交互に開始することによって、ここでも異なる行の準備信号が互いに同相
になり、かつ進化信号と同相になる。
【0022】 ここでも、まず準備信号を適応させる(図11)。ここでも準備電圧を交互に
、+37V、+33V、−33V、及び−37Vとし、これは35.06Vの実効値
に相当する。4つの異なる時間ユニットt1、t2、t3、t4中に、すべての行及
び列に、次の電圧を連続的に反復して加算し:+3V、+7V、+33V、及び
+37V、これにより図12の電圧パターンとなる。表3にこれらの値を示す。
表3 この表は表2と同一であり、より一般化した形式として、表2aと同一の値を
有する表を適用することができる。ここでもすべての電圧が、駆動ICにおける
最大許容電圧より低いままとなる。
【0023】 すべての行及び列において、選択信号の位相を反転させることにより、従って
データ信号の位相を反転させることにより、準備フェーズから選択フェーズへの
遷移状態(図11)で発生する最大の電圧ジャンプが低減されて。これにより消
費電力がさらに減少する。そして準備電圧の異なる値の列は少し変化して、+3
3V、+37V、−33V、−37Vとなる。加算する電圧は+7V、+3V、
+33V、及び+37Vとなる。
【0024】 これまでの例は、特に1回書き込みに関するものである。図13に示す信号に
よって、例えばビデオ画像のような動画像の表示を行うことができる。ここで、
準備信号及び進化信号は既にDC信号(0Vについて単極)であり、次のフレー
ムでは反転する(反転信号と共に供給される)。すべての信号を0Vについて単
極にするために、図14に示すように準備信号を適応させて、この信号は+37
Vと+33Vの値を交互にとる。2つの連続する時間ユニットのすべてにおいて
、後に値+3V及び+7Vを行及び列電圧に加算する。これによって得られる信
号を図15に示し、関連する電圧を表4及び表4aに示す。 表4 表4
【0025】 次のフレームについて、図16に元の信号を示し、図17に適応させた信号を
示す。準備信号は、値−37Vと−33Vを交互にとる。2つの連続する時間の
ユニットのすべてにおいて、後に値+37Vと+33Vを行及び列電圧に加算す
る(図18を参照)。関連する電圧を表5に示し、より一般化して表5aに示す
。 表5 表5 ここでも、すべての電圧がVmax以下の(絶対)値を有する。
【0026】 本発明の範囲は、記述した実施例に限定されるものではない。各新規的特徴及
びこれらの特徴の各組合わせのすべてに、発明が存在する。「具えている」とい
う語およびその活用形は、請求項に記載した以外の要素の存在を排除するもので
はない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による光変調セルの断面図であり、2つの異なる状態を示す。
【図2】 図1の表示装置の、電圧/反射特性を示す図である。
【図3】 画素のマトリクスを有する表示装置の具体例を示す図である。
【図4】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図5】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図6】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図7】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図8】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図9】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図10】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図11】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図12】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図13】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図14】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図15】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図16】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図17】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
【図18】 単純マトリクス用の行及び列信号の変化を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),CN,JP,K R (72)発明者 ルーカス イェー エム スフランゲン オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン 6 (72)発明者 アレクサンデル ヴェー ヘンゼン オランダ国 5656 アーアー アインドー フェン プロフ ホルストラーン 6 Fターム(参考) 2H093 NA11 NB07 NC10 NC16 NC65 NC90 ND03 NF14 5C006 AA01 AC15 AC24 AF44 BA12 BB12 EB05 FA14 FA46

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の状態を有することが可能であり、これらの状態のうち少な
    くともフォーカルコニック(焦円錐)状態及びプレーナ(平行配向)状態が、電
    界の不在で安定であるキラルネマティック液晶材料において、 準備信号、選択信号、及び進化信号のグループからの信号で行電極を駆動する
    駆動手段と、表示すべき画像に従うデータ信号で列電極を駆動する駆動手段とを
    具え、準備信号、選択信号、進化信号、及びデータ信号のグループからの信号が
    、参照電圧に対して単極であることを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項2】 少なくとも駆動ICを設けた請求項1に記載の表示装置において
    、準備信号、選択信号、進化信号、及びデータ信号のグループからの信号の振幅
    が、前記駆動ICの最大許容電圧によって決定されることを特徴とする請求項1
    に記載の表示装置。
  3. 【請求項3】 準備信号、選択信号、進化信号、及びデータ信号のグループから
    の信号の振幅が40ボルト以下であることを特徴とする請求項1または請求項2
    に記載の表示装置。
  4. 【請求項4】 前記参照電圧が0ボルトであることを特徴とする請求項1、請求
    項2、または請求項3のいずれかに記載の表示装置。
  5. 【請求項5】 行電極用の準備信号が、異なる振幅の複数の副信号から構成され
    ることを特徴とする請求項1、請求項2、または請求項3のいずれかに記載の表
    示装置。
  6. 【請求項6】 行電極用の進化信号が、異なる振幅の複数の副信号から構成され
    ることを特徴とする請求項1、請求項2、または請求項3のいずれかに記載の表
    示装置。
  7. 【請求項7】 アドレス電極用の選択信号が、異なる振幅の複数の副信号から構
    成されることを特徴とする請求項5または請求項6のいずれかに記載の表示装置
  8. 【請求項8】 前記準備信号が、フレーム期間中に同一振幅を有することを特徴
    とする請求項1、請求項2、または請求項3のいずれかに記載の表示装置。
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